JP3697036B2 - 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた半導体製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3697036B2 JP3697036B2 JP27125397A JP27125397A JP3697036B2 JP 3697036 B2 JP3697036 B2 JP 3697036B2 JP 27125397 A JP27125397 A JP 27125397A JP 27125397 A JP27125397 A JP 27125397A JP 3697036 B2 JP3697036 B2 JP 3697036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- exposure
- blower
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2258—F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば希ガスハライドエキシマレーザー装置もしくはＦ２レーザー装置のようなガスレーザー装置に関し、更にはこのガスレーザー装置を露光光源として利用する露光装置、並びに半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置製造の分野や他の分野において、ガスレーザーの一種である希ガスハライドエキシマレーザー(以降エキシマレーザー)は、高出力レーザーとして注目を集めている。このようなエキシマレーザーとしては、ＸｅＣｌ(波長３０８ｎｍ)エキシマレーザー、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザー、ＡｒＦ(波長１９３ｎｍ)エキシマレーザー等が知られている。同様にＦ２(波長１５８ｎｍ)レーザーも高出力レーザーとして注目を集めている。また、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザーを露光光源としたステップアンドリピートタイプまたはステップアンドスキャンタイプ等の半導体製造用露光装置は既に実用化されている。
【０００３】
エキシマレーザーは希ガスとハロゲンガスを含むレーザーガスをチャンバー内に封入し、このチャンバー内に設けられた電極からの放電によってレーザーガスを一旦励起状態にすることによりレーザー光を出力させるものである。また、Ｆ２レーザーはＦ２ガスをチャンバー内に封入し、このチャンバー内に設けられた電極からの放電によってレーザーガスを一旦励起状態にすることによりレーザー光を出力させるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなエキシマレーザーやＦ２レーザーでは、電極の放電領域にレーザーガスを送り込むためにチャンバー内でレーザーガスを循環させる必要があり、チャンバー内にはレーザーガスを循環させるための循環手段、例えばブロワ（循環ファン）等の送風機が設けられている。チャンバー内に設けられる送風機の寿命が短いと、レーザーまたは送風機の交換やそれらの修理のために高い頻度でレーザーの使用を中止することになり、これらが露光装置の光源として利用されている場合には、その装置の生産性に大きく影響を与えることになる。送風機はチャンバー内に設置されているので、その交換や修理には非常に長い時間が必要となる。
【０００５】
送風機の寿命に影響を与える要因の一つとしては、送風機の送風用羽根の回転軸を保持しているベアリングの寿命が考えられる。一般に、ベアリングの寿命は使用中の負荷が大きければ大きいほど短くなるので、送風機の送風能力を上げるために送風用羽根の回転数を上げて回転軸を支持するベアリングへの負荷を大きくすると、摩耗が大きくなるためベアリングの寿命は短くなる。即ち、レーザーを高周波数で発振させるために送風機の羽根を高速で回転させる場合には、送風機の羽根の回転軸を支持するベアリングの寿命は短くなる。
【０００６】
しかしながら、例えばエキシマレーザーを露光光源として使用する露光装置では、装置の処理能力を向上させるためにエキシマレーザーを高周波数で発振させることが常に要求されるので、ベアリングの寿命を長くするために送風機の送風能力を低いところで使用するということは現実的ではない。また、上述したような理由で、エキシマレーザーまたは送風機の交換やそれらの修理が頻繁に生じれば、エキシマレーザーを露光光源として使用する露光装置では、その生産性（スループット）が低下する。
【０００７】
また、ガスレーザー装置では、レーザーガスを封入しているチャンバー内に設置される送風機の寿命は少なくとも斯かるチャンバーの寿命より長いことが要求される。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的は、長寿命で高出力なガスレーザー装置、及び生産性の高いガスレーザー装置を露光光源として利用した露光装置、並びに半導体製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の露光装置は、レーザーガスを封入するチャンバーと、前記チャンバーからレーザー光を出力させるために前記レーザーガスを放電により励起する放電電極と、前記放電電極の放電領域を通過した前記レーザーガスが前記チャンバー内を循環して前記放電電極の放電領域に再び戻るように前記チャンバー内で前記レーザーガスを循環させる循環手段を有するレーザー光源と、前記レーザー光源からのレーザー光を用いて露光を行う露光装置本体と、前記循環手段を制御する制御手段とを有し、複数の基板を露光する露光ジョブを実行する露光装置であって、前記レーザー光源をウォームアップ状態とした後に、前記露光ジョブの開始、終了および次の前記露光ジョブの開始の順で動作し、前記制御手段は、前記露光ジョブの開始から終了までは、前記循環手段に前記レーザーガスを循環させる動作を継続させ、前記露光ジョブの終了から次の露光ジョブの開始までは、前記レーザー光源をウォームアップ状態としたままで前記循環手段を停止させることを特徴としている。
【００１０】
ここで、前記循環手段が、ブロワを有するようにすれば良い。尚、このブロワは送風機や、送風用羽根を有するようにするのが好ましい。
【００１１】
また、前記露光装置が前記ブロワの回転数を検出する手段を有しており、前記ブロワ回転数に異常がある場合には、前記露光ジョブを停止するように構成しても良い。
【００１２】
また、前記循環手段により、前記放電電極間の放電領域を横切って前記レーザーガスが循環されるように構成すると尚良い。
【００１５】
