JP7258028B2 - リソグラフィシステムのメインテナンス管理方法、メインテナンス管理装置、及びコンピュータ可読媒体 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1.用語の説明
2.リソセルの説明
2.1 構成
2.2 動作
2.2.1 C/D装置及び露光装置内のウエハ移動及びプリアライメント部の動作
2.2.2 C/D装置のメインテナンス
2.2.3 露光装置の露光工程の動作
2.2.4 露光装置のメインテナンス
3.レーザ装置の説明
3.1 構成
3.2 動作
3.3 レーザ装置のメインテナンス
3.4 その他
4.リソグラフィシステムの説明
4.1 構成
4.2 動作
5.課題
6.実施形態1
6.1 構成
6.2 動作
6.2.1 リソセル管理サーバの動作
6.2.2 ファイルAに含まれるテーブルデータの例
6.2.3 ファイルBに含まれるテーブルデータ(1)の例
6.2.4 ファイルBに含まれるテーブルデータ(2)の例
6.2.5 ファイルBに含まれるテーブルデータ(3)の例
6.2.6 標準メインテナンス日計算部の処理例
6.2.7 ファイルC及びファイルDの具体例
6.2.8 メインテナンススケジュール計画部の処理例
6.2.9 ファイルEの具体例
6.3 作用・効果
6.4 その他
7.実施形態2
7.1 構成
7.2 動作
7.2.1 リソセル管理サーバの動作
7.2.2 ファイルA(2)に含まれるテーブルデータの例
7.2.3 ファイルFに含まれるテーブルデータの例
7.2.4 標準メインテナンス日計算部の処理例
7.2.5 メインテナンススケジュール計画部の処理例
7.3 作用・効果
8.実施形態3
8.1 構成
8.2 動作
8.2.1 リソセル管理サーバの動作
8.2.2 ファイルA(3)に含まれるテーブルデータの例
8.2.3 ファイルF(2)に含まれるテーブルデータの例
8.3 作用・効果
9.実施形態4
9.1 構成
9.2 動作
9.2.1 リソセル管理サーバの動作
9.2.2 ファイルGに含まれるログデータの例
9.2.3 予測寿命値計算部の処理例
9.3 作用・効果
10.実施形態5
10.1 構成
10.2 動作
10.2.1 リソセル管理サーバの動作
10.2.2 消耗品選定部の処理例
10.2.3 ファイルHに含まれるテーブルデータの例
10.3 作用・効果
11.実施形態6
11.1 構成
11.2 動作
11.2.1 リソセル管理サーバの動作
11.3 作用・効果
11.4 その他
12.メインテナンススケジュール計画の最適化の例
13.監視パラメータの具体例
14.同じ装置で複数の消耗品を同日に交換する場合のダウンタイム削減の例
14.1 フローチャートの例
14.2 作用・効果
14.3 その他
15.リソグラフィシステムの他の形態
15.1 構成
15.2 動作
15.3 作用・効果
15.4 その他
16.実施形態7
16.1 ライン単位でメインテナンススケジュール計画を最適化する形態の概要
16.2 構成
16.3 動作
16.4 作用・効果
16.5 変形例
17.実施形態8
17.1 構成
17.2 動作
17.3 作用・効果
17.4 変形例
18.実施形態の組合せについて
19.プログラムを記録したコンピュータ可読媒体について
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
「リソグラフィセル」とは、レジストの塗布、露光、及び現像を行うプロセス装置の1組単位の装置群である。リソグラフィセルを以下、リソセル(Litho cell)という。リソセルは「リソグラフィシステム」の一単位である。リソグラフィシステムは、少なくとも1つのリソセルを含む。
2.1 構成
図1は、リソセルの構成例を概略的に示す正面図である。図1に示すリソセル10は、C/D装置12と、露光装置14と、レーザ装置16と、を含む。露光装置14はBDU15を含む。
2.2.1 C/D装置及び露光装置内のウエハ移動及びプリアライメント部の動作
ここでは、図2及び図3に示すC/D装置12と露光装置14内のウエハ35の動きについて説明する。第1ウエハキャリア21には、レジスト塗布前の多数のウエハが収納される。第1ウエハキャリア21に収納されたウエハ35は、ウエハ搬送ライン28を経由して、コータ部24に搬送される。
C/D装置のサービスエンジニアが必要となるC/D装置12の主要なメインテナンス作業は、いずれも図示しない、ケミカルフィルタ、基板回転モジュール、ドレイン回収モジュール、及び排気モジュールの各々の交換又は維持作業である。これらの消耗品(モジュールや部品)の交換時期は、運転時間やウエハ処理枚数等の寿命パラメータで管理している。これらの消耗品の交換作業及び交換後の確認作業等にかかるメインテナンスには、数時間を要することがある。
次に、露光装置14の露光工程の動作に関して説明する。露光制御部50は、レチクルステージ76とウエハステージ81とを動作させることによりレチクル74とウエハ35のアライメントを調節し、スキャン露光の初期位置にレチクル74とウエハ35の露光エリアが来るように制御する。
露光装置14のサービスエンジニアが必要となる露光装置14の主要なメインテナンス作業には、例えば以下のような作業がある。
3.1 構成
図4に、例示的なレーザ装置の構成を概略的に示す。レーザ装置16は、例えば、KrFエキシマレーザ装置であって、レーザ制御部90と、レーザチャンバ100と、インバータ102と、フロントミラー104と、狭帯域化モジュール(LNM:Line Narrow Module)106と、モニタモジュール108と、充電器110と、パルスパワーモジュール(PPM)112と、ガス供給装置114と、ガス排気装置116と、出射口シャッタ118と、を含む。
レーザ装置16の動作について説明する。レーザ制御部90は、ガス排気装置116を介してレーザチャンバ100内にあるガスを排気した後、ガス供給装置114を介してレーザチャンバ100内に不活性なレーザガスとハロゲンを含むレーザガスとを所望のガス組成及び全ガス圧となるように充填する。
レーザ制御部90はハロゲン注入制御を行う。ハロゲン注入制御とは、レーザ発振中に、レーザチャンバ100内で主に放電によって消費された分のハロゲンガスを、レーザチャンバ100内のハロゲンガスよりも高い濃度にハロゲンを含むガスを注入することによってレーザチャンバ100に補充するガス制御である。
