KR20170137759A - 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

레지스트 도포를 행하는 기판 처리 장치와 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치를 별개의 장치로 함에 있어서, 레지스트 패턴의 형성 처리를 안정적으로 행할 수 있는 기술을 제공한다. 제 1 기판 처리 장치(1)에서 레지스트 도포 후에 가열 처리된 웨이퍼(W)를 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서도 노광 전에 가열 처리하고 있다. 이 때문에, 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 제 2 기판 처리 장치(2)에 반송할 때에 웨이퍼(W)에 분위기 중의 아민이 부착되었다고 해도, 아민이 가열 처리에 의해 비산된다. 또한 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 FOUP(10)이 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치에 당해 FOUP(10)이 반입될 때까지의 시간을 포함하는 웨이퍼(W)의 방치 시간에 기초하여, 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정하고 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W)간에 있어서 레지스트 중의 용제의 잔류량의 불균일이 억제된다. 따라서 레지스트 패턴의 형성 처리의 안정화를 도모할 수 있다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치
본 발명은 기판의 표면에 형성되는 레지스트 패턴의 선 폭을 균일하게 하는 기술에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)의 표면에 레지스트 등의 각종 도포액을 도포하는 도포 처리, 도포막의 노광 처리 및 노광된 도포막의 현상 처리를 행하여, 웨이퍼의 표면에 레지스트 패턴을 형성하고 있다.
이와 같은 도포, 현상 처리를 행하는 기판 처리 시스템에 있어서 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포 모듈에 이용하는 처리액은 고착되기 쉬운 것이 많고, 부착되었을 때에 더러움을 제거하기 어려워, 노광 장치 및 현상 모듈에 비해 메인터넌스에 시간이 걸려 스루풋의 제약이 된다. 그 때문에 도포 모듈을 구비한 전단측(前段側)의 장치와 노광 장치에 접속되는 현상 모듈을 포함하는 후단측(後段側)의 장치를 분리하여 별개의 장치 구성으로 하고, 도포 모듈의 메인터넌스를 행하고 있을 때에도 노광, 현상 처리를 행할 수 있도록 한 구성이 알려져 있다(특허 문헌 1).
이와 같은 기판 처리 시스템에 있어서는, 노광 장치가 대기하는 시간을 없애기 위하여(풀가동시키기 위하여), 후단측의 장치에는 레지스트가 도포된 기판이 도중에 끊어지지 않고 반입되는 것이 요구된다. 또한, 도포 유닛을 포함하는 전단측의 장치와 현상 유닛을 포함하는 후단측의 장치를 별개의 장치로 함으로써, 양 장치 사이를 캐리어로 공장 내를 반송하지 않으면 안되고, 그 때문에 파생하는 문제점도 고려한 후, 안정된 레지스트 패턴의 형성 처리를 실현할 필요가 있다.
일본특허공개공보 2007-335626호
본 발명은 이와 같은 사정의 하에서 이루어진 것으로서, 레지스트 도포를 행하는 기판 처리 장치와 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치를 별개의 장치로 함에 있어서, 레지스트 패턴의 형성 처리를 안정적으로 행할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 제 1 기판 처리 장치에서 기판에 레지스트를 도포하는 공정과,
이어서, 제 1 기판 처리 장치에서 기판을 가열 처리하는 공정과,
그 후, 상기 기판을 캐리어에 수납하고, 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 반송하는 공정과,
상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 당해 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간에 기초하여, 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정한 상태로 상기 제 2 기판 처리 장치에서 기판을 가열 처리하는 공정과,
계속해서 상기 기판을 노광하고, 추가로 상기 제 2 기판 처리 장치에서 가열 처리한 후, 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 시스템은, 기판을 수납하여 반송하는 캐리어가 반입반출되는 캐리어 블록과, 이 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판에 대하여 레지스트막이 도포되는 레지스트 도포 유닛과, 레지스트가 도포된 기판을 가열 처리하는 제 1 가열 유닛을 포함하는 제 1 기판 처리 장치와,
상기 제 1 기판 처리 장치로부터 반출된 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 이 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판을 가열 처리하는 제 2 가열 유닛과, 이 제 2 가열 유닛에서 가열 처리되고, 이어서 노광된 기판을 가열 처리하기 위한 제 3 가열 유닛과, 이 제 3 가열 유닛에서 가열 처리된 기판을 현상하는 현상 유닛을 포함하고, 노광 장치에 접속되는 제 2 기판 처리 장치와,
상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 당해 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간에 기초하여, 상기 제 2 가열 유닛에 있어서의 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정하는 가열 조정부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또 다른 발명의 기판 처리 장치는, 본 발명의 기판 처리 시스템에 이용되는 상기 제 1 기판 처리 장치인 것을 특징으로 한다. 또한 또 다른 발명의 기판 처리 장치는, 본 발명의 기판 처리 시스템에 이용되는 상기 제 2 기판 처리 장치인 것을 특징으로 한다.