更に、本発明の半導体製造方法は、前述の露光装置いずれかを用いて前記基板上に半導体デバイスを製造するためのパターンを露光転写することを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の露光装置の一実施例を示している。この図において、１は一般にステッパと呼ばれている周知のステップアンドリピート（スキャン）タイプの露光装置本体、２はオペレータ等が操作して露光装置本体１の動作を制御するためのジョブをコマンド（指令）として露光装置本体１側の制御装置（不図示）に与えるコンソール、３はガスレーザー装置としての希ガスハライドエキシマレーザー（所謂エキシマレーザー）もしくはＦ２(波長１５８ｎｍ)レーザーを利用したレーザー光源であり、エキシマレーザーとしては例えばＸｅＣｌ(波長３０８ｎｍ)エキシマレーザー、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザー、ＡｒＦ(波長１９３ｎｍ)エキシマレーザー等である。以下の説明では、レーザー光源３として希ガスハライドエキシマレーザーを利用する場合を例にとって説明する。
【００１８】
露光装置本体１においては、レーザー光源３側からレーザー光（ビーム）の光路に沿って、光源３からのレーザー光の断面を所望の形状に整形するための整形光学系４、レーザー光の強度を調整するための可変ＮＤフィルター５、レチクル１２面上での照度を均一化させるためにレーザー光を分割して重ねるオプティカルインテグレーター６、オプティカルインテグレーター６を介したレーザー光を集光するコンデンサレンズ７、コンデンサレンズ７からのレーザー光の一部を光検出器１５に導くためのビームスプリッター８、コンデンサレンズ７によってレーザー光が集光される位置に近傍に配置され、レチクル１２面上でレーザー光が照射される範囲を規制するマスキングブレード９、マスキングブレード９の像をレチクル１２上に結像する結像レンズ１０、レーザー光の光路を投影レンズ１３の光軸方向に向けるためのミラー１１が設けられている。
【００１９】
斯かる光学要素を含む照明光学系を通過してきたレーザー光源３からのレーザー光によってレチクル１２は照明され、これによりレチクル上のパターンは、投影光学系としての投影レンズ１３を介して基板としての半導体ウエハ（ウエハ）上の複数のショット領域の一つに１／２〜１／１０に縮小されて投影露光（転写）される。ウエハ１４は不図示の移動ステージによって投影レンズ１３の光軸に垂直な面に沿って２次元的に移動され、あるショット領域の露光が終了するごとに次のショット領域が投影レンズ１３によってレチクル１２のパターンが投影される位置に移動される。
【００２０】
１６は光検出器１５で光電変換されたレーザー光の強度に応じた光電変換信号を処理するための信号処理部で、該光電変換信号を積算することにより露光量を制御のための信号を発生する。処理部１６での処理によって選られた制御信号はレーザー光源３の制御部３１にフィードバックされ、制御部３１はこの制御信号に基づいてエキシマレーザー３のチャンバー３０内のレーザーガスによる次回の発光を制御する。
【００２１】
図２はエキシマレーザー３のチャンバー３０の縦断面を示す図で、この図において、３２は不図示の高電圧電源（ＨＶ）に接続されている１組の放電電極で、放電電極３２からの放電により放電電極３２の間の放電領域３３にあるチャンバー３０内のレーザーガスＬＧが励起されて周知のようにレーザー発振が行われる。放電電極３２からの放電は周期的に繰り返され、エキシマレーザー３からは図３に示すようにレーザー光４０が周期的に出力もしくは発生または発振される。
【００２２】
エキシマレーザー３のチャンバー３０内のレーザーガスＬＧは、チャンバー３０内に設けられている循環手段となる送風機としてのブロワ（循環ファン）３４によって図示矢印方向（図２において反時計回り方向）にチャンバー３０内で循環されており、放電電極３２の放電領域３３を通過したレーザーガスＬＧはチャンバー３０内を循環して放電電極３２の放電領域３３に再び戻される。この循環過程で、レーザーガスＬＧは熱交換器３５の周囲を通過し所望の温度に冷却される。熱交換器３５内にはチャンバー３０の外部に設けられている温調流体供給装置（不図示）からの温調流体、例えば温度制御された水または空気等が流されている。
【００２３】
図３に示すごとく、エキシマレーザー３のチャンバー３０の放電領域３３の前後には窓３６，３７が設けられ、放電領域３３で発生したレーザー光は窓３６，３７を介してレーザー光出力端となる出力窓（ハーフミラー）３８と全反射ミラー３９の間で反射されながら光増幅される。この光増幅されたレーザー光の一部は出力窓（ハーフミラー）３８から露光光としてのレーザー光４０となって出力される。この間、ブロワ３４は常に回転してレーザーガスＬＧをチャンバー３０内で上述のように循環させる。レーザーの発振周波数を高くする場合には、これに応じてブロワ３４の送風能力を高めるため図４に示すブロワ３４のブロワドラム３４０の回転数を上昇させる。
【００２４】
ブロワドラム３４０の周囲には図２に示すように多数の羽根（送風用羽根）３４５が設けられ、これらの羽根３４５がブロワドラム３４０の回転によりチャンバー３０内のレーザーガスＬＧをチャンバー３０内で循環させるように作用する。ブロワドラム３４０はその回転軸３４１が回転軸支持体となるベアリング、例えばボールベアリング３４２によって回転自在に支持されている。このボールベアリング３４２の寿命は、ボールベアリング３４２に加わる負荷に応じて変化し、その負荷はブロワドラム３４０の回転速度や回転している時間に応じて変化する。
【００２５】
次に、この実施例の動作を図５に示すフローチャートに基づいて説明する。レーザー光源となるエキシマレーザー３の電源がステップＳ０で投入（ＯＮ）されると、ステップＳ１のレーザーオフ（LASER OFF）の状態まま、ステップＳ２のウォームアップ（WARM UP）状態に移行する。ステップＳ２のウォームアップ状態では、放電電極３２からの放電は開始されず、ブロワ３４も停止しているが、その他の機能は動作して放電電極３２からの放電が開始されれば、直ちにレーザー発振ができるような状態となっている。
【００２６】
この状態からステップＳ３で、図１のコンソール２からステッパ本体１とエキシマレーザー３のそれぞれに例えば露光ジョブ開始指令が与えられると、エキシマレーザー３の放電電極３２からの放電が開始されると共に、ブロワ３４も回転を開始してチャンバー３０内でのレーザーガスＬＧの循環を開始させる。これによりエキシマレーザー３はステップＳ４のレーザーオン（LASER ON）状態となり、図３の出力窓３８からレーザー光４０を出力する。一方、ステッパ本体１では、ステッパ本体１内にセットされているウエハ１４をウエハカセットから取り出して投影レンズ１３下の露光位置にある不図示のウエハステージ上に載置すると共に、レチクル１２に対する所定のアライメントを行った後、レーザー光４０を露光光としてステップＳ５における露光を行う。ステッパ本体１の露光動作は、セットされた複数のウエハ１４に対する露光がすべて終了するまで順次行われる。
【００２７】
