JP3308745B2 - 半導体露光装置および半導体デバイス製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置やＬＣＤパ
ネル等のデバイスを製造するための装置および方法に関
し、特にロット単位での処理時間または終了時刻を算出
し、これと実際に要した処理時間または終了時刻との差
に基づいて装置または製造工程の自己診断を行なうよう
にしたデバイス製造装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ上に回路パターンを焼き付
ける半導体露光装置、例えばステッパは、多数のウエハ
をロット単位で処理する。このとき、ロットにより露光
条件、アライメント条件等が異なる。従来、このロット
単位の処理時間および処理終了時刻は、それまでの経験
等から作業者が予測している。また、このロット処理時
間または処理終了時刻と実際の処理時間または処理終了
時刻との差が著しく大きかった場合、作業者は装置に異
常があると判断し点検を行なっていた。

【０００３】しかしながら、この処理時間および処理終
了時刻は露光パラメータ、ステッパの内部パラメータ等
により変化するので、作業者が正確な処理時間および処
理終了時刻を予測するのは困難である。特に、多品種少
量生産のラインや、新製品の試作ライン等では、１台の
露光装置に色々なロットを流すので、前述のような問題
点が起きることが多い。また、予測した処理時間または
処理終了時刻と実際の処理時間または処理終了時刻との
差が大きかった場合でも、ロットの処理のどこでその差
が発生しているか作業者は判断することができなかっ
た。

【０００４】なお、本出願人は、作業者が正確な処理時
間および処理終了時刻を予測するのが困難である点に鑑
み、先に、露光処理を行なう１ロットのウエハの枚数を
指定する枚数指定手段と、前記露光処理の各部分的処理
に要する処理時間の情報を設定する設定手段と、前記指
定手段により指定されたウエハ枚数および前記設定手段
により設定された処理時間情報に基づいて前記１ロット
の露光処理に要する時間もしくはその処理の終了時刻を
算出する算出手段と、これによって算出された値を表示
する表示手段とを具備することにより、作業者が容易に
処理時間および処理終了時刻を把握できるようにした半
導体露光装置を特願平６−２９７１６４として出願して
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮したもので、ロット処理工程またはロット処理用の装
置において、処理工程または装置の動作を自己診断しそ
の不具合を早期発見することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、ロット単位でウエハに露光処理を施す際
に、ロット処理の開始前にそのロット処理で処理すべき
１ロットのウエハの数量を指定し、該ロット処理の露光
パラメータに応じて各部分的処理に要する時間情報を設
定して、これらの指定されたウエハの数量および設定さ
れた部分的処理に要する時間情報に基づいてそのロット
処理に要する時間またはそのロット処理の終了時刻を算
出しておく。そして、ロット処理の終了後に、第１の判
定では、算出された処理時間または終了時刻と実際の時
間または時刻との時間差が許容範囲内に収まっているか
を判定し、第２の判定では、前記各部分的処理ごとに前
記部分的処理に要する時間と実際の部分的処理時間との
差が許容範囲以内であるか否かを判定し、第１の判定に
より前記時間差が許容範囲内に収まっていないと判定さ
れた場合、前記第２の判定により前記差が許容範囲以内
でないと判定された部分的処理を表示することを特徴と
している。

【０００７】

【作用】上記構成によれば、ロット処理の開始前にその
ロット処理の露光パラメータに応じて各部分的処理に要
する時間情報を設定し、そのロット処理で処理すべき１
ロットのウエハの数量を指定することによってそのロッ
ト処理に要する時間またはそのロット処理の終了時刻を
算出することができ、作業者等が正確な処理時間および
処理の終了時刻を容易に知ることができる。

【０００８】そして、ロット処理の終了後に、算出され
た処理時間または終了時刻と実際の時間または時刻との
時間差を求めその時間差が一定許容値内に収まっていな
い場合をそのロット処理に不具合があったものと判定す
ることにより、経験を積まない作業者であっても容易に
ロット処理の良否を判断することができる。さらに、そ
のロット処理を構成する各部分的処理ごとにその実際の
処理時間と予め設定または算出された処理時間とを比較
し、差が許容範囲を超えている部分的処理を検索するこ
とにより、不具合箇所である部分的処理を容易に特定す
ることができる。