레지스트 도포를 행하는 기판 처리 장치(제 1 기판 처리 장치)와 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치(제 2 기판 처리 장치)를 별개의 장치로 함에 있어서, 제 1 기판 처리 장치에서 레지스트 도포 후에 가열 처리된 기판을 제 2 기판 처리 장치에 있어서도 노광 전에 가열 처리하고 있다. 이 때문에, 제 1 기판 처리 장치로부터 처리 후의 기판을 캐리어에 의해 제 2 기판 처리 장치에 반송할 때에 기판에 분위기 중의 아민이 부착되었다고 해도, 아민이 가열 처리에 의해 비산된 상태에서 노광, 현상이 행해진다. 따라서, 레지스트 패턴의 형성 처리를 안정적으로 행하는 것, 즉 패턴의 선 폭 또는 홀 직경을 기판간에서 일치시킬 수 있다. 또한 제 1 기판 처리 장치로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치에 당해 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간에 기초하여, 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정함으로써, 기판간에 있어서 레지스트 중의 용제의 잔류량의 불균일이 억제되어, 레지스트 패턴의 형성 처리의 안정화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 측면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 제 1 기판 처리 장치를 나타내는 외관 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 제 1 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 가열 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 제 2 기판 처리 장치를 나타내는 외관 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 기판 처리 장치의 제어부를 나타내는 설명도이다.
도 7은 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 처리의 공정을 나타내는 순서도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태의 다른 예에 따른 캐리어 대기부를 나타내는 사시도이다.
도 9는 웨이퍼의 방치 시간과 형성되는 패턴의 선 폭의 관계를 나타내는 특성도이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은, 도 1에 나타내는 바와 같이 기판인 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 함)(W)에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 제 1 기판 처리 장치(1)와, 노광 장치와 접속되고 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)에 현상 처리를 행하는 제 2 기판 처리 장치(2)를 구비하고 있다.
또한 기판 처리 시스템은, 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 제 1 기판 처리 장치(1)에서 처리된 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(반송 용기)인 FOUP(10)을 제 2 기판 처리 장치(2)에 반송하기 위한 OHT(Overhead Hoist Transport) 등의 캐리어 반송 기구(3)가 마련되어 있다. 캐리어 반송 기구(3)는 제 2 기판 처리 장치(2)로부터 반출되는 FOUP(10)을 다음 단의 기판 처리 장치에 반송하는 역할도 포함하고, 공장 내 전체에 걸쳐 FOUP(10)을 반송하는 공장 내 반송 기구의 일부를 이용하는 것이다. 구체적으로, 캐리어 반송 기구(3)는 공장의 천장부에 마련된 레일(30)과, 레일(30)을 따라 이동 가능하게 구성된 로봇으로 구성되는 본체부(31)를 구비하고 있다. 본체부(31)는 하방에 승강 벨트(32)를 개재하여 FOUP(10)을 파지하기 위한 파지부(33)가 마련되어 있고, 파지부(33)는 FOUP(10)에 마련된 헤드부(110)를 파지하여 FOUP(10)을 매달아 올려 반송하고, 또한 파지부(33)가 승강하여 각 장치에 FOUP(10)을 전달한다.
또한 캐리어 반송 기구(3)의 반송로의 도중에는, 예를 들면 복수의 FOUP(10)을 일시적으로 배치해 두기 위한 캐리어 대기부(100)가 마련되어 있고, 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 반출된 FOUP(10)은 예를 들면 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입되기 전에 일단 캐리어 대기부(100)에 배치된다.
제 1 기판 처리 장치(1)에 대하여 설명한다. 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이 제 1 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼(W)를 FOUP(10)으로부터 장치 내에 반입반출하기 위한 캐리어 블록(B1)과, 웨이퍼(W)의 표면에 도포막을 형성하는 처리 블록(B2)을 접속한 구성으로 되어 있다. 캐리어 블록(B1)은 FOUP(10)의 배치 스테이지(91)와, 도어(92)와, 도어(92)를 개재하여 FOUP(10)으로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(93)을 구비하고 있다. 도어(92)는 제 1 기판 처리 장치(1)의 내부 분위기와 외부의 분위기를 구획하는 구획벽에 마련되고, 배치 스테이지(91)에 배치된 FOUP(10)의 덮개부와 함께 개폐된다.
처리 블록(B2)은 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하기 위한 제 1 ∼ 제 6 단위 블록(D1 ∼ D6)이 아래부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 도 2에 있어서 각 단위 블록(D1 ∼ D6)에 부여한 알파벳 문자는 처리 종별을 표시하고 있으며, SOC는 SOC(Spin On Cap)막 형성 처리, BCT는 반사 방지막 형성 처리, COT는 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 처리를 나타내고 있다.
도 3에 대표적으로 단위 블록(D5)의 구성을 나타내면, 단위 블록(D5)에는 캐리어 블록(B1)측으로부터 내측을 향하는 직선 형상의 반송 영역(R5)을 이동하는 메인 암(A5)과, 액 처리 유닛으로서 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 유닛(5)을 구비한 액 처리 유닛(80)과, 웨이퍼(W)에 노광 처리 전의 제 1 가열 처리(제 1 PAB : 노광 전 가열 처리)를 행하기 위하여 가열 유닛(6)을 적층한 선반 유닛(U1 ∼ U6)을 구비하고 있다.
반송 영역(R5)의 캐리어 블록(B1)측에는, 서로 적층된 복수의 스테이지에 의해 구성되어 있는 선반 유닛(U7)이 마련되어 있다. 반송 암(93)과 메인 암(A5)의 사이의 웨이퍼(W)의 전달은 선반 유닛(U7)의 전달 모듈과 반송 암(94)을 통하여 행해진다. 각 단위 블록(D1, D3, D5)은 웨이퍼(W)에 대하여 형성하는 도포막이 상이한 것을 제외하고 대체로 동일한 구성이며, 단위 블록(D1 및 D2)은 SOC막을 도포하고, D3 및 D4는 반사 방지막을 도포한다.