ステップS５における露光が終了するまでチャンバー３０内のブロワ３４は回転し続けて送風動作を継続する。この間、ステップＳ４ではレーザー制御部３１がブロワ３４の回転速度（回転数）を検出し続け、ブロワ回転数に異常がある場合には、エキシマレーザー３の放電電極３２からの放電を終了させると共に、ブロワ３４の回転も停止させ、ステップＳ２のウォームアップ状態に戻る。この時には、レーザー制御部３１はコンソール２にレーザー３に異常が生じたことを知らせ、コンソール２はステッパ本体１に対して実行しているジョブを停止するように指示して、ステッパ本体１の露光動作を停止させる。
【００２８】
一方、ステップＳ４で回転数の異常が検出されない場合には、ステップＳ５での露光動作は継続され、ステッパ本体１にセットされた複数のウエハ１４に対する露光が終了するまで露光ジョブが実行される。ステップＳ６でステッパ本体１にセットされた各ウエハ１４に対する露光が全て終了し露光ジョブが終了すると、ステッパ本体１はコンソール２に対して露光ジョブが終了した旨を通信し、これを受けたコンソール２はレーザー３の制御部３１にステッパ本体１における露光ジョブが終了した旨を通信する。これを受けたレーザー制御部３１はブロワ３４の回転を停止させると共に、放電電極３２からの放電を停止させ、エキシマレーザー３からのレーザー光の発振を停止させる。そして、ステップ３に戻る。
【００２９】
本実施例では、ブロワ３４はステッパ本体１で露光動作が行われている間、またはエキシマレーザー３からレーザー光が発振されている間だけ回転することとなる。また、ステッパ本体１では、レチクル１２またはウエハ１４上での照度むらを計測するためや、投影レンズ１３を温度的に安定させるためにエキシマレーザー３の発振が必要なジョブが露光ジョブ以外にもあり、これらのジョブを実行している間にもブロワ３４は回転される。本実施例によれば、ブロワ３４（ベアリング３４２）の交換や修理を行なう間隔（寿命）を長くすることができ、チャンバー３０の寿命よりもブロワ３４の寿命を長くすることも可能となる。
【００３０】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、高出力なガスレーザー装置の長寿命が可能となり、このようなガスレーザー装置を露光光源として利用した露光装置や半導体製造方法の生産性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】ガスレーザー装置のチャンバーの縦断面を示す図。
【図３】ガスレーザー装置のチャンバーの横断面を示す図。
【図４】ブロワーの回転軸を詳細に示す図。
【図５】本実施例の動作フローを示す図。
【符号の説明】
１ ステッパ本体
２ コンソール
３ レーザー光源
１２ レチクル
１３ 投影レンズ
１４ ウエハ
３０ チャンバー
３１ 制御部
３２ 放電電極
３３ 放電領域
３４ ブロワ
３５ 熱交換器
４０ レーザー光
３４１ 回転軸
３４２ ベアリング
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば希ガスハライドエキシマレーザー装置もしくはＦ２レーザー装置のようなガスレーザー装置に関し、更にはこのガスレーザー装置を露光光源として利用する露光装置、並びに半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置製造の分野や他の分野において、ガスレーザーの一種である希ガスハライドエキシマレーザー(以降エキシマレーザー)は、高出力レーザーとして注目を集めている。このようなエキシマレーザーとしては、ＸｅＣｌ(波長３０８ｎｍ)エキシマレーザー、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザー、ＡｒＦ(波長１９３ｎｍ)エキシマレーザー等が知られている。同様にＦ２(波長１５８ｎｍ)レーザーも高出力レーザーとして注目を集めている。また、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザーを露光光源としたステップアンドリピートタイプまたはステップアンドスキャンタイプ等の半導体製造用露光装置は既に実用化されている。
【０００３】
エキシマレーザーは希ガスとハロゲンガスを含むレーザーガスをチャンバー内に封入し、このチャンバー内に設けられた電極からの放電によってレーザーガスを一旦励起状態にすることによりレーザー光を出力させるものである。また、Ｆ２レーザーはＦ２ガスをチャンバー内に封入し、このチャンバー内に設けられた電極からの放電によってレーザーガスを一旦励起状態にすることによりレーザー光を出力させるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなエキシマレーザーやＦ２レーザーでは、電極の放電領域にレーザーガスを送り込むためにチャンバー内でレーザーガスを循環させる必要があり、チャンバー内にはレーザーガスを循環させるための循環手段、例えばブロワ（循環ファン）等の送風機が設けられている。チャンバー内に設けられる送風機の寿命が短いと、レーザーまたは送風機の交換やそれらの修理のために高い頻度でレーザーの使用を中止することになり、これらが露光装置の光源として利用されている場合には、その装置の生産性に大きく影響を与えることになる。送風機はチャンバー内に設置されているので、その交換や修理には非常に長い時間が必要となる。
【０００５】
送風機の寿命に影響を与える要因の一つとしては、送風機の送風用羽根の回転軸を保持しているベアリングの寿命が考えられる。一般に、ベアリングの寿命は使用中の負荷が大きければ大きいほど短くなるので、送風機の送風能力を上げるために送風用羽根の回転数を上げて回転軸を支持するベアリングへの負荷を大きくすると、摩耗が大きくなるためベアリングの寿命は短くなる。即ち、レーザーを高周波数で発振させるために送風機の羽根を高速で回転させる場合には、送風機の羽根の回転軸を支持するベアリングの寿命は短くなる。
【０００６】
しかしながら、例えばエキシマレーザーを露光光源として使用する露光装置では、装置の処理能力を向上させるためにエキシマレーザーを高周波数で発振させることが常に要求されるので、ベアリングの寿命を長くするために送風機の送風能力を低いところで使用するということは現実的ではない。また、上述したような理由で、エキシマレーザーまたは送風機の交換やそれらの修理が頻繁に生じれば、エキシマレーザーを露光光源として使用する露光装置では、その生産性（スループット）が低下する。
【０００７】