【０００９】本発明の好ましい実施例において、上記の
構成は例えば半導体露光装置に適用される。この半導体
露光装置は、ロット処理すべき１ロットのウエハの数量
を指定する数量指定手段と、前記ロット処理の露光パラ
メータに応じて各部分的処理に要する時間情報を設定す
る設定手段と、前記数量指定手段により指定されたウエ
ハの数量および前記設定手段により設定された部分的処
理に要する時間情報に基づいて前記ロット処理に要する
時間またはそのロット処理の終了時刻を算出する算出手
段と、前記ロット処理の終了後、実際のロット処理時間
またはロット処理終了時刻と前記算出手段によって算出
された値との時間差を所定の許容範囲と比較する比較手
段と、前記時間差が所定の許容範囲を超えた場合に、前
記各部分的処理ごとにその部分的処理に要する時間と実
際の部分的処理時間との差を求め、それを所定の許容値
と比較して処理の不具合であった部分的処理を特定する
不具合箇所特定手段と、前記不具合箇所を表示する表示
手段とを具備する。

【００１０】前記設定手段は露光パラメータに応じた前
記部分的処理に要する時間情報を記憶している記憶手段
と、その露光パラメータを入力する入力手段と、この入
力手段によって入力された前記露光パラメータに応じて
前記部分的処理に要する時間情報を前記記憶手段から読
み出す読出手段とを備える。前記算出手段は、指定され
た露光パラメータ、ステッパ内部パラメータ、および処
理ウエハ枚数等の情報とこれらの情報に応じて前記記憶
手段から読み出される部分的処理に要する時間情報に基
づいてロット処理に要する時間およびロット処理終了時
刻を算出する。前記表示手段は前記ロット処理の開始時
に前記ロット処理に要する時間またはロット処理の終了
時刻を表示する。

【００１１】露光装置を用いて露光処理を行なう際等に
おいて、１ロットの露光処理に要する時間もしくはその
処理の終了時刻を表示させるためには、数量指定手段に
より１ロットの処理ウエハの枚数を指定し、また設定手
段により処理時間情報を設定する。この処理時間情報
は、露光時間やステップ回数等の露光パラメータやステ
ッパ内部パラメータであり、通常、露光条件の異なるロ
ットによって異なる。したがって処理時間情報の設定は
具体的には例えば、そのロットに適用する露光の種類を
ジョブ名等として入力手段によって指定し、指定された
ジョブ名に対応する処理時間情報を記憶手段から読み出
すことにより行なわれる。算出手段はそれらのウエハ枚
数および処理時間情報に基づいて１ロットの露光処理に
要する時間（処理予測時間）もしくはその処理の終了時
刻（終了予測時刻）を算出し、その値を表示手段が表示
する。表示された処理予測時間や終了予測時刻は、容易
に作業者によって認識され、装置の効率的な運用に供さ
れる。

【００１２】１ロットの露光処理の終了後、比較手段
は、前記算出手段で求めた処理予測時間または終了予測
時刻と実際の処理時間または終了時刻との時間差が所定
の許容差に収まっているかどうかの判断を行なう。不具
合箇所特定手段は、前記比較手段が収まっていないと判
断した場合、その時間差がどこで発生しているかを調
べ、その箇所を特定し表示手段に表示させる。作業者
は、露光処理終了後の表示より、露光処理における不具
合の有無および不具合が有った場合の不具合箇所の特定
が容易にできる。

【００１３】したがって、本発明は、製造ラインの製造
装置や工程の不具合の早期発見および稼働率の向上とい
う観点から、次のような効果を発揮する。 複数の装置で複数のロットを流す場合、各ロットの終
了予測時刻と実際の終了時刻を管理することができるた
め、各装置または工程がその装置または工程本来のスル
ープット性能を発揮しているかのチェックを行なうこと
ができる。そのため、従来では見逃しがちであった、装
置または工程の不具合の早期発見に寄与する。 前述のチェックにおいて、その装置または工程が本来
のスループット性能を発揮していない場合、ロットの処
理でどの処理がスループット低下の要因となっているか
を特定しオペレータに示すことができる。そのため、装
置または工程の不具合箇所の特定が早くなり、装置また
は工程稼働率の向上に寄与する。オペレータのアシスト
（キャリア交換等）が必要とならないように、装置運営
の計画を容易に立てるのに利用される。

