JPH11340298A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH11340298A
JPH11340298A JP10144034A JP14403498A JPH11340298A JP H11340298 A JPH11340298 A JP H11340298A JP 10144034 A JP10144034 A JP 10144034A JP 14403498 A JP14403498 A JP 14403498A JP H11340298 A JPH11340298 A JP H11340298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cassette
temperature
processing apparatus
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10144034A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masayuki Itabane
昌行 板羽
Kazuhiro Nishimura
和浩 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10144034A priority Critical patent/JPH11340298A/ja
Publication of JPH11340298A publication Critical patent/JPH11340298A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カセットに収容された複数の基板間での温度
影響差をなくすことができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 温調ユニットACにて生成された温調済
みの空気はフィルタFUによって微粒子が除去された
後、インデクサIDの全体に流入し、インデクサID全
体を温調する。そして、インデクサIDに流入した温調
済み空気は4つの搬送用カセットCCの温度を一定に維
持する。その結果、搬送用カセットCCに収容されてい
る複数の基板の温度も一定に保たれることとなり、それ
ら複数の基板間での温度影響差をなくすことができる。
すなわち、搬送用カセットCCから最初に取り出される
基板と最後に取り出される基板との温度差をなくすこと
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等(以下、「基板」と称する)を複数枚
収容可能なカセットを載置するカセット載置ユニットを
備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、上記基板に対しては、レジスト
塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに付随する
加熱処理、冷却処理などの諸処理が順次施されて、所望
の基板処理が行われている。
【0003】これらの処理を行う基板処理装置は、通常
複数のユニットが接続されて構成されている。例えば、
現像処理を行う装置は、基板の搬出入を行うインデクサ
と、現像処理およびそれに付随する熱処理を行う処理ユ
ニットと、露光処理を行う装置(ステッパ)との間で基
板受け渡しを行うインターフェイスとを組み合わせてい
る。
【0004】この基板処理装置において現像処理を行う
ときには、まずレジスト塗布処理済みの複数の基板が搬
送用カセットに収納された状態でインデクサに搬入され
る。そして、搬送用カセットから基板が1枚ずつ払い出
され、処理ユニットを通過した後インターフェイスまで
搬送され、当該インターフェイスに接続されたステッパ
に渡されて露光処理が行われる。露光処理が終了した基
板は、再びインターフェイスを経て、処理ユニットに戻
される。処理ユニットにおいては、現像処理とそれに付
随する熱処理とが行われる。その後、処理済み基板はイ
ンデクサに渡され、搬送用カセットに再度収容され、装
置外に搬出されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記搬送用
カセットには、通常25枚程度の基板が収容されている
ため、レジスト塗布処理済みの基板が搬送用カセットか
ら払い出されるときには、最初に払い出される基板と最
後に払い出される基板との間で相当の時間差が生じる。
【0006】レジストには熱による劣化が著しいものも
多く、インデクサの温度が高い場合には、搬送用カセッ
トから時間を経て取り出された基板のレジストは相当に
劣化することもある。レジストが劣化すると、その後の
処理に支障をきたし、不良基板となる問題が生じる。
【0007】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、カセットに収容された複数の基板間での温度影
響差をなくすことができる基板処理装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う処理部
を有する基板処理装置であって、(a)複数の基板を収容
するカセットを載置するカセット載置ユニットと、(b)
前記カセット載置ユニットの温度を一定に調節するユニ