また、ガスレーザー装置では、レーザーガスを封入しているチャンバー内に設置される送風機の寿命は少なくとも斯かるチャンバーの寿命より長いことが要求される。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的は、長寿命で高出力なガスレーザー装置、及び生産性の高いガスレーザー装置を露光光源として利用した露光装置、並びに半導体製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の露光装置は、レーザーガスを封入するチャンバーと、前記チャンバーからレーザー光を出力させるために前記レーザーガスを放電により励起する放電電極と、前記放電電極の放電領域を通過した前記レーザーガスが前記チャンバー内を循環して前記放電電極の放電領域に再び戻るように前記チャンバー内で前記レーザーガスを循環させる循環手段を有するレーザー光源と、前記レーザー光源からのレーザー光を用いて露光を行う露光装置本体と、前記循環手段を制御する制御手段とを有し、複数の基板を露光する露光ジョブを実行する露光装置であって、前記レーザー光源をウォームアップ状態とした後に、前記露光ジョブの開始、終了および次の前記露光ジョブの開始の順で動作し、前記制御手段は、前記露光ジョブの開始から終了までは、前記循環手段に前記レーザーガスを循環させる動作を継続させ、前記露光ジョブの終了から次の露光ジョブの開始までは、前記レーザー光源をウォームアップ状態としたままで前記循環手段を停止させることを特徴としている。
【００１０】
ここで、前記循環手段が、ブロワを有するようにすれば良い。尚、このブロワは送風機や、送風用羽根を有するようにするのが好ましい。
【００１１】
また、前記露光装置が前記ブロワの回転数を検出する手段を有しており、前記ブロワ回転数に異常がある場合には、前記露光ジョブを停止するように構成しても良い。
【００１２】
また、前記循環手段により、前記放電電極間の放電領域を横切って前記レーザーガスが循環されるように構成すると尚良い。
【００１５】
更に、本発明の半導体製造方法は、前述の露光装置いずれかを用いて前記基板上に半導体デバイスを製造するためのパターンを露光転写することを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の露光装置の一実施例を示している。この図において、１は一般にステッパと呼ばれている周知のステップアンドリピート（スキャン）タイプの露光装置本体、２はオペレータ等が操作して露光装置本体１の動作を制御するためのジョブをコマンド（指令）として露光装置本体１側の制御装置（不図示）に与えるコンソール、３はガスレーザー装置としての希ガスハライドエキシマレーザー（所謂エキシマレーザー）もしくはＦ２(波長１５８ｎｍ)レーザーを利用したレーザー光源であり、エキシマレーザーとしては例えばＸｅＣｌ(波長３０８ｎｍ)エキシマレーザー、ＫｒＦ(波長２４８ｎｍ)エキシマレーザー、ＡｒＦ(波長１９３ｎｍ)エキシマレーザー等である。以下の説明では、レーザー光源３として希ガスハライドエキシマレーザーを利用する場合を例にとって説明する。
【００１８】
露光装置本体１においては、レーザー光源３側からレーザー光（ビーム）の光路に沿って、光源３からのレーザー光の断面を所望の形状に整形するための整形光学系４、レーザー光の強度を調整するための可変ＮＤフィルター５、レチクル１２面上での照度を均一化させるためにレーザー光を分割して重ねるオプティカルインテグレーター６、オプティカルインテグレーター６を介したレーザー光を集光するコンデンサレンズ７、コンデンサレンズ７からのレーザー光の一部を光検出器１５に導くためのビームスプリッター８、コンデンサレンズ７によってレーザー光が集光される位置に近傍に配置され、レチクル１２面上でレーザー光が照射される範囲を規制するマスキングブレード９、マスキングブレード９の像をレチクル１２上に結像する結像レンズ１０、レーザー光の光路を投影レンズ１３の光軸方向に向けるためのミラー１１が設けられている。
【００１９】
斯かる光学要素を含む照明光学系を通過してきたレーザー光源３からのレーザー光によってレチクル１２は照明され、これによりレチクル上のパターンは、投影光学系としての投影レンズ１３を介して基板としての半導体ウエハ（ウエハ）上の複数のショット領域の一つに１／２〜１／１０に縮小されて投影露光（転写）される。ウエハ１４は不図示の移動ステージによって投影レンズ１３の光軸に垂直な面に沿って２次元的に移動され、あるショット領域の露光が終了するごとに次のショット領域が投影レンズ１３によってレチクル１２のパターンが投影される位置に移動される。
【００２０】
１６は光検出器１５で光電変換されたレーザー光の強度に応じた光電変換信号を処理するための信号処理部で、該光電変換信号を積算することにより露光量を制御のための信号を発生する。処理部１６での処理によって選られた制御信号はレーザー光源３の制御部３１にフィードバックされ、制御部３１はこの制御信号に基づいてエキシマレーザー３のチャンバー３０内のレーザーガスによる次回の発光を制御する。
【００２１】
図２はエキシマレーザー３のチャンバー３０の縦断面を示す図で、この図において、３２は不図示の高電圧電源（ＨＶ）に接続されている１組の放電電極で、放電電極３２からの放電により放電電極３２の間の放電領域３３にあるチャンバー３０内のレーザーガスＬＧが励起されて周知のようにレーザー発振が行われる。放電電極３２からの放電は周期的に繰り返され、エキシマレーザー３からは図３に示すようにレーザー光４０が周期的に出力もしくは発生または発振される。
【００２２】
エキシマレーザー３のチャンバー３０内のレーザーガスＬＧは、チャンバー３０内に設けられている循環手段となる送風機としてのブロワ（循環ファン）３４によって図示矢印方向（図２において反時計回り方向）にチャンバー３０内で循環されており、放電電極３２の放電領域３３を通過したレーザーガスＬＧはチャンバー３０内を循環して放電電極３２の放電領域３３に再び戻される。この循環過程で、レーザーガスＬＧは熱交換器３５の周囲を通過し所望の温度に冷却される。熱交換器３５内にはチャンバー３０の外部に設けられている温調流体供給装置（不図示）からの温調流体、例えば温度制御された水または空気等が流されている。
【００２３】
図３に示すごとく、エキシマレーザー３のチャンバー３０の放電領域３３の前後には窓３６，３７が設けられ、放電領域３３で発生したレーザー光は窓３６，３７を介してレーザー光出力端となる出力窓（ハーフミラー）３８と全反射ミラー３９の間で反射されながら光増幅される。この光増幅されたレーザー光の一部は出力窓（ハーフミラー）３８から露光光としてのレーザー光４０となって出力される。この間、ブロワ３４は常に回転してレーザーガスＬＧをチャンバー３０内で上述のように循環させる。レーザーの発振周波数を高くする場合には、これに応じてブロワ３４の送風能力を高めるため図４に示すブロワ３４のブロワドラム３４０の回転数を上昇させる。
【００２４】
ブロワドラム３４０の周囲には図２に示すように多数の羽根（送風用羽根）３４５が設けられ、これらの羽根３４５がブロワドラム３４０の回転によりチャンバー３０内のレーザーガスＬＧをチャンバー３０内で循環させるように作用する。ブロワドラム３４０はその回転軸３４１が回転軸支持体となるベアリング、例えばボールベアリング３４２によって回転自在に支持されている。このボールベアリング３４２の寿命は、ボールベアリング３４２に加わる負荷に応じて変化し、その負荷はブロワドラム３４０の回転速度や回転している時間に応じて変化する。
【００２５】