【００１４】

【実施例】以下、実施例を通じて本発明をより具体的に
説明する。図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温
調チャンバ１０１、その内部に配置され、装置本体の制
御を行うＣＰＵを有するＥＷＳ本体１０６、ならびに、
装置における所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレ
イ装置１０２、装置本体において撮像手段を介して得ら
れる画像情報を表示するモニタＴＶ１０５、装置に対し
所定の入力を行うための操作パネル１０３、ＥＷＳ用キ
ーボード１０４等を含むコンソール部を備えている。図
中、１０７はＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止
スイッチ、１０９は各種スイッチ、マウス等、１１０は
ＬＡＮ通信ケーブル、１１１はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして１１２はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ１０１の内部に設
置される。

【００１５】ＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２は、Ｅ
Ｌ、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであ
り、チャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮ通信ケーブ
ル１１０によりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パ
ネル１０３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等も
チャンバ１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から
従来と同様のコンソール操作が行なえるようにしてあ
る。

【００１６】図２は、図１の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレ
チクルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２
３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬
送装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によってステ
ッパ本体に搬送される。

【００１７】チャンバ１０１は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒーター２１６により温度調節さ
れた空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介し
てブース２１４内に供給される。このブース２１４に供
給された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０
に取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割の
ブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外
気導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を
一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅ
ａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源装置
２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリタ
ーン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。

【００１８】図３は、図１の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
はコンソールユニットであり、前記ディスプレイ１０
２、本体ＣＰＵ３２１にこの露光装置の動作に関する各
種のコマンドやパラメータを与えるための操作パネル１
０３、キーボード１０４および不図示のマウス、ならび
に露光処理の開始を指令するための図示しないスタート
ボタン等を有する。すなわち、コンソールユニット３３
０は、オペレータとの間で情報の授受を行うためのもの
であり、かつ本発明の特徴とする、露光処理を行なう１
ロットのウエハの枚数を指定する枚数指定手段、前記露
光処理の各部分的処理に要する処理時間の情報を設定す
る設定手段、前記指定手段により指定されたウエハ枚数
および前記設定手段により設定された処理時間情報に基
づいて前記１ロットの露光処理に要する時間もしくはそ
の処理の終了時刻を算出する算出手段、および、これに
よって算出された値を表示する表示手段を構成する。

【００１９】３３１はコンソールＣＰＵ、３３２はロッ
ト処理の露光パラメータ等を記憶する外部メモリであ
る。外部メモリ３３２は例えばハードディスクであり、
露光に必要なデータや露光処理の種類等の露光パラメー
タに応じた各部分的処理ごとの処理に要する時間情報を
ジョブファイルとして記憶している。

【００２０】図４はこの装置の動作を示すフローチャー
トである。１ロットの露光処理を行なう場合、オペレー
タは、図４に示すように、コンソールユニット３３０の
操作部（操作パネル、キーボード１０４、図示しないマ
ウス等）によりまずそのロットの処理に適用するジョブ
ファイルを指定し、そのロットで処理するウエハ枚数を
指定して、しかる後に前記スタートボタンを押す。

【００２１】するとコンソールＣＰＵ３３１は、指定さ
れたジョブファイルに記憶されている各種パラメータ、
およびステッパ内部の必要パラメータを読み出し、次の
式によってロットの処理時間（Ｅt ）を計算する。 処理時間（Ｅt ）＝ウエハ枚数（Ｗ）×インデックスタ
イム（Ｉt ） 前記インデックスタイム（Ｉt ）は次式によって求めら
れる。 Ｉt ＝Ｔwl＋Ｔpl＋Ｔal＋（Ｔel＋（Ｔxyl ＋Ｔfl）×
Ｎs ）×Ｎe 但し、Ｔwl：ウエハ交換時間 Ｔpl：プリアライメント時間 Ｔal：アライメント時間 Ｔel：露光時間 Ｔxyl ：ステージ駆動時間 Ｔfl：フォーカス時間 Ｎs ：ステップ回数 Ｎe ：露光ショット数 さらに、前記アライメント時間Ｔalは次の式により求め
られる。 アライメント時間（Ｔal）＝（Ｔasl ＋Ｔaxyl）×Ｎa 但し、Ｔasl ：アライメント計測時間 Ｔaxyl：ステージ駆動時間 Ｎa ：アライメントのための計測ショット数 以下、前記ウエハ交換やプリアライメント等の個々の動
作（部分的処理）をタームと称することとする。

