JPH1098086A - 半導体製造装置および露光制御方法 - Google Patents
半導体製造装置および露光制御方法Info
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- JPH1098086A JPH1098086A JP8249980A JP24998096A JPH1098086A JP H1098086 A JPH1098086 A JP H1098086A JP 8249980 A JP8249980 A JP 8249980A JP 24998096 A JP24998096 A JP 24998096A JP H1098086 A JPH1098086 A JP H1098086A
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- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの搬送制御にあたり、ロット間のウェ
ハ搬送時間の無駄を省くことにより、ウェハ処理能力を
高めることが可能な半導体製造装置および露光制御方
法。 【解決手段】 露光処理を開始する前に、ウェハをＣ／
Ｄ４０２から露光装置４０３内に予め搬送しておく制
御、および、露光処理中に次ロットのウェハをＣ／Ｄ４
０２から露光装置４０３内に搬送する制御をホストコン
ピュータ４０１を用いてそれぞれ行うことによって、Ｃ
／Ｄ４０２と露光装置４０３との間のウェハ搬送時間を
節約する。
ハ搬送時間の無駄を省くことにより、ウェハ処理能力を
高めることが可能な半導体製造装置および露光制御方
法。 【解決手段】 露光処理を開始する前に、ウェハをＣ／
Ｄ４０２から露光装置４０３内に予め搬送しておく制
御、および、露光処理中に次ロットのウェハをＣ／Ｄ４
０２から露光装置４０３内に搬送する制御をホストコン
ピュータ４０１を用いてそれぞれ行うことによって、Ｃ
／Ｄ４０２と露光装置４０３との間のウェハ搬送時間を
節約する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ
等の半導体デバイスを製造するための半導体製造装置お
よび露光制御方法に関する。
等の半導体デバイスを製造するための半導体製造装置お
よび露光制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体製造装置では、焼
付け処理を実行するに際して、処理のスタートと同時に
外部装置からウェハを装置内に取り込み、ウェハステー
ジまで搬送した後に露光を行いウェハを外部装置に搬出
してから次ロットの処理を開始していた。
付け処理を実行するに際して、処理のスタートと同時に
外部装置からウェハを装置内に取り込み、ウェハステー
ジまで搬送した後に露光を行いウェハを外部装置に搬出
してから次ロットの処理を開始していた。
【０００３】したがって、連続してロット処理を行う場
合、前ロットの処理が終了してから、次ロットのウェハ
を搬送するため、その間は露光処理は行われない。
合、前ロットの処理が終了してから、次ロットのウェハ
を搬送するため、その間は露光処理は行われない。
【０００４】ここで、従来の露光処理におけるウェハの
搬送制御の一例について説明する。図２に示すように、
露光装置４０３は、ホストコンピュータ４０１からの命
令によって制御され、塗布、現像等を行うレジスト処理
装置Ｃ／Ｄ(Coater/Developer)４０２との間でウェハ搬
送装置４２０を介してウェハの搬送制御が行われる。
搬送制御の一例について説明する。図２に示すように、
露光装置４０３は、ホストコンピュータ４０１からの命
令によって制御され、塗布、現像等を行うレジスト処理
装置Ｃ／Ｄ(Coater/Developer)４０２との間でウェハ搬
送装置４２０を介してウェハの搬送制御が行われる。
【０００５】その制御の形態を以下に図６のフローチャ
ートに基づいて説明する。
ートに基づいて説明する。
【０００６】まず、ホストコンピュータ４０１からＣ／
Ｄ４０２にスタートコマンドが発令される（ステップＳ
５０１）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２からウェハ搬送装
置４２０を介して露光装置４０３にウェハが搬入される
（ステップＳ５０２）。露光装置４０３においては、ウ
ェハ搬送装置２３１によりウェハ２０３が露光ステージ
２０９に搬送される（ステップＳ５０３）。そして、露
光が開始され、その後処理を終了する（ステップＳ５０
４，Ｓ５０５）。この露光処理の終了後、露光ステージ
２０９上のウェハ２０３はウェハ搬送装置４２０を介し
て、Ｃ／Ｄ４０２へ排出される（ステップＳ５０６）。
Ｄ４０２にスタートコマンドが発令される（ステップＳ
５０１）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２からウェハ搬送装
置４２０を介して露光装置４０３にウェハが搬入される
（ステップＳ５０２）。露光装置４０３においては、ウ
ェハ搬送装置２３１によりウェハ２０３が露光ステージ
２０９に搬送される（ステップＳ５０３）。そして、露
光が開始され、その後処理を終了する（ステップＳ５０
４，Ｓ５０５）。この露光処理の終了後、露光ステージ
２０９上のウェハ２０３はウェハ搬送装置４２０を介し
て、Ｃ／Ｄ４０２へ排出される（ステップＳ５０６）。
【０００７】次に、ホストコンピュータ４０１からＣ／
Ｄ４０２に次ロットのスタートコマンドが発令される