次に、この実施例の動作を図５に示すフローチャートに基づいて説明する。レーザー光源となるエキシマレーザー３の電源がステップＳ０で投入（ＯＮ）されると、ステップＳ１のレーザーオフ（LASER OFF）の状態まま、ステップＳ２のウォームアップ（WARM UP）状態に移行する。ステップＳ２のウォームアップ状態では、放電電極３２からの放電は開始されず、ブロワ３４も停止しているが、その他の機能は動作して放電電極３２からの放電が開始されれば、直ちにレーザー発振ができるような状態となっている。
【００２６】
この状態からステップＳ３で、図１のコンソール２からステッパ本体１とエキシマレーザー３のそれぞれに例えば露光ジョブ開始指令が与えられると、エキシマレーザー３の放電電極３２からの放電が開始されると共に、ブロワ３４も回転を開始してチャンバー３０内でのレーザーガスＬＧの循環を開始させる。これによりエキシマレーザー３はステップＳ４のレーザーオン（LASER ON）状態となり、図３の出力窓３８からレーザー光４０を出力する。一方、ステッパ本体１では、ステッパ本体１内にセットされているウエハ１４をウエハカセットから取り出して投影レンズ１３下の露光位置にある不図示のウエハステージ上に載置すると共に、レチクル１２に対する所定のアライメントを行った後、レーザー光４０を露光光としてステップＳ５における露光を行う。ステッパ本体１の露光動作は、セットされた複数のウエハ１４に対する露光がすべて終了するまで順次行われる。
【００２７】
ステップS５における露光が終了するまでチャンバー３０内のブロワ３４は回転し続けて送風動作を継続する。この間、ステップＳ４ではレーザー制御部３１がブロワ３４の回転速度（回転数）を検出し続け、ブロワ回転数に異常がある場合には、エキシマレーザー３の放電電極３２からの放電を終了させると共に、ブロワ３４の回転も停止させ、ステップＳ２のウォームアップ状態に戻る。この時には、レーザー制御部３１はコンソール２にレーザー３に異常が生じたことを知らせ、コンソール２はステッパ本体１に対して実行しているジョブを停止するように指示して、ステッパ本体１の露光動作を停止させる。
【００２８】
一方、ステップＳ４で回転数の異常が検出されない場合には、ステップＳ５での露光動作は継続され、ステッパ本体１にセットされた複数のウエハ１４に対する露光が終了するまで露光ジョブが実行される。ステップＳ６でステッパ本体１にセットされた各ウエハ１４に対する露光が全て終了し露光ジョブが終了すると、ステッパ本体１はコンソール２に対して露光ジョブが終了した旨を通信し、これを受けたコンソール２はレーザー３の制御部３１にステッパ本体１における露光ジョブが終了した旨を通信する。これを受けたレーザー制御部３１はブロワ３４の回転を停止させると共に、放電電極３２からの放電を停止させ、エキシマレーザー３からのレーザー光の発振を停止させる。そして、ステップ３に戻る。
【００２９】
本実施例では、ブロワ３４はステッパ本体１で露光動作が行われている間、またはエキシマレーザー３からレーザー光が発振されている間だけ回転することとなる。また、ステッパ本体１では、レチクル１２またはウエハ１４上での照度むらを計測するためや、投影レンズ１３を温度的に安定させるためにエキシマレーザー３の発振が必要なジョブが露光ジョブ以外にもあり、これらのジョブを実行している間にもブロワ３４は回転される。本実施例によれば、ブロワ３４（ベアリング３４２）の交換や修理を行なう間隔（寿命）を長くすることができ、チャンバー３０の寿命よりもブロワ３４の寿命を長くすることも可能となる。
【００３０】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、高出力なガスレーザー装置の長寿命が可能となり、このようなガスレーザー装置を露光光源として利用した露光装置や半導体製造方法の生産性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】ガスレーザー装置のチャンバーの縦断面を示す図。
【図３】ガスレーザー装置のチャンバーの横断面を示す図。
【図４】ブロワーの回転軸を詳細に示す図。
【図５】本実施例の動作フローを示す図。
【符号の説明】
１ ステッパ本体
２ コンソール
３ レーザー光源
１２ レチクル
１３ 投影レンズ
１４ ウエハ
３０ チャンバー
３１ 制御部
３２ 放電電極
３３ 放電領域
３４ ブロワ
３５ 熱交換器
４０ レーザー光
３４１ 回転軸
３４２ ベアリング
Claims (3)
- レーザーガスを封入するチャンバーと、前記チャンバーからレーザー光を出力させるために前記レーザーガスを放電により励起する放電電極と、前記放電電極の放電領域を通過した前記レーザーガスが前記チャンバー内を循環して前記放電電極の放電領域に再び戻るように前記チャンバー内で前記レーザーガスを循環させる循環手段を有するレーザー光源と、前記レーザー光源からのレーザー光を用いて露光を行う露光装置本体と、前記循環手段を制御する制御手段とを有し、複数の基板を露光する露光ジョブを実行する露光装置であって、
前記レーザー光源をウォームアップ状態とした後に、前記露光ジョブの開始、終了および次の前記露光ジョブの開始の順で動作し、
前記制御手段は、
前記露光ジョブの開始から終了までは、前記循環手段に前記レーザーガスを循環させる動作を継続させ、
前記露光ジョブの終了から次の露光ジョブの開始までは、前記レーザー光源をウォームアップ状態としたままで前記循環手段を停止させることを特徴とする露光装置。 - 前記循環手段がブロワを有し、前記露光装置が前記ブロワの回転数を検出する手段を有しており、前記ブロワ回転数に異常がある場合には、前記露光ジョブを停止することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
- 請求項１又は２記載の露光装置を用いて基板上に半導体デバイスを製造するためのパターンを露光転写することを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125397A JP3697036B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法 |
| DE69815980T DE69815980T2 (de) | 1997-10-03 | 1998-09-30 | Gaslaser, Belichtungsapparatur sowie Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung derselben |
| US09/163,402 US7031364B2 (en) | 1997-10-03 | 1998-09-30 | Gas laser device and exposure apparatus using the same |
| EP98307966A EP0907228B1 (en) | 1997-10-03 | 1998-09-30 | Gas laser, exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same |