レーザ制御部90は部分ガス交換制御を行う。部分ガス交換制御とは、レーザ発振中に、レーザチャンバ100内の不純物ガスの濃度の増加を抑制するように、レーザチャンバ100内のレーザガスの一部を新しいレーザガスに交換するガス制御である。
レーザ制御部90はガス圧制御を行う。ガス圧制御とは、レーザ装置16から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギの低下に対して、レーザチャンバ100内にレーザガスを注入してレーザガスのガス圧Pchを変化させることによって、パルスエネルギを制御するガス制御である。パルスエネルギの制御は、通常、充電電圧Vhvを制御することで行われるが、レーザ装置16から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギの低下を、充電電圧Vhvの制御範囲では補うことが不可能な場合に、ガス圧制御が実行される。
レーザ装置のサービスエンジニアが必要となるレーザ装置16の主要なメインテナンス作業は、例えば、レーザチャンバ100の交換作業と、LNM106の交換作業と、モニタモジュール108の交換作業などの各作業である。
図4に示す例では、レーザ装置16として、KrFエキシマレーザ装置の例を示したがこの例に限定されることなく、他のレーザ装置に適用してもよい。例えば、レーザ装置16は、ArFエキシマレーザ装置であってもよい。
4.1 構成
図5に、半導体工場のリソグラフィシステムの構成例を概略的に示す。半導体工場のリソグラフィシステム200は、複数のリソセル10と、C/D装置用管理システム202と、露光装置用管理システム204と、レーザ装置用管理システム206と、半導体工場管理システム208と、を含む。
C/D装置用管理システム202は、それぞれのC/D装置#1~#wに関して消耗品の交換時期を運転時間やウエハの処理枚数で管理する。
図5のように、C/D装置#1~#wの管理ラインと、露光装置#1~#wの管理ラインと、レーザ装置#1~#wの管理ラインとはそれぞれの管理ラインが独立してメインテナンス管理の情報に基づいて各装置のメインテナンスを行っているので、以下の課題が発生することがある。
6.1 構成
図6は、実施形態1に係るリソグラフィシステムの構成を示す図である。図5との相違点を説明する。図6に示す半導体工場のリソグラフィシステム300は、図5のリソグラフィシステム200の構成にリソセル管理サーバ310を追加した構成となっている。リソセル管理サーバ310はネットワーク210に接続される。
6.2.1 リソセル管理サーバの動作
図7に示したリソセル管理サーバ310の動作を説明する。データ取得部320は、ネットワーク210経由で以下に示す3種類の情報群を取得し、リソセル毎にデータを整理する。
図8は、ファイルAに含まれるテーブルデータの例を示す図表である。ファイルAは、リソセル#k(k=1,2,・・・w)の稼動情報を保存するファイルである。ファイルAには、各装置のメインテナンス情報から、それぞれのリソセル#1~#k~#wについてメインテナンス情報をまとめ直して、定期的に稼動状況のログデータが保存される。
Nexday(k,i-1)={Nex(k,i)-Nex(k,i-1)}/{D(k,i)-D(k,i-1) (2)
Npday(k,i-1)={Np(k,i)-Np(k,i-1)}/{D(k,i)-D(k,i-1)} (3)
データの取得タイミングは、周期的に、例えば、1日(24時間)毎とする。データの取得周期は、1/24日以上1日以下が好ましい。
図8~図10に示す例では、リソセル#kにおけるC/D装置#kのウエハ処理枚数Wcdnとリソセル#kにおける露光装置#kのウエハ処理枚数Wexnとは、ほとんど同じと見做して、リソセル#kのウエハ処理枚数Wnとした。すなわち、「Wn≒Wcdn≒Wexn」の関係を満たすものとした。
図12は、ファイルBに含まれるテーブルデータ(1)の例を示す図表であり、リソセル毎の各装置の交換モジュール及び交換部品のメインテナンス情報のデータ例を示す。
例えば、ケミカルフィルタを交換してからの空気が通過した動作時間等が該当する。
例えば、C/D装置の基板回転モジュールを交換してからのウエハを処理した枚数等が該当する。
例えば、露光装置の照明光学系の交換部品を交換してからの露光パルス数等が該当する。
例えば、レーザ装置のレーザチャンバを交換してからの発振パルス数等が該当する。
メインテナンス時間は、各装置単体でのメインテナンス時間だけでなく、交換モジュール及び交換部品を交換した際にリソセルがウエハの生産を停止している時間とする。つまり、メインテナンス時間はメインテナンスの実施によって見込まれるダウンタイムを表す。
〈その他〉
図12に示す例では、単純化するために、C/D装置のドレイン回収モジュールや基板回転モジュールの寿命は、ウエハの処理枚数に略依存するとして計算した。
図13は、ファイルBに含まれるテーブルデータ(2)の例を示す図表である。図13に、同日に複数の交換モジュール又は交換部品のメインテナンスを行う場合のメインテナンス時間のテーブルデータを示す。同じ装置で同日にメインテナンスを行うと、メインテナンス時間が短くなる場合がある。
図14は、ファイルBに含まれる他のテーブルデータ(3)の例を示す図表である。図14に、レーザ装置16から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギが異なる場合の寿命値のテーブルデータの例を示す。
一般に光学素子の寿命は、1光子吸収の場合と、2光子吸収の場合とで異なる。
2光子吸収の場合は、例えば、次式で表される。
レーザ装置16の寿命パラメータ値Pra(k,3,m)は上記の式(6)又は式(7)を用いて計算してもよい。
図15は、標準メインテナンス日計算部340における処理内容の例を示すフローチャートである。
Dmds(k,l,m)=Dme(k,l,m)+Prarl(k,l,m) (8)
[b]寿命パラメータがウエハ処理枚数の場合
Dmds(k,l,m)=Dme(k,l,m)+Prarl(k,l,m)/Wnday(k) (9)
[c]寿命パラメータが露光パルス数の場合
Dmds(k,l,m)=Dme(k,l,m)+Prarl(k,l,m)/Nexday(k) (10)
[d]寿命パラメータが発振パルス数の場合
Dmds(k,l,m)=Dme(k,l,m)+Prarl(k,l,m)/Npday(k) (11)