【００２２】処理時間（Ｅt ）を計算すると、コンソー
ルＣＰＵ３３１は、次に、前記スタートボタンが押され
た時刻と処理時間（Ｅt ）とから終了予測時刻（ＥＴ）
を計算し、ディスプレイ１０２上に表示する。このと
き、ウエハ搬送系にインライン搬送系を含むものを想定
すれば、ウエハ交換時間Ｔwlを補正することも可能であ
る。終了予測時刻（ＥＴ）を表示するとロット処理を開
始し、ロット処理中は各タームに要した時間を記録す
る。

【００２３】ロット処理を終了すると、コンソールＣＰ
Ｕ３３１は、実際の処理時間（Ｒt）と予測した処理時
間（Ｅt ）との時間差（Ｄt ）を求め、その時間差が所
定の許容時間差（Ｄa ）以内であったか否かの判断を行
なう。ここで、許容時間差（Ｄa ）は、各タームごとの
許容時間を設定し、次の式のように、それらを基に算出
される。 Ｄt ＝Ｄwl＋Ｄpl＋Ｄal＋（Ｄel＋（Ｄxyl ＋Ｄfl）×
Ｎs ）×Ｎe 但し、Ｄwl：ウエハ交換許容時間 Ｄpl：プリアライメント許容時間 Ｄal：アライメント許容時間 Ｄel：露光許容時間 Ｄxyl ：ステージ駆動許容時間 Ｄfl：フォーカス許容時間 Ｎs ：ステップ回数 Ｎe ：露光ショット数 アライメント許容時間差（Ｄal）＝（Ｄasl ＋Ｄaxyl）
×Ｎa 但し、Ｄasl ：アライメント計測許容時間 Ｄaxyl：ステージ駆動許容時間 Ｎa ：アライメントのための計測ショット数

【００２４】ここで、実際にかかった処理時間（Ｒt ）
と処理予測時間（Ｅt ）との差が前記許容時間差（Ｄa
）より大きかった場合、つまり ｜Ｒt −Ｅt ｜＞Ｄa であった場合には、各タームごとにその処理予測時間と
実際にかかった処理時間との時間差を求め、その時間差
がそのタームの許容時間差以内でなかったタームを特定
しディスプレイ１０２に表示する。オペレータは、この
表示をもとに装置が本来持っているスループット特性を
発揮しているか否かを知ることができるとともに、発揮
していない場合は、特定されたタームをもとに不具合要
因の所在箇所を把握することができる。

【００２５】

【発明の適用範囲】なお、上述の実施例においては、不
具合の有無を判定するため処理予測時間と実際にかかっ
た処理時間との時間差を求めるようにしているが、終了
予測時刻と実際の終了時刻との時間差を求めるようにし
てもよい。

【００２６】また、上述の実施例においては、ウエハ枚
数の指定および処理時間の設定を行なってスタートボタ
ンを押した後、処理予測時間等の算出および表示を開始
するようにしているが、処理物数量の指定および処理時
間の設定は露光処理とは無関係にいつでも操作可能に
し、これらが操作されたとき前記算出手段および表示手
段はその処理を行なうようにしてもよい。さらに前記予
測時間または時刻の表示を任意のときに行なわせるため
の指令手段を設けてもよい。

【００２７】さらに、上述においては、本発明を主に半
導体を製造するための露光装置に適用した例を示した
が、本発明は、ＬＣＤパネルを製造するための露光装置
あるいは露光装置以外の半導体製造装置等のデバイス製
造装置、さらにはこれら半導体やＬＣＤパネル等のデバ
イスを製造するための製造ラインまたは処理工程に適用
してもよい。