（ステップＳ５０７）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２から
次ロットのウェハが露光装置４０３に搬入される（ステ
ップＳ５０８）。そして、露光装置４０３において、次
ロットのウェハが露光ステージ２０９に搬送される（ス
テップＳ５０９）。これにより、次ロットの露光が開始
される（ステップＳ５１０）。その後は、上述した処理
が順次繰り返して行われる。
Ｄ４０２に次ロットのスタートコマンドが発令される
（ステップＳ５０７）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２から
次ロットのウェハが露光装置４０３に搬入される（ステ
ップＳ５０８）。そして、露光装置４０３において、次
ロットのウェハが露光ステージ２０９に搬送される（ス
テップＳ５０９）。これにより、次ロットの露光が開始
される（ステップＳ５１０）。その後は、上述した処理
が順次繰り返して行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、前ロットの処理が終了後に次ロット
のウェハを搬送するので、ロットとロットとの間でウェ
ハをＣ／Ｄ４０２から露光装置４０３に取り込んでから
露光ステージ２０９に搬入するまでの時間が無駄にな
る。
うな従来技術では、前ロットの処理が終了後に次ロット
のウェハを搬送するので、ロットとロットとの間でウェ
ハをＣ／Ｄ４０２から露光装置４０３に取り込んでから
露光ステージ２０９に搬入するまでの時間が無駄にな
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ウェハ搬送制御
にあたって、特に、ロットとロットとの間のウェハ搬送
時間の無駄を省くことにより、ウェハ処理能力を上げる
ことが可能な半導体製造装置および露光制御方法を提供
することにある。
にあたって、特に、ロットとロットとの間のウェハ搬送
時間の無駄を省くことにより、ウェハ処理能力を上げる
ことが可能な半導体製造装置および露光制御方法を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
第１の外部装置と露光装置との間で搬送手段を介してウ
ェハの搬送を行うと共に、該露光装置に搬送された前記
ウェハに対して第２の外部装置によって露光制御を行う
半導体製造装置であって、前記第２の外部装置に設けら
れ、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記第
１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送する制御を行
う第１のウェハ搬送制御手段と、前記露光装置の露光ス
テージにセットされたウェハに対して露光処理中に、次
のウェハを前記第１の外部装置から前記搬送手段を介し
て前記露光装置へ搬送する制御を行う第２のウェハ搬送
制御手段とによって、半導体製造装置を構成することを
特徴とする。
第１の外部装置と露光装置との間で搬送手段を介してウ
ェハの搬送を行うと共に、該露光装置に搬送された前記
ウェハに対して第２の外部装置によって露光制御を行う
半導体製造装置であって、前記第２の外部装置に設けら
れ、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記第
１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送する制御を行
う第１のウェハ搬送制御手段と、前記露光装置の露光ス
テージにセットされたウェハに対して露光処理中に、次
のウェハを前記第１の外部装置から前記搬送手段を介し
て前記露光装置へ搬送する制御を行う第２のウェハ搬送
制御手段とによって、半導体製造装置を構成することを
特徴とする。
【００１１】請求項２記載の発明は、第１の外部装置と
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置に搬送された前記ウェハに対して第
２の外部装置によって露光制御を行う半導体製造装置で
あって、前記第２の外部装置に設けられ、前記露光装置
に搬送されたウェハに対して露光処理中に、次のウェハ
を前記第１の外部装置から前記搬送手段を介して前記露
光装置へ搬送する制御を行うウェハ搬送制御手段を具え
ることによって、半導体製造装置を構成することを特徴
とする。
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置に搬送された前記ウェハに対して第
２の外部装置によって露光制御を行う半導体製造装置で
あって、前記第２の外部装置に設けられ、前記露光装置
に搬送されたウェハに対して露光処理中に、次のウェハ
を前記第１の外部装置から前記搬送手段を介して前記露
光装置へ搬送する制御を行うウェハ搬送制御手段を具え
ることによって、半導体製造装置を構成することを特徴
とする。
【００１２】請求項２において、前記ウェハ搬送制御手
段は、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送しておくこ
とができる。
段は、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送しておくこ
とができる。
【００１３】請求項２又は３において、前記ウェハ搬送
制御手段は、前記露光ステージにセットされたウェハに
