JP2877998B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に、前または後工程処理装置と直接結合してウエハの
授受を行い、処理の自動化を行わせる半導体製造装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造装置において、露光装
置とその前または後工程処理装置(レジスト塗布装置・
現像装置)とを直接結合(インライン)して、ウエハの
受け渡しを行う場合、装置双方間を通信回線で結び、ウ
エハ授受のための制御信号のみの通信を行っていた。ま
た、装置全体の自動化を行う際、そのウエハを処理する
上で必要な条件(マスク、露光量等のパラメータ)は上
記通信回線とは別に設けた通信回線を用いて、この通信
回線に接続されたホストコンピュータ等と通信してデー
タを得る事により、自動化を実現していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例ではウエハ授受の通信回線とは別の通信回線を設け
て処理条件の情報を取得していたため、次のような欠点
があった。
【0004】(1)処理条件の情報を取得するための通
信回線を別に用意しなければならない。このため配線等
が複雑となり、また配線作業も面倒になる。
【0005】(2)ウエハ(ウエハ授受)とその処理条
件情報との流れが別系統(別通信)になっているため、
管理および、制御が複雑になる。
【0006】(3)枚葉処理(ウエハ一枚毎に処理条件
が異る)の場合ウエハ一枚毎に通信を行うため、通信回
数が増大し、効率が悪く、装置スループットが低下す
る。
【0007】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、露光工程の前後処理装置間において、
ウエハ授受の通信とウエハ処理条件データの通信とを同
一系統の通信回線で行い、通信効率を向上させ装置スル
ープットの増大を図った半導体製造装置の提供を目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明によれば、露光装置から前処理装置
へウエハ搬入要求を通信すると共に前記ウエハ搬入要求
に応じて前記前処理装置から前記露光装置に搬送される
前記ウエハに対する露光処理条件を前記前処理装置から
前記露光装置へ通信するための通信回線を有することに
より、配線、管理、及び制御が簡単な通信回線で多量の
通信データを効率良く露光装置と前処理装置間で必要な
時に授受できるので、露光装置と前処埋装置を有する半
導体製造装置のスループットを向上できる。
【0009】
【実施例】図1は、本発明が実施される半導体露光装置
を取り巻く自動化ラインの実施例を示すブロック図であ
る。
【0010】図1に於いて、1は半導体露光の前工程装
置として、ウエハに感光剤を塗布するレジスト塗布装置
であり、1aは半導体露光装置にウエハを搬出するウエ
ハ搬出部である。2は本発明に係わる半導体露光装置で
あり、マスク上のパターンをレジストが塗布されたウエ
ハ上に転写する。2aはレジスト塗布装置1からのウエ
ハを露光装置2内に搬入するウエハ搬入部である。3は
レジスト塗布装置1の搬出部1aから送り出されたウエ
ハを半導体露光装置2の搬入部2aに送り込むウエハ搬
送機構である。
【0011】4はRS232C等の規格の通信線であ
り、ウエハ搬送機構3に送り出されるウエハの装置間授
受の制御信号のやりとりを行うと同時に、半導体露光装
置2にそのウエハの処理条件の情報を送り込む。2bは
露光したウエハを現像装置に搬出するウエハ搬出部であ
る。
【0012】5は半導体露光の後工程装置としての現像
装置であり、5aはウエハ搬入部である。6は半導体露
光装置2のウエハ搬出部2bから送り出されたウエハを
現像装置の5のウエハ搬入部5aに送り込むウエハ搬送
機構である。7は前記通信線4と同様の通信線である。
ここではこの通信線7はウエハの露光結果の情報をもあ
わせて通信する。
【0013】図2は本発明に特に係わるデータ内容の例
を示す。ここで40は、レジスト塗布装置1のウエハ搬
出部1aから半導体露光装置2のウエハ搬入部2aにウ
エハが引き渡される時、その制御信号と同時に送られる
情報の内容である。この情報は半導体露光装置2に対す
る処理条件を指示するものである。
【0014】40−1は半導体露光装置にウエハを搬送
開始したことを知らせると同時に、そのウエハ処理条件
の情報であることを識別させるための識別制御コードで
ある。40−2は引き渡された当該ウエハを露光するの
に使用する使用マスク名であり、半導体露光装置に予め
複数のマスクが収容されていてその内から選択指示する
ためのものである。40−4は引き渡された当該ウエハ
を露光するための露光時間である。40−3は引き渡さ
れた当該ウエハを露光するために使用されるその他のパ
ラメータ群を保持しているパラメータ・ファイルを指定
する露光ジョブ名であり、半導体露光装置に内蔵されて
いる磁気デイスク等に予め設定登録されている複数の露
光ジョブ・ファイルから選択指示するためのものであ
る。
【0015】図3はレジスト塗布装置1から半導体露光
装置2にウエハが搬送される時の双方間の動作およびそ
の後の半導体露光装置2の動作を示したフローチャート
である。
【0016】以下、図1、図2および図3を参照して本
実施例の動作を説明する。
【0017】図3のフローチャートの左側(ステップS
1からS6)は前工程装置であるレジスト塗布装置側の
処理シーケンスである。一方右側(ステップS10から
S19)は半導体露光装置側の処理シーケンスである。
この両方の処理シーケンスがお互いに同期を取り通信し
ながら並行してシーケンスを遂行していくものである。
【0018】先ず前工程装置であるレジスト塗布装置1
のスタート操作を待つ(ステップS1)。スタート操作
が行われるとレジスト塗布装置1は、半導体露光装置2
側からのウエハ搬入要求の受信待ちになる(ステップS
2)。ここで半導体露光装置2のスタート操作の待ち状
態(ステップS10)からスタート操作が行われるとレ
ジスト塗布装置1に対してウエハ搬入要求(ウエハを貰
いたい)の送信をする(ステップS11)。
【0019】この通信を待っていたレジスト塗布装置1
はステップS2の待ちループを抜け次のステップに進
み、これから搬出するウエハの露光のための処理条件の
情報40を半導体露光装置2に送信し(ステップS
3)、その後ウエハ搬送機構3を作動させてウエハ搬送
を開始させる(ステップS4)。
【0020】一方、半導体露光装置2はステップS11
後、ステップS3の露光のための処理条件の情報40の
受信により待ちのループ(ステップS12)を抜け、搬
送されてきつつあるウエハを受領すべくウエハ搬入部2
aの動作を開始し(ステップS13)、受領完了する迄
の待ちループに入る(ステップS14)。受領が完了す
るとステップS14を抜けウエハ搬入部2aの動作を停
止させる(ステップ15)。受領が完了したのでレジス
ト塗布装置1に対してウエハ搬入完了(受領完了)の送
信を行う(ステップS16)。これにより、この通信の
受信待ちの状態(ステップS5)にあったレジスト塗布
装置1はこのステップS5を抜けウエハ搬送機構3の動
作を停止させ(ステップS6)、これにより一枚のウエ
ハ搬出を完了する。その後、次のウエハ搬出のためにス
テップS2のループに戻る。
【0021】一方、半導体露光装置2はステップS16
迄で一枚のウエハ受領を完了し、露光のための処理を開
始する。
【0022】先ず、装置内に予め収容されている複数の
マスクの中から、ステップS12で受信した当該ウエハ
の露光のための処理条件の情報40中の使用マスク名4
0−2で指定されたマスクを自動的にセットする(ステ
ップS17)。
【0023】同様に、装置に内蔵されている磁気デイス
ク等に予め設定登録されている複数の露光ジョブ・ファ
イルの中から、40−3で指定された露光ジョブ名の露
光ジョブ・ファイルのパラメータ群を読み込み、次に4
0−4で指定された露光時間分の露光を行う(ステップ
S18)。
【0024】露光を完了したウエハは、後工程装置であ
る現像装置5に搬出される(ステップS19)。以上で
レジスト塗布装置1から受領した一枚のウエハに対する
半導体露光装置2内での処理を全て完了し、次のウエハ
を受領すべくステップS11へ戻る。以上説明してきた
処理ループ(ステップS2からS6およびステップS1
1からS19)を繰り返すことにより、連続して複数の
ウエハに対して露光処理を行う。
【0025】なお、上記実施例において、通信線は電気
的通信の場合で説明したが、光学的通信であってもよ
い。また、上記実施例では、前工程装置(レジスト塗布
装置)から半導体露光装置に対し、処理条件を切り換え
る場合で説明したが、半導体露光装置の処理結果を後工
程処理装置(現像装置)に通信することであってもよ
い。また、前または後工程装置の両方が一体化され、通
信回線も単回線を共用する方法になってもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線、管理、及び制御が簡単な通信回路で多量の通信デ
ータを効率良く露光装置と前処理装置間で必要な時に授
受できるので、露光装置と前処理装置を有する半導体製
造装置のスループットを向上できる。また、同様に後処
理装置にも適用すれば、更に半導体製造装置のスループ
ットを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用される半導体露光装置を取り巻
く自動化ラインの実施例を示すブロック図である。
【図2】 本発明に係わる半導体製造装置で用いられる
露光条件のデータ内容例である。
【図3】 レジスト塗布装置から半導体露光装置にウエ
ハが搬送される時の双方間の動作およびその後の半導体
露光装置の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1;レジスト塗布装置、1a;レジスト塗布装置のウエ
ハ搬出部、2;半導体露光装置、2a;半導体露光装置
のウエハ搬入部、2b;半導体露光装置のウエハ搬出
部、3;ウエハ搬送機構、4;通信線、5;現像装置、
5a;現像装置のウエハ搬入部、6;ウエハ搬送機構、
7;通信線、40;露光条件のデータ内容、40−1;
識別制御コード、40−2;使用マスク名、40−3;
露光ジョブ名、40−4;露光時間

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハを露光するための露光装置と、前
    記露光装置で前記ウエハを露光する前に前記ウエハに対
    する前処理を行なうための前処理装置と、前記露光装置
    から前記前処理装置へウエハ搬入要求を通信すると共に
    前記ウエハ搬入要求に応じて前記前処理装置から前記露
    光装置に搬送される前記ウエハに対する露光処理条件を
    前記前処理装置から前記露光装置へ通信するための通信
    回線を有することを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 前記露光装置で前記ウエハを露光した後
    に前記ウエハに対する後処理を行なうための後処理装置
    と、前記露光装置から前記後処理装置へウエハ搬出要求
    を通信すると共に前記ウエハ搬出要求に応じて前記露光
    装置から前記後処理装置に搬送される前記ウエハの露光
    処理結果を前記露光装置から前記後処理装置へ通信する
    ための通信回線を更に有することを特徴とする請求項1
    の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 前記前処理装置は前記ウエハにレジスト
    を塗布するレジスト塗布装置を有し、前記後処理装置は
    前記ウエハのレジストを現像するレジスト現像装置を有
    することを特徴とする請求項2の半導体製造装置。
  4. 【請求項4】 前記レジスト塗布装置と前記レジスト現
    像装置は一体化され、前記レジスト塗布装置と前記露光
    装置間の通信回線と前記レジスト現像装置と前記露光装
    置間の通信回線は単回線で共用されていることを特徴と
    する請求項3の半導体製造装置。
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