【００２８】

【発明の効果】以上のように本発明は、ロット処理スタ
ート時に予測したロット処理時間または終了予測時刻と
実際に要した処理時間または実際の終了時刻との時間差
により、装置や処理工程が本来持っているスループット
特性を発揮しているか否かを診断し、装置または処理工
程が本来持っているスループット特性を発揮していなか
った場合、どのターム（または部分的処理）が許容時間
を満たしていないか診断し、不具合要因を特定すること
により、装置や処理工程の不具合の早期発見と不具合か
らの早期復旧に寄与するという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。

【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。

【図３】 図１の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。

【図４】 図１の装置の動作を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

１０１：温調チャンバ、１０２：ＥＷＳ用ディスプレイ
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化
学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン
口、３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３
１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−346106（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230711（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−298339（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−101999（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−287356（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−127414（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148108（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−105857（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216114（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G05B 23/02 302 H01L 21/02

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ロット単位でウエハに露光処理を施す半
   導体露光装置であって、ロット処理すべき１ロットのウ
   エハの数量を指定する数量指定手段と、 前記ロット処理の露光パラメータに応じて各部分的処理
   に要する時間情報を設定する設定手段と、 前記数量指定手段により指定されたウエハの数量および
   前記設定手段により設定された部分的処理に要する時間
   情報に基づいて前記ロット処理に要する時間または前記
   ロット処理の終了時刻を算出する算出手段と、 前記ロット処理の終了後、前記算出手段によって算出さ
   れた値と実際のロット処理時間またはロット処理終了時
   刻との時間差が許容範囲以内であるか否かを判定する第
   １の判定手段と、前記各部分的処理ごとに前記部分的処理に要する時間と
   実際の部分的処理時間との差が許容範囲以内であるか否
   かを判定する第２の判定手段と 、前記第１の判定手段により前記時間差が許容範囲以内で
   ないと判定された場合、前記第２の判定手段により前記
   差が許容範囲以内でないと判定された部分的処理 を表示
   する表示手段とを具備することを特徴とする半導体露光
   装置。
2. 【請求項２】 前記設定手段は前記露光パラメータに応
   じた前記部分的処理に要する時間情報を記憶している記
   憶手段と、前記露光パラメータを入力する入力手段と、
   前記入力手段によって入力された前記露光パラメータに
   応じて前記部分的処理に要する時間情報を前記記憶手段
   から読み出す読出手段とを備えることを特徴とする請求
   項１に記載の装置。
3. 【請求項３】 前記表示手段は前記ロット処理の開始時
   に前記ロット処理に要する時間または前記ロット処理の
   終了時刻を表示することを特徴とする請求項１または２
   に記載の装置。
4. 【請求項４】 前記数量指定手段および前記設定手段は
   前記ロット処理とは無関係にいつでも操作可能であり、
   これらが操作されたとき前記算出手段は前記ロット処理
   に要する時間または前記ロット処理の終了時刻を算出す
   ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の装
   置。
5. 【請求項５】 ロット単位でウエハに露光処理を施す半
   導体デバイス製造方法であって、ロット処理の開始前に
   処理すべき１ロットのウエハの数量を指定するステップ
   と、前記ロット処理の露光パラメータに応じて各部分的
   処理に要する時間情報を設定するステップと、指定され
   たウエハの数量および設定された部分的処理に要する時
   間情報に基づいて前記ロット処理に要する時間または前
   記ロット処理の終了時刻を算出するステップと、前記ロ
   ット処理の終了後、算出された値と実際のロット処理時
   間またはロット処理終了時刻との時間差が許容範囲以内
   であるか否かを判定する第１の判定ステップと、前記各部分的処理ごとに前記部分的処理に要する時間と
   実際の部分的処理時間との差が許容範囲以内であるか否
   かを判定する第２の判定ステップと 、前記第１の判定ステップにより前記時間差が許容範囲以
   内でないと判定された場合、前記第２の判定ステップに
   より前記差が許容範囲以内でないと判定された部分的処
   理を表示するステップと を具備することを特徴とする半
   導体デバイス製造方法。