対して露光開始後の露光が終了するまでの露光処理の間
において、次のウェハを前記第１の外部装置から前記露
光装置へ搬送することができる。
制御手段は、前記露光ステージにセットされたウェハに
対して露光開始後の露光が終了するまでの露光処理の間
において、次のウェハを前記第１の外部装置から前記露
光装置へ搬送することができる。
【００１４】請求項６記載の発明は、第１の外部装置と
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置に搬送された前記ウェハに対して第
２の外部装置によって露光制御を行う露光制御方法であ
って、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送し、該露光
装置内に搬送され露光ステージにセットされたウェハに
対して露光処理を実行しているとき、前記第２の外部装
置から前記第１の外部装置へ次のウェハの先送り命令を
発令し、該先送り命令に従って、前記次のウェハを前記
第１の外部装置から前記搬送手段を介して前記露光装置
へ搬送し、前記露光処理実行中のウェハに対する処理の
終了後、前記露光装置内に予め搬送しておいた前記次の
ウェハを前記露光ステージにセットして露光処理を実行
することによって、露光制御方法を提供することを特徴
とする。
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置に搬送された前記ウェハに対して第
２の外部装置によって露光制御を行う露光制御方法であ
って、露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送し、該露光
装置内に搬送され露光ステージにセットされたウェハに
対して露光処理を実行しているとき、前記第２の外部装
置から前記第１の外部装置へ次のウェハの先送り命令を
発令し、該先送り命令に従って、前記次のウェハを前記
第１の外部装置から前記搬送手段を介して前記露光装置
へ搬送し、前記露光処理実行中のウェハに対する処理の
終了後、前記露光装置内に予め搬送しておいた前記次の
ウェハを前記露光ステージにセットして露光処理を実行
することによって、露光制御方法を提供することを特徴
とする。
【００１５】請求項７記載の発明は、第１の外部装置と
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置内に搬送された前記ウェハに対して
第２の外部装置によって露光制御を行う露光制御方法で
あって、前記露光装置内のウェハに対して露光処理を実
行している間に、前記第２の外部装置から前記第１の外
部装置へ次のウェハの先送り命令を発令し、該先送り命
令に従って、前記次のウェハを前記第１の外部装置から
前記搬送手段を介して前記露光装置へ予め搬送し、前記
露光処理実行中のウェハに対する処理の終了後、前記露
光装置内に予め搬送しておいた前記次のウェハに対して
露光処理を実行することによって、露光制御方法を提供
することを特徴とする。
露光装置との間で搬送手段を介してウェハの搬送を行う
と共に、該露光装置内に搬送された前記ウェハに対して
第２の外部装置によって露光制御を行う露光制御方法で
あって、前記露光装置内のウェハに対して露光処理を実
行している間に、前記第２の外部装置から前記第１の外
部装置へ次のウェハの先送り命令を発令し、該先送り命
令に従って、前記次のウェハを前記第１の外部装置から
前記搬送手段を介して前記露光装置へ予め搬送し、前記
露光処理実行中のウェハに対する処理の終了後、前記露
光装置内に予め搬送しておいた前記次のウェハに対して
露光処理を実行することによって、露光制御方法を提供
することを特徴とする。
【００１６】請求項７において、露光処理を開始する以
前に、ウェハを前記第１の外部装置から前記露光装置へ
予め搬送しておいてもよい。
前に、ウェハを前記第１の外部装置から前記露光装置へ
予め搬送しておいてもよい。
【００１７】請求項７又は８において、前記露光ステー
ジにセットされたウェハに対して露光開始後の露光が終
了するまでの露光処理の間において、次のウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ搬送しておいてもよ
い。
ジにセットされたウェハに対して露光開始後の露光が終
了するまでの露光処理の間において、次のウェハを前記
第１の外部装置から前記露光装置へ搬送しておいてもよ
い。
【００１８】上記各発明において、ロット単位のウェハ
を前記第１の外部装置から前記露光装置へ搬送すること
ができる。
を前記第１の外部装置から前記露光装置へ搬送すること
ができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００２０】まず、本発明に係る半導体露光装置の構成
を図３ないし図５に基づいて説明する。図３は、半導体
露光装置の外観を示す斜視図である。この半導体露光装
置は、装置本体の制御を行うＣＰＵを有するＥＷＳ（Ｅ
ngineering Ｗork Ｓtation）本体１０６と、装置にお
ける所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１
０２とを具えている。また、チャンバ１０１の内部に
は、半導体露光装置本体が設置されている。
を図３ないし図５に基づいて説明する。図３は、半導体
露光装置の外観を示す斜視図である。この半導体露光装
置は、装置本体の制御を行うＣＰＵを有するＥＷＳ（Ｅ
ngineering Ｗork Ｓtation）本体１０６と、装置にお
ける所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１
０２とを具えている。また、チャンバ１０１の内部に
は、半導体露光装置本体が設置されている。
【００２１】ＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２には、装
置本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表
示するモニタＴＶ１０５と、装置に対して所定の入力を
行うための操作パネル１０３と、ＥＷＳ用キーボード１
０４等を含むコンソール部を備えている。１０７はＯＮ
−ＯＦＦスイッチであり、１０８は非常停止スイッチで
ある。１０９は各種のスイッチやマウス等からなる。
置本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表
示するモニタＴＶ１０５と、装置に対して所定の入力を
行うための操作パネル１０３と、ＥＷＳ用キーボード１
０４等を含むコンソール部を備えている。１０７はＯＮ
−ＯＦＦスイッチであり、１０８は非常停止スイッチで
ある。１０９は各種のスイッチやマウス等からなる。
【００２２】このＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２は、
ＥＬ、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのもので
あり、チャンバ１０１の前面に納められ、ＬＡＮケーブ
ル１１０によりＥＷＳ本体１０６と接続されている。ま
た、操作パネル１０３、キーボード１０４、モニタＴＶ
１０５等は、チャンバ１０１の前面に設置され、チャン
バの前面からコンソール操作を行うことができる。
ＥＬ、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのもので
あり、チャンバ１０１の前面に納められ、ＬＡＮケーブ
ル１１０によりＥＷＳ本体１０６と接続されている。ま
た、操作パネル１０３、キーボード１０４、モニタＴＶ
１０５等は、チャンバ１０１の前面に設置され、チャン
バの前面からコンソール操作を行うことができる。
【００２３】１１０はＬＡＮ通信ケーブルである。１１
１はコンソール機能からの発熱の排気ダクトである。１
１２はチャンバの排気装置である。
１はコンソール機能からの発熱の排気ダクトである。１
１２はチャンバの排気装置である。
【００２４】次に、図３の半導体露光装置の内部構造
を、図４に基づいて説明する。この例では、半導体露光
装置としてのステッパの構造を示す。２０２はレチクル
である。２０３はウェハである。この構造では、光源装
置２０４からでた光束が照明光学系２０５を通ってレチ
クル２０２を照明するとき、投影レンズ２０６によりレ
チクル２０２上のパターンをウェハ２０３上の感光層に
転写する。
を、図４に基づいて説明する。この例では、半導体露光
装置としてのステッパの構造を示す。２０２はレチクル
である。２０３はウェハである。この構造では、光源装
置２０４からでた光束が照明光学系２０５を通ってレチ
クル２０２を照明するとき、投影レンズ２０６によりレ
チクル２０２上のパターンをウェハ２０３上の感光層に
転写する。
【００２５】レチクル２０２はレチクル２０２を保持、
移動するためのレチクルステージ２０７により支持され
ている。ウェハ２０３はウェハチャック２９１により真
空吸着された状態で露光される。ウェハチャック２９１
はウェハステージ２０９２より各軸方向に移動可能であ
る。レチクル２０２の上側にはレチクル２０２の位置ず
れ量を検出するためのレチクル光学系２８１が配置され
ている。
移動するためのレチクルステージ２０７により支持され
ている。ウェハ２０３はウェハチャック２９１により真
空吸着された状態で露光される。ウェハチャック２９１
はウェハステージ２０９２より各軸方向に移動可能であ
る。レチクル２０２の上側にはレチクル２０２の位置ず
れ量を検出するためのレチクル光学系２８１が配置され
ている。
【００２６】ウェハステージ２０９の上方には、投影レ
ンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微鏡２８２が配置
されている。オフアクシス顕微鏡２８２は内部の基準マ
ークとウェハ２０３上のアライメントマークとの相対位
置検出を行うのが主たる役割である。
ンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微鏡２８２が配置
されている。オフアクシス顕微鏡２８２は内部の基準マ
ークとウェハ２０３上のアライメントマークとの相対位
置検出を行うのが主たる役割である。
【００２７】また、このようなステッパ本体に隣接し
て、周辺装置としてのレチクルライブラリ２２０やウェ
ハキャリアエレベータ２３０が配置されている。この場
合、必要に応じて、レチクル２０２やウェハ２０３は、
レチクル搬送装置２２１およびウェハ搬送装置２３１に
よってステッパ本体側に搬送される。
て、周辺装置としてのレチクルライブラリ２２０やウェ
ハキャリアエレベータ２３０が配置されている。この場
合、必要に応じて、レチクル２０２やウェハ２０３は、
レチクル搬送装置２２１およびウェハ搬送装置２３１に
よってステッパ本体側に搬送される。
【００２８】チャンバ１０１は、主に空気の温度調節を
行う空調機室２１０および微小異物をろ過し清掃空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス２１３や、装置
環境を外部と遮断するブース２１４で構成されている。
チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷却器
２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節された空
気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介してブー
ス２１４内に供給される。このブース２１４に供給され
た空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に取り
込まれ、チャンバ１０１内を循環する。通常、このチャ
ンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブース２
１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブー
ス２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外気導
入口ｏａより送風機を介して導入している。このように
してチャンバ１０１は、本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ、空気を正常に保つことを可能としてい
る。
行う空調機室２１０および微小異物をろ過し清掃空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス２１３や、装置
環境を外部と遮断するブース２１４で構成されている。
チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷却器
２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節された空
気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介してブー
ス２１４内に供給される。このブース２１４に供給され
た空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に取り
込まれ、チャンバ１０１内を循環する。通常、このチャ
ンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブース２
１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブー
ス２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外気導
入口ｏａより送風機を介して導入している。このように
してチャンバ１０１は、本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ、空気を正常に保つことを可能としてい
る。
【００２９】また、光源装置２０４には、超高圧水銀灯
の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓ
ａと排気口ｅａとが設けられ、ブース２１４内の空気の
一部が光源装置２０４を経由し、空調機室２１０に備え
られた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気さ
れている。また、空気中の化学物質を除去するための化
学吸着フィルタｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏ
ａおよびリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えてい
る。
の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓ
ａと排気口ｅａとが設けられ、ブース２１４内の空気の
一部が光源装置２０４を経由し、空調機室２１０に備え
られた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気さ
れている。また、空気中の化学物質を除去するための化
学吸着フィルタｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏ
ａおよびリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えてい
る。
【００３０】次に、半導体露光装置の電気回路構成を、
図５に基づいて説明する。３２１は装置全体の制御を司
る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体ＣＰＵであ
る。この本体ＣＰＵ３２１は、マイクロコンピュータま
たはミニコンピュータ等の中央演算処理装置からなる。
３２２はウェハステージ駆動装置である。３２３は前期
オフアクシス顕微鏡２８２等のアライメント検出系であ
る。３２４はレチクルステージ駆動装置である。３２５
は前記光源装置２０４等の照明系である。３２６はシャ
ッタ駆動装置である。３２７はフォーカス検出系であ
る。３２８はＺ駆動装置である。これら各装置は、本体
ＣＰＵ３２１により制御される。
図５に基づいて説明する。３２１は装置全体の制御を司
る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体ＣＰＵであ
る。この本体ＣＰＵ３２１は、マイクロコンピュータま
たはミニコンピュータ等の中央演算処理装置からなる。
３２２はウェハステージ駆動装置である。３２３は前期
オフアクシス顕微鏡２８２等のアライメント検出系であ
る。３２４はレチクルステージ駆動装置である。３２５
は前記光源装置２０４等の照明系である。３２６はシャ
ッタ駆動装置である。３２７はフォーカス検出系であ
る。３２８はＺ駆動装置である。これら各装置は、本体
ＣＰＵ３２１により制御される。
【００３１】また、３２９は、レチクル搬送装置２２
１、ウェハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は、前記ＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、キーボード
１０４等を有するコンソールユニットである。このコン
ソールユニット３３０は、本体ＣＰＵ３２１に露光装置
４０３の動作に関する各種コマンドやパラメータを与え
るためのもの、すなわち、オペレータとの間で情報の授
受を行うためのものである。３３１はコンソールＣＰＵ
であり、３３２はパラメータ等を記憶する外部メモリで
ある。
１、ウェハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は、前記ＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、キーボード
１０４等を有するコンソールユニットである。このコン
ソールユニット３３０は、本体ＣＰＵ３２１に露光装置
４０３の動作に関する各種コマンドやパラメータを与え
るためのもの、すなわち、オペレータとの間で情報の授
受を行うためのものである。３３１はコンソールＣＰＵ
であり、３３２はパラメータ等を記憶する外部メモリで
ある。
【００３２】次に、本発明に係るウェハの搬送制御の処
理を図１および図２に基づいて説明する。図２は、半導
体露光装置４０３と接続された外部装置の構成を示す。
ホストコンピュータ４０１（第２の外部装置）は、通信
手段４１０を介して、Ｃ／Ｄ４０２（第１の外部装置）
および半導体露光装置４０３を制御する。Ｃ／Ｄ４０
は、ウェハの塗布・現像の処理を行うものであり、半導
体露光装置４０３との間でウェハ搬送装置４２０を介し
てウェハの授受を行う。
理を図１および図２に基づいて説明する。図２は、半導
体露光装置４０３と接続された外部装置の構成を示す。
ホストコンピュータ４０１（第２の外部装置）は、通信
手段４１０を介して、Ｃ／Ｄ４０２（第１の外部装置）
および半導体露光装置４０３を制御する。Ｃ／Ｄ４０
は、ウェハの塗布・現像の処理を行うものであり、半導
体露光装置４０３との間でウェハ搬送装置４２０を介し
てウェハの授受を行う。
【００３３】ここで、図２のシステムを用いて、露光処
理を行う際のウェハの搬送制御の一例を図１のフローチ
ャートに基づいて説明する。
理を行う際のウェハの搬送制御の一例を図１のフローチ
ャートに基づいて説明する。
【００３４】まず、ホストコンピュータ４０１からＣ／
Ｄ４０２にウェハ先送りコマンドが発令される（ステッ
プＳ６０１）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２からウェハ搬
送装置４２０を介して露光装置４０３にウェハが搬入さ
れる（ステップＳ６０２）。次に、ホストコンピュータ
４０１から露光装置４０３にスタートコマンドが発令さ
れる（ステップＳ６０３）。これにより、露光装置４０
３において、ウェハ搬送装置２３１によりウェハ２０３
が露光ステージ２０９に搬送される（ステップＳ６０
４）。
Ｄ４０２にウェハ先送りコマンドが発令される（ステッ
プＳ６０１）。これにより、Ｃ／Ｄ４０２からウェハ搬
送装置４２０を介して露光装置４０３にウェハが搬入さ
れる（ステップＳ６０２）。次に、ホストコンピュータ
４０１から露光装置４０３にスタートコマンドが発令さ
れる（ステップＳ６０３）。これにより、露光装置４０
３において、ウェハ搬送装置２３１によりウェハ２０３
が露光ステージ２０９に搬送される（ステップＳ６０
４）。
【００３５】そして、露光が開始される（ステップＳ６
０５）。この露光時において、ホストコンピュータ４０
１からＣ／Ｄ４０２に次ロットのウェハ先送りコマンド
が発令される（ステップＳ６０６）。これにより、Ｃ／
Ｄ４０２から次ロットのウェハ２０３がウェハ搬送装置
４２０を介して露光装置４０３に搬入される（ステップ
Ｓ６０７）。その後、露光が終了する（ステップＳ６０
８）。
０５）。この露光時において、ホストコンピュータ４０
１からＣ／Ｄ４０２に次ロットのウェハ先送りコマンド
が発令される（ステップＳ６０６）。これにより、Ｃ／
Ｄ４０２から次ロットのウェハ２０３がウェハ搬送装置
４２０を介して露光装置４０３に搬入される（ステップ
Ｓ６０７）。その後、露光が終了する（ステップＳ６０
８）。
【００３６】この露光終了後、ホストコンピュータ４０
１から露光装置４０３に次ロットのウェハ２０３のスタ
ートコマンドが発令される（ステップＳ６０９）。これ
により、露光装置４０３において、ウェハ搬送装置２３
１により次ロットのウェハ２０３が露光ステージ２０９
に搬送される（ステップＳ６１０）。そして、次ロット
の露光が開始される（ステップＳ６１１）。その後は、
上述した処理が順次繰り返して行われる。
１から露光装置４０３に次ロットのウェハ２０３のスタ
ートコマンドが発令される（ステップＳ６０９）。これ
により、露光装置４０３において、ウェハ搬送装置２３
１により次ロットのウェハ２０３が露光ステージ２０９
に搬送される（ステップＳ６１０）。そして、次ロット
の露光が開始される（ステップＳ６１１）。その後は、
上述した処理が順次繰り返して行われる。
【００３７】なお、本発明における半導体製造装置およ
び露光制御方法は、複数の機器から構成されるシステム
に適用しても、１つの機器からなる装置に適用しても良
い。また、本発明における半導体製造装置および露光制
御方法はシステムあるいは装置にプログラムを供給する
ことによって達成される場合にも適用できることは言う
までもない。この場合、本発明を達成するためのソフト
ウェアによって表されるプログラムを格納した記憶媒体
を該システムあるいは装置に読み出すことによって、そ
のシステムあるいは装置が、本発明の効果を享受するこ
とが可能となる。
び露光制御方法は、複数の機器から構成されるシステム
に適用しても、１つの機器からなる装置に適用しても良
い。また、本発明における半導体製造装置および露光制
御方法はシステムあるいは装置にプログラムを供給する
ことによって達成される場合にも適用できることは言う
までもない。この場合、本発明を達成するためのソフト
ウェアによって表されるプログラムを格納した記憶媒体
を該システムあるいは装置に読み出すことによって、そ
のシステムあるいは装置が、本発明の効果を享受するこ
とが可能となる。
【００３８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、露光
装置において露光処理を開始するのに先立って外部装置
（Ｃ／Ｄ等）からウェハを露光装置内に予め搬送してお
くように制御し、および露光処理中にも次のロットのウ
ェハを外部装置から露光装置内に搬送しておくように制
御することにより、ロットとロットとの間のウェハ搬送
時間を節約することができ、これによりウェハ処理能力
を向上させることができる。
装置において露光処理を開始するのに先立って外部装置
（Ｃ／Ｄ等）からウェハを露光装置内に予め搬送してお
くように制御し、および露光処理中にも次のロットのウ
ェハを外部装置から露光装置内に搬送しておくように制
御することにより、ロットとロットとの間のウェハ搬送
時間を節約することができ、これによりウェハ処理能力
を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態における露光処理時のウェ
ハの搬送制御の一例を示すフローチャートである。
ハの搬送制御の一例を示すフローチャートである。
【図２】本システムの構成を示すブロック図である。
【図３】半導体製造装置の外観を示す斜視図である。
【図４】半導体製造装置の内部構成を示す断面図であ
る。
る。
【図５】半導体製造装置の電気回路構成を示すブロック
図である。
図である。
【図６】従来の露光処理におけるウェハの搬送制御の一
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
４０１ 第２の外部装置 ４０２ 第１の外部装置 ４０３ 露光装置 ４２０ 搬送手段
Claims (10)
- 【請求項１】 第１の外部装置と露光装置との間で搬送
手段を介してウェハの搬送を行うと共に、該露光装置に
搬送された前記ウェハに対して第２の外部装置によって
露光制御を行う半導体製造装置であって、 前記第２の外部装置に設けられ、露光処理を開始するの
に先立って、ウェハを前記第１の外部装置から前記露光
装置へ予め搬送する制御を行う第１のウェハ搬送制御手
段と、 前記露光装置の露光ステージにセットされたウェハに対
して露光処理中に、次のウェハを前記第１の外部装置か
ら前記搬送手段を介して前記露光装置へ搬送する制御を
行う第２のウェハ搬送制御手段とを具えたことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項２】 第１の外部装置と露光装置との間で搬送
手段を介してウェハの搬送を行うと共に、該露光装置に
搬送された前記ウェハに対して第２の外部装置によって
露光制御を行う半導体製造装置であって、 前記第２の外部装置に設けられ、前記露光装置に搬送さ
れたウェハに対して露光処理中に、次のウェハを前記第
１の外部装置から前記搬送手段を介して前記露光装置へ
搬送する制御を行うウェハ搬送制御手段を具えたことを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記ウェハ搬送制御手段は、露光処理を
開始するのに先立って、ウェハを前記第１の外部装置か
ら前記露光装置へ予め搬送しておくことを特徴とする請
求項２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記ウェハ搬送制御手段は、前記露光ス
テージにセットされたウェハに対して露光開始後の露光
が終了するまでの露光処理の間において、次のウェハを
前記第１の外部装置から前記露光装置へ搬送することを
特徴とする請求項２又は３記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記搬送手段によって、ロット単位のウ
ェハを前記第１の外部装置から前記露光装置へ搬送する
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
半導体製造装置。 - 【請求項６】 第１の外部装置と露光装置との間で搬送
手段を介してウェハの搬送を行うと共に、該露光装置に
搬送された前記ウェハに対して第２の外部装置によって
露光制御を行う露光制御方法であって、 露光処理を開始するのに先立って、ウェハを前記第１の
外部装置から前記露光装置へ予め搬送し、 該露光装置内に搬送され露光ステージにセットされたウ
ェハに対して露光処理を実行しているとき、前記第２の
外部装置から前記第１の外部装置へ次のウェハの先送り
命令を発令し、 該先送り命令に従って、前記次のウェハを前記第１の外
部装置から前記搬送手段を介して前記露光装置へ搬送
し、 前記露光処理実行中のウェハに対する処理の終了後、前
記露光装置内に予め搬送しておいた前記次のウェハを前
記露光ステージにセットして露光処理を実行することを
特徴とする露光制御方法。 - 【請求項７】 第１の外部装置と露光装置との間で搬送
手段を介してウェハの搬送を行うと共に、該露光装置内
に搬送された前記ウェハに対して第２の外部装置によっ
て露光制御を行う露光制御方法であって、 前記露光装置内のウェハに対して露光処理を実行してい
る間に、前記第２の外部装置から前記第１の外部装置へ
次のウェハの先送り命令を発令し、 該先送り命令に従って、前記次のウェハを前記第１の外
部装置から前記搬送手段を介して前記露光装置へ予め搬
送し、 前記露光処理実行中のウェハに対する処理の終了後、前
記露光装置内に予め搬送しておいた前記次のウェハに対
して露光処理を実行することを特徴とする露光制御方
法。 - 【請求項８】 露光処理を開始する以前に、ウェハを前
記第１の外部装置から前記露光装置へ予め搬送しておく
ことを特徴とする請求項７記載の露光制御方法。 - 【請求項９】 前記露光ステージにセットされたウェハ
に対して露光開始後の露光が終了するまでの露光処理の
間において、次のウェハを前記第１の外部装置から前記
露光装置へ搬送しておくことを特徴とする請求項７又は
８記載の露光制御方法。 - 【請求項１０】 前記搬送手段によって、ロット単位の
ウェハを前記第１の外部装置から前記露光装置へ搬送す
ることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載
の露光制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249980A JPH1098086A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体製造装置および露光制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249980A JPH1098086A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体製造装置および露光制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098086A true JPH1098086A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17201051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8249980A Pending JPH1098086A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体製造装置および露光制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1098086A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002239A1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, procede de production de ce dernier, procede de transfert de tranches, dispositif et procede de fabrication du dispositif |
| JP2001307972A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造装置 |
| US6445441B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP8249980A patent/JPH1098086A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002239A1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, procede de production de ce dernier, procede de transfert de tranches, dispositif et procede de fabrication du dispositif |
| US6445441B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
| JP2001307972A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造装置 |
| JP4738563B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040326 |