| KR1019980041325A KR100322331B1 (ko) | 1997-10-03 | 1998-10-01 | 가스레이저장치와이것을사용한노광장치 |
| US11/292,195 US20060093009A1 (en) | 1997-10-03 | 2005-12-02 | Gas laser device and exposure apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125397A JP3697036B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005133594A Division JP2005286347A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 露光装置および半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112064A JPH11112064A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3697036B2 true JP3697036B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=17497503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27125397A Expired - Fee Related JP3697036B2 (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7031364B2 (ja) |
| EP (1) | EP0907228B1 (ja) |
| JP (1) | JP3697036B2 (ja) |
| KR (1) | KR100322331B1 (ja) |
| DE (1) | DE69815980T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4497650B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | レーザ発振装置、露光装置および半導体デバイス製造方法 |
| KR100624081B1 (ko) | 2002-01-31 | 2006-09-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 레이저장치, 노광장치 및 노광방법 |
| EP1975720A4 (en) * | 2005-12-09 | 2010-05-05 | Nikon Corp | LASER LIGHT SOURCE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND EQUIPMENT |
| JP4782887B1 (ja) * | 2010-04-02 | 2011-09-28 | ファナック株式会社 | ガスレーザ装置 |
| EP3358377A4 (en) * | 2015-09-30 | 2019-05-01 | Nikon Corporation | OPTICAL ELEMENT, BEDROOM, AND LIGHT SOURCE DEVICE |
| CN113906218A (zh) * | 2019-07-03 | 2022-01-07 | 极光先进雷射株式会社 | 激光腔和电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4274065A (en) * | 1979-07-31 | 1981-06-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Closed cycle annular-return gas flow electrical discharge laser |
| US4611326A (en) * | 1983-03-28 | 1986-09-09 | Digital Equipment Corporation | Circuitry for identifying the validity of received data words |
| US4611327A (en) * | 1983-11-25 | 1986-09-09 | Amoco Corporation | Gas transport laser system |
| US4785458A (en) * | 1984-02-13 | 1988-11-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gas laser device |
| JPS6226881A (ja) | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振器 |
| JPS62109634A (ja) | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 凸版印刷株式会社 | 折畳み容器の成形方法 |
| JPS62281484A (ja) | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振装置 |
| JPS6370081A (ja) | 1986-09-09 | 1988-03-30 | 松下冷機株式会社 | 断熱箱体の製造法 |
| JPS6386587A (ja) | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Komatsu Ltd | 気体レ−ザ装置 |
| JPS6415249A (en) | 1987-07-07 | 1989-01-19 | Kao Corp | Sulfurizing prevented facing for organic binder mold |
| US5023884A (en) * | 1988-01-15 | 1991-06-11 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser |
| JP2659210B2 (ja) | 1988-05-19 | 1997-09-30 | ファナック株式会社 | Ｎｃレーザ装置 |
| JPH0213769A (ja) | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toshiba Corp | 電子機器の冷却装置 |
| JPH0269785A (ja) | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Canon Inc | 複写装置 |
| JP2926241B2 (ja) | 1989-05-09 | 1999-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法 |