제 1 기판 처리 장치(1)의 천장부에는 FFU(Fan Filter Unit)가 마련되어 있다. FFU는 제 1 기판 처리 장치(1) 내에 청정 공기의 하강류를 형성하여, 제 1 기판 처리 장치(1) 내의 분위기를 청정하게 유지하기 위하여 마련되어 있다. 청정 기체로서는, ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터 또는 HEPA(High Efficiency Particulate Air) 필터를 통과시킨, 청정 공기 혹은 질소 가스 등의 불활성 가스를 들 수 있다.
액 처리 유닛의 구성에 대하여, 레지스트 도포 유닛(5)에 대하여 설명한다. 레지스트 도포 유닛(5)은 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트, 예를 들면 화학 증폭형 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 유닛(5)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 컵 모듈(51)과 노즐 유닛(52)을 구비하고 있다. 컵 모듈(51)은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 유지하고, 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성된 스핀 척(53)을 구비하고 있다. 스핀 척(53)의 주위에는, 스핀 척(53) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부를 구비한 컵체(상세하게는 컵 조립체)가 마련되어 있다. 컵체는 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 용제를 받아 배출하고, 또한 하부의 마련된 배기로로부터 배기하여 미스트가 처리 분위기에 비산하지 않도록 구성되어 있다. 그리고 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하면서 회전시켜 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 도포한다.
계속해서 제 1 가열 유닛(6)에 대하여 설명한다. 제 1 가열 유닛(6)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 하우징(60) 내에 가열판(62)과, 웨이퍼(W)의 냉각부를 겸용하는 반송 암(61)이 길이 방향으로 배열하여 배치되어 있다. 하우징(60)의 길이 방향에 있어서의 반송 암(61)측의 측면에는 반입 출구(64)가 마련되고, 반입 출구(64)에는 반입 출구(64)를 개폐하는 셔터(65)가 마련되어 있다.
가열판(62)은, 예를 들면 하면에 히터(68)가 마련되어 있고, 가열판(62)에 배치된 웨이퍼(W)가 가열된다. 가열판(62)의 표면에는 둘레 방향으로 3 개소의 관통홀(63)이 마련되어 있고, 각 관통홀(63)로부터는 반송 암(61)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 승강 핀(66)이 돌출 및 함몰하도록 구성되어 있다. 또한 가열 유닛(6)에 배치된 웨이퍼(W)의 상방을 덮어 웨이퍼(W)를 효율 좋게 가열하기 위한 커버부(67)가 마련되어 있다. 반송 암(61)은 이동 기구(69)에 의해 가열판(62)에 대하여 가이드 레일(79)을 따라 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 하우징(60)의 측면에는 배기부(77)가 마련되어 있고 배기부(77)는 배기관(78)을 개재하여 도시하지 않은 배기 펌프에 접속되어 있다.
계속해서 제 2 기판 처리 장치(2)에 대하여 설명한다. 제 2 기판 처리 장치(2)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판 처리 장치(1)와 동일하게 구성된 캐리어 블록(B1) 및 처리 블록(B2)과, 인터페이스 블록(B3)을 서로 접속하여 구성되고, 인터페이스 블록(B3)의 내측에는 노광 장치(B4)가 접속되어 있다. 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서의 처리 블록(B2)은 하층측으로부터 웨이퍼(W)에 노광 전의 제 2 가열 처리(제 2 PAB)를 행하기 위하여 단위 블록(도 5에서는 편의상 'PAB'라고 기재하고 있음)이 마련되고, 그 상방에 현상 처리를 행하기 위한 단위 블록(도 5에서는, 편의상 'DEV'라고 기재하고 있음)이 4단 적층되어 있다.
노광 전의 제 2 가열 처리를 하기 위하여 단위 블록(PAB)은, 예를 들면 액 처리 모듈이 마련되어 있지 않고, 가열 유닛으로서 예를 들면 제 1 가열 유닛(6)과 동일한 구성의 제 2 가열 유닛이 마련되어 있다. 현상 처리를 행하기 위한 단위 블록(DEV)은 액 처리 유닛으로서 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 유닛이 마련되고, 가열 유닛으로서 제 1 가열 유닛(6)과 대체로 동일한 구성인 노광 후 가열 처리(PEB)를 행하기 위한 제 3 가열 유닛이 반송 암의 직선 반송로를 사이에 두고 마련되어 있다.
인터페이스 블록(B3)은 처리 블록(B2)과 노광 장치(B4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 블록이다. 인터페이스 블록(B3)은, 처리 블록(B2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 스테이지군, 노광 장치(B4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 스테이지군 및 이러한 전달 스테이지군의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 기구 등을 구비하고 있다.
또한 제 2 기판 처리 장치(2)의 천장부에도 제 1 기판 처리 장치(1)와 동일하게 FFU가 마련되어, 제 2 기판 처리 장치(2) 내의 분위기가 청정하게 유지되어 있다.
도 1로 돌아가서, 제 1 기판 처리 장치(1)에는 당해 기판 처리 장치(1)를 제어하기 위한 제 1 장치 제어부(81)가 마련되고, 제 2 기판 처리 장치(2)에는 당해 기판 처리 장치(2)를 제어하기 위한 제 2 장치 제어부(82)가 마련되어 있다. 이러한 제 1 및 제 2 장치 제어부(81(82))는, 제 1 기판 처리 장치(1)(제 2 기판 처리 장치(2))의 일부로서 파악할 수도 있지만, 설명의 편의상 제 1 기판 처리 장치(1)(제 2 기판 처리 장치(2))를 제어하는 것으로서 취급하기로 한다.