ット温調部と、を備える。
【0009】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記カセットを被処理基
板の搬送に用いられる搬送用カセットとし、前記カセッ
ト載置ユニットを前記処理部での処理を行うために前記
搬送用カセットから被処理基板を払い出すとともに、前
記処理部での処理の終了した処理済み基板を受け取って
前記搬送用カセットに収納するインデクサとしている。
【0010】また、請求項3の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記カセットを被処理基
板を一時的に収容するバッファカセットとし、前記カセ
ット載置ユニットを前記基板処理装置と前記基板処理装
置外部の露光装置との間で基板の受け渡しを行うインタ
ーフェイスとしている。
【0011】また、請求項4の発明は、基板に所定の処
理を行う処理部を有する基板処理装置であって、(a)複
数の基板を収容するカセットを載置するカセット載置ユ
ニットと、(b)前記カセット載置ユニットに載置された
前記カセットの温度を一定に調節するカセット温調部と
を備える。
【0012】また、請求項5の発明は、請求項4の発明
に係る基板処理装置において、前記カセットを被処理基
板の搬送に用いられる搬送用カセットとし、前記カセッ
ト載置ユニットを前記処理部での処理を行うために前記
搬送用カセットから被処理基板を払い出すとともに、前
記処理部での処理の終了した処理済み基板を受け取って
前記搬送用カセットに収納するインデクサとしている。
【0013】また、請求項6の発明は、請求項4の発明
に係る基板処理装置において、前記カセットを被処理基
板を一時的に収容するバッファカセットとし、前記カセ
ット載置ユニットを前記基板処理装置と前記基板処理装
置外部の露光装置との間で基板の受け渡しを行うインタ
ーフェイスとしている。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
【0015】<第1実施形態>図1は、本発明に係る基
板処理装置の概略構成を示す平面図である。この基板処
理装置は搬入されたレジスト塗布済みの基板を露光装置
STPに渡して露光処理を行わせ、露光処理済みの基板
に対して現像処理を行う装置である。本実施形態の基板
処理装置は、インデクサID、処理ユニットPU、イン
ターフェイスIFおよび後述する温調ユニットから構成
されている。なお、図1および以降の各図には、その方
向関係を明確にするため適宜XYZ直交座標系を付して
いる。ここでは、床面に平行な水平面をXY面とし、鉛
直方向をZ方向としている。
【0016】インデクサIDは、複数の基板を収容して
搬送するために用いられる搬送用カセットから処理ユニ
ットPUに被処理基板を払い出すとともに、処理ユニッ
トPUから処理済み基板を受け取って搬送用カセットに
収納する機能を有している。この機能を実現するべく、
インデクサIDは、搬送用カセットを載置するカセット
載置部30を4つ備えるとともに、移載ロボットTF1
を設けている。なお、インデクサIDには、インデクサ
ID全体を温調する温調ユニットが接続されているので
あるが、これについてはさらに後述する。
【0017】移載ロボットTF1は、鉛直方向(Z軸方
向)に昇降することと、鉛直方向を軸として回動するこ
とと、Y軸方向に移動することが可能に構成されてい
る。また、移載ロボットTF1に設けられたアーム31
は、移載ロボットTF1に対して前進/後退することが
可能である。このような構成により、移載ロボットTF
1は、アーム31をカセット載置部30に載置された搬
送用カセットにアクセスさせ、未処理の基板(レジスト
塗布済みの基板)を取り出して後述する搬送ロボットT
R1に渡すことと、搬送ロボットTR1から現像処理済
みの基板を受け取って搬送用カセットに戻すこととを行
う。
【0018】処理ユニットPUは、複数の処理部が配置
されており、露光処理済みの基板に現像処理およびそれ
に付随する熱処理を行う処理ユニットである。処理ユニ
ットPUの4隅には、基板に処理液による処理を施す液
処理部として、基板を回転させつつ現像液を供給して現
像処理を行う現像処理部SD1、SD2、SD3、SD
4(スピンデベロッパ)が配置されている。さらに、こ
れら現像処理部SD1、SD2、SD3、SD4の上側
には、基板に熱処理を行う多段熱処理部20が装置の前
部及び後部に配置されている。
【0019】4つの現像処理部SD1、SD2、SD
3、SD4に挟まれた装置中央部には、周囲の全処理部
にアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡しを行うた
めの基板搬送手段として、搬送ロボットTR1が配置さ
れている。この搬送ロボットTR1は、鉛直方向に移動
可能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能となっ
ている。また、搬送ロボットTR1は、インデクサID
の移載ロボットTF1から受け取ったレジスト塗布済み
基板をインターフェイスIFの移載ロボットTF2に渡
す手段でもある。
【0020】次に、図2は、図1の処理ユニットPUの
構成を説明する図である。現像処理部SD3の上方に