ステップS18において、標準メインテナンス日計算部340は、ステップS16にて計算した標準メインテナンス日Dmds(k,l,m)を含むデータをファイルCに書き込む。標準メインテナンス日計算部340は、標準メインテナンス日Dmds(k,l,m)と、単体で交換した場合の標準メインテナンス時間Tmhs(k,l,m)と、をファイルCに書き込む。
図16は、ファイルCに含まれるテーブルデータの例を示す図表である。ファイルCには、交換モジュール又は交換部品ごとの寿命パラメータ、標準メインテナンス時間、標準メインテナンス日、及び単位寿命当たりの交換コストが保存される。
図18は、メインテナンススケジュール計画部370における処理内容の例を示すフローチャートである。
式中のΣは、q=uからq=u+sまでの総和を表す。
Parad(Dmds~Dmop)={Dmds(k,l,m,u)-Dmop(k,v)} (13)
[f]寿命パラメータがウエハ処理枚数の場合
Parad(Dmds~Dmop)={Dmds(k,l,m,u)-Dmop(k,v)}・Wnday(k) (14)
[g]寿命パラメータが露光パルス数の場合
Parad(Dmds~Dmop)={Dmds(k,l,m,u)-Dmop(k,v)}・Nexday(k) (15)
[h]寿命パラメータが発振パルス数の場合
Parad(Dmds~Dmop)={Dmds(k,l,m,u)-Dmop(k,v)}・Npday(k) (16)
ステップS54において、メインテナンススケジュール計画部370は、ダウンタイム低減による低減コストCdtd(k,v)を計算する。
Cdt(k)は、リソセル毎の単位時間当たりのダウンタイムコストである(図17参照)。
ステップS56にてコストメリットCm(k,v)を求めたら、図19のフローチャートを終了して、図18のメインフローに復帰する。
図20は、ファイルEに含まれるテーブルデータの例を示す図表である。ファイルEのテーブルデータには、リソセル毎の各消耗品の標準メインテナンス日、各消耗品を単体で交換した場合の標準メインテナンス時間、単位寿命当たりの交換コスト、リソセル毎に最適化された最適メインテナンス日、交換日の前倒しによる増加コスト、メインテナンス時間、ダウンタイム低減コスト、及びコストメリットの各データが含まれる。
実施形態1によれば、リソセル毎の稼動状況に関する稼動情報と、リソセル毎の消耗品のメインテナンス情報と、リソセル毎のメインテナンスのダウンタイムによる損失コストと、からリソセル毎の消耗品のメインテナンススケジュールの最適化を行っている。実施形態1によれば、リソセルの単位とは無関係に、装置毎にメインテナンスを行う場合に比べて、メインテナンスコストやダウンタイムの低減が可能となる。
リソセル管理サーバ310は本開示における「メインテナンス管理装置」の一例である。実施形態1におけるデータ取得部320と記憶部330との組合せは本開示における「稼動情報処理部」の一例である。データ取得部320と記憶部336との組合せは本開示における「メインテナンス情報処理部」の一例である。標準メインテナンス日計算部340は本開示における「標準メインテナンス時期計算部」の一例である。リソセル管理サーバ310が実施する処理は本開示における「メインテナンス管理方法」の一例である。ファイルAに保存された稼動情報のデータは本開示における「稼動データ」の一例である。
7.1 構成
図22は、実施形態2に係るリソセル管理サーバの機能を示すブロック図である。図7で説明したリソセル管理サーバ310に代えて、図22に示すリソセル管理サーバ312を用いることができる。図7で説明したリソセル管理サーバ310との相違点を説明する。
7.2.1 リソセル管理サーバの動作
図22に示すリソセル管理サーバ312のデータ取得部320は、半導体工場管理システム208から、日付とその日に予定されるウエハの処理枚数のデータを取得して、ファイルFに保存する。日付ごとに予定されるウエハの処理枚数を「日毎の予定ウエハ処理枚数」という。データ取得部320は、日付及び日毎の予定ウエハ処理枚数のデータから、本日以降の予定ウエハ処理枚数と、日毎の予定露光パルス数と、本日以降の予定露光パルス数と、日毎の予定発振パルス数と、本日以降の予定発振パルス数と、を計算して、計算結果をファイルFに保存する。
図23は、ファイルA(2)に含まれるテーブルデータの例を示す図表である。実施形態2で用いるファイルA(2)には、図8で説明した第1例に係るテーブルデータの「1日当たりの露光パルス数」と「1日当たりの発振パルス数」とに代えて、「1枚ウエハ当たりの露光パルス数」と「1枚ウエハ当たりの発振パルス数」との各情報を含む。
Npwef(k,i-1)={Np(k,i)-Np(k,i-1)}/Wnday(k,i-1) (20)
Nexwef(k)は、Nexwef(k,1), Nexwef(k,2),・・・, Nexwef(k,i-1),・・・, Nexwef(k,j-1)の平均値である。
の平均値である。
なお、データ取得部320は、Nexを縦軸、Wnを横軸としてデータをプロットして、最小二乗法により直線近似した直線の勾配をNex(k)としてもよい。
図24は、ファイルFに含まれるテーブルデータの例を示す図表である。図24に、リソセル#kの稼動予定情報のデータの例を示す。
Nexplpd(k,f)=Wplpd(k,f)・Nexwef(k) (22)
Nexplsu(k,f)=Nexplpd(k,1)+Nexplpd (k,2)+Nexplpd (k,3)+・・・・+Nexplpd (k,f)
(23)
Npplpd(k,f)=Wplpd(k,f)・Npwef(k) (24)
Npplsu(k,f)=Npplpd (k,1)+Npplpd (k,2)+Npplpd (k,3)+・・・・+Npplpd (k,f) (25)
なお、ファイルFに保存された稼動予定情報のデータは本開示における「稼動予定データ」の一例である。
図25は、標準メインテナンス日計算部342における処理内容の例を示すフローチャートである。図25において、図15と共通するステップには同一のステップ番号を付し、重複する説明は省略する。
図26は、メインテナンススケジュール計画部372における処理内容の例を示すフローチャートである。図26において、図18と共通するステップには同一のステップ番号を付し、重複する説明は省略する。図26に示すフローチャートは、図18のステップS36及びステップS45に代えて、ステップS36B及びステップS45Bを含む。
実施形態2によれば、リソセル毎の過去の稼動情報と、リソセル毎の今後の稼動予定情報とに基づいて標準メインテナンスの日付を計算しているので、実施形態1と比べて、標準メインテナンス日の予測精度が一層改善される。