제 1 장치 제어부(81)는 제 1 기판 처리 장치(1)의 레지스트 도포 유닛(5) 등의 처리 유닛(모듈) 및 반송 암(93, 94, A5) 등을 프로세스 레시피 및 반송 레시피에 기초하여 제어하는 기능을 가지고, 또한 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(10)이 반출되는 타이밍을 검출하는 검출부를 구비하고 있다. FOUP(10)의 반출 타이밍의 검출 방법의 일례로서는, 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 FOUP(10)에 복귀시킨 후, 캐리어 블록(B1)에 마련된 도어(92)를 닫은 타이밍을 FOUP(10)의 반출 타이밍으로서 파악하는 방법을 들 수 있다. 복귀된 FOUP(10)은 캐리어 반송 기구(3)에 의해 신속히 캐리어 대기부(100)에 반송되므로 반출 타이밍에 대응한다.
또한 제 1 장치 제어부(81)는 어느 로트의 몇 번째의 웨이퍼(W)가 제 1 기판 처리 장치(1) 내의 어디에 위치하고 있는지에 대해서는 리얼 타임으로 파악하고 있다. 따라서 제 1 장치 제어부(81)는 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 FOUP(10)에 복귀되어 도어(92)가 닫힐 때에, 당해 FOUP(10)이 어느 로트인지를 파악하고 있기 때문에, 로트(로트 혹은 FOUP(10)의 식별 코드)와 제 1 기판 처리 장치(1)로부터의 반출 타이밍(시각)을 대응시켜 메모리에 기억할 수 있다.
제 1 장치 제어부(81) 및 제 2 장치 제어부(82)는 상위 컴퓨터(8)에 접속되어 있고, 상위 컴퓨터(8)는 제 1 장치 제어부(81) 및 제 2 장치 제어부(82)에 대하여, 이로부터 반입되는 로트(FOUP(10) 단위의 웨이퍼(W)의 군)의 식별 코드 및 그 로트의 프로세스 레시피 등을 보내는 역할을 가지고 있다. 또한 상위 컴퓨터(8)는 제 1 장치 제어부(81)로부터 FOUP(10)이 반출된 시각을 수신하고, 이 시각을 당해 FOUP(10)과 대응시켜 제 2 장치 제어부(82)에 송신하는 기능을 구비하고 있다.
제 2 장치 제어부(82)는 제 2 기판 처리 장치(1)의 제 2 가열 유닛(50), 제 3 가열 유닛, 현상 유닛 등의 처리 유닛 및 반송 암을 프로세스 레시피 및 반송 레시피에 기초하여 제어하는 기능을 가진다. 또한 제 2 장치 제어부(82)는 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(10)이 반입되는 타이밍(시각)을 검출하는 검출부를 구비하고 있고, 이 검출부는 예를 들면 제 1 기판 처리 장치(1)의 경우와 동일하게 캐리어 블록(B1)에 마련된 도어를 FOUP(10)의 덮개부와 함께 연 시각을 검출한다.
도 6은 제 2 장치 제어부(82)를 나타내는 블록도이며, 버스(86)에 프로그램(83)을 저장한 프로그램 저장부, CPU(84) 및 메모리(85)가 접속되어 있다. 프로그램(83)은 제 2 기판 처리 장치(2) 내에서 행해지는 일련의 프로세스의 레시피 및 웨이퍼(W)의 반송 레시피 등의 소프트웨어를 포함하고 있다. 또한 프로그램(83)은, 이 예에서는 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서 FOUP(10)의 덮개부와 함께 도어(92)가 열린 신호를 수신하고, 그 때의 시각을 반입된 FOUP(10)의 로트와 대응시켜 메모리(85)에 기입하는 단계군을 구비하고 있고, 따라서 FOUP(10)의 반입 시각을 검출하는 검출부를 구성하고 있다.
또한 프로그램(83)은 상위 컴퓨터(8)로부터 송신된 반출 시각(제 1 기판 처리 장치(1)로부터 당해 FOUP(10)이 반출된 시각)을 참조하여, 당해 FOUP(10)의 방치 시간을 산출하는 단계군을 구비하고 있다. 또한 메모리(85)에는 FOUP(10)의 방치 시간과 제 2 가열 유닛(50)의 예를 들면 가열 시간을 대응시킨 데이터가 기억되어 있다. 프로그램(83)은 산출된 방치 시간과 메모리(85) 내의 데이터에 기초하여 제 2 가열 유닛(50)의 가열 시간을 구하는 단계군을 추가로 구비하고 있다. 이 예에서는, 제 1 장치 제어부(81), 상위 컴퓨터(8) 및 제 2 장치 제어부(82)는 방치 시간을 계측하는 계측부도 겸용하고 있다.
제 2 가열 유닛(50)의 가열 시간을 조정하는 의의는 다음과 같다. 이 예에서 사용하는 레지스트에 대해서는, 스루풋을 고려한 현실적인 방치 시간 내에 용제가 완전히 끝까지 휘발되지 않기 때문에, 제 2 가열 유닛(50)에서 가열 처리하기 직전의 시점에 있어서는 방치 시간의 길이에 따른 양만큼 용제가 포함되어 있게 된다. 이 용제가 감소하면, 노광 시에 있어서의 레지스트 중의 산의 발생 및 현상 전의 가열 처리(PEB)에 있어서의 레지스트 중의 산의 확산의 방해가 되어 용제의 잔류량에 따라 패턴의 선 폭이 변하기 때문에, 웨이퍼(W)간에 선 폭을 일치시키기 위해서는 노광에 이르기 전의 레지스트 중의 용제의 잔류량을 일치시키는 것이 필요해진다.