は、多段熱処理部20として、4段構成の熱処理部が配
置されている。これらのうち、最下段より数えて1段目
の位置には基板の冷却処理を行うクールプレート部CP
1が設けられており、2段目についても同様にクールプ
レート部CP2が設けられている。そして、3段目に
は、基板に対して露光後のベーキング処理を行う露光後
ベークプレート部PEB1が設けられ、4段目の位置に
は、基板の加熱処理を行うホットプレート部HP1が設
けられている。
【0021】現像処理部SD4の上方にも、多段熱処理
部20として、4段構成の熱処理部が配置されている。
これらのうち、最下段より1段目と2段目の位置にはク
ールプレート部CP3,CP4が設けられている。そし
て、3段目には、基板に対して露光後のベーキング処理
を行う露光後ベークプレート部PEB2が設けられ、4
段目の位置には、基板の加熱処理を行うホットプレート
部HP2が設けられている。
【0022】現像処理部SD1の上方にも、多段熱処理
部20として、4段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より1段目,2段目の位置にはクール
プレート部CP5,CP6が設けられており、3段目の
位置には露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプ
レート部PEB3が設けられ、4段目の位置には、基板
の加熱処理を行うホットプレート部HP3が設けられて
いる。
【0023】現像処理部SD2の上方にも、多段熱処理
部20として、4段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より1段目と2段目の位置には、クー
ルプレート部CP7,CP8が設けられており、3段目
の位置には、基板に対して露光後のベーキング処理を行
う露光後ベークプレート部PEBが設けられている。そ
して、4段目の位置には、基板の加熱処理を行うホット
プレート部HP4が設けられている。
【0024】そして、上記の液処理部や熱処理部間を処
理ユニットPUの中央部に設けられた搬送ロボットTR
1が順次に搬送することによって基板に対して現像処理
を施すことができる。
【0025】図1に戻り、インターフェイスIFは、基
板処理装置と当該装置外部の露光装置STPとの間で基
板の受け渡しを行う役割を果たしている。インターフェ
イスIFは、2つの移載ロボットTF2、TF3と、バ
ッファカセットBCとを備えている。
【0026】移載ロボットTF2、TF3は、鉛直方向
(Z軸方向)に昇降することと、鉛直方向を軸として回
動することと、XY平面内において若干移動することが
可能に構成されている。また、移載ロボットTF2、T
F3にそれぞれ設けられたアーム41、42は、移載ロ
ボットTF2、TF3に対して前進/後退することが可
能である。このような構成により、移載ロボットTF2
は、処理ユニットPUの搬送ロボットTR1からレジス
ト塗布済み基板を受け取ってバッファカセットBCに収
納することと、バッファカセットBCに置かれている露
光済み基板を受け取って搬送ロボットTR1に渡すこと
が可能である。また、移載ロボットTF3は、バッファ
カセットBCに収納されているレジスト塗布済み基板を
受け取って露光装置STPに渡すことと、露光済み基板
を露光装置STPから受け取ってバッファカセットBC
に収納することが可能である。
【0027】バッファカセットBCは、それぞれが基板
の周端部を支持可能な複数の収納棚を積層して構成され
ており、複数の基板を収納することが可能である。この
バッファカセットBCは、露光装置STPにおける処理
時間と処理ユニットPUにおける処理時間との調整用に
使用されるものである。すなわち、何らかの原因によっ
て一方の処理時間が遅延するときは、バッファカセット
BCに一時的に基板を収容することによって他方の処理
に支障をきたさないようにするものである。
【0028】上記基板処理装置において基板処理を行う
ときは、まず、レジスト塗布済みの基板を複数収容した
搬送用カセットがインデクサIDのカセット載置部30
に搬入される。レジスト塗布済み基板は1枚ずつ搬送用
カセットから移載ロボットTF1によって取り出され、
搬送ロボットTR1に渡され、さらに搬送ロボットTR
1からインターフェイスIFの移載ロボットTF2に渡
される。そして、その基板はバッファカセットBC、移
載ロボットTF3を介して露光装置STPに渡され露光
処理が行われる。
【0029】露光処理済みの基板は、移載ロボットTF
3、バッファカセットBC、移載ロボットTF2を介し
て再び搬送ロボットTR1に渡される。搬送ロボットT
R1は、その基板を処理ユニットPU内の液処理部や熱
処理部に順次搬送し、現像所処理を行わせる。現像処理
が終了した基板は、搬送ロボットTR1からインデクサ
IDの移載ロボットTF1に渡され、搬送用カセットに
収納される。その後、搬送用カセットが装置外に搬出さ
れることによって一連の処理が完了する。
【0030】以上、本発明に係る基板処理装置全体の概
略構成および動作について簡単に説明したが、この基板
処理装置はさらにインデクサID全体を温調する温調ユ
ニット(ユニット温調部)を備えている。図3は、イン
デクサIDおよび温調ユニットACを示す斜視図であ
る。また、図4は、温調ユニットACによるインデクサ