8.1 構成
図28は、実施形態3に係るリソセル管理サーバ313の機能を示すブロック図である。図22で説明した実施形態2に係るリソセル管理サーバ312との相違点を説明する。
8.2.1 リソセル管理サーバの動作
図28に示すリソセル管理サーバ313のデータ取得部320は、半導体工場管理システム208からレシピ情報を取得してファイルA(3)に保存する。データ取得部320は、レシピ情報と、各レシピに対応した平均ウエハ処理枚数と、各レシピに対応した平均露光パルス数と、各レシピに対応した平均発振パルス数と、をファイルA(3)に保存する。
図29は、ファイルA(3)に含まれるテーブルデータの例を示す図表である。実施形態3で用いるファイルA(3)は、図23に例示したテーブルデータの内容に追加して、以下のデータを含む。
図30は、ファイルF(2)に含まれるテーブルデータの例を示す図表である。図30に、ファイルF(2)におけるリソセル#kの稼動予定情報のデータの例を示す。実施形態3で用いるファイルF(2)は、図24に例示したテーブルデータの内容に追加して以下のデータを含む。
Nexplpd(k,5~f)=Wplpd(k,5~f)・Nexweflc(k,a) (27)
Nexplpd(k,f+1~g)=Wplpd(k,f+1~g)・Nexweflc(k,c) (28)
〈その他〉
ここでは、レシピはa,b,cの3種類の例を示したが、レシピの数はこの例に限定されることなく、2種類以上であればよい。
実施形態3によれば、リソセル毎の過去の稼動情報と、リソセル毎の今後の稼動予定情報と、それぞれのレシピ情報とに基づいて標準メインテナンス日を計算しているので、標準メインテナンス日の予測精度がさらに改善される。
9.1 構成
図31は、実施形態4に係るリソセル管理サーバ314の機能を示すブロック図である。図28で説明した実施形態3に係るリソセル管理サーバ313との相違点を説明する。
9.2.1 リソセル管理サーバの動作
図31に示すリソセル管理サーバ314のデータ取得部320は、C/D装置用管理システム202と、露光装置用管理システム204と、レーザ装置用管理システム206とから、定期的に、リソセル毎の交換モジュール及び交換部品の寿命予測情報を取得する。
図32は、ファイルGに含まれるログデータの例を示す図表である。C/D装置の交換部品であるケミカルフィルタは、寿命パラメータとして、交換してからの動作時間が適用される。ケミカルフィルタの寿命パラメータ値Praは、交換してからの動作時間を示す値である。ケミカルフィルタの寿命監視パラメータは、ケミカルフィルタを通過した空気中の不純物濃度である。ケミカルフィルタの寿命監視パラメータ値Cwは、ケミカルフィルタを通過した空気中の不純物濃度を計測した値である。ケミカルフィルタの寿命監視パラメータ値Cwが閾値Cwthに到達すると、ケミカルフィルタの不純物除去能力が低下したとして、部品の寿命と判定することができる。
図32に示すファイルGの例は、交換モジュール及び交換部品の寿命予測情報の一例であって、他の交換モジュールや他の交換部品においても、寿命が予測できれば、寿命パラメータと寿命監視パラメータのログデータをファイルGに保存してもよい。
図33は、予測寿命値計算部414の処理内容の例を示すフローチャートである。ステップS62において、予測寿命値計算部414は、ファイルGからリソセル毎の交換モジュール及び交換部品の寿命予測情報を読み込む。例えば、予測寿命値計算部414は、ファイルGから図32に例示したような、リソセル毎の交換モジュール及び交換部品の寿命パラメータ値と、寿命を監視する寿命監視パラメータのログデータと、監視パラメータの閾値と、を読み込む。
交換モジュール及び交換部品の寿命の予測は機械学習によって行ってもよい。既知のデータを機械に学習させ、自動でパターンやルールを導き出し、予測モデルを作成することによって、予測寿命値を算出してもよい。この場合は、寿命予測精度が改善される。
実施形態4によれば、リソセル毎の交換モジュール及び交換部品の寿命予測情報から予測寿命値を算出し、この予測寿命値に基づいてメインテナンススケジュールの最適化を行っているため、以下の作用効果がある。
10.1 構成
図37は、実施形態5に係るリソセル管理サーバ315の機能を示すブロック図である。図31で説明した実施形態4に係るリソセル管理サーバ314との相違点を説明する。
10.2.1 リソセル管理サーバの動作
図37に示すリソセル管理サーバ315のデータ取得部320は、ネットワーク210を介して、半導体工場管理システム208などから、リソセル#kのメインテナンス候補日を受信し得る。データ取得部320は、ネットワーク210を介して受信したメインテナンス候補日を消耗品選定部416に送る。
図38は、消耗品選定部416における処理内容の例を示すフローチャートである。
式中のΣは、q=1からq=1+sまでの総和を表す。
ステップS116において、メインテナンススケジュール計画部372は、ステップS112で求めた増加コストCexcup(k,1)と、ステップS114で求めた低減コストCdtd(k,1)と、を基に、コストメリットCm(k,1)を計算する。
ステップS116にてコストメリットCm(k,1)を求めたら、図39のフローチャートを終了して、図38のメインフローに復帰する。
図40は、ファイルHに含まれるテーブルデータの例を示す図表である。ファイルHには、指定されたメインテナンス候補日に交換を実施する交換モジュール又は交換部品の品目群、交換日の前倒しによる増加コスト、メインテナンス時間、ダウンタイム低減コスト、及びコストメリットの情報が含まれる。「交換日」はメインテナンス日と同義である。
実施形態5によれば、リソセル#kのメインテナンス候補日から交換モジュール及び交換部品の選定の最適化を行うことができるので、以下の作用効果がある。
11.1 構成
図42は、実施形態6に係るリソセル管理サーバ316の機能を示すブロック図である。図7で説明した実施形態1に係るリソセル管理サーバ310との相違点を説明する。
11.2.1 リソセル管理サーバの動作
図42に示すメインテナンススケジュール計画部373は、図7のメインテナンススケジュール計画部370の処理と同様にメインテナンススケジュールの最適化を行う。計算結果をファイルE(2)に保存する。データ出力部390は、ファイルE(2)のデータを、図示しない表示端末又は半導体工場管理システム208に送信する。
実施形態6によれば、作成されたメインテナンススケジュール計画における第1のメインテナンス日を確定した後、その後のメインテナンススケジュール計画を立て直すことが可能となるため、メインテナンススケジュール作成の精度が改善される。
実施形態6の説明では、第1のメインテナンス日を確定させる場合の例を示したが、この例に限定されることなく、例えば、第1のメインテナンス日を確定した後、第2のメインテナンス日を確定して、メインテナンススケジュール計画を立ててもよい。また、第1のメインテナンス日から第vのメインテナンス日の各メインテナンス日を確定する信号を受信して、逐次計算して、メインテナンススケジュール計画を立てもよい。
図46は、コスト最小化の観点からメインテナンススケジュール計画を作成する処理の例を示すフローチャートである。図46に示すフローチャートは、メインテナンススケジュール計画部370、372、373のいずれかが実施してよい。ここでは、メインテナンススケジュール計画部370が実施する例を説明する。
図47は、消耗品の寿命予測に用いられる監視パラメータの例を示す図表である。例えば、C/D装置12の基板回転モジュールの場合は、基板の回転回数をモニタし、モータの回転回数が監視パラメータの閾値を越える寿命パラメータ値を求めてもよい。
14.1 フローチャートの例
図48は、メインテナンススケジュール計画部における処理内容の例を示すフローチャートである。図48に示すフローチャートは、図18及び図26のステップS34の処理に適用され得る。ここでは、メインテナンススケジュール計画部370における処理の例を説明する。
図48に示すフローチャートによれば、同じ装置の消耗品を同時にメインテナンスする消耗品の組合せでメインテナンス時間が短縮できるデータに基づいて、コストメリットを計算することができる。その結果、メインテナンススケジュールの計画の精度が改善される。
図46のステップS172におけるコストメリットの計算においても、図48に示すフローチャートの計算処理を実施してよい。
15.1 構成
図49は、リソグラフィシステムの他の形態例を示すブロック図である。図6との相違点を説明する。図49に示すリソグラフィシステム302は、リソセル10の構成要素として、1台のC/D装置12と、2台の露光装置14A、14Bと、2台のレーザ装置16A、16Bと、を含む。
図49におけるリソセル管理サーバ310は、各装置に関する情報収集やメインテナンススケジュールの最適化を、リソセル単位で行う。
図49に示すように、リソセル10を構成する装置の構成要素が変更になっても、リソセル単位で、メインテナンススケジュールの最適化が可能である。
図6では、リソセル10がC/D装置1台、露光装置1台、及びレーザ装置1台で構成される形態の例を説明し、図49では、リソセル10がC/D装置1台、露光装置2台、及びレーザ装置2台で構成される形態の例を説明したが、これらの例に限定されない。例えば、1つのリソセル10の単位の構成要素としては、C/D装置12、露光装置14及びレーザ装置16の各々が少なくとも1台以上含まれる構成であればよい。
16.1 ライン単位でメインテナンススケジュール計画を最適化する形態の概要
これまでリソセル単位で情報収集とメインテナンススケジュール計画を最適化する例を説明したが、「ライン」の単位でメインテナンススケジュール計画を最適化してもよい。「ライン」は製造ラインを意味する。大規模な半導体工場では、複数のラインが並列に配置されている場合がある。各製造ラインは、1つ以上のリソセルから構成される。
図51は、実施形態7に係るリソセル管理サーバ317の機能を示すブロック図である。図7との相違点を説明する。
リソセル管理サーバ317のデータ取得部320は、半導体工場管理システム208からラインの情報を取得して、ファイルD(2)にラインの情報を追加して書き込む。
実施形態7によれば、ラインの単位で、一連のウエハ処理に関連する同じライン内の複数のリソセルに含まれるすべての消耗品のメインテナンススケジュールを計画できるので、ダウンタイムが低減され、コストが低減される。
実施形態1から実施形態6の各実施形態においてリソセル毎に行うとした処理は、ライン毎に行う処理に拡張することができる。例えば、実施形態7において、標準メインテナンス日を計算する際に、実施形態2と同様に、ファイルAのデータに加え、ファイルFのデータを利用して標準メインテナンス日を計算してもよい。また、実施形態7において、実施形態3と同様に、レシピ情報を追加してもよい。
17.1 構成
図54は、実施形態8に係るリソセル管理サーバの機能を示すブロック図である。図7との相違点を説明する。図54に示すリソセル管理サーバ318は、メインテナンス作業を担当するサービスエンジニアに関する情報を用いて標準メインテナンス時間の計算を行う機能が追加されている。サービスエンジニアに関する情報を「サービスエンジニア情報」という。サービスエンジニア情報を保存するファイルを「ファイルJ」と呼ぶ。
リソセル管理サーバ318のデータ取得部320は、C/D装置用管理システム202と露光装置用管理システム204とレーザ装置用管理システム206の各々から各装置のサービスエンジニア情報を取得して、ファイルJに書き込む。
実施形態8によれば、サービスエンジニアの技量を表すパラメータを加味して標準メインテナンス時間を計算するため、メインテナンススケジュール計画をより一層高い精度で最適化することができる。
ファイルJに保存する情報として、例えば、サービスエンジニアのメインテナンス時期の範囲をファイルJに保存しておいてもよい。この場合は、標準メインテナンス日がメインテナンス時期の範囲に入るサービスエンジニアを選定して、計算してもよい。
実施形態1から実施形態8の各実施形態で説明した構成は、適宜組み合わせることが可能である。
上述の各実施形態で説明したリソセル管理サーバとして、コンピュータを機能させるための命令を含むプログラムを光ディスクや磁気ディスクその他のコンピュータ可読媒体(有体物たる非一過性の情報記憶媒体)に記録し、この情報記憶媒体を通じてプログラムを提供することが可能である。このプログラムをコンピュータに組み込み、プロセッサがプログラムの命令を実行することにより、コンピュータにリソセル管理サーバの機能を実現させることができる。
Claims (20)
- リソグラフィシステムのメインテナンス管理方法であって、
レジストの塗布、露光、及び現像を行う前記リソグラフィシステムを構成する1組単位の装置群であるリソグラフィセル毎に稼動情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報を保存することと、