레지스트 중의 용제의 잔류량, 환언하면 휘발량은 웨이퍼(W)가 제 1 기판 처리 장치(1)에 있어서 제 1 가열 유닛(6)에서 가열 처리된 후, 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입되어 제 2 가열 유닛(50)에서 가열 처리가 개시될 때까지의 방치 시간에 따라 결정된다. 그래서, 노광 전에 사전에 각 로트간에서 노광 전의 레지스트 중의 용제량을 일치시키기 위하여 제 2 가열 유닛(50)을 마련하고, 당해 제 2 가열 유닛(50)에서 방치 시간에 따라 가열 에너지를 조정하도록 하고 있다.
제 1 기판 처리 장치(1)에 있어서는 제 1 가열 유닛(6)의 가열 처리(제 1 PAB) 후에 신속히 FOUP(10)에 복귀되고, 또한 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서는 FOUP(10)이 반입된 후에 신속히 제 2 가열 유닛에서 가열 처리(제 2 PAB)가 행해진다. 따라서, 방치 시간은 FOUP(10)이 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 제 2 기판 처리 장치(2)에 반송될 때까지의 시간에 좌우되게 되고, 이 때문에 이미 기술한 바와 같이 FOUP(10)의 방치 시간을 관리하고 있다.
상술의 예에서는, FOUP(10)의 방치 시간의 계측 개시 시각으로서, FOUP(10)이 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 반출되는 시각(상세하게는 도어(92)가 닫히는 시각)을 취급하고 있다. 그러나 상기의 계측 개시 시각으로서는, 제 1 가열 유닛(6)에서 가열 처리(제 1 PEB)가 종료한 시각, 예를 들면 제 1 가열 유닛(6)으로부터 로트의 최종 번호의 웨이퍼(W)가 반출된 시각이어도 되고, 제 1 PAB 후의 웨이퍼(W)가 캐리어 블록(B1) 내의 반송 암(93)에 전달된 시각 등이어도 된다.
또한 방치 시간을 계측하는 의의는 방치 시간 자체를 파악한다기보다는 각 로트간에 있어서의 방치 시간의 차를 파악하는 것이므로, 방치 시간의 계측 개시 시각은 캐리어 대기부(100)로부터 FOUP(10)이 반출되는 시각으로 해도 된다. 방치 시간을 좌우하는 큰 요인으로서, 캐리어 대기부(100)에 있어서의 FOUP(10)의 대기 시간을 들 수 있기 때문에, 이 경우에도 로트간의 방치 시간의 차를 반영하고 있다. 따라서, 방치 시간에 기초하여 제 2 PAB의 가열 시간을 조정함에 있어서는, FOUP(10)이 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 반출된 후 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입될 때까지의 방치 시간을 계측하고 있는 것과 동등하다.
계속해서 상술 실시 형태의 작용에 대하여 도 7의 순서도를 참조하여 설명한다. 먼저 캐리어 반송 기구(3)에 의해, 예를 들면 직경 300 mm의 웨이퍼(W)가 25매 수납된 FOUP(10)이 제 1 기판 처리 장치(1)의 캐리어 블록(B1)의 배치 스테이지(91)에 배치된다. 이어서 반송 암(93)에 의해 FOUP(10)으로부터 웨이퍼(W)가 취출되고, 선반 유닛(U7)에 배치된다(단계(S1)). 그 후 웨이퍼(W)는 예를 들면 제 1 단위 블록(D1)에서 레지스트와 함께 에칭 마스크가 되는 하지막인 SOC막이 형성되고, 이어서 제 3 단위 블록(D3)에 반송되어 반사 방지막이 성막된다(단계(S2)). 그 후 웨이퍼(W)는 예를 들면 단위 블록(D5)에 반입되어, 레지스트액이 도포된다(단계(S3)).
이어서 레지스트막이 도포된 웨이퍼(W)는 메인 암(A5)에 의해 제 1 가열 유닛(6)의 반송 암(61)에 전달된다. 그 후, 반송 암(61)에 의해 가열판(62)에 배치되어, 예를 들면 80 ∼ 100℃에서 60초간 가열된다(제 1 PAB가 행해짐(단계(S4))). 이에 의해 레지스트막에 포함되어 있는 용제가 휘발한다. 그 후 웨이퍼(W)는 가열판(62)으로부터 반송 암(61)에 전달된 후, 메인 암(A5) 전달된다. 그 후 선반 유닛(U7)에 전달된 후, 반송 암(93)에 의해 FOUP(10)에 복귀되고, 도어(92)가 FOUP(10)의 덮개부와 함께 닫힌다(단계(S5)).
이어서 FOUP(10)은 캐리어 반송 기구(3), 예를 들면 OHT에 의해 제 1 기판 처리 장치(1)의 캐리어 블록(B1)으로부터 매달아 올려 반출된다(단계(S6)). 또한 이미 기술한 바와 같이 FOUP(10)의 덮개부를 닫았을 때(도어(92)를 닫았을 때)에는 제 1 장치 제어부(81)는 이 시각을 파악할 수 있도록 당해 시각이 FOUP(10)의 반출 시각으로서 상위 컴퓨터(8)에 보낸다. 또한, 기재의 편의상, 이 시각을 t1이라고 하여 이하의 설명을 진행한다. 이어서, 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 반출된 FOUP(10)은 캐리어 대기부(100)에 반송되어, 여기서 대기한다(단계(S7)).
제 1 기판 처리 장치(1)의 설치 대수와 제 2 기판 처리 장치(2)의 설치 대수가 1:1로 대응하고 있는 경우에는, 제 1 기판 처리 장치(1)의 전체에 있어서의 단위 시간당의 기판의 처리 매수(스루풋)는, 예를 들면 노광 장치(B4)에 있어서의 단위 시간당의 기판의 처리 매수보다 많게 설정된다. 이 때문에 캐리어 대기부(100)가 버퍼 영역이 되어 상시 FOUP(10)가 대기하고 있는 상태가 되고, 노광 장치(B4)가 풀가동하게 된다. 또한 1대의 제 2 기판 처리 장치(2)에 대하여 제 1 기판 처리 장치(1)가 복수대 이용되는 경우에는, 복수대의 제 1 기판 처리 장치(1)의 전체의 스루풋이 노광 장치(B4)의 스루풋보다 많게 설정되게 된다.
계속해서, 캐리어 대기부(100)에 배치되어 있던 FOUP(10)이 캐리어 반송 기구(3)에 의해 매달아 올려져, 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서의 캐리어 블록(B1)의 배치 스테이지(91)에 배치된다(단계(S8)). 이어서 제 2 기판 처리 장치(2)에 있어서의 도어(92)가 FOUP(10)의 덮개부와 함께 열리고, FOUP(10)으로부터 웨이퍼(W)가 취출된다(단계(S9)).
이미 기술한 바와 같이, 제 2 장치 제어부(82)의 메모리(85) 내에는, 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입된 FOUP(10)에 대하여 제 1 장치 제어부(81)로부터 상위 컴퓨터(8)를 경유하여 제 1 기판 처리 장치(1)의 반출 시각(t1)이 저장되어 있다. 그리고 제 2 장치 제어부(82)는 제 2 기판 처리 장치(2)의 캐리어 블록(B1)의 도어(92)가 열린 시각(t2)을 파악하고 있으므로, FOUP(10)의 방치 시간에 상당하는 시각(t2)으로부터 시각(t1)을 뺀 시간(Δt)를 구한다. 또한 제 2 장치 제어부(82)는 메모리(85) 내의 데이터로부터 이 방치 시간(Δt)에 대응하는 제 2 가열 유닛(50)의 가열 처리 시간을 읽어내고, 제 2 가열 유닛(50)의 가열 처리 시간으로서 설정한다.
FOUP(10)으로부터 취출된 웨이퍼(W)는 제 2 가열 유닛(50)에 반입되고, 설정된 가열 처리 시간 동안 가열판 상에서 가열되어 제 2 PAB가 행해진다(단계(S10)). 즉, FOUP(10)의 방치 시간이 긴 경우에는, FOUP(10) 내의 웨이퍼(W)의 레지스트막 중의 용제의 휘발 시간이 길기 때문에 레지스트막 중의 용제의 양이 적고, 이 때문에 제 2 PAB의 시간이 짧게 설정된다. 반대로 FOUP(10)의 방치 시간이 짧은 경우에는, 레지스트막 중의 용제의 휘발 시간이 짧으므로 레지스트막 중의 용제의 양이 많고, 이 때문에 제 2 PAB의 시간이 짧게 설정된다. 따라서, 제 2 PAB를 행한 후의 웨이퍼(W)의 레지스트막 중의 용제의 양은 로트간에서 일치하거나, 혹은 용제의 양의 불균일이 작아진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 제 2 가열 유닛(50)으로부터 취출되고, 노광 장치(B4)에 반입되어 노광이 행해진다(단계(S11)). 노광됨으로써 레지스트에 포함되어 있는 감광제로부터 산이 생성된다. 이어서 웨이퍼(W)는 노광 장치(B4), 인터페이스 블록(B3)을 통하여, 제 3 가열 유닛에 반입되어, 예를 들면 80 ∼ 100℃에서 60초 가열되어 PEB가 행해진다. 이 제 3 가열 유닛에 있어서의 노광 후의 가열 처리에 의해, 노광 시에 생성된 레지스트막 내의 산이 확산하여 촉매로서 작용하고, 예를 들면 레지스트막의 주성분인 베이스 수지를 분해한다(단계(S12)).
제 3 가열 유닛으로부터 취출된 웨이퍼(W)는 현상 유닛에 반입되어 현상 처리된다(단계(S13)). 현상 유닛에 있어서는, 예를 들면 전술의 레지스트 도포 유닛과 동일하게 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)에 현상액이 공급된다. 이에 의해 레지스트막에 있어서 PEB 시에 산이 확산되어 있던 부분이 용해되어, 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 FOUP(10)에 복귀된다(단계(S14)).
상술의 실시 형태의 효과에 따르면 이하의 효과가 있다. 제 1 및 제 2 기판 처리 장치(1, 2) 내는 FFU에 의해 청정 분위기로 되어 있지만, 장치 밖의 분위기에서는 아민의 혼재를 피할 수 없다. 그 때문에 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, FOUP(10)에 복귀되어 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 반출되고 나서 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입될 때까지, 아민을 포함하는 분위기 중(대기 중)을 통과하게 된다.
공장 내는 클린 에어가 공급되어 있으므로 아민의 혼입량은 미량이지만, 예를 들면 화학 증폭형의 레지스트에 대해서는 미량의 아민이라도 산의 확산을 크게 저해한다. 이 때문에 제 1 기판 처리 장치(1)에서 이미 레지스트액이 도포된 후에 PAB가 행해져 있어도, FOUP(10)의 반송처인 제 2 기판 처리 장치(2)에서 노광 전에 제 2 PAB를 행함으로써 레지스트막 중의 아민이 비산하여 소실되고 현상 결함의 발생을 방지할 수 있어, 패턴의 선 폭의 불균일을 억제할 수 있다.
또한 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 FOUP(10)이 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치(2)에 당해 FOUP(10)이 반입될 때까지의 방치 시간을 계측하고 있다. 그리고 이 방치 시간에 기초하여 제 2 기판 처리 장치(2)의 제 2 가열 유닛(50)에서 행해지는 가열 처리인 제 2 PAB의 가열 시간을 조정하고 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 로트간에 있어서 레지스트막 중의 용제의 잔류량의 불균일이 억제되어, 레지스트 패턴의 형성 처리의 안정화를 도모할 수 있다.
또한 제 2 가열 유닛(50)의 가열 시간을 조정하는 것 대신에, 이미 기술한 방치 시간에 기초하여 가열 온도를 조정해도 된다. 후술하는 검증 시험에서 나타내는 바와 같이, 제 2 가열 유닛(50)의 가열 온도를 조정함으로써, 레지스트 패턴의 선 폭을 조정할 수 있다. 따라서, 이 경우에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다. 이와 같이 가열 온도를 조정하는 예에 있어서는, 메모리(85) 내에는 방치 시간과 가열 온도를 대응시킨 데이터가 사전에 기억된다. 또한, 방치 시간에 따라 가열 시간과 가열 온도의 양방을 조정하도록 해도 되며, 이 경우에는 방치 시간과 가열 시간 및 가열 온도를 대응시킨 데이터가 메모리(85) 내에 기억되게 된다.
또한 이미 기술한 방치 시간에 대해서는, 계측하는 것에 한정되지 않고, 예측하여 구하도록 해도 된다. 예를 들면 캐리어 대기부(100)에 새롭게 배치되는 FOUP(10)에 대하여, 이미 대기하고 있는 FOUP(10)의 대수에 따라 당해 캐리어 대기부(100)로부터 취출되는 시간을 예측할 수 있는 경우에는, 예를 들면 상위 컴퓨터(8)가 FOUP(10)의 대기 대수에 기초하여 방치 시간을 예측해도 된다. 이 경우 예측한 방치 시간이 상위 컴퓨터(8)로부터 제 2 장치 제어부(82)에 송신된다.
또한, 공장을 가동했을 때의 통상의 방치 시간 정도의 짧은 시간에 레지스트막 중의 용제량이 일정화되는 레지스트를 이용하는 경우에는, 방치 시간에 따라 제 2 PAB의 가열 에너지를 조정하지 않아도 된다.
또한 제 2 기판 처리 장치(2)에 캐리어 대기부를 마련해도 된다. 도 8은 이와 같은 경우의 구성례를 나타내고 있으며, 제 2 기판 처리 장치(2)의 캐리어 블록(B1)에 있어서의 배치 스테이지(91)의 상방측에 복수단, 예를 들면 2단의 선반부(101)가 마련되고, 각 선반부(101)에 캐리어를 배치하는 배치 스테이지(102)가 마련된다. 이 예에서는 최하단의 배치 스테이지(91)의 배열이 캐리어 블록(B1)에 상당하고, 상단 2단의 선반부(101)가 마련된 배치 스테이지(102)가 캐리어 대기부(100)에 상당한다. 또한 각 배치 스테이지(91, 102)의 사이에서 FOUP(10)을 이동시키기 위한, 캐리어 전달 기구(103)가 마련된다. 캐리어 전달 기구(103)는 승강용 가이드(104)를 따라 승강하고 배치 스테이지(102)의 배열을 따라 연장되는 도시하지 않은 수평 가이드와, 이 수평 가이드를 따라 이동 가능하게 구성되고 FOUP(10)의 헤드부(110)를 유지하는 관절 암(105)을 구비하고 있다. 이와 같은 구성에 있어서는, 제 1 기판 처리 장치(1)에 있어서 캐리어 블록(B1)으로부터 반출된 FOUP(10)을 캐리어 반송 기구(3)에 의해 상단측의 선반부(101)의 정해진 반입반출용의 배치 스테이지(102)에 전달하고, 이어서 FOUP(10)을 캐리어 전달 기구(103)에 의해 다른 배치 스테이지(102)에 전달하여 대기시킨다. 그 후 순서를 기다려, 당해 FOUP(10)이 캐리어 전달 기구(103)에 의해 캐리어 블록(B1)에 상당하는 최하단의 선반의 배치 스테이지(91)에 전달되고, 당해 FOUP(10) 내의 웨이퍼(W)가 취출된다.
또한 상술의 실시 형태에 있어서는, 레지스트막의 노광된 영역에 산이 발생하여 레지스트막이 용해되는 기판 처리 방법이었지만, 레지스트막의 노광된 영역이 산에 의해 불가용화되는 기판 처리 방법이어도 된다.
또한 제 2 가열 유닛(50)에 있어서, 제 2 PAB와 PEB를 행해도 된다.