| US5383217A (en) * | 1989-05-09 | 1995-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus with laser source requiring new gas introduction |
| JPH0346787A (ja) | 1989-07-12 | 1991-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱調理器 |
| JPH0370426A (ja) | 1989-08-08 | 1991-03-26 | Honma Eiichi | 送風機の保護装置 |
| JPH03201493A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Amada Co Ltd | レーザ発振器のガス循環制御装置 |
| DE4002185C2 (de) * | 1990-01-25 | 1994-01-13 | Lambda Physik Forschung | Vorrichtung zum Reinigen von Lasergas |
| JPH03295285A (ja) | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Fanuc Ltd | ガスレーザ装置 |
| JPH0422181A (ja) | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Fanuc Ltd | 送風機の異常検出方式 |
| JPH0457077A (ja) | 1990-06-27 | 1992-02-24 | Ricoh Co Ltd | 画像処理装置 |
| US5250797A (en) | 1990-10-05 | 1993-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters |
| JP2877998B2 (ja) * | 1991-09-03 | 1999-04-05 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH05190435A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電子線描画方法 |
| US5463650A (en) | 1992-07-17 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for controlling output of an excimer laser device |
| JP3425447B2 (ja) | 1992-09-14 | 2003-07-14 | 株式会社小松製作所 | エキシマレーザ装置の出力制御装置 |
| US5373523A (en) * | 1992-10-15 | 1994-12-13 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Excimer laser apparatus |
| JPH06151282A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-05-31 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置のデータ変換方法 |
| US5377215A (en) | 1992-11-13 | 1994-12-27 | Cymer Laser Technologies | Excimer laser |
| US5450436A (en) * | 1992-11-20 | 1995-09-12 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system |
| US5440578B1 (en) * | 1993-07-16 | 2000-10-24 | Cymer Inc | Gas replenishment method ad apparatus for excimer lasers |
| JP3363532B2 (ja) | 1993-07-26 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
| JP2631080B2 (ja) * | 1993-10-05 | 1997-07-16 | 株式会社小松製作所 | レーザ装置の出力制御装置 |
| JPH0845828A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-16 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JP3308745B2 (ja) * | 1994-12-02 | 2002-07-29 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置および半導体デバイス製造方法 |
| JP3296528B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2002-07-02 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 |
| CA2190697C (en) * | 1996-01-31 | 2000-07-25 | Donald Glenn Larson | Blower motor with adjustable timing |
| EP0794598B1 (en) | 1996-03-07 | 2002-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Excimer laser generator |
| JP3796294B2 (ja) * | 1996-07-09 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
| JPH1097986A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Nikon Corp | 露光装置 |
| US5978070A (en) * | 1998-02-19 | 1999-11-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6144686A (en) * | 1998-08-28 | 2000-11-07 | Cymer, Inc. | Tangential fan with cutoff assembly and vibration control for electric discharge laser |