前記リソグラフィセル毎に前記装置群の各装置におけるメインテナンスの対象となる消耗品に関するメインテナンス情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報を保存することと、
前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報に基づいて、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の標準メインテナンス時期を計算することと、
前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の前記標準メインテナンス時期と、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品を交換することによるダウンタイムの情報と、前記リソグラフィセル毎の又は同一のウエハを露光する2つ以上の前記リソグラフィセルを含む製造ライン毎の前記ダウンタイムによる損失コスト情報に基づいて、前記製造ライン内の複数の前記リソグラフィセルに含まれる複数の前記消耗品のメインテナンススケジュール計画を前記製造ラインのダウンタイムが減少するように前記製造ライン毎に作成することと、
前記メインテナンススケジュール計画の作成結果を出力することと、
を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記稼動情報は、過去の稼動データを含むメインテナンス管理方法。 - 請求項2に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記稼動情報は、今後の稼動予定データを含むメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記リソグラフィセルは、塗布/現像装置と、露光装置と、レーザ装置と、を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項4に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記稼動情報は、データ取得日を含み、
リソグラフィセル毎のウエハ処理枚数と、露光装置による露光パルス数と、レーザ装置の発振パルス数と、レーザ装置から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギと、の少なくとも1つを含むメインテナンス管理方法。 - 請求項5に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記稼動情報は、各レジスト材料及び各マスクパターンに対応した露光条件を示すレシピ情報をさらに含むメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報は、前記消耗品のそれぞれについての、寿命値と、標準メインテナンス時間と、交換コストと、寿命パラメータ値と、を含み、
前記標準メインテナンス時間は、前記消耗品を単体で交換することにより見込まれるダウンタイムであり、
前記寿命パラメータ値は、前記消耗品の寿命と相関する寿命パラメータの値であるメインテナンス管理方法。 - 請求項7に記載のメインテナンス管理方法であって、さらに、
前記リソグラフィセル毎にそれぞれの前記消耗品の寿命と相関する寿命監視パラメータの情報を含む寿命予測情報を取得することと、
前記寿命予測情報を基に、前記リソグラフィセル毎のそれぞれの前記消耗品の予測寿命値を計算することと、
前記予測寿命値のデータを、前記寿命値として保存すること、
を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項7に記載のメインテナンス管理方法であって、さらに、
前記作成された前記メインテナンススケジュール計画における第1のメインテナンス日を確定させる第1のメインテナンス日確定信号の入力を受け付けることと、
前記第1のメインテナンス日確定信号に基づき、前記第1のメインテナンス日が確定された前記消耗品の前記寿命パラメータ値をリセットすることと、
を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、さらに、
メインテナンス候補日を取得することと、
前記取得したメインテナンス候補日を基に、前記メインテナンス候補日に交換を行う前記消耗品の選定を行うことと、
を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記損失コスト情報は、前記リソグラフィセル毎のウエハ処理が停止した場合の単位時間当たりに発生する損失コストの情報であるメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記損失コスト情報は、前記製造ライン毎のウエハ処理が停止した場合の単位時間当たりに発生する損失コストの情報であるメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、さらに、
前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報に基づいて、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関するそれぞれの標準メインテナンス時間と、それぞれの単位寿命当りの交換コストと、を計算すること、を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項13に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記メインテナンススケジュール計画を作成する処理は、前記リソグラフィセル毎の複数の前記消耗品の交換日を合わせるために前記標準メインテナンス時期が示す標準メインテナンス日よりも交換日を前倒しすることによる増加コストが前記リソグラフィセルのダウンタイム低減による低減コストよりも小さくなるように前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の前記メインテナンススケジュール計画を作成すること、を含むメインテナンス管理方法。 - 請求項7に記載のメインテナンス管理方法であって、
前記標準メインテナンス時間を計算する際に、サービスエンジニアの技量を示すパラメータの値を用いるメインテナンス管理方法。 - 請求項1に記載のメインテナンス管理方法であって、さらに、
ネットワークを介して、前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記消耗品に関する前記メインテナンス情報を受信すること、を含むメインテナンス管理方法。 - リソグラフィシステムのメインテナンス管理装置であって、
レジストの塗布、露光、及び現像を行う前記リソグラフィシステムを構成する1組単位の装置群であるリソグラフィセル毎に稼動情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報を保存する処理を行う稼動情報処理部と、
前記リソグラフィセル毎に前記装置群の各装置におけるメインテナンスの対象となる消耗品に関するメインテナンス情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報を保存する処理を行うメインテナンス情報処理部と、
前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報に基づいて、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の標準メインテナンス時期を計算する標準メインテナンス時期計算部と、
前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の前記標準メインテナンス時期と、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品を交換することによるダウンタイムの情報と、前記リソグラフィセル毎の又は同一のウエハを露光する2つ以上の前記リソグラフィセルを含む製造ライン毎の前記ダウンタイムによる損失コスト情報に基づいて、前記製造ライン内の複数の前記リソグラフィセルに含まれる複数の前記消耗品のメインテナンススケジュール計画を前記製造ラインのダウンタイムが減少するように前記製造ライン毎に作成するメインテナンススケジュール計画部と、
前記メインテナンススケジュール計画の作成結果を出力するデータ出力部と、
を含むメインテナンス管理装置。 - 請求項17に記載のメインテナンス管理装置であって、
前記標準メインテナンス時期計算部は、さらに、
前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報に基づいて、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関するそれぞれの標準メインテナンス時間と、それぞれの単位寿命当りの交換コストと、を計算する処理を行うメインテナンス管理装置。 - 請求項17に記載のメインテナンス管理装置であって、さらに、
前記リソグラフィセル毎にそれぞれの前記消耗品の寿命と相関する寿命監視パラメータの情報を含む寿命予測情報を取得する寿命予測情報取得部と、
前記寿命予測情報を基に、前記リソグラフィセル毎のそれぞれの前記消耗品の予測寿命値を計算する予測寿命値計算部と、
を含むメインテナンス管理装置。 - プログラムが記録された非一過性のコンピュータ可読媒体であって、
プロセッサにより実行された場合に、前記プロセッサに、
レジストの塗布、露光、及び現像を行うリソグラフィシステムを構成する1組単位の装置群であるリソグラフィセル毎に稼動情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報を記憶部に保存する機能と、
前記リソグラフィセル毎に前記装置群の各装置におけるメインテナンスの対象となる消耗品に関するメインテナンス情報を整理して前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報を前記記憶部に保存する機能と、
前記リソグラフィセル毎の前記稼動情報及び前記リソグラフィセル毎の前記消耗品に関する前記メインテナンス情報に基づいて、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の標準メインテナンス時期を計算する機能と、
前記リソグラフィセル毎の前記消耗品の前記標準メインテナンス時期と、前記リソグラフィセル毎の前記消耗品を交換することによるダウンタイムの情報と、前記リソグラフィセル毎の又は同一のウエハを露光する2つ以上の前記リソグラフィセルを含む製造ライン毎の前記ダウンタイムによる損失コスト情報に基づいて、前記製造ライン内の複数の前記リソグラフィセルに含まれる複数の前記消耗品のメインテナンススケジュール計画を前記製造ラインのダウンタイムが減少するように前記製造ライン毎に作成する機能と、
前記メインテナンススケジュール計画の作成結果を出力する機能と、
を実現させるための命令を含む前記プログラムが記録された非一過性のコンピュータ可読媒体。
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US11305377B2 (en) * | 2019-12-23 | 2022-04-19 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Add-on module for interposing between a control device and a laser machining head of a laser machining system |
WO2022201394A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | ギガフォトン株式会社 | 光源パラメータ情報管理方法、光源パラメータ情報管理装置及びコンピュータ可読媒体 |
WO2023175906A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | ギガフォトン株式会社 | 残パルスコスト計算方法及びプロセッサ |
WO2023188214A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 富士通株式会社 | 情報処理プログラム、情報処理方法および情報処理装置 |
EP4279992A1 (en) * | 2022-05-18 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus |
WO2023222310A1 (en) * | 2022-05-16 | 2023-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus |
WO2024171613A1 (ja) * | 2023-02-14 | 2024-08-22 | ギガフォトン株式会社 | 表示方法及び表示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022962A (ja) | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
WO2006025302A1 (ja) | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 露光装置、動作決定方法、基板処理システム及びメンテナンス管理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2009076580A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 |
JP2009199596A (ja) | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | 保守計画システム、保守計画方法及び画像形成装置 |
US20110033957A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Integrated thin film metrology system used in a solar cell production line |
JP2012253383A (ja) | 2000-04-25 | 2012-12-20 | Gigaphoton Inc | レーザ装置管理システム |
JP2013179109A (ja) | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置の管理方法および管理システム |
WO2018003879A1 (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | 日本電気株式会社 | メンテナンス計画策定装置と方法とプログラム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
US6287023B1 (en) * | 1997-09-22 | 2001-09-11 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and method |
CA2400201A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Cymer, Inc. | Process monitoring system for lithography lasers |
JP4356276B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2009-11-04 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像形成システムにおけるメンテナンス方法、および当該画像形成システムにおける画像形成装置 |
JP4849969B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
JP4977064B2 (ja) | 2008-03-12 | 2012-07-18 | 株式会社東芝 | 保守計画支援システム |
JP5541451B2 (ja) | 2010-03-18 | 2014-07-09 | 株式会社日立製作所 | サーバ装置、及び、保守方法 |
JP6099969B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2015097790A1 (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ギガフォトン株式会社 | エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム |
-
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2020
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012253383A (ja) | 2000-04-25 | 2012-12-20 | Gigaphoton Inc | レーザ装置管理システム |
JP2003022962A (ja) | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
WO2006025302A1 (ja) | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 露光装置、動作決定方法、基板処理システム及びメンテナンス管理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2009076580A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 |
JP2009199596A (ja) | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | 保守計画システム、保守計画方法及び画像形成装置 |
US20110033957A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Integrated thin film metrology system used in a solar cell production line |
JP2013179109A (ja) | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置の管理方法および管理システム |
WO2018003879A1 (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | 日本電気株式会社 | メンテナンス計画策定装置と方法とプログラム |
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