[검증 시험]
이미 기술한 방치 시간과 제 2 가열 유닛(50)의 설정 온도에 의한 레지스트 패턴의 CD(한계 치수 : Critical Dimension)와의 관계를 이하와 같이 하여 조사하였다. 상술의 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 이용하여, 제 2 가열 유닛의 가열 시간을 60초로 설정하였다. 제 2 가열 유닛의 가열 온도를 80℃, 77.5℃, 75℃의 세 가지로 설정하고, 각각의 온도 조건에 있어서 방치 시간(FOUP(10)을 제 1 기판 처리 장치(1)의 밖에 방치한 시간)을 3, 6, 12시간의 세 가지로 설정하였다. 그리고 각 웨이퍼(W)에 대하여 제 2 가열 유닛(50)에 의해 가열 처리를 끝낸 후, 노광 현상을 행하여 패턴의 선 폭을 측정하였다. 또한 레지스트막이 형성되고, 제 1 기판 처리 장치(1)로부터 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(10)을 반출하여 바로 제 2 기판 처리 장치(2)에 반입한 예를 편의상 방치 시간을 0으로서 나타내었다.
도 9는 이 결과를 나타내며, 제 2 가열 유닛(50)의 가열 온도를 80℃, 77.5℃, 75℃의 각각으로 설정했을 때의 방치 시간과 레지스트 패턴의 CD의 관계를 나타낸다.
이 결과에 따르면, 방치 시간이 길어짐에 따라 CD가 굵어지고 있는 것을 알 수 있다.
도 9의 그래프로부터, 이미 기술한 예에 이용한 레지스트는, 웨이퍼(W)에 도포되어 가열 처리된 후(제 1 PAB가 행해진 후) 6시간의 긴 시간이 경과해도, 추가로 그 후의 경과 시간에 의해 CD가 커지고 있는 것을 알 수 있다. 또한 12시간을 경과해도 아직 용제량이 일정값이 되지 않는 것이 충분히 예측된다. 따라서 이 레지스트는 제 1 PAB를 행한 후의 방치 시간에 따라 용제의 양이 변한다는 것을 알 수 있고, 이 때문에 제 2 기판 처리 장치(2)에서, 방치 시간에 따른 가열 에너지에 의해 제 2 PAB를 행하는 것이 유효한 것이 이해된다.
또한, 제 2 가열 유닛(50)에 의한 가열 온도를 낮춤으로써 CD가 작아지는 것을 알 수 있다. 가열 온도를 올림으로써 레지스트막에 포함되는 용제가 휘발하여, PEB를 행하였을 때의 산의 확산 길이가 짧아지기 때문에 CD가 커진다고 추측된다.
1 : 제 1 기판 처리 장치
2 : 제 2 기판 처리 장치
3 : 캐리어 반송 기구
5 : 레지스트 도포 유닛
6 : 제 1 가열 유닛
8 : 상위 컴퓨터
81 : 제 1 장치 제어부
82 : 제 2 장치 제어부
10 : FOUP
100 : 캐리어 대기부
W : 웨이퍼

Claims (10)

  1. 제 1 기판 처리 장치에서 기판에 레지스트를 도포하는 공정과,
    이어서, 제 1 기판 처리 장치에서 기판을 가열 처리하는 공정과,
    그 후, 상기 기판을 캐리어에 수납하고, 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 반송하는 공정과,
    상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 상기 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간에 기초하여, 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정한 상태로 상기 제 2 기판 처리 장치에서 기판을 가열 처리하는 공정과,
    계속해서 상기 기판을 노광하고, 추가로 상기 제 2 기판 처리 장치에서 가열 처리한 후, 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 상기 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간을 계측하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 상기 캐리어가 반입될 때까지의 동안에, 캐리어가 캐리어 대기부에 대기하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 기판을 수납하여 반송하는 캐리어가 반입반출되는 캐리어 블록과, 이 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판에 대하여 레지스트막이 도포되는 레지스트 도포 유닛과, 레지스트가 도포된 기판을 가열 처리하는 제 1 가열 유닛을 포함하는 제 1 기판 처리 장치와,
    상기 제 1 기판 처리 장치로부터 반출된 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 이 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판을 가열 처리하는 제 2 가열 유닛과, 이 제 2 가열 유닛에서 가열 처리되고 이어서 노광된 기판을 가열 처리하기 위한 제 3 가열 유닛과, 이 제 3 가열 유닛에서 가열 처리된 기판을 현상하는 현상 유닛을 포함하고, 노광 장치에 접속되는 제 2 기판 처리 장치와,
    상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 캐리어가 반출된 후, 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 상기 캐리어가 반입될 때까지의 시간을 포함하는 기판의 방치 시간에 기초하여, 상기 제 2 가열 유닛에 있어서의 가열 시간 및 가열 온도의 적어도 일방을 조정하는 가열 조정부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 처리 장치에서 처리된 기판이 수납된 캐리어를 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로 반송하는 캐리어 반송 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 처리 장치의 캐리어 블록으로부터 반출된 캐리어가 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록에 반입되기 전에 일시적으로 놓이는 캐리어 대기부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 처리 장치는 상기 캐리어 대기부와 상기 캐리어 대기부와 상기 제 2 기판 처리 장치의 캐리어 블록의 사이에서 캐리어의 전달을 행하는 캐리어 전달 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방치 시간을 계측하는 계측부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 기판 처리 장치로서,
    제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 시스템에 이용되는 제 1 기판 처리 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 레지스트막이 형성된 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 장치에서 노광된 기판을 현상하기 위한 기판 처리 장치로서,
    제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 시스템에 이용되는 제 2 기판 처리 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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