IDの温調の様子を説明する図である。
【0031】図示のように、インデクサID全体の上部
にはフィルタFU(例えば、ヘパフィルタ、ウルパフィ
ルタなど)が設けられている。そして、フィルタFUの
上方の閉空間には温調ユニットACから配管50を介し
て温調された空気が送り込まれるように構成されてい
る。従って、温調ユニットACにて生成された温調済み
の空気はフィルタFUによって微粒子が除去された後、
インデクサIDの全体に流入し、インデクサID全体を
一定温度に温調することになる。なお、このときにはレ
ジストが劣化しない温度に温調しておくのが好ましい。
【0032】インデクサIDに設けられた4つのカセッ
ト載置部30のそれぞれには複数の基板を収容した搬送
用カセットCCが載置されており、インデクサIDに流
入した温調済み空気は4つの搬送用カセットCCの温度
を一定に維持する。その結果、搬送用カセットCCに収
容されている複数の基板の温度も一定に保たれることと
なり、それら複数の基板間での温度影響差をなくすこと
ができる。すなわち、移載ロボットTF1によって搬送
用カセットCCから最初に取り出される基板と最後に取
り出される基板との温度差をなくすことができ、最後に
取り出される基板においても熱によるレジストの劣化を
防止することができる。
【0033】なお、これと同様の機構をインターフェイ
スIFにおいて実現するようにしても良い。すなわち、
温調ユニットACをインターフェイスIFに接続し、イ
ンターフェイスIF全体を一定温度に温調するようにし
てもよい。この場合は、温調によってバッファカセット
BCに収納されている複数の基板の温度が一定に維持さ
れることとなる。このときには、露光装置STPの温度
と等しい温度にインターフェイスIF全体を温調してお
く。
【0034】上述したように、バッファカセットBCに
は露光前のレジスト塗布済み基板が複数収納されている
ことがある。これらの基板の温度を一定に保つことによ
り、当該複数の基板間での温度影響差をなくすことがで
き、熱膨張を一定に維持することができる。その結果、
露光処理時における基板間の熱膨張差がなくなり、基板
間での露光パターンのずれが発生するのを防止すること
ができる。特に、近年はパターンの微細化が進んでお
り、基板間における露光パターンのずれを防止する意義
は大きい。
【0035】<第2実施形態>第1実施形態において
は、インデクサIDまたはインターフェイスIF全体に
温調済み空気を送り込み、その全体の温度を一定に温調
するようにしていたが、第2実施形態では、インターフ
ェイスIFのバッファカセットBC周辺のみに温調済み
空気を送り込み、バッファカセットBCのみを一定温度
に温調している。図5は、バッファカセットBCおよび
温調ユニットACを示す斜視図である。また、図6は、
温調ユニットACによるバッファカセットBCの温調の
様子を説明する図である。
【0036】図示の如く、インターフェイスIFのうち
バッファカセットBC近傍の上部のみにフィルタFUが
設けられている。そして、フィルタFUの上方の閉空間
には温調ユニットACから配管51を介して温調された
空気が送り込まれるように構成されている。従って、温
調ユニットACにて生成された温調済みの空気はフィル
タFUによって微粒子が除去された後、バッファカセッ
トBCの周辺に流れ込み、少なくともバッファカセット
BCを一定温度に温調することになる。なお、このとき
には露光装置STPの温度と等しい温度にバッファカセ
ットBCを温調しておく。また、残余の点については、
上記第1実施形態と同じであり、その説明については省
略する。
【0037】このようにしてもバッファカセットBCに
収納された複数の基板の温度を一定に保つことにより、
当該複数の基板間での温度影響差をなくすことができ、
熱膨張を一定に維持することができる。その結果、露光
処理時における基板間の熱膨張差がなくなり、基板間で
の露光パターンのずれが発生するのを防止することがで
きる。
【0038】なお、図5および図6においては、バッフ
ァカセットBCの上方から温調済み空気を送り込むよう
にしていたが、これをバッファカセットBCの側方から
送り込むようにしても良い。このようにした方が、バッ
ファカセットBCに鉛直方向に積層されている複数の基
板のすべてに均等に温調済み空気を送り込むことがで
き、基板間の温度影響差をより容易になくすことができ
る。
【0039】また、インデクサIDにおいて、搬送用カ
セットCCの周辺のみに温調済み空気を送り、搬送用カ
セットCCのみの温調を行うようにしてもよい。具体的
には、図5および図6と同様の技術を4つの搬送用カセ
ットCCのそれぞれについて適用すればよい。このよう
にしても、搬送用カセットCCに収容されている複数の
基板の温度も一定に保たれることとなり、それら複数の
基板間での温度影響差をなくすことができる。その結
果、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0040】<第3実施形態>第3実施形態の基板処理
装置は、インデクサIDに温調液供給部60(カセット
温調部)を備えたものである。図7は、搬送用カセット
CCを示す斜視図であり、また図8は温調液供給部60
による搬送用カセットCCの温調の様子を説明する図で
ある。
【0041】図7(a)に示す形態では、搬送用カセッ
トCCの両側に温調板35が設けられている。温調板3
5の内部には、配管36が蛇行して設けられており、そ
の一端から供給された液体が管内を通過して他端から排
出されるように構成されている。
【0042】一方、図7(b)に示す形態では、搬送用
カセットCC自体の両側の側板に配管37が蛇行して設
けられている。そして、上記同様、配管37の一端から
供給された液体が管内を通過して他端から排出されるよ
うに構成されている。
【0043】インデクサID内部には温調液供給部60
が設けられている。そして、図7(a)または(b)の
いずれの形態であっても、配管36または配管37は温
調液供給部60に接続され、温調液供給部60から温調
済みの液体(例えば水)が流れて回収されることによ
り、搬送用カセットCCが一定温度に温調される。この
ときにはレジストが劣化しない温度に搬送用カセットC
Cを温調しておくのが好ましい。なお、図7(a)の形
態では、温調板35がインデクサIDに固設されてお
り、配管36が常に温調液供給部60に接続されている
のに対し、図7(b)の形態では、搬送用カセットCC
の搬入・搬出のごとに配管37と温調液供給部60との
接続・離脱が繰り返される。また、図8は、図7(b)
の形態の搬送用カセットCCを使用した場合の様子を示
したものである。
【0044】図7(a)または(b)のいずれの形態に
おいても、温調液供給部60から供給された温調済みの
液体が配管36または配管37を通過することにより、
搬送用カセットCCの温度は一定に維持される。その結
果、搬送用カセットCCに収容されている複数の基板の
温度も一定に保たれることとなり、それら複数の基板間
での温度影響差をなくすことができる。すなわち、移載
ロボットTF1によって搬送用カセットCCから最初に
取り出される基板と最後に取り出される基板との温度差
をなくすことができ、最後に取り出される基板において
も熱によるレジストの劣化を防止することができる。
【0045】第3実施形態において、温調液供給部60
の設置位置はインデクサID内部に限定されるものでは
なく、任意の位置に設けることが可能である。また、温
調液供給部60に代えて温調気体供給部を設け、配管3
6または配管37に温調済みの気体(例えば、空気)を
供給することによって搬送用カセットCCの温度を一定
に維持するようにしてもよい。
【0046】<第4実施形態>第4実施形態の基板処理
装置は、インターフェイスIFに温調液供給部60(カ
セット温調部)を備えたものである。図9は、バッファ
カセットBCを示す斜視図であり、また図10は温調液
供給部60によるバッファカセットBCの温調の様子を
説明する図である。
【0047】図示の如く、バッファカセットBCを構成
する両側の側板の内部に配管46が蛇行して設けられて
いる。そして、配管46の一端から供給された液体が管
内を通過して他端から排出されるように構成されてい
る。
【0048】インターフェイスIF内部には温調液供給
部60が設けられており、バッファカセットBCの配管
46と接続されている。従って、温調液供給部60から
供給される温調済みの液体がバッファカセットBCの配
管46を流れて回収されることにより、バッファカセッ
トBCが一定温度に温調される。なお、このときには露
光装置STPの温度と等しい温度にバッファカセットB
Cを温調しておく。
【0049】温調液供給部60から供給された温調済み
の液体が配管46を通過することにより、バッファカセ
ットBCの温度は一定に維持される。そして、バッファ
カセットBCに収納された複数の基板の温度を一定に保
つことにより、当該複数の基板間での温度影響差をなく
すことができ、熱膨張を一定に維持することができる。
その結果、露光処理時における基板間の熱膨張差がなく
なり、基板間での露光パターンのずれが発生するのを防
止することができる。
【0050】第4実施形態においても、温調液供給部6
0の設置位置はインターフェイスIF内部に限定される
ものではなく、任意の位置に設けることが可能である。
また、温調液供給部60に代えて温調気体供給部を設
け、配管46に温調済みの気体(例えば、空気)を供給
することによって搬送用カセットCCの温度を一定に維
持するようにしてもよい。
【0051】なお、各実施の形態においては、インデク
サIDとインターフェイスIFの役割を個別に分けた基
板処理装置の構成を例示したが、それに限られるもので
はなく、インターフェイスIFに処理ユニットPUへ基
板を払い出すためのカセットを配置し、当該インターフ
ェイスIFにインデクサIDの役割を兼用させ、インタ
ーフェイスIF全体或いは、カセットのみの温調を行う
ようにしてもよい。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、カセットを載置するカセット載置ユニットの温
度を一定に調節するユニット温調部を備えているため、
載置されたカセットの温度を一定に維持することがで
き、カセットに収容された複数の基板間での温度影響差
をなくすことができる。
【0053】また、請求項2の発明によれば、搬送用カ
セットを載置するインデクサの温度を一定に調節してい
るため、搬送用カセットから最初に取り出される基板と
最後に取り出される基板との温度差をなくすことができ
る。その結果、搬送用カセットに収容されているのがレ
ジスト塗布済み基板の場合であっても、最後に取り出さ
れる基板の熱によるレジストの劣化を防止することがで
きる。
【0054】また、請求項3の発明によれば、バッファ
カセットを載置するインターフェイスの温度を一定に調
節しているため、バッファカセットに収納された複数の
基板間での温度影響差をなくすことができる。その結
果、露光装置における露光処理時に複数の基板間の熱膨
張差がなくなり、基板間での露光パターンのずれが発生
するのを防止することができる。
【0055】また、請求項4の発明によれば、カセット
載置ユニットに載置されたカセットの温度を一定に調節
するカセット温調部を備えているため、当該カセットの
温度を一定に維持することができ、カセットに収容され
た複数の基板間での温度影響差をなくすことができる。
【0056】また、請求項5の発明によれば、インデク
サに載置された搬送用カセットの温度を一定に調節して
いるため、搬送用カセットから最初に取り出される基板
と最後に取り出される基板との温度差をなくすことがで
きる。その結果、請求項2の発明と同様の効果を得るこ
とができる。
【0057】また、請求項6の発明によれば、インター
フェイスに載置されたバッファカセットの温度を一定に
調節しているため、バッファカセットに収納された複数
の基板間での温度影響差をなくすことができる。その結
果、請求項3の発明と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す平
面図である。
【図2】図1の処理ユニットの構成を説明する図であ
る。
【図3】インデクサおよび温調ユニットを示す斜視図で
ある。
【図4】温調ユニットによるインデクサの温調の様子を
説明する図である。
【図5】バッファカセットおよび温調ユニットを示す斜
視図である。
【図6】温調ユニットによるバッファカセットの温調の
様子を説明する図である。
【図7】搬送用カセットを示す斜視図である。
【図8】温調液供給部による搬送用カセットの温調の様
子を説明する図である。
【図9】バッファカセットを示す斜視図である。
【図10】温調液供給部によるバッファカセットの温調
の様子を説明する図である。
【符号の説明】
60 温調液供給部 AC 温調ユニット BC バッファカセット CC 搬送用カセット ID インデクサ IF インターフェイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板羽 昌行 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 和浩 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に所定の処理を行う処理部を有する
    基板処理装置であって、 (a) 複数の基板を収容するカセットを載置するカセット
    載置ユニットと、 (b) 前記カセット載置ユニットの温度を一定に調節する
    ユニット温調部と、を備えることを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記カセットは、被処理基板の搬送に用いられる搬送用
    カセットであり、 前記カセット載置ユニットは、前記処理部での処理を行
    うために前記搬送用カセットから被処理基板を払い出す
    とともに、前記処理部での処理の終了した処理済み基板
    を受け取って前記搬送用カセットに収納するインデクサ
    であることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記カセットは、被処理基板を一時的に収容するバッフ
    ァカセットであり、 前記カセット載置ユニットは、前記基板処理装置と前記
    基板処理装置外部の露光装置との間で基板の受け渡しを
    行うインターフェイスであることを特徴とする基板処理
    装置。
  4. 【請求項4】 基板に所定の処理を行う処理部を有する
    基板処理装置であって、 (a) 複数の基板を収容するカセットを載置するカセット
    載置ユニットと、 (b) 前記カセット載置ユニットに載置された前記カセッ
    トの温度を一定に調節するカセット温調部と、を備える
    ことを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の基板処理装置において、 前記カセットは、被処理基板の搬送に用いられる搬送用
    カセットであり、 前記カセット載置ユニットは、前記処理部での処理を行
    うために前記搬送用カセットから被処理基板を払い出す
    とともに、前記処理部での処理の終了した処理済み基板
    を受け取って前記搬送用カセットに収納するインデクサ
    であることを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の基板処理装置において、 前記カセットは、被処理基板を一時的に収容するバッフ
    ァカセットであり、 前記カセット載置ユニットは、前記基板処理装置と前記
    基板処理装置外部の露光装置との間で基板の受け渡しを
    行うインターフェイスであることを特徴とする基板処理
    装置。
JP10144034A 1998-05-26 1998-05-26 基板処理装置 Pending JPH11340298A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10144034A JPH11340298A (ja) 1998-05-26 1998-05-26 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10144034A JPH11340298A (ja) 1998-05-26 1998-05-26 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11340298A true JPH11340298A (ja) 1999-12-10

Family

ID=15352792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10144034A Pending JPH11340298A (ja) 1998-05-26 1998-05-26 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11340298A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324562A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Lg Phillips Lcd Co Ltd フォト装置及び方法
JP2017191927A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 キヤノン株式会社 温調装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324562A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Lg Phillips Lcd Co Ltd フォト装置及び方法
JP4625441B2 (ja) * 2006-06-05 2011-02-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フォト装置及び方法
JP2017191927A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 キヤノン株式会社 温調装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4464993B2 (ja) 基板の処理システム
JP4087328B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
CN100573328C (zh) 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
KR101117872B1 (ko) 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법
JP4614455B2 (ja) 基板搬送処理装置
JP4444154B2 (ja) 基板処理装置
JP2003347186A (ja) 基板処理装置
WO2006006364A1 (ja) 基板の回収方法及び基板処理装置
WO2004049408A1 (ja) 基板処理システム、塗布現像装置及び基板処理装置
US7563043B2 (en) Coating/developing apparatus and substrate transfer method
JP2006344658A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP4541966B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
US8746171B2 (en) Substrate treating system
JP4279102B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10150089A (ja) 処理システム
JP4080405B2 (ja) 基板処理装置
US7512456B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2005093920A (ja) 基板処理装置
JP2005123249A (ja) 基板処理装置およびその方法
JP2004152801A (ja) 基板処理装置
JP2005101029A (ja) 基板処理装置および基板処理装置のための機能ブロック組合せシステム
JPH11340298A (ja) 基板処理装置
JP2004214290A (ja) 基板処理装置
JP2000091185A (ja) 基板処理装置および方法
JP4262037B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040302

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040430

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040824