| US6061376A (en) * | 1998-08-28 | 2000-05-09 | Cymer, Inc. | Tangential fan for excimer laser |
| US6195378B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-02-27 | Cymer, Inc. | Twisted blade tangential fan for excimer laser |
| US6023486A (en) * | 1998-08-28 | 2000-02-08 | Cymer, Inc. | Soldered fan assembly for electric discharge laser |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27125397A patent/JP3697036B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-30 EP EP98307966A patent/EP0907228B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-30 DE DE69815980T patent/DE69815980T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-30 US US09/163,402 patent/US7031364B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-01 KR KR1019980041325A patent/KR100322331B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-02 US US11/292,195 patent/US20060093009A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7031364B2 (en) | 2006-04-18 |
| EP0907228B1 (en) | 2003-07-02 |
| DE69815980D1 (de) | 2003-08-07 |
| KR19990036752A (ko) | 1999-05-25 |
| KR100322331B1 (ko) | 2002-03-08 |
| EP0907228A1 (en) | 1999-04-07 |
| DE69815980T2 (de) | 2004-04-15 |
| US20060093009A1 (en) | 2006-05-04 |
| US20010046248A1 (en) | 2001-11-29 |
| JPH11112064A (ja) | 1999-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6538722B2 (en) | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus | |
| WO2002103766A1 (fr) | Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe | |
| US5894341A (en) | Exposure apparatus and method for measuring a quantity of light with temperature variations | |
| US20060093009A1 (en) | Gas laser device and exposure apparatus using the same | |
| US5610965A (en) | Exposure method | |
| US20100073649A1 (en) | Exposure Apparatus Having An Element To Be Cooled | |
| JP2000036449A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0845827A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH09270384A (ja) | 温度制御装置及び露光装置 | |
| US6445441B1 (en) | Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method | |
| JP2006019722A (ja) | 半導体基板の露光方法、及びこれを用いた露光装置 | |
| JP3363532B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2005286347A (ja) | 露光装置および半導体製造方法 | |
| TW200302612A (en) | Laser apparatus, exposure apparatus and method | |
| JP2004111684A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
| JPH10242046A (ja) | 露光装置、露光方法及びマスク収納ケース | |
| WO2000068980A1 (fr) | Procede et appareil d'exposition | |
| JPH08293449A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001176774A (ja) | レーザ装置及び露光装置 | |
| JPH11191525A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH05343287A (ja) | 露光方法 | |
| JP2002261361A (ja) | 光増幅装置、光源装置、及び光照射装置 | |
| JP2010067904A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0636984A (ja) | 露光装置 | |
| JPS63213927A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021001 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041026 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050428 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050701 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |