JP2001237296A - 連続堆積装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板、特に比較的平坦なガラス基板を処理す
る改良された装置および方法を提供する。 【解決手段】 本発明は全般に少なくとも１つのプロセ
スチャンバ９６に主に配設されたキャリア１２２と、該
プロセスチャンバ９６とロードロックチャンバ９２、９
４間で基板１１４、１１５、１１６を搬送する少なくと
も１つのシャトル１１８、１２０とを有する基板処理装
置を提供する。複数のプロセスチャンバ、ロードロック
チャンバ、その他のチャンバは結合され、基板を処理す
る系列モジュラチャンバを形成可能である。キャリアは
処理環境に露出するだけ、すなわちキャリアは非プロセ
スチャンバ内を往復しないのが好ましい。よって、基板
の連続シーケンス処理中、キャリアの熱循環が低減され
る。キャリアはトラック１２３，１２５に沿ってプロセ
スチャンバ内を可逆的に移動される。隔壁によって離隔
された多数の処理区域によって複数の処理状態が同一プ
ロセスチャンバ内に発生可能となる。
る改良された装置および方法を提供する。 【解決手段】 本発明は全般に少なくとも１つのプロセ
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プロセスチャンバ９６とロードロックチャンバ９２、９
４間で基板１１４、１１５、１１６を搬送する少なくと
も１つのシャトル１１８、１２０とを有する基板処理装
置を提供する。複数のプロセスチャンバ、ロードロック
チャンバ、その他のチャンバは結合され、基板を処理す
る系列モジュラチャンバを形成可能である。キャリアは
処理環境に露出するだけ、すなわちキャリアは非プロセ
スチャンバ内を往復しないのが好ましい。よって、基板
の連続シーケンス処理中、キャリアの熱循環が低減され
る。キャリアはトラック１２３，１２５に沿ってプロセ
スチャンバ内を可逆的に移動される。隔壁によって離隔
された多数の処理区域によって複数の処理状態が同一プ
ロセスチャンバ内に発生可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体処理の分野に
関する。特に、本発明は処理装置を経て基板を搬送する
装置および方法に関する。
関する。特に、本発明は処理装置を経て基板を搬送する
装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業において、処理装置を経て基
板を移動する主な方法は二つある。一従来方法は図１に
示したクラスタツール装置を用いる。クラスタツールプ
ラットホーム２は一般にモジュール式マルチチャンバの
一体型処理装置のことである。これは通常中央ウェーハ
操作真空チャンバ２０、３２および多数の周辺プロセス
チャンバ２４、２６、２８、３６を含む。ウェーハ２２
等の基板は、通常カセット１０に保管されているが、ロ
ードロック１２、１４からロード及びアンロードされ、
環境状態に露出されることなく各種プロセスチャンバ内
の真空状態で処理される。各処理のためのウェーハ搬送
はウェーハ操作真空チャンバ２０内の中央集中ロボット
１６あるいは第２ウェーハ操作真空チャンバ３２内のロ
ボット３０によって処理され、各チャンバは真空状態に
維持されている。マイクロプロセッサコントローラ３８
および関連ソフトウェアが具備されウェーハの処理およ
び移動を制御する。
板を移動する主な方法は二つある。一従来方法は図１に
示したクラスタツール装置を用いる。クラスタツールプ
ラットホーム２は一般にモジュール式マルチチャンバの
一体型処理装置のことである。これは通常中央ウェーハ
操作真空チャンバ２０、３２および多数の周辺プロセス
チャンバ２４、２６、２８、３６を含む。ウェーハ２２
等の基板は、通常カセット１０に保管されているが、ロ
ードロック１２、１４からロード及びアンロードされ、
環境状態に露出されることなく各種プロセスチャンバ内
の真空状態で処理される。各処理のためのウェーハ搬送
はウェーハ操作真空チャンバ２０内の中央集中ロボット
１６あるいは第２ウェーハ操作真空チャンバ３２内のロ
ボット３０によって処理され、各チャンバは真空状態に
維持されている。マイクロプロセッサコントローラ３８
および関連ソフトウェアが具備されウェーハの処理およ
び移動を制御する。
【０００３】ガラス基板、セラミックプレート、プラス
チックシート、ディスク等比較的大きい基板の場合、イ
ンライン装置と呼ばれる処理装置を経て基板を移動する
第２の方法が通常用いられる。ガラス基板はフラットパ
ネルディスプレイの製造に用いられが、該ディスプレイ
はアクティブマトリックステレビ、コンピュータディス
プレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル、その他の
ディスプレイとして用いられる。代表的ガラス基板は寸
法が約５５０ｍｍｘ６５０ｍｍであり、基板サイズは約
６５０ｍｍｘ８３０ｍｍ以上に増大する傾向にある。
チックシート、ディスク等比較的大きい基板の場合、イ
ンライン装置と呼ばれる処理装置を経て基板を移動する
第２の方法が通常用いられる。ガラス基板はフラットパ
ネルディスプレイの製造に用いられが、該ディスプレイ
はアクティブマトリックステレビ、コンピュータディス
プレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル、その他の
ディスプレイとして用いられる。代表的ガラス基板は寸
法が約５５０ｍｍｘ６５０ｍｍであり、基板サイズは約
６５０ｍｍｘ８３０ｍｍ以上に増大する傾向にある。
【０００４】図２は代表的モデュール式インライン装置
４０の概略側面図である。該処理装置は直列配置のプロ
セスチャンバ４２、４４を含むが、これらは該一連のプ
ロセスチャンバの両端部のロードチャンバ４６とアンロ
ードチャンバ４８間に配設されるものである。一つのエ
レベータ５０はロードチャンバ４６の入口に配設され、
別のエレベータ５２はアンロードチャンバ４８からの出
口に配設される。プロセスチャンバ４４等のプロセスチ
ャンバは化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、物理気相堆
積（ＰＶＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、電気めっ
きチャンバ、その他のスパッタリング・プロセスチャン
バを含んでよい。キャリア戻りライン５８はプロセスチ
ャンバ５８の上方に配設され、エレベータ５０、５２に
結合される。各種プロセスチャンバは真空あるいは低圧
状態にあり、図３のインライン装置の概略平面図に示し
た１つ以上の隔離弁６０、６２、６４、６６、６８によ
って離隔される。通常多数の基板５４、５６、７０、７
２は図４、５のキャリアの概略正面・側面図に示したキ
ャリア７４によって支持される。隔離弁は閉位置におい
て各チャンバを互いに封止し、また開位置において基板
５４、５６を該弁を介して隣接ステーションに搬送可能
とする。
４０の概略側面図である。該処理装置は直列配置のプロ
セスチャンバ４２、４４を含むが、これらは該一連のプ
ロセスチャンバの両端部のロードチャンバ４６とアンロ
ードチャンバ４８間に配設されるものである。一つのエ
レベータ５０はロードチャンバ４６の入口に配設され、
別のエレベータ５２はアンロードチャンバ４８からの出
口に配設される。プロセスチャンバ４４等のプロセスチ
ャンバは化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、物理気相堆
積（ＰＶＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、電気めっ
きチャンバ、その他のスパッタリング・プロセスチャン
バを含んでよい。キャリア戻りライン５８はプロセスチ
ャンバ５８の上方に配設され、エレベータ５０、５２に
結合される。各種プロセスチャンバは真空あるいは低圧
状態にあり、図３のインライン装置の概略平面図に示し
た１つ以上の隔離弁６０、６２、６４、６６、６８によ
って離隔される。通常多数の基板５４、５６、７０、７
２は図４、５のキャリアの概略正面・側面図に示したキ
ャリア７４によって支持される。隔離弁は閉位置におい
て各チャンバを互いに封止し、また開位置において基板
５４、５６を該弁を介して隣接ステーションに搬送可能
とする。
【０００５】図２に示したキャリア７４はエレベータ５
０に隣接配置され、基板５４、５６、７０、７２が手作
業でキャリア７４の受入ステーション５１にロードされ
る。エレベータ５０へのドア（図示せず）が開くとキャ
リア７４はエレベータ内からトラック（図示せず）上に
配置可能となる。エレベータ５０内の温度および圧力は
通常、環境状態にある。隔離弁６０が開となるとキャリ
ア７４はトラック上からロードチャンバ４６に移動可能
となる。ロードチャンバ４６は封止され、ＣＶＤ処理の
場合約１０ｍトル〜約５０ｍトル、ＰＶＤ処理の場合約
１ｍトル〜約５ｍトルの範囲の標準的真空状態までポン
プ汲み出しされる。別の隔離弁６２が開となるとキャリ
ア７４がプロセスチャンバ４２に移動し、基板は処理に
好適な温度まで加熱される。別の隔離弁６４が開となる
とキャリア７４はトラックに沿ってプロセスチャンバ４
４に移動可能となる。プロセスチャンバ４４がスパッタ
リングプロセスチャンバである場合、チャンバは複数の
ターゲット７６、７８を含んでよく、これらのターゲッ
トは基板が各ターゲットに隣接するトラックに沿って移
動する際に基板に対向するターゲット面から基板５４、
５６、７０、７２に材料をスパッタする。各スパッタリ
ングターゲットは陽極（通常はターゲット）と陰極（通
常は接地したチャンバ壁）間で生成されたイオン化した
ガス原子（イオン）によって基板に対向する側をボンバ
ードされ、ターゲットの粒子は除去されて基板へ向かい
該基板に堆積する。各ターゲットは基板から離隔した該
ターゲットの裏面に磁石（図示せず）を配設して、ター
ゲット面に略平行な磁界線―周囲では電子が回転軌道内
で捕捉され、スパッタリング用のガス原子との衝突及び
該ガス原子のイオン化の可能性を増大させる―を発生す
ることによってスパッタ率を向上させるのが好ましい。
次に基板５４、５６、７０、７２は隔離弁６６を介して
アンローディングチャンバ４８へ移動される。隔離弁６
６が閉となり、これによってアンローディングチャンバ
４８からプロセスチャンバ４４を封止する。隔離弁６６
が開となるとキャリア７４はアンローディングチャンバ
４８から撤去可能となり、基板５４、５６、７０、７２
は通常手作業でキャリアからアンロードされる。また、
基板はアンローディングチャンバ内に留置しておき基板
に冷却時間を与えてもよい。基板がアンロードされた後
キャリア７４はエレベータ５２に入り、エレベータはキ
ャリア７４を戻りライン５８まで上昇させる。戻りライ
ン５８のトラック装置（図示せず）はキャリアをエレベ
ータ５０に戻し、該エレベータはキャリアを処理装置の
他端の受入ステーション５１の位置に下降させて処理さ
れる次のバッチの基板を受け取る。
０に隣接配置され、基板５４、５６、７０、７２が手作
業でキャリア７４の受入ステーション５１にロードされ
る。エレベータ５０へのドア（図示せず）が開くとキャ
リア７４はエレベータ内からトラック（図示せず）上に
配置可能となる。エレベータ５０内の温度および圧力は
通常、環境状態にある。隔離弁６０が開となるとキャリ
ア７４はトラック上からロードチャンバ４６に移動可能
となる。ロードチャンバ４６は封止され、ＣＶＤ処理の
場合約１０ｍトル〜約５０ｍトル、ＰＶＤ処理の場合約
１ｍトル〜約５ｍトルの範囲の標準的真空状態までポン
プ汲み出しされる。別の隔離弁６２が開となるとキャリ
ア７４がプロセスチャンバ４２に移動し、基板は処理に
好適な温度まで加熱される。別の隔離弁６４が開となる
とキャリア７４はトラックに沿ってプロセスチャンバ４
４に移動可能となる。プロセスチャンバ４４がスパッタ
リングプロセスチャンバである場合、チャンバは複数の
ターゲット７６、７８を含んでよく、これらのターゲッ
トは基板が各ターゲットに隣接するトラックに沿って移
動する際に基板に対向するターゲット面から基板５４、
５６、７０、７２に材料をスパッタする。各スパッタリ
ングターゲットは陽極（通常はターゲット）と陰極（通
常は接地したチャンバ壁）間で生成されたイオン化した
ガス原子（イオン）によって基板に対向する側をボンバ
ードされ、ターゲットの粒子は除去されて基板へ向かい
該基板に堆積する。各ターゲットは基板から離隔した該
ターゲットの裏面に磁石（図示せず）を配設して、ター
ゲット面に略平行な磁界線―周囲では電子が回転軌道内
で捕捉され、スパッタリング用のガス原子との衝突及び
該ガス原子のイオン化の可能性を増大させる―を発生す
ることによってスパッタ率を向上させるのが好ましい。
次に基板５４、５６、７０、７２は隔離弁６６を介して
アンローディングチャンバ４８へ移動される。隔離弁６
６が閉となり、これによってアンローディングチャンバ
４８からプロセスチャンバ４４を封止する。隔離弁６６
が開となるとキャリア７４はアンローディングチャンバ
４８から撤去可能となり、基板５４、５６、７０、７２
は通常手作業でキャリアからアンロードされる。また、
基板はアンローディングチャンバ内に留置しておき基板
に冷却時間を与えてもよい。基板がアンロードされた後
キャリア７４はエレベータ５２に入り、エレベータはキ
ャリア７４を戻りライン５８まで上昇させる。戻りライ
ン５８のトラック装置（図示せず）はキャリアをエレベ
ータ５０に戻し、該エレベータはキャリアを処理装置の
他端の受入ステーション５１の位置に下降させて処理さ
れる次のバッチの基板を受け取る。
【０００６】現在製造にインライン装置４０が用いられ
ているが、このタイプのインライン装置には短所がいく
つかある。キャリア７４は処理環境からエレベータ５
０、５２およびキャリア戻りライン５８内の周囲環境へ
移動される際、また処理環境に戻す際に熱循環を受け
る。この結果、堆積材料はキャリア７４から剥離するか
除去され、基板に不要な粒子含有を生ずる。加うるに、
トラック装置は運転中に汚染物質を発生することがあ
り、該汚染物質はキャリアに付着しプロセスチャンバに
導入されることがある。エレベータおよびトラック装置
はシステムに複雑度を付加しており、故障低減のため各
種可動構成部品に保守が必要である。加うるに、キャリ
ア７４は周囲環境において酸素を吸収するが、これはチ
ャンバ圧を増大させ、真空チャンバ内の酸素を除気する
際に堆積薄膜層の汚染を引き起こすことがある。キャリ
ア７４の熱循環に加えて、複数セットの基板は環境状態
以上の温度で処理されるので、キャリア７４の平均温度
は通常上昇する。各プロセスチャンバにおける大部分の
処理は温度に影響されやすいので、処理方式は通常所望
の動作温度を設定してムラのない堆積を得るようにす
る。従って、キャリア７４からの伝熱は基板および／ま
たは処理に影響することがあり、製造開始時に生成され
た薄膜は平均温度の増大によって製造終了時に生成され
た薄膜と比較して変化する場合がある。代表的インライ
ン装置を用いたさらに別の問題は隣接プロセスチャン
バ、特に反応性処理を用いるチャンバ内の処理間のクロ
ス汚染である。反応性処理は適切な割合での２つ以上の
構成要素に依存する。隣接プロセスチャンバからの別材
料の流入は反応性処理を不安定にし堆積特性に影響する
ことがある。
ているが、このタイプのインライン装置には短所がいく
つかある。キャリア７４は処理環境からエレベータ５
０、５２およびキャリア戻りライン５８内の周囲環境へ
移動される際、また処理環境に戻す際に熱循環を受け
る。この結果、堆積材料はキャリア７４から剥離するか
除去され、基板に不要な粒子含有を生ずる。加うるに、
トラック装置は運転中に汚染物質を発生することがあ
り、該汚染物質はキャリアに付着しプロセスチャンバに
導入されることがある。エレベータおよびトラック装置
はシステムに複雑度を付加しており、故障低減のため各
種可動構成部品に保守が必要である。加うるに、キャリ
ア７４は周囲環境において酸素を吸収するが、これはチ
ャンバ圧を増大させ、真空チャンバ内の酸素を除気する
際に堆積薄膜層の汚染を引き起こすことがある。キャリ
ア７４の熱循環に加えて、複数セットの基板は環境状態
以上の温度で処理されるので、キャリア７４の平均温度
は通常上昇する。各プロセスチャンバにおける大部分の
処理は温度に影響されやすいので、処理方式は通常所望
の動作温度を設定してムラのない堆積を得るようにす
る。従って、キャリア７４からの伝熱は基板および／ま
たは処理に影響することがあり、製造開始時に生成され
た薄膜は平均温度の増大によって製造終了時に生成され
た薄膜と比較して変化する場合がある。代表的インライ
ン装置を用いたさらに別の問題は隣接プロセスチャン
バ、特に反応性処理を用いるチャンバ内の処理間のクロ
ス汚染である。反応性処理は適切な割合での２つ以上の
構成要素に依存する。隣接プロセスチャンバからの別材
料の流入は反応性処理を不安定にし堆積特性に影響する
ことがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、基板、特に比
較的平坦なガラス基板を処理する改良された装置および
方法がなお求められている。
較的平坦なガラス基板を処理する改良された装置および
方法がなお求められている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は全般に主として
少なくとも１つのプロセスチャンバおよび基板をプロセ
スチャンバとロードロックチャンバ間に搬送する少なく
とも１つのシャトル内に配設されたキャリアを有する基
板を処理する装置を提供する。複数のプロセスチャン
バ、ロードロックチャンバ、その他のチャンバは結合さ
れ基板を処理する一連のモジュール式チャンバを形成可
能である。キャリアは処理環境に露出されるだけ、すな
わちキャリアは非プロセスチャンバ内を往復しないのが
好ましい。よって、基板の連続シーケンス処理中、キャ
リアの熱循環は低減される。キャリアはトラックに沿っ
てプロセスチャンバ内を可逆的に移動される。隔壁によ
って離隔された多数の処理区域によって複数の処理状態
が同一プロセスチャンバ内に発生可能となる。
少なくとも１つのプロセスチャンバおよび基板をプロセ
スチャンバとロードロックチャンバ間に搬送する少なく
とも１つのシャトル内に配設されたキャリアを有する基
板を処理する装置を提供する。複数のプロセスチャン
バ、ロードロックチャンバ、その他のチャンバは結合さ
れ基板を処理する一連のモジュール式チャンバを形成可
能である。キャリアは処理環境に露出されるだけ、すな
わちキャリアは非プロセスチャンバ内を往復しないのが
好ましい。よって、基板の連続シーケンス処理中、キャ
リアの熱循環は低減される。キャリアはトラックに沿っ
てプロセスチャンバ内を可逆的に移動される。隔壁によ
って離隔された多数の処理区域によって複数の処理状態
が同一プロセスチャンバ内に発生可能となる。
【０００９】一態様において、本発明は少なくとも１つ
のプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合され
た少なくとも１つのロードロックチャンバと、該ロード
ロックチャンバ内に配設されプロセスチャンバに連通可
能なシャトルと、該少なくとも１つのプロセスチャンバ
に主に配設されプロセスチャンバ内でのみ動作するよう
構成された基板キャリアと、を備える基板処理装置を提
供する。
のプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合され
た少なくとも１つのロードロックチャンバと、該ロード
ロックチャンバ内に配設されプロセスチャンバに連通可
能なシャトルと、該少なくとも１つのプロセスチャンバ
に主に配設されプロセスチャンバ内でのみ動作するよう
構成された基板キャリアと、を備える基板処理装置を提
供する。
【００１０】別の態様において、本発明は少なくとも１
つのプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合さ
れた少なくとも１つのロードロックチャンバと、ロード
ロックチャンバとプロセスチャンバ間を可動なシャトル
と、該プロセスチャンバ内に少なくとも一部分が配設さ
れる温度制御可能な基板キャリアと、を備える基板処理
装置を提供する。基板キャリア温度は好ましくは冷却温
度をキャリアに接触および／または放射するキャリアに
隣接した１つ（複数）の温度可変プレートを配置するこ
とによって制御される。
つのプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合さ
れた少なくとも１つのロードロックチャンバと、ロード
ロックチャンバとプロセスチャンバ間を可動なシャトル
と、該プロセスチャンバ内に少なくとも一部分が配設さ
れる温度制御可能な基板キャリアと、を備える基板処理
装置を提供する。基板キャリア温度は好ましくは冷却温
度をキャリアに接触および／または放射するキャリアに
隣接した１つ（複数）の温度可変プレートを配置するこ
とによって制御される。
【００１１】別の態様において、本発明は少なくとも１
つのプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合さ
れた少なくとも１つのロードロックチャンバと、該ロー
ドロックチャンバとプロセスチャンバ間を可動なシャト
ルと、１つのプロセスチャンバ内の少なくとも２つの処
理区域と、を備える基板処理装置を提供する。
つのプロセスチャンバと、該プロセスチャンバに結合さ
れた少なくとも１つのロードロックチャンバと、該ロー
ドロックチャンバとプロセスチャンバ間を可動なシャト
ルと、１つのプロセスチャンバ内の少なくとも２つの処
理区域と、を備える基板処理装置を提供する。
【００１２】別の態様において、本発明はプレートと、
該プレート内に少なくとも一部分が配設され排気口と吸
気口を有する１つ以上のチャネルと、基板処理装置内の
基板キャリアと係合する、プレートに接続された複数の
上方突出ピンと、を備える基板処理装置を提供する。
該プレート内に少なくとも一部分が配設され排気口と吸
気口を有する１つ以上のチャネルと、基板処理装置内の
基板キャリアと係合する、プレートに接続された複数の
上方突出ピンと、を備える基板処理装置を提供する。
【００１３】別の態様において、本発明は基板キャリア
と、該基板キャリアに近接配置された温度可変プレート
と、該温度制御可能なプレートに結合された流体チャネ
ルと、を備える基板処理装置を提供する。
と、該基板キャリアに近接配置された温度可変プレート
と、該温度制御可能なプレートに結合された流体チャネ
ルと、を備える基板処理装置を提供する。
【００１４】別の態様において、本発明は基板を基板処
理装置のプロセスチャンバ内に配設するステップと、該
基板をプロセスチャンバ内に少なくとも部分的に設けら
れた第１処理区域に隣接配置するステップと、該基板を
第１処理区域内で第１プロセスによって処理するステッ
プと、該基板をプロセスチャンバ内に少なくとも部分的
に設けられた第２処理区域に隣接配置するステップと、
該基板を第２処理区域内で該第１処理区域内の第１プロ
セスとは異なるプロセスによって処理するステップと、
を含む基板処理方法を提供する。
理装置のプロセスチャンバ内に配設するステップと、該
基板をプロセスチャンバ内に少なくとも部分的に設けら
れた第１処理区域に隣接配置するステップと、該基板を
第１処理区域内で第１プロセスによって処理するステッ
プと、該基板をプロセスチャンバ内に少なくとも部分的
に設けられた第２処理区域に隣接配置するステップと、
該基板を第２処理区域内で該第１処理区域内の第１プロ
セスとは異なるプロセスによって処理するステップと、
を含む基板処理方法を提供する。
【００１５】別の態様において、本発明は基板をプロセ
スチャンバ内に配設されたキャリアに搬送するステップ
と、次に該基板をプロセスチャンバ内で処理するステッ
プと、次に該基板をキャリアからプロセスチャンバの外
部のスペースへ搬送するステップと、を含む基板処理方
法を提供する。
スチャンバ内に配設されたキャリアに搬送するステップ
と、次に該基板をプロセスチャンバ内で処理するステッ
プと、次に該基板をキャリアからプロセスチャンバの外
部のスペースへ搬送するステップと、を含む基板処理方
法を提供する。
【００１６】別の態様において、本発明は基板キャリア
をプロセスチャンバ内に配設するステップと、基板を該
基板キャリア上に支持するステップと、基板をプロセス
チャンバ内で処理するステップと、プロセスチャンバ内
の基板キャリア温度を変更するステップと、を含む基板
処理方法を提供する。
をプロセスチャンバ内に配設するステップと、基板を該
基板キャリア上に支持するステップと、基板をプロセス
チャンバ内で処理するステップと、プロセスチャンバ内
の基板キャリア温度を変更するステップと、を含む基板
処理方法を提供する。
【００１７】上述の本発明の構成、利点および目的を達
成し詳細な理解が可能であるように、添付図面に図示し
た実施例を参照して上で要約した本発明のより詳細な説
明を行うことができる。
成し詳細な理解が可能であるように、添付図面に図示し
た実施例を参照して上で要約した本発明のより詳細な説
明を行うことができる。
【００１８】しかし、添付図面は単に本発明の代表的実
施例を示すにすぎず、従って、同様に有効な別の実施例
と認められる場合があるのでその範囲を限定するものと
はみなされない。
施例を示すにすぎず、従って、同様に有効な別の実施例
と認められる場合があるのでその範囲を限定するものと
はみなされない。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明は全般に、１つ以上のチャ
ンバと、装置内に配設され基板を支持するとともに該１
つ以上のチャンバを経て基板を搬送する基板キャリアと
を有するインライン処理装置を提供する。一態様におい
て、本発明はローディングロードロックチャンバとアン
ローディングロードロックチャンバを含む。搬送シャト
ルが各ロードロックチャンバ内に配設され基板を装置内
のキャリアへ／から搬送する。また、反応性処理および
非反応性処理はプロセスチャンバ内の処理区域間に隔壁
を用いることで単一プロセスチャンバにおいて実施する
こともできる。隔壁は別々の処理間に従来の隔離弁を設
けずに反応性処理を発生可能とする。
ンバと、装置内に配設され基板を支持するとともに該１
つ以上のチャンバを経て基板を搬送する基板キャリアと
を有するインライン処理装置を提供する。一態様におい
て、本発明はローディングロードロックチャンバとアン
ローディングロードロックチャンバを含む。搬送シャト
ルが各ロードロックチャンバ内に配設され基板を装置内
のキャリアへ／から搬送する。また、反応性処理および
非反応性処理はプロセスチャンバ内の処理区域間に隔壁
を用いることで単一プロセスチャンバにおいて実施する
こともできる。隔壁は別々の処理間に従来の隔離弁を設
けずに反応性処理を発生可能とする。
【００２０】図６、７は連続堆積インライン装置９０の
それぞれ概略正面図、側面図である。装置９０は装置９
０の一端部のローディングロードロックチャンバ９２
と、装置９０の他端部に配設されたアンローディングロ
ードロックチャンバ９４と、両者間に配設された少なく
とも１つのプロセスチャンバ９６とを含む。ローディン
グロードロックチャンバ９２は隔離弁９８によってプロ
セスチャンバ９６から隔離されている。また、ローディ
ングロードロックチャンバ９２はロボット１１０によっ
て運転される受取ステーション１０６に開口する弁１０
２も含む。ロボット１１０は基板１１４をローディング
ロードロックチャンバ９２に送達する。同様にアンロー
ディングロードロックチャンバ９４は隔離弁１００によ
ってプロセスチャンバから隔離されている。また、アン
ローディングロードロックチャンバ９４はロボット１１
２によって運転される受取ステーション１０８に開口す
る弁１０４も含む。ロボット１１２はアンローディング
ロードロックチャンバ９４から基板１１６を回収する。
また、装置は各チャンバに隣接配置されたトラック１２
７に沿って移動することによって両ロードロックチャン
バを運転するトラック型ロボットを含んでもよい。ロボ
ットは大気ロボットとして知られ、ＭＥＣＳ、ＲＯＲＴ
Ｚ、ＪＥＬ、Ｄａｉｈｅｎ、Ｋｏｍａｔｓｕ等のメーカ
ーおよびその他当該技術で周知のメーカーから購入可能
である。
それぞれ概略正面図、側面図である。装置９０は装置９
０の一端部のローディングロードロックチャンバ９２
と、装置９０の他端部に配設されたアンローディングロ
ードロックチャンバ９４と、両者間に配設された少なく
とも１つのプロセスチャンバ９６とを含む。ローディン
グロードロックチャンバ９２は隔離弁９８によってプロ
セスチャンバ９６から隔離されている。また、ローディ
ングロードロックチャンバ９２はロボット１１０によっ
て運転される受取ステーション１０６に開口する弁１０
２も含む。ロボット１１０は基板１１４をローディング
ロードロックチャンバ９２に送達する。同様にアンロー
ディングロードロックチャンバ９４は隔離弁１００によ
ってプロセスチャンバから隔離されている。また、アン
ローディングロードロックチャンバ９４はロボット１１
２によって運転される受取ステーション１０８に開口す
る弁１０４も含む。ロボット１１２はアンローディング
ロードロックチャンバ９４から基板１１６を回収する。
また、装置は各チャンバに隣接配置されたトラック１２
７に沿って移動することによって両ロードロックチャン
バを運転するトラック型ロボットを含んでもよい。ロボ
ットは大気ロボットとして知られ、ＭＥＣＳ、ＲＯＲＴ
Ｚ、ＪＥＬ、Ｄａｉｈｅｎ、Ｋｏｍａｔｓｕ等のメーカ
ーおよびその他当該技術で周知のメーカーから購入可能
である。
【００２１】少なくとも１つのシャトル１１８がローデ
ィングロードロックチャンバ９２内に配設され、別の少
なくとも１つのシャトル１２０がアンローディングロー
ドロックチャンバ９４内に配設される。シャトル１１
８、１２０は１つ以上の可逆モータあるいはギアアッセ
ンブリを用いてロードロックチャンバ９２、９４に搬入
／搬出され、逆方向にプロセスチャンバ９６の反対側端
部に搬入されて、各シャトルは基板をプロセスチャンバ
９６へ／から搬送し、次にシャトルをプロセスチャンバ
からそれぞれのロードロックチャンバへ後退可能とす
る。少なくとも１つのキャリア１２２がプロセスチャン
バ９６内に配設されて基板を支持し、両方向に可動、す
なわちローディングロードロックチャンバ９２およびア
ンローディングロードロックチャンバ９４双方の方向に
可逆である。
ィングロードロックチャンバ９２内に配設され、別の少
なくとも１つのシャトル１２０がアンローディングロー
ドロックチャンバ９４内に配設される。シャトル１１
８、１２０は１つ以上の可逆モータあるいはギアアッセ
ンブリを用いてロードロックチャンバ９２、９４に搬入
／搬出され、逆方向にプロセスチャンバ９６の反対側端
部に搬入されて、各シャトルは基板をプロセスチャンバ
９６へ／から搬送し、次にシャトルをプロセスチャンバ
からそれぞれのロードロックチャンバへ後退可能とす
る。少なくとも１つのキャリア１２２がプロセスチャン
バ９６内に配設されて基板を支持し、両方向に可動、す
なわちローディングロードロックチャンバ９２およびア
ンローディングロードロックチャンバ９４双方の方向に
可逆である。
【００２２】３つのトラックがシャトル１３２、１３４
およびキャリア１２２の移動用に装置９０内に配設さ
れ、各トラックは複数のガイドローラ１２６ａ−ｐ（全
般にガイドローラ１２６）とピニオンギア１２８ａ−ｈ
（全般にピニオン１２８）を備えるのが好ましい。別個
のトラック１２３、１２５はプロセスチャンバ９６とそ
れぞれのロードロックチャンバ間のシャトル１１８、１
２０の移動を支援する。第３キャリアトラック１２４が
プロセスチャンバ９６内の移動のためキャリア１２２を
支援する。トラックは複数のガイドローラおよび／また
はピニオンギアを整列することによって形成され、サイ
ドレール（図示せず）を含んでよい。各トラックに沿っ
たガイドローラ１２６およびピニオンギア１２８の数量
はチャンバの長さ、シャトルおよびキャリアの長さ、基
板の大きさ等の要因によって変化することがある。シャ
トルトラック１２３はローディングロードロックチャン
バ９２内に配設され、プロセスチャンバ９６内に伸長す
る。シャトルトラック１２３は装置９０の下部に配設さ
れたガイドローラ１２６とピニオンギア１２８を備え、
チャンバ９２、９６におけるシャトル１１８の移動用経
路を提供する。同様に別のシャトルトラック１２５はア
ンローディングロードロックチャンバ９４内に配設さ
れ、プロセスチャンバ９６内に伸長する。シャトルトラ
ック１２５は複数のガイドローラ１２６とピニオンギア
１２８を備え、チャンバ９４、９６におけるシャトルの
移動用経路を提供する。キャリアトラック１２４は隔離
弁９８、１００間を伸長し、基板１１４、１１５、１１
６が処理される際チャンバ９６におけるキャリア１２２
の移動用経路を提供するのが好ましい。キャリアトラッ
ク１２４は幅がシャトルトラック１２３、１２５より狭
く、複数のガイドローラ１２６とピニオンギア１２８を
備える。キャリアトラック１２４の幅が狭いことで、シ
ャトル〜キャリア間の基板搬送中キャリア１２２をシャ
トル１１８、１２０の下に配置可能である。ガイドロー
ラ１２６およびピニオンギア１２８はトラック１２３、
１２４、１２５に沿って適正間隔で離隔され、キャリア
およびシャトルがそれぞれのトラックに沿って移動され
る際キャリア１２２およびシャトル１１８、１２０上の
各レールが少なくとも２点で支持されるようにしてよ
い。キャリアトラック１２４はトラックレール間の幅、
すなわち間隔がシャトルトラック１２３、１２５とは異
なるのが好ましいが、ロボット１１０、１１２のロボッ
トブレードに類似した片持ちアッセンブリ、ロボット、
Ｖ型シャトルおよび／またはキャリアを含む別のより単
純な機構やより複雑な機構を用いてロードロックチャン
バ９２、９４とプロセスチャンバ９６間で基板を送達し
てもよい。
およびキャリア１２２の移動用に装置９０内に配設さ
れ、各トラックは複数のガイドローラ１２６ａ−ｐ（全
般にガイドローラ１２６）とピニオンギア１２８ａ−ｈ
（全般にピニオン１２８）を備えるのが好ましい。別個
のトラック１２３、１２５はプロセスチャンバ９６とそ
れぞれのロードロックチャンバ間のシャトル１１８、１
２０の移動を支援する。第３キャリアトラック１２４が
プロセスチャンバ９６内の移動のためキャリア１２２を
支援する。トラックは複数のガイドローラおよび／また
はピニオンギアを整列することによって形成され、サイ
ドレール（図示せず）を含んでよい。各トラックに沿っ
たガイドローラ１２６およびピニオンギア１２８の数量
はチャンバの長さ、シャトルおよびキャリアの長さ、基
板の大きさ等の要因によって変化することがある。シャ
トルトラック１２３はローディングロードロックチャン
バ９２内に配設され、プロセスチャンバ９６内に伸長す
る。シャトルトラック１２３は装置９０の下部に配設さ
れたガイドローラ１２６とピニオンギア１２８を備え、
チャンバ９２、９６におけるシャトル１１８の移動用経
路を提供する。同様に別のシャトルトラック１２５はア
ンローディングロードロックチャンバ９４内に配設さ
れ、プロセスチャンバ９６内に伸長する。シャトルトラ
ック１２５は複数のガイドローラ１２６とピニオンギア
１２８を備え、チャンバ９４、９６におけるシャトルの
移動用経路を提供する。キャリアトラック１２４は隔離
弁９８、１００間を伸長し、基板１１４、１１５、１１
６が処理される際チャンバ９６におけるキャリア１２２
の移動用経路を提供するのが好ましい。キャリアトラッ
ク１２４は幅がシャトルトラック１２３、１２５より狭
く、複数のガイドローラ１２６とピニオンギア１２８を
備える。キャリアトラック１２４の幅が狭いことで、シ
ャトル〜キャリア間の基板搬送中キャリア１２２をシャ
トル１１８、１２０の下に配置可能である。ガイドロー
ラ１２６およびピニオンギア１２８はトラック１２３、
１２４、１２５に沿って適正間隔で離隔され、キャリア
およびシャトルがそれぞれのトラックに沿って移動され
る際キャリア１２２およびシャトル１１８、１２０上の
各レールが少なくとも２点で支持されるようにしてよ
い。キャリアトラック１２４はトラックレール間の幅、
すなわち間隔がシャトルトラック１２３、１２５とは異
なるのが好ましいが、ロボット１１０、１１２のロボッ
トブレードに類似した片持ちアッセンブリ、ロボット、
Ｖ型シャトルおよび／またはキャリアを含む別のより単
純な機構やより複雑な機構を用いてロードロックチャン
バ９２、９４とプロセスチャンバ９６間で基板を送達し
てもよい。
【００２３】ピンプレート１３２はローディングロード
ロックチャンバ９２に隣接したプロセスチャンバ９６の
端部に配設される。ピンプレート１３２はアルミあるい
は銅等の伝熱材料から形成されてよい。ピンプレート１
３２は軸１３６およびリフトモータ１４０に結合され
る。複数のピン１４４がピンプレート１３２に接続さ
れ、プレートから上方向に配設される。ピンプレート１
３２の温度を図１２を参照して説明するように制御し、
好ましくは冷却剤入口ライン１４８および出口ライン１
５０を介して冷却剤によって冷却してよい。同様にピン
プレート１３４はアンローディングロードロックチャン
バ９４に隣接したプロセスチャンバ９６の端部に配設さ
れる。ピンプレート１３４は軸１３８およびリフトモー
タ１４２に結合される。ピンプレート１３４は複数のピ
ン１４６を含み、プレートから上方向に配設される。同
様にピンプレート１３４の温度を制御し、好ましくは冷
却剤入口ライン１５２および出口ライン１５４を介して
冷却液によって冷却してよい。
ロックチャンバ９２に隣接したプロセスチャンバ９６の
端部に配設される。ピンプレート１３２はアルミあるい
は銅等の伝熱材料から形成されてよい。ピンプレート１
３２は軸１３６およびリフトモータ１４０に結合され
る。複数のピン１４４がピンプレート１３２に接続さ
れ、プレートから上方向に配設される。ピンプレート１
３２の温度を図１２を参照して説明するように制御し、
好ましくは冷却剤入口ライン１４８および出口ライン１
５０を介して冷却剤によって冷却してよい。同様にピン
プレート１３４はアンローディングロードロックチャン
バ９４に隣接したプロセスチャンバ９６の端部に配設さ
れる。ピンプレート１３４は軸１３８およびリフトモー
タ１４２に結合される。ピンプレート１３４は複数のピ
ン１４６を含み、プレートから上方向に配設される。同
様にピンプレート１３４の温度を制御し、好ましくは冷
却剤入口ライン１５２および出口ライン１５４を介して
冷却液によって冷却してよい。
【００２４】図７に見られるように、プロセスチャンバ
は１つ以上の処理区域を含んでよく、基板が通過する際
に１つ以上の処理環境を維持可能である。例えば、１つ
以上のターゲット１５６、１５８、１６０、１６２は例
えばプロセスチャンバがスパッタリングチャンバである
場合プロセスチャンバ９６内の基板１１５の上方に配設
してよい。同様に、ＣＶＤあるいはエッチング処理用の
シャワーヘッド（図示せず）およびその他別タイプの処
理用の構成部品は処理の必要性によっては基板に隣接配
置してよい。隔壁１６４、１６６、１６８、１７０は各
ターゲット１５６、１５８、１６０、１６２の間、及び
各ターゲット１５６、１６２の非隣接側に配設される。
隔壁は各ターゲットと隣接ターゲットとを離隔し、プロ
セスチャンバ９６内の４つの処理区域１７２、１７４、
１７６、１７８等系列処理区域を画成するのが好まし
い。基板は異なる基板個所で多数の処理区域に同時に露
出される場合があるが、基板の一部分のみ、すなわち全
幅および部分長が、同時に単一区域の処理環境に露出さ
れるように、各区域は長さがそこを搬送される基板の直
線寸法より短くてよい。１つ以上のプロセスチャンバを
有する装置の場合、１つ以上の処理区域は各プロセスチ
ャンバ内に含まれてよい。処理区域１７２、１７４、１
７６、１７８の下部はプロセスチャンバ９６の処理環境
に開口しているので、処理される基板は隔離弁を介して
別のプロセスチャンバに入れることを要せずに一処理区
域から別の処理区域に移動可能である。各隔壁は処理さ
れる基板１１５に密接した位置、好ましくは基板が処理
される時基板から約１ｍｍから約５ｍｍ離隔した位置に
伸長するのが好ましい。１つ以上の処理区域は処理区域
に侵入する反応性ガス用のガス吸気口１６５を含むこと
によって反応性処理を行うように構成されてよい。反応
性ガスは例えばターゲットスパッタリング中に処理区域
に流入し、反応性処理用の基板および／またはスパッタ
材料と反応してよい。反応性ガスを処理区域に流入させ
ないで、反応性処理に用いられるのと同じ処理区域を非
反応性処理に用いてもよい。
は１つ以上の処理区域を含んでよく、基板が通過する際
に１つ以上の処理環境を維持可能である。例えば、１つ
以上のターゲット１５６、１５８、１６０、１６２は例
えばプロセスチャンバがスパッタリングチャンバである
場合プロセスチャンバ９６内の基板１１５の上方に配設
してよい。同様に、ＣＶＤあるいはエッチング処理用の
シャワーヘッド（図示せず）およびその他別タイプの処
理用の構成部品は処理の必要性によっては基板に隣接配
置してよい。隔壁１６４、１６６、１６８、１７０は各
ターゲット１５６、１５８、１６０、１６２の間、及び
各ターゲット１５６、１６２の非隣接側に配設される。
隔壁は各ターゲットと隣接ターゲットとを離隔し、プロ
セスチャンバ９６内の４つの処理区域１７２、１７４、
１７６、１７８等系列処理区域を画成するのが好まし
い。基板は異なる基板個所で多数の処理区域に同時に露
出される場合があるが、基板の一部分のみ、すなわち全
幅および部分長が、同時に単一区域の処理環境に露出さ
れるように、各区域は長さがそこを搬送される基板の直
線寸法より短くてよい。１つ以上のプロセスチャンバを
有する装置の場合、１つ以上の処理区域は各プロセスチ
ャンバ内に含まれてよい。処理区域１７２、１７４、１
７６、１７８の下部はプロセスチャンバ９６の処理環境
に開口しているので、処理される基板は隔離弁を介して
別のプロセスチャンバに入れることを要せずに一処理区
域から別の処理区域に移動可能である。各隔壁は処理さ
れる基板１１５に密接した位置、好ましくは基板が処理
される時基板から約１ｍｍから約５ｍｍ離隔した位置に
伸長するのが好ましい。１つ以上の処理区域は処理区域
に侵入する反応性ガス用のガス吸気口１６５を含むこと
によって反応性処理を行うように構成されてよい。反応
性ガスは例えばターゲットスパッタリング中に処理区域
に流入し、反応性処理用の基板および／またはスパッタ
材料と反応してよい。反応性ガスを処理区域に流入させ
ないで、反応性処理に用いられるのと同じ処理区域を非
反応性処理に用いてもよい。
【００２５】処理は処理区域で実施されるので、大型基
板の場合、ローディングロードロックチャンバ９２に隣
接した隔離弁９８は開となり、基板１１５が処理区域１
７２、１７４、１７６、１７８を貫通移動できるように
該基板１１５に隙間を提供可能である。同様に、アンロ
ーディングロードロックチャンバ９４に隣接した隔離弁
１００も開となり基板に隙間を提供可能である。また、
キャリア１２２の速度は基板１１５がトラック１２４に
沿って処理区域に搬送あるいは移動されるか、あるいは
基板が処理区域内で処理されるかによって変化させてよ
い。処理速度の乗数ｘ処理区域の基板上の各点の時間に
基づいて所望堆積厚あるいはエッチング完了が提供され
るように、速度は処理区域内で選択される。キャリア１
２２の速度は堆積中には約５ｍｍ／ｓeｃ〜約２０ｍｍ
／ｓeｃで、搬送中には約１００ｍｍ／ｓeｃ〜約２００
ｍｍ／ｓeｃであるのが好ましい。
板の場合、ローディングロードロックチャンバ９２に隣
接した隔離弁９８は開となり、基板１１５が処理区域１
７２、１７４、１７６、１７８を貫通移動できるように
該基板１１５に隙間を提供可能である。同様に、アンロ
ーディングロードロックチャンバ９４に隣接した隔離弁
１００も開となり基板に隙間を提供可能である。また、
キャリア１２２の速度は基板１１５がトラック１２４に
沿って処理区域に搬送あるいは移動されるか、あるいは
基板が処理区域内で処理されるかによって変化させてよ
い。処理速度の乗数ｘ処理区域の基板上の各点の時間に
基づいて所望堆積厚あるいはエッチング完了が提供され
るように、速度は処理区域内で選択される。キャリア１
２２の速度は堆積中には約５ｍｍ／ｓeｃ〜約２０ｍｍ
／ｓeｃで、搬送中には約１００ｍｍ／ｓeｃ〜約２００
ｍｍ／ｓeｃであるのが好ましい。
【００２６】コントローラ９１が用いられ、基板キャリ
ア、ピンプレート、シャトル、トラック上のピニオン、
弁、その他関連装置フィーチャーの動作といった装置内
の様々な機能を制御する。コントローラ９１はプログラ
ム可能なマイクロプロセッサを備え、メモリに記憶され
た装置制御ソフトウェアを実行するのが好ましく、好適
な実施例ではハードディスクドライブであり、アナログ
およびディジタル入力／出力ボード、インタフェースボ
ード、ステッパモータコントローラボード（図示せず）
を含んでよい。コントローラ９１は装置構成部品ヘの電
力を制御し、オペレータに装置をモニタ・操作可能にす
るパネルを含む。光および／または磁気センサ（図示せ
ず）が一般に用いられ、可動構造体あるいはアッセンブ
リの位置を移動および判定する。
ア、ピンプレート、シャトル、トラック上のピニオン、
弁、その他関連装置フィーチャーの動作といった装置内
の様々な機能を制御する。コントローラ９１はプログラ
ム可能なマイクロプロセッサを備え、メモリに記憶され
た装置制御ソフトウェアを実行するのが好ましく、好適
な実施例ではハードディスクドライブであり、アナログ
およびディジタル入力／出力ボード、インタフェースボ
ード、ステッパモータコントローラボード（図示せず）
を含んでよい。コントローラ９１は装置構成部品ヘの電
力を制御し、オペレータに装置をモニタ・操作可能にす
るパネルを含む。光および／または磁気センサ（図示せ
ず）が一般に用いられ、可動構造体あるいはアッセンブ
リの位置を移動および判定する。
【００２７】図８は各ロードロックチャンバ内に配設さ
れたシャトルの概略斜視図である。各シャトルは第１端
部１９０と第１端部１９０に対向する第２端部１９２を
有する。さらに各シャトルは第１側面１９４と、第２側
面１９６と、側面１９４、１９６および端部１９０、１
９２を横断するか角度をなすような、シャトル１１８の
外周から内方に伸長する支持指部１９８ａ−ｆ（全般に
支持指部１９８）を有する。各シャトルは第１側面１９
４に沿った第１サイドレール２００と第２側面１９６に
沿った第２サイドレール２０２を含む。サイドレール２
００、２０２は互いに平行かつクロス部材２１７、２１
８によって離隔されている。クロス部材２１７、２１８
は装置内で処理される基板の厚さより大きい距離によっ
て指部１９８から離隔され、図７に示したピンプレート
１３２、１３４が基板を指部およびシャトル１１８、１
２０から持ち上げ、それぞれピンプレートが基板を支持
している間にピンプレートから後退可能となっている。
サイドレール２００、２０２はそれぞれ下面２０９、２
１０に歯付きラック２０６、２０８を含む。歯付きラッ
ク２０６、２０８はそれぞれ歯部２０４、２０５を含
み、図８に１点鎖線で示したピニオンギア１２８と係合
するようになっている。各レールの内側段差面２１４、
２１６はガイドローラ１２６と係合するようになってい
る。
れたシャトルの概略斜視図である。各シャトルは第１端
部１９０と第１端部１９０に対向する第２端部１９２を
有する。さらに各シャトルは第１側面１９４と、第２側
面１９６と、側面１９４、１９６および端部１９０、１
９２を横断するか角度をなすような、シャトル１１８の
外周から内方に伸長する支持指部１９８ａ−ｆ（全般に
支持指部１９８）を有する。各シャトルは第１側面１９
４に沿った第１サイドレール２００と第２側面１９６に
沿った第２サイドレール２０２を含む。サイドレール２
００、２０２は互いに平行かつクロス部材２１７、２１
８によって離隔されている。クロス部材２１７、２１８
は装置内で処理される基板の厚さより大きい距離によっ
て指部１９８から離隔され、図７に示したピンプレート
１３２、１３４が基板を指部およびシャトル１１８、１
２０から持ち上げ、それぞれピンプレートが基板を支持
している間にピンプレートから後退可能となっている。
サイドレール２００、２０２はそれぞれ下面２０９、２
１０に歯付きラック２０６、２０８を含む。歯付きラッ
ク２０６、２０８はそれぞれ歯部２０４、２０５を含
み、図８に１点鎖線で示したピニオンギア１２８と係合
するようになっている。各レールの内側段差面２１４、
２１６はガイドローラ１２６と係合するようになってい
る。
【００２８】支持指部１９８の各端部は１つ以上の支持
パッド２２０ａ−ｆ（全般に支持パッド２２０）を含ん
でよく、該支持パッドは指部から上方に伸長し、その上
に基板１１４が支持される。指部ガイド２２２ａ−ｆ
（全般に指部ガイド２２２）は支持パッド２２０から外
側へ配設され、基板１１４を横方向に配置可能な表面を
形成する。支持指部１９８はシャトル１１８上に配置さ
れ、ピンプレート１３２内のピン１４４が基板１１４を
指部およびシャトル１１８の上方に支持して、支持指部
とピン間で干渉せずに基板をプロセスチャンバに送達し
た後プロセスチャンバ９６から後退可能とする。支持指
部１９８およびクロス部材２１７、２１８の下部は図６
に示したキャリア１２２の上面より高いところにあり、
シャトル１１８が基板搬送中キャリア１２２の上に位置
することを可能にするのが好ましい。シャトル１１８は
約６００℃以上の温度にさらされることがあるので、シ
ャトル１１８はステンレス鋼、セラミック、Ｉｎｖａｒ
３６（登録商標）、あるいはその他の温度耐性材料か
ら形成されてよい。同様に、パッドはセラミック、ステ
ンレス鋼、石英、あるいはその他の温度耐性材料等の材
料から形成されるのが好ましい。アンローディングロー
ドロックチャンバ９４内のシャトル１２０はシャトル１
１８と同様に構成される。
パッド２２０ａ−ｆ（全般に支持パッド２２０）を含ん
でよく、該支持パッドは指部から上方に伸長し、その上
に基板１１４が支持される。指部ガイド２２２ａ−ｆ
（全般に指部ガイド２２２）は支持パッド２２０から外
側へ配設され、基板１１４を横方向に配置可能な表面を
形成する。支持指部１９８はシャトル１１８上に配置さ
れ、ピンプレート１３２内のピン１４４が基板１１４を
指部およびシャトル１１８の上方に支持して、支持指部
とピン間で干渉せずに基板をプロセスチャンバに送達し
た後プロセスチャンバ９６から後退可能とする。支持指
部１９８およびクロス部材２１７、２１８の下部は図６
に示したキャリア１２２の上面より高いところにあり、
シャトル１１８が基板搬送中キャリア１２２の上に位置
することを可能にするのが好ましい。シャトル１１８は
約６００℃以上の温度にさらされることがあるので、シ
ャトル１１８はステンレス鋼、セラミック、Ｉｎｖａｒ
３６（登録商標）、あるいはその他の温度耐性材料か
ら形成されてよい。同様に、パッドはセラミック、ステ
ンレス鋼、石英、あるいはその他の温度耐性材料等の材
料から形成されるのが好ましい。アンローディングロー
ドロックチャンバ９４内のシャトル１２０はシャトル１
１８と同様に構成される。
【００２９】図９はレール２００およびトラック１２３
あるいは１３５の配列を示すチャンバの概略部分横断面
図である。封入長孔２３０が内部チャンバ壁２３３に設
けられ、シャトル１１８のレール２００が内部壁の開口
部２３４内に伸長可能であるのが好ましい。レール２０
０の内側部２１４は図６、７に示したトラック１２３、
１２５上のガイドローラ１２６と係合する。また、長孔
２３０は処理環境をトラック１２３、１２５の構成部品
から十二分に離隔することによってガイドローラ１２６
によって生ずる汚染を低減する。同様の配列をトラック
１２４上のキャリア１２２に与えてよい。
あるいは１３５の配列を示すチャンバの概略部分横断面
図である。封入長孔２３０が内部チャンバ壁２３３に設
けられ、シャトル１１８のレール２００が内部壁の開口
部２３４内に伸長可能であるのが好ましい。レール２０
０の内側部２１４は図６、７に示したトラック１２３、
１２５上のガイドローラ１２６と係合する。また、長孔
２３０は処理環境をトラック１２３、１２５の構成部品
から十二分に離隔することによってガイドローラ１２６
によって生ずる汚染を低減する。同様の配列をトラック
１２４上のキャリア１２２に与えてよい。
【００３０】図１０はシャトル１１８と係合するピニオ
ン１２８を示す別のチャンバ横断面の概略図である。外
側チャンバ壁はこの概略図には示されていない。駆動機
構２４０はチャンバ９２内に伸長する駆動軸アッセンブ
リ２４４に結合されたローディングロードロックチャン
バ９２等の特定チャンバの内部壁２３３の外部にモータ
２４２を含む。モータ２４２は異なる方向にシャトルお
よび／またはキャリアを移動可能な可逆モータであって
よい。モータは可逆であってよい単数（複数）のギアボ
ックスを含んでよい。駆動軸アッセンブリ２４４は関連
チャンバの第１側面２３２に隣接する第１ピニオン１２
８’と第２側面２３２’に隣接する第２ピニオン１２８
に結合される。また、駆動軸アッセンブリ２４４は第１
ピニオン１２８の内側に配設された第１ガイドローラ１
２６と第２ピニオン１２８’の内側に配設された第２ガ
イドローラ１２６’にも結合される。ピニオン１２８は
歯付きラック２０６に噛合するよう構成され、ピニオン
１２８’は図９に示したシャトル１１８の歯付きラック
２０８と基板キャリア１２２上の同様のラックと噛合す
るよう構成される。また、駆動機構２４０は駆動軸アッ
センブリ２４４の回転に応じたコントローラ２４８入力
を供給するエンコーダ２４６も含んでよい。コントロー
ラ２４８は、駆動機構あるいはそれらの何らかの組合わ
せの連続又は同時運転が行われるように１つ以上の駆動
機構２４０を接続してよい。
ン１２８を示す別のチャンバ横断面の概略図である。外
側チャンバ壁はこの概略図には示されていない。駆動機
構２４０はチャンバ９２内に伸長する駆動軸アッセンブ
リ２４４に結合されたローディングロードロックチャン
バ９２等の特定チャンバの内部壁２３３の外部にモータ
２４２を含む。モータ２４２は異なる方向にシャトルお
よび／またはキャリアを移動可能な可逆モータであって
よい。モータは可逆であってよい単数（複数）のギアボ
ックスを含んでよい。駆動軸アッセンブリ２４４は関連
チャンバの第１側面２３２に隣接する第１ピニオン１２
８’と第２側面２３２’に隣接する第２ピニオン１２８
に結合される。また、駆動軸アッセンブリ２４４は第１
ピニオン１２８の内側に配設された第１ガイドローラ１
２６と第２ピニオン１２８’の内側に配設された第２ガ
イドローラ１２６’にも結合される。ピニオン１２８は
歯付きラック２０６に噛合するよう構成され、ピニオン
１２８’は図９に示したシャトル１１８の歯付きラック
２０８と基板キャリア１２２上の同様のラックと噛合す
るよう構成される。また、駆動機構２４０は駆動軸アッ
センブリ２４４の回転に応じたコントローラ２４８入力
を供給するエンコーダ２４６も含んでよい。コントロー
ラ２４８は、駆動機構あるいはそれらの何らかの組合わ
せの連続又は同時運転が行われるように１つ以上の駆動
機構２４０を接続してよい。
【００３１】図１１は図１０に示した駆動機構２４０の
別の実施例の概略図であり、モータ２４２は駆動軸アッ
センブリ２４４なしでピニオン１２８を駆動する。複数
の側面ガイドローラ２４９、２５０が図６〜７に示した
トラック１２３、１２５上のガイドローラ１２６に隣接
した特定チャンバに装着される。同様の配列をトラック
１２４上のキャリア１２２に与えてよい。側面ガイドロ
ーラ２４９、２５０はシャトル１１８ （あるいはキャ
リア１２２）上の上方伸長ガイドレール２５２と係合
し、シャトルあるいはキャリアをそれぞれのトラックに
沿って整列横方向に移動させる。ガイドローラ１２６、
１２６’はシャトルあるいはキャリアを支持する。ガイ
ドローラはＴｅｆｌｏｎ（登録商標）被覆アルミ、Ｖｅ
ｓｐｅｌ（登録商標）、あるいは好ましくは粒子を著し
く発生せず且つ振動が抑制されるように柔軟なその他任
意の材料であってよい。
別の実施例の概略図であり、モータ２４２は駆動軸アッ
センブリ２４４なしでピニオン１２８を駆動する。複数
の側面ガイドローラ２４９、２５０が図６〜７に示した
トラック１２３、１２５上のガイドローラ１２６に隣接
した特定チャンバに装着される。同様の配列をトラック
１２４上のキャリア１２２に与えてよい。側面ガイドロ
ーラ２４９、２５０はシャトル１１８ （あるいはキャ
リア１２２）上の上方伸長ガイドレール２５２と係合
し、シャトルあるいはキャリアをそれぞれのトラックに
沿って整列横方向に移動させる。ガイドローラ１２６、
１２６’はシャトルあるいはキャリアを支持する。ガイ
ドローラはＴｅｆｌｏｎ（登録商標）被覆アルミ、Ｖｅ
ｓｐｅｌ（登録商標）、あるいは好ましくは粒子を著し
く発生せず且つ振動が抑制されるように柔軟なその他任
意の材料であってよい。
【００３２】図１２は基板キャリア１２２の概略斜視図
である。キャリア１２２はアルミあるいは銅、より好ま
しくはビードブラストおよび／または陽極酸化アルミ等
の伝熱材料から形成されるのが好ましい。物体のビード
ブラスト面は表面放射率を増大させる。放射率は同一温
度での黒体からの放射に対する表面からの放射の比であ
る。高放射率表面は、表面を陽極酸化又はビードブラス
ト，或いはそれらの組合わせによってといった、非処理
表面に対し放射率を増大させる表面処理によって形成し
てよい。例えば、非処理アルミ表面の標準的放射率は約
０.０３であり反射性が高い。表面放射率は表面を陽極
酸化することによって約０.２〜約０.４の範囲まで、あ
るいは表面をビードブラストおよび陽極酸化することに
よって約０.６までさらに高く増大することができる。
ビードブラストは例えば約８０ポンド／平方インチ（ｐ
ｓｉ）の空気圧でノズルを介して３６粒度ガーネットを
放出し、アルミがねずみ色っぽくなるまでアルミ表面に
衝撃を与えることによって実施してよい。当該技術で周
知のようにこれ以外の圧力、材料、粒度を用いてもよ
い。
である。キャリア１２２はアルミあるいは銅、より好ま
しくはビードブラストおよび／または陽極酸化アルミ等
の伝熱材料から形成されるのが好ましい。物体のビード
ブラスト面は表面放射率を増大させる。放射率は同一温
度での黒体からの放射に対する表面からの放射の比であ
る。高放射率表面は、表面を陽極酸化又はビードブラス
ト，或いはそれらの組合わせによってといった、非処理
表面に対し放射率を増大させる表面処理によって形成し
てよい。例えば、非処理アルミ表面の標準的放射率は約
０.０３であり反射性が高い。表面放射率は表面を陽極
酸化することによって約０.２〜約０.４の範囲まで、あ
るいは表面をビードブラストおよび陽極酸化することに
よって約０.６までさらに高く増大することができる。
ビードブラストは例えば約８０ポンド／平方インチ（ｐ
ｓｉ）の空気圧でノズルを介して３６粒度ガーネットを
放出し、アルミがねずみ色っぽくなるまでアルミ表面に
衝撃を与えることによって実施してよい。当該技術で周
知のようにこれ以外の圧力、材料、粒度を用いてもよ
い。
【００３３】キャリア１２２は歯部２６８と第１側面２
６４上に内側段差面２７２を有する歯付きラック２６０
と、歯部２７０と第２側面２６６上に内側段差面２７４
を有する歯付きラック２６２とを有するのが好ましい。
ラック２６０、２６２は図８に示した搬送シャトル１１
８のラック２０６、２０８と同様であり、同様にガイド
ローラ１２６およびピニオン１２８と係合する。キャリ
ア１２２は基板１１５を支持し、基板用のヒートシンク
を提供する。複数の孔部２７６ａ−ｆ（全般に孔部２７
６）はキャリア１２２内に配設され、図１３に示したピ
ンプレート１３２内のピン１４４が貫通可能となってい
る。キャリア１２２は基板１１５よりやや大きいのが好
ましく、その上にガイドストップ２７８ａ−ｆ（全般に
ガイドストップ２７８）が配設され基板１１５を横方向
に保持する。
６４上に内側段差面２７２を有する歯付きラック２６０
と、歯部２７０と第２側面２６６上に内側段差面２７４
を有する歯付きラック２６２とを有するのが好ましい。
ラック２６０、２６２は図８に示した搬送シャトル１１
８のラック２０６、２０８と同様であり、同様にガイド
ローラ１２６およびピニオン１２８と係合する。キャリ
ア１２２は基板１１５を支持し、基板用のヒートシンク
を提供する。複数の孔部２７６ａ−ｆ（全般に孔部２７
６）はキャリア１２２内に配設され、図１３に示したピ
ンプレート１３２内のピン１４４が貫通可能となってい
る。キャリア１２２は基板１１５よりやや大きいのが好
ましく、その上にガイドストップ２７８ａ−ｆ（全般に
ガイドストップ２７８）が配設され基板１１５を横方向
に保持する。
【００３４】処理前および／または後のキャリア温度を
設定するため、温度可変ピンプレート１３２等の冷却機
構が各ロードロックチャンバに隣接したプロセスチャン
バに具備される。 図１３はキャリア１２２の非基板受
取側に隣接して具備されるピンプレート１３２の概略斜
視図である。ピンプレート１３２はキャリア１２２と接
触するか近接配置され、キャリア温度、従ってその上に
支持される基板の温度を変化させる。ピンプレート１３
２はその上に配設され、ピンプレート１３２の表面２８
２から上方に伸長する複数のピン１４４ａ−ｆ（全般に
ピン１４４）を有する。ピン１４４はキャリア１２２の
孔部２７６と協働してピン１４４が貫通可能となるよう
離隔される。ピンプレート１３２は水、グリコール、あ
るいはその他好適な流体等の冷却剤が通る、プレート１
３２に形成されたチャネル２８４を具備することによっ
て温度可変であるのが好ましい。入口ライン１４８は冷
却剤をチャネル２８４に送出し、出口ラインはチャネル
２８４から離隔した冷却剤用ダクトを具備する。チャネ
ル２８４は例えばチャネル２８４の一部を２枚のプレー
トに形成してプレートを互いに封止したり、あるいはピ
ンプレート１３２の異なる側面と端部に穿孔して通路を
形成し、入口ライン１４８に接続する入口と出口ライン
１５０に接続する出口を残し残りの孔部に栓をすること
によって形成してよい。また、表面２８２は好ましくは
例えばビードブラストおよび／または陽極酸化によって
形成された高放射率表面であるので、伝熱は効果的に行
われる。
設定するため、温度可変ピンプレート１３２等の冷却機
構が各ロードロックチャンバに隣接したプロセスチャン
バに具備される。 図１３はキャリア１２２の非基板受
取側に隣接して具備されるピンプレート１３２の概略斜
視図である。ピンプレート１３２はキャリア１２２と接
触するか近接配置され、キャリア温度、従ってその上に
支持される基板の温度を変化させる。ピンプレート１３
２はその上に配設され、ピンプレート１３２の表面２８
２から上方に伸長する複数のピン１４４ａ−ｆ（全般に
ピン１４４）を有する。ピン１４４はキャリア１２２の
孔部２７６と協働してピン１４４が貫通可能となるよう
離隔される。ピンプレート１３２は水、グリコール、あ
るいはその他好適な流体等の冷却剤が通る、プレート１
３２に形成されたチャネル２８４を具備することによっ
て温度可変であるのが好ましい。入口ライン１４８は冷
却剤をチャネル２８４に送出し、出口ラインはチャネル
２８４から離隔した冷却剤用ダクトを具備する。チャネ
ル２８４は例えばチャネル２８４の一部を２枚のプレー
トに形成してプレートを互いに封止したり、あるいはピ
ンプレート１３２の異なる側面と端部に穿孔して通路を
形成し、入口ライン１４８に接続する入口と出口ライン
１５０に接続する出口を残し残りの孔部に栓をすること
によって形成してよい。また、表面２８２は好ましくは
例えばビードブラストおよび／または陽極酸化によって
形成された高放射率表面であるので、伝熱は効果的に行
われる。
【００３５】図６に示した基板１１５がピンプレート１
３２によって持ち上げられ基板をキャリアとシャトル間
に搬送する場合、ピンプレート１３２はキャリア１２２
と物理的に接触し、キャリア１２２の温度を下げる。ま
た、ピンプレートを用いてキャリアを加熱してもよい。
キャリアを加熱／冷却することによって、基板の温度は
推論的に所望温度に上昇あるいは降下する。温度はモニ
タ可能なので、冷却あるいは加熱の物理的接触時間は制
御可能である。軸１３６はピンプレート１３２の下面に
装着され、図７に示したリフトモータ１４０は軸１３６
に装着される。リフトモータは、ピンプレートが基板を
シャトル１１８とキャリア１２２間に搬送する際にピン
プレート１３２を上昇・降下させる軸を上昇・降下させ
る。ピンプレート１３４は同様に構成してよい。
３２によって持ち上げられ基板をキャリアとシャトル間
に搬送する場合、ピンプレート１３２はキャリア１２２
と物理的に接触し、キャリア１２２の温度を下げる。ま
た、ピンプレートを用いてキャリアを加熱してもよい。
キャリアを加熱／冷却することによって、基板の温度は
推論的に所望温度に上昇あるいは降下する。温度はモニ
タ可能なので、冷却あるいは加熱の物理的接触時間は制
御可能である。軸１３６はピンプレート１３２の下面に
装着され、図７に示したリフトモータ１４０は軸１３６
に装着される。リフトモータは、ピンプレートが基板を
シャトル１１８とキャリア１２２間に搬送する際にピン
プレート１３２を上昇・降下させる軸を上昇・降下させ
る。ピンプレート１３４は同様に構成してよい。
【００３６】図１４は図６、７に示した装置の別の実施
例の側面図である。図１４に示した装置はプレート３０
０を含み、プレート３００の温度は図６、７に示したピ
ンプレート１３２、１３４と同様に制御可能である。プ
レート３００はピンプレートと同様に冷却されるのが好
ましいが、所望なら、プレート３００は加熱してよい。
プレート３００は矩形状であってよく、プロセスチャン
バ９６の側壁間等の数箇所に装着されるか、チャンバの
底部に接続されるスタンド３０７に支持されてよい。プ
レート３００は、プレートの一面上かプレートの下から
出てもよい流体入口３０４と流体出口３０６とを有す
る。プレート３００は冷却温度をプロセスチャンバ内の
様々な面に搬送することによってプロセスチャンバ内の
温度を下げることができる。プレート３００は冷却され
たピンプレート１３２、１３４と共に用いるのが好まし
い。プレート３００の上部３０８等高温のチャンバ面に
向いた面は処理して放射率を高めてよい。放射率の上昇
はプレート３００の放射温度が基板１１５を支持するキ
ャリア１２２を含むプロセスチャンバ９６内の高温面に
移動するのを助ける。例えば、プレート３００は陽極酸
化あるいはビードブラストあるいはそれらの組合わせを
行って放射率を上昇できる。
例の側面図である。図１４に示した装置はプレート３０
０を含み、プレート３００の温度は図６、７に示したピ
ンプレート１３２、１３４と同様に制御可能である。プ
レート３００はピンプレートと同様に冷却されるのが好
ましいが、所望なら、プレート３００は加熱してよい。
プレート３００は矩形状であってよく、プロセスチャン
バ９６の側壁間等の数箇所に装着されるか、チャンバの
底部に接続されるスタンド３０７に支持されてよい。プ
レート３００は、プレートの一面上かプレートの下から
出てもよい流体入口３０４と流体出口３０６とを有す
る。プレート３００は冷却温度をプロセスチャンバ内の
様々な面に搬送することによってプロセスチャンバ内の
温度を下げることができる。プレート３００は冷却され
たピンプレート１３２、１３４と共に用いるのが好まし
い。プレート３００の上部３０８等高温のチャンバ面に
向いた面は処理して放射率を高めてよい。放射率の上昇
はプレート３００の放射温度が基板１１５を支持するキ
ャリア１２２を含むプロセスチャンバ９６内の高温面に
移動するのを助ける。例えば、プレート３００は陽極酸
化あるいはビードブラストあるいはそれらの組合わせを
行って放射率を上昇できる。
【００３７】図１５、１６はそれぞれプレート３００の
正面図および側面図である。プレート３００は１つ以上
のチャネル３０２が内部に形成されてよい。ピンプレー
ト同様、チャネル３０２は２枚のプレートに形成し、次
に互いに接合してチャネルを完成してよい。また、チャ
ネル３０２はプレート３００の側面を穿孔し、プレート
側面でチャネルの各部を封止することによって形成し
て、冷却剤の流れがプレート３００あるいは当業者周知
の他の方法を貫通するようにする。
正面図および側面図である。プレート３００は１つ以上
のチャネル３０２が内部に形成されてよい。ピンプレー
ト同様、チャネル３０２は２枚のプレートに形成し、次
に互いに接合してチャネルを完成してよい。また、チャ
ネル３０２はプレート３００の側面を穿孔し、プレート
側面でチャネルの各部を封止することによって形成し
て、冷却剤の流れがプレート３００あるいは当業者周知
の他の方法を貫通するようにする。
【００３８】図６〜１３に示した装置の実施例は単一系
列チャンバを示す。本発明は多数系列チャンバに供給す
る中央受取ステーションに並列あるいは直列に設けられ
た多数系列チャンバに適用可能である。図１７はローデ
ィングロードロックチャンバとプロセスチャンバとアン
ローディングロードロックチャンバとロボットとを有す
る装置の正面図である。装置は一端がローディングロー
ドロックチャンバ９２に他端がアンローディングロード
ロックチャンバ９４に結合された単一系列プロセスチャ
ンバ９５、９６を含む。カセット３１０、３１２、３１
４は大気状態で作動されるトラックロボット３１６を支
持するトラック３１８の一端に配設される。各ロードロ
ックチャンバはトラックロボット３１６に結合される。
装置は図６〜１３を参照して説明した系列チャンバ同様
に配置される。説明したように、基板はロボットによっ
てローディングロードロックチャンバ内に移動させら
れ、処理され、アンローディングロードロックチャンバ
から回収される。
列チャンバを示す。本発明は多数系列チャンバに供給す
る中央受取ステーションに並列あるいは直列に設けられ
た多数系列チャンバに適用可能である。図１７はローデ
ィングロードロックチャンバとプロセスチャンバとアン
ローディングロードロックチャンバとロボットとを有す
る装置の正面図である。装置は一端がローディングロー
ドロックチャンバ９２に他端がアンローディングロード
ロックチャンバ９４に結合された単一系列プロセスチャ
ンバ９５、９６を含む。カセット３１０、３１２、３１
４は大気状態で作動されるトラックロボット３１６を支
持するトラック３１８の一端に配設される。各ロードロ
ックチャンバはトラックロボット３１６に結合される。
装置は図６〜１３を参照して説明した系列チャンバ同様
に配置される。説明したように、基板はロボットによっ
てローディングロードロックチャンバ内に移動させら
れ、処理され、アンローディングロードロックチャンバ
から回収される。
【００３９】図１８は図１７の装置の変形例を示し、両
側系列チャンバがトラックロボット３１６に結合されて
いる。第１系列チャンバはプロセスチャンバ９５ａ、９
６ａを含み、一端がローディングロードロックチャンバ
９２ａに結合され、他端がアンローディングロードロッ
クチャンバ９４ａに結合される。第２系列は一端がロー
ディングロードロックチャンバ９２ｂに結合され、他端
がアンローディングロードロックチャンバ９４ｂに結合
されたプロセスチャンバ９５ｂ、９６ｂを含む。スル―
プット率は第１基板１１４ａを第１系列チャンバ内の第
１ローディングロードロックチャンバ９２ａに、また第
１基板１１４ａの処理中に第２基板１１４ｂを第２系列
チャンバ内の第２ローディングロードロックチャンバ１
１４ｂにロードするロボット３１６によって増大可能で
ある。同様に基板１１６ａは、基板１１６ｂがプロセス
チャンバ９６ｂからアンローディングロードロックチャ
ンバ９４に搬送されロボット３１６による撤去を待つ間
にロボットによってアンロードされてよい。チャンバ内
のタイミングおよびシーケンスによっては、ロボットの
ある中央ローディング領域と交差する３あるいは４系列
チャンバ等これ以外の構成も可能である。
側系列チャンバがトラックロボット３１６に結合されて
いる。第１系列チャンバはプロセスチャンバ９５ａ、９
６ａを含み、一端がローディングロードロックチャンバ
９２ａに結合され、他端がアンローディングロードロッ
クチャンバ９４ａに結合される。第２系列は一端がロー
ディングロードロックチャンバ９２ｂに結合され、他端
がアンローディングロードロックチャンバ９４ｂに結合
されたプロセスチャンバ９５ｂ、９６ｂを含む。スル―
プット率は第１基板１１４ａを第１系列チャンバ内の第
１ローディングロードロックチャンバ９２ａに、また第
１基板１１４ａの処理中に第２基板１１４ｂを第２系列
チャンバ内の第２ローディングロードロックチャンバ１
１４ｂにロードするロボット３１６によって増大可能で
ある。同様に基板１１６ａは、基板１１６ｂがプロセス
チャンバ９６ｂからアンローディングロードロックチャ
ンバ９４に搬送されロボット３１６による撤去を待つ間
にロボットによってアンロードされてよい。チャンバ内
のタイミングおよびシーケンスによっては、ロボットの
ある中央ローディング領域と交差する３あるいは４系列
チャンバ等これ以外の構成も可能である。
【００４０】作動 全般に図６、７を参照すると、作動中、基板１１４はロ
ーディングロードロックチャンバ９２内の弁１０２を介
してロボット１１０によってローディングロードロック
チャンバ９２に送達される。ロボット１１０は基板１１
４を搬送シャトル１１８上に配設された支持指部１９８
上に配置する。ロボット１１０はローディングロードロ
ックチャンバ９２から後退し、弁１０２が閉となる。ロ
ーディングロードロックチャンバ９２はバキュームソー
ス（図示せず）によってＣＶＤ処理の場合約１０ｍトル
〜約５０ｍトル、ＰＶＤ処理の場合約１ｍトル〜約５ｍ
トルの範囲の真空状態にされる。二三のロードロックチ
ャンバでは、基板１１４はヒートランプ、抵抗コイル、
あるいはその他の加熱デバイスによって処理温度に加熱
してもよい。プロセスチャンバ９６の隔離弁９８は開と
され、シャトル１１８はシャトル１１８上のラック２０
６と回転可能に係合するピニオン１２８によってトラッ
ク１２３に沿って移動される。センサ（図示せず）はシ
ャトル１１８の位置を判定し、コントローラ２４８に入
力を供給してシャトルの動作を制御する。
ーディングロードロックチャンバ９２内の弁１０２を介
してロボット１１０によってローディングロードロック
チャンバ９２に送達される。ロボット１１０は基板１１
４を搬送シャトル１１８上に配設された支持指部１９８
上に配置する。ロボット１１０はローディングロードロ
ックチャンバ９２から後退し、弁１０２が閉となる。ロ
ーディングロードロックチャンバ９２はバキュームソー
ス（図示せず）によってＣＶＤ処理の場合約１０ｍトル
〜約５０ｍトル、ＰＶＤ処理の場合約１ｍトル〜約５ｍ
トルの範囲の真空状態にされる。二三のロードロックチ
ャンバでは、基板１１４はヒートランプ、抵抗コイル、
あるいはその他の加熱デバイスによって処理温度に加熱
してもよい。プロセスチャンバ９６の隔離弁９８は開と
され、シャトル１１８はシャトル１１８上のラック２０
６と回転可能に係合するピニオン１２８によってトラッ
ク１２３に沿って移動される。センサ（図示せず）はシ
ャトル１１８の位置を判定し、コントローラ２４８に入
力を供給してシャトルの動作を制御する。
【００４１】プロセスチャンバ９６の内部において、キ
ャリア１２２はシャトル１１８と同様、キャリア１２２
上のラック２６０と回転可能に係合するピニオン１２８
によってキャリア１２２を移動させることによってピン
プレート１３２の上方に配置される。シャトル１１８は
ピンプレート１３２からキャリア１２２およびピン１４
４の上方位置に移動されるとともに整列される。リフト
モータ１４０は軸１３６を持ち上げ、該軸はピンプレー
ト１３２をキャリア１２２と上昇接触させる。ピン１４
４はキャリア１２２内の孔部２７６を上方貫通して伸長
し、基板を支持するシャトル１１８上の支持指部１９８
から基板（プロセスチャンバ内の１１５で示す）を持ち
上げる。シャトル１１８はローディングロードロックチ
ャンバ９２内に後退し、隔離弁９８は閉となり、これに
よりプロセスチャンバ９６を封止する。リフトモータ１
４０は軸１３６およびピンプレート１３２を降下させ、
よって基板１１５を支持するピン１４４を降下させる。
基板１１５はキャリア１２２支持面と当接し、ピン１４
４はピンが少なくともキャリア１２２より下に下がるま
で降下し続ける。キャリア１２２はキャリア位置を検知
しコントローラ２４８に入力を供給するセンサ（図示せ
ず）を用いて、キャリア１２２上のラック２６０と係合
するピニオン１２８によってトラック１２４に沿って移
動される。ガイドローラ１２６はトラック１２４に沿っ
て移動するのでキャリア１２２と当接し、トラック１２
４に沿ったキャリア１２２の整列維持を助ける。また、
ピン１４４はピンプレート１３２から分離され、例えば
ピンに結合された別のリフトモータ（図示せず）を用い
てピンプレート１３２とは無関係に上昇・降下させても
よい。ピンとピンプレートとの分離によって、ピンが基
板を上昇・降下する間ピンプレートはキャリアと長く接
触可能である。
ャリア１２２はシャトル１１８と同様、キャリア１２２
上のラック２６０と回転可能に係合するピニオン１２８
によってキャリア１２２を移動させることによってピン
プレート１３２の上方に配置される。シャトル１１８は
ピンプレート１３２からキャリア１２２およびピン１４
４の上方位置に移動されるとともに整列される。リフト
モータ１４０は軸１３６を持ち上げ、該軸はピンプレー
ト１３２をキャリア１２２と上昇接触させる。ピン１４
４はキャリア１２２内の孔部２７６を上方貫通して伸長
し、基板を支持するシャトル１１８上の支持指部１９８
から基板（プロセスチャンバ内の１１５で示す）を持ち
上げる。シャトル１１８はローディングロードロックチ
ャンバ９２内に後退し、隔離弁９８は閉となり、これに
よりプロセスチャンバ９６を封止する。リフトモータ１
４０は軸１３６およびピンプレート１３２を降下させ、
よって基板１１５を支持するピン１４４を降下させる。
基板１１５はキャリア１２２支持面と当接し、ピン１４
４はピンが少なくともキャリア１２２より下に下がるま
で降下し続ける。キャリア１２２はキャリア位置を検知
しコントローラ２４８に入力を供給するセンサ（図示せ
ず）を用いて、キャリア１２２上のラック２６０と係合
するピニオン１２８によってトラック１２４に沿って移
動される。ガイドローラ１２６はトラック１２４に沿っ
て移動するのでキャリア１２２と当接し、トラック１２
４に沿ったキャリア１２２の整列維持を助ける。また、
ピン１４４はピンプレート１３２から分離され、例えば
ピンに結合された別のリフトモータ（図示せず）を用い
てピンプレート１３２とは無関係に上昇・降下させても
よい。ピンとピンプレートとの分離によって、ピンが基
板を上昇・降下する間ピンプレートはキャリアと長く接
触可能である。
【００４２】キャリア１２２は処理位置に移動される。
例えば処理がスパッタリングを含む場合、キャリア１２
２はターゲット１５６、１５８、１６０、１６２の少な
くとも１つの下の位置に移動される。電力がターゲット
に供給されターゲットをバイアスし、プラズマが発生さ
れる。プラズマからのイオンがターゲットに衝撃を与
え、ターゲットから材料を除去する。除去された材料の
一部は基板１１５への経路を進み、その上に堆積する。
隔壁１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はスパッ
タされる特定ターゲットを隣接処理区域および／または
他のターゲットから隔離するのを助ける。基板１１５の
前縁は異なる材料から形成されたターゲットを有する別
の処理区域等、系列処理区域１７２、１７４、１７６、
１７８内の次の処理区域に移動される。電力が次の処理
区域内のターゲットに供給されてターゲットがスパッタ
され、ターゲット材料が先に堆積した材料の上に堆積す
る。処理は、基板が特定プロセスチャンバ９６の管理状
態にて処理を完了するまで、系列処理区域１７２、１７
４、１７６、１７８を通して継続される。説明したよう
に、処理区域が基板と同じ大きさであるか又はより大き
い必要がないのは、基板は特定区域で処理環境に露出さ
れるので処理区域を貫通して移動可能であるからであ
る。基板が処理区域を貫通すると、キャリア１２２はア
ンローディングロードロックチャンバ９４に隣接配置さ
れたピンプレート１３４の上方位置に移動されるととも
に整列される。また、別のプロセスチャンバがプロセス
チャンバ９６と直列に結合される場合、キャリアを次の
チャンバ内に移動させてもよく、あるいは基板を次のプ
ロセスチャンバ内の別のキャリアに搬送してもよい。ピ
ンプレート１３４が持ち上げられ、ピン１４６がキャリ
ア１２２を貫通して伸長し、これによりキャリア１２２
の上方に基板１１５を上昇させる。アンローディングロ
ードロックチャンバ９４内の搬送シャトル１２０はトラ
ック１２５に沿って移動され、アンローディングロード
ロックチャンバ９４からアンローディングロードロック
チャンバ９４とプロセスチャンバ９６間の隔離弁１００
を経て、上昇基板１１５の下に配設された指部１９８を
有するキャリア１２２の上方位置に移動する。モータ１
４２はピン１４６を降下させ、該ピンは基板１１５をシ
ャトル１２０の指部１９８に降下させる。シャトル１２
０は隔離弁１００を介してアンローディングロードロッ
クチャンバ９４内に戻り、隔離弁１００は閉となりプロ
セスチャンバを再び封止する。アンローディングロード
ロックチャンバ９４が基板（アンローディングロードロ
ックチャンバ内の１１６で示す）を冷却してから、弁１
０４が開とされ、ロボット１１２がさらなる処理のため
に基板１１６を回収するのを可能にする。キャリア１２
２への搬送を待つローディングロードロックチャンバ９
２内の基板１１４、プロセスチャンバ９６内で処理され
る基板１１５、アンローディングロードロックチャンバ
９４からの搬送を待つ基板１１６等複数の基板を同時に
チャンバに配設してよい。
例えば処理がスパッタリングを含む場合、キャリア１２
２はターゲット１５６、１５８、１６０、１６２の少な
くとも１つの下の位置に移動される。電力がターゲット
に供給されターゲットをバイアスし、プラズマが発生さ
れる。プラズマからのイオンがターゲットに衝撃を与
え、ターゲットから材料を除去する。除去された材料の
一部は基板１１５への経路を進み、その上に堆積する。
隔壁１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はスパッ
タされる特定ターゲットを隣接処理区域および／または
他のターゲットから隔離するのを助ける。基板１１５の
前縁は異なる材料から形成されたターゲットを有する別
の処理区域等、系列処理区域１７２、１７４、１７６、
１７８内の次の処理区域に移動される。電力が次の処理
区域内のターゲットに供給されてターゲットがスパッタ
され、ターゲット材料が先に堆積した材料の上に堆積す
る。処理は、基板が特定プロセスチャンバ９６の管理状
態にて処理を完了するまで、系列処理区域１７２、１７
４、１７６、１７８を通して継続される。説明したよう
に、処理区域が基板と同じ大きさであるか又はより大き
い必要がないのは、基板は特定区域で処理環境に露出さ
れるので処理区域を貫通して移動可能であるからであ
る。基板が処理区域を貫通すると、キャリア１２２はア
ンローディングロードロックチャンバ９４に隣接配置さ
れたピンプレート１３４の上方位置に移動されるととも
に整列される。また、別のプロセスチャンバがプロセス
チャンバ９６と直列に結合される場合、キャリアを次の
チャンバ内に移動させてもよく、あるいは基板を次のプ
ロセスチャンバ内の別のキャリアに搬送してもよい。ピ
ンプレート１３４が持ち上げられ、ピン１４６がキャリ
ア１２２を貫通して伸長し、これによりキャリア１２２
の上方に基板１１５を上昇させる。アンローディングロ
ードロックチャンバ９４内の搬送シャトル１２０はトラ
ック１２５に沿って移動され、アンローディングロード
ロックチャンバ９４からアンローディングロードロック
チャンバ９４とプロセスチャンバ９６間の隔離弁１００
を経て、上昇基板１１５の下に配設された指部１９８を
有するキャリア１２２の上方位置に移動する。モータ１
４２はピン１４６を降下させ、該ピンは基板１１５をシ
ャトル１２０の指部１９８に降下させる。シャトル１２
０は隔離弁１００を介してアンローディングロードロッ
クチャンバ９４内に戻り、隔離弁１００は閉となりプロ
セスチャンバを再び封止する。アンローディングロード
ロックチャンバ９４が基板（アンローディングロードロ
ックチャンバ内の１１６で示す）を冷却してから、弁１
０４が開とされ、ロボット１１２がさらなる処理のため
に基板１１６を回収するのを可能にする。キャリア１２
２への搬送を待つローディングロードロックチャンバ９
２内の基板１１４、プロセスチャンバ９６内で処理され
る基板１１５、アンローディングロードロックチャンバ
９４からの搬送を待つ基板１１６等複数の基板を同時に
チャンバに配設してよい。
【００４３】キャリア１２２はトラック１２４に沿って
ローディングロードロックチャンバ９２からローディン
グロードロックチャンバ９２の別の基板位置ヘ戻され
る。また、プロセスチャンバシーケンスによって自由度
が得られる場合、各ロードロックチャンバはローディン
グロードロックチャンバとして、またアンローディング
ロードロックチャンバとして使用してよい。処理用基板
をアンローディングロードロックチャンバ９４からキャ
リア１２２上に配置し、プロセスチャンバ９６を通って
ローディングロードロックチャンバ９２へ移動させてよ
く、次に基板はローディングのためローディングロード
ロックチャンバへ移動される。
ローディングロードロックチャンバ９２からローディン
グロードロックチャンバ９２の別の基板位置ヘ戻され
る。また、プロセスチャンバシーケンスによって自由度
が得られる場合、各ロードロックチャンバはローディン
グロードロックチャンバとして、またアンローディング
ロードロックチャンバとして使用してよい。処理用基板
をアンローディングロードロックチャンバ９４からキャ
リア１２２上に配置し、プロセスチャンバ９６を通って
ローディングロードロックチャンバ９２へ移動させてよ
く、次に基板はローディングのためローディングロード
ロックチャンバへ移動される。
【００４４】図２に示したインライン装置４０でのよう
に、キャリア１２２は処理環境を離れず、温度変動や熱
循環も汚染環境への露出も被らないことが好ましい。シ
ャトル１１８、１２０はプロセスチャンバ９６内に一時
的に配置され、主としてそれぞれのロードロックチャン
バ９２、９４内に保持されるが、キャリア１２２が受け
る材料堆積あるいはその他の処理結果を受けない。よっ
て、本発明は処理環境内に少なくとも大部分、好ましく
は全部保持された構成部品および非処理環境内に少なく
とも大部分保持された構成部品の中において異なる支持
構成部品の分離を提供する。また、本発明は堆積サイク
ル間あるいはシャトルから／への基板のローディングあ
るいはアンローディング時等に温度可変プレートと断続
的に当接することによって、あるいはプレートに近づけ
キャリア温度に影響を与えることによって、処理環境内
に保持されたキャリアの温度の制御を助ける。キャリア
は温度可変プレートによって冷却され、基板処理熱によ
ってキャリアの平均温度が上方に「クリープ」しないよ
うにする。
に、キャリア１２２は処理環境を離れず、温度変動や熱
循環も汚染環境への露出も被らないことが好ましい。シ
ャトル１１８、１２０はプロセスチャンバ９６内に一時
的に配置され、主としてそれぞれのロードロックチャン
バ９２、９４内に保持されるが、キャリア１２２が受け
る材料堆積あるいはその他の処理結果を受けない。よっ
て、本発明は処理環境内に少なくとも大部分、好ましく
は全部保持された構成部品および非処理環境内に少なく
とも大部分保持された構成部品の中において異なる支持
構成部品の分離を提供する。また、本発明は堆積サイク
ル間あるいはシャトルから／への基板のローディングあ
るいはアンローディング時等に温度可変プレートと断続
的に当接することによって、あるいはプレートに近づけ
キャリア温度に影響を与えることによって、処理環境内
に保持されたキャリアの温度の制御を助ける。キャリア
は温度可変プレートによって冷却され、基板処理熱によ
ってキャリアの平均温度が上方に「クリープ」しないよ
うにする。
【００４５】処理例―ＩＴＯ／ＭｏＣｒ／ＭｏＣｒスパ
ッタ堆積 処理装置は異なる材料および処理状態を用いる多様な処
理に利用可能である。次の例は単に図１９〜２３の側面
図に略示した反応性および非反応性処理区域を用いる場
合の一可能性を示すにすぎない。一般に平坦ガラスパネ
ル用のガラス基板に堆積される一物質は酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）である。１つ以上のクロムモリブデン
（ＭｏＣｒ）層がＩＴＯ層の上に堆積される。代表的な
平坦ガラス基板用材料の別の例はＣｒ、ＩＴＯ、Ｃｒ
Ｏ、Ｔａ、Ａｌを含む。
ッタ堆積 処理装置は異なる材料および処理状態を用いる多様な処
理に利用可能である。次の例は単に図１９〜２３の側面
図に略示した反応性および非反応性処理区域を用いる場
合の一可能性を示すにすぎない。一般に平坦ガラスパネ
ル用のガラス基板に堆積される一物質は酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）である。１つ以上のクロムモリブデン
（ＭｏＣｒ）層がＩＴＯ層の上に堆積される。代表的な
平坦ガラス基板用材料の別の例はＣｒ、ＩＴＯ、Ｃｒ
Ｏ、Ｔａ、Ａｌを含む。
【００４６】基板はローディングロードロックチャンバ
９２内のシャトル１１８にロードされ、ローディングロ
ードロックチャンバ９２内に約１ｍトル〜約５０ｍトル
の真空状態を発生し、シャトル１１８は基板１１５をプ
ロセスチャンバ９６内に移動した。基板１１５はピンプ
レート１３２の上方に配置されたキャリア１２２へ搬送
され、シャトル１１８はローディングロードロックチャ
ンバ９２へ戻り、ピンプレート１３２は降下した。図１
９に示したように、キャリア１２２は基板１１５をＩＴ
Ｏターゲット３２６を含む第１処理区域３２０の下の処
理位置に移動した。アルゴンあるいはその他の不活性ガ
スが処理区域に約３４標準立方センチメートル（ｓｃｃ
ｍ）の速度で流入し、処理を安定させるとともに第１処
理区域からの汚染物質排出を助けた。また、二原子酸素
も第１処理区域に約０．１７ｓｃｃｍの速度で流入し
た。基板１１５の上方あるいは隣接して配置されたＩＴ
Ｏターゲット３２６に約２０００ワットを加えてプラズ
マを発生し、ＩＴＯターゲット３２６がスパッタされ約
４０秒で基板上に約５００ÅのＩＴＯ層厚を形成した。
図２０に示したように、基板１１５の大きさのため、キ
ャリアは基板１１５の一部を第２処理区域３２２および
第３処理区域３２４を越えて移動させ、第１処理区域３
２０内の基板１１５の処理を終了した。
９２内のシャトル１１８にロードされ、ローディングロ
ードロックチャンバ９２内に約１ｍトル〜約５０ｍトル
の真空状態を発生し、シャトル１１８は基板１１５をプ
ロセスチャンバ９６内に移動した。基板１１５はピンプ
レート１３２の上方に配置されたキャリア１２２へ搬送
され、シャトル１１８はローディングロードロックチャ
ンバ９２へ戻り、ピンプレート１３２は降下した。図１
９に示したように、キャリア１２２は基板１１５をＩＴ
Ｏターゲット３２６を含む第１処理区域３２０の下の処
理位置に移動した。アルゴンあるいはその他の不活性ガ
スが処理区域に約３４標準立方センチメートル（ｓｃｃ
ｍ）の速度で流入し、処理を安定させるとともに第１処
理区域からの汚染物質排出を助けた。また、二原子酸素
も第１処理区域に約０．１７ｓｃｃｍの速度で流入し
た。基板１１５の上方あるいは隣接して配置されたＩＴ
Ｏターゲット３２６に約２０００ワットを加えてプラズ
マを発生し、ＩＴＯターゲット３２６がスパッタされ約
４０秒で基板上に約５００ÅのＩＴＯ層厚を形成した。
図２０に示したように、基板１１５の大きさのため、キ
ャリアは基板１１５の一部を第２処理区域３２２および
第３処理区域３２４を越えて移動させ、第１処理区域３
２０内の基板１１５の処理を終了した。
【００４７】図２１に示したように、基板１１５は第１
処理区域に隣接するか第１処理区域から遠隔していてよ
い第２処理区域３２２に移動された。基板が大きく、ま
た第１処理区域が第２処理区域に近接しているため、キ
ャリア方向が逆にされ基板１１５を第２処理区域３２２
と整列するよう移動した。また、基板１１５も第１処理
区域３２０を貫通移動するので、第２処理区域３２２を
堆積に備えて活性化してもよい。この例では、第２処理
区域３２２はＭｏＣｒターゲット３２８を含んでいた。
これ以外の材料を堆積するため、例えば酸化およびその
他反応ガスを用いる／用いないＣｒ、ＩＴＯ、Ｔａ、Ａ
ｌターゲットを含む対応類似材料ターゲットを用いても
よい。反応性処理を用いて基板１１５上にスパッタＭｏ
Ｃｒの酸化層を形成し、堆積ＩＴＯ層と次の各層間の粘
着性を向上させた。アルゴンあるいはその他の不活性ガ
スは第２処理区域３２２に約３０ｓｃｃｍの速度で流入
した。また、二原子酸素も第２処理区域３２２に約３０
ｓｃｃｍの速度で流入して反応性ガスを提供し、ＭｏＣ
ｒスパッタ材料と反応しＭｏＣｒＯの酸化粘着層を形成
した。基板１１５の上方に配置されたＭｏＣｒターゲッ
ト３２８に約１０００ワットを加えてプラズマを発生
し、酸素の存在下でＭｏＣｒターゲット３２８がスパッ
タされ約４秒で約１４ÅのＭｏＣｒＯ層厚を形成した。
処理区域に隣接するか第１処理区域から遠隔していてよ
い第２処理区域３２２に移動された。基板が大きく、ま
た第１処理区域が第２処理区域に近接しているため、キ
ャリア方向が逆にされ基板１１５を第２処理区域３２２
と整列するよう移動した。また、基板１１５も第１処理
区域３２０を貫通移動するので、第２処理区域３２２を
堆積に備えて活性化してもよい。この例では、第２処理
区域３２２はＭｏＣｒターゲット３２８を含んでいた。
これ以外の材料を堆積するため、例えば酸化およびその
他反応ガスを用いる／用いないＣｒ、ＩＴＯ、Ｔａ、Ａ
ｌターゲットを含む対応類似材料ターゲットを用いても
よい。反応性処理を用いて基板１１５上にスパッタＭｏ
Ｃｒの酸化層を形成し、堆積ＩＴＯ層と次の各層間の粘
着性を向上させた。アルゴンあるいはその他の不活性ガ
スは第２処理区域３２２に約３０ｓｃｃｍの速度で流入
した。また、二原子酸素も第２処理区域３２２に約３０
ｓｃｃｍの速度で流入して反応性ガスを提供し、ＭｏＣ
ｒスパッタ材料と反応しＭｏＣｒＯの酸化粘着層を形成
した。基板１１５の上方に配置されたＭｏＣｒターゲッ
ト３２８に約１０００ワットを加えてプラズマを発生
し、酸素の存在下でＭｏＣｒターゲット３２８がスパッ
タされ約４秒で約１４ÅのＭｏＣｒＯ層厚を形成した。
【００４８】図２２に示したように、キャリア１２２は
再び方向を逆にされ、基板１１５を別層の処理位置に移
動した。この例では、非反応性処理でＭｏＣｒの２００
０Å厚の層がＭｏＣｒＯ層上に堆積した。ＭｏＣｒター
ゲット３２８、３３０を含む両処理区域は高いスル―プ
ット率のために利用された。アルゴンあるいはその他の
不活性ガスは各処理区域に約７５ｓｃｃｍの速度で流入
した。第２あるいは第３処理区域３２２、３２４にそれ
ぞれ流入した酸素は実質的にゼロであった。基板１１５
の上方に配置された各ＭｏＣｒターゲット３２８、３３
０に約１３０００ワットを加えて処理区域３２２、３２
４内にプラズマを発生し、ＭｏＣｒターゲット３２８、
３３０が約４４秒間スパッタされ約２０００ÅのＭｏＣ
ｒ層厚を形成した。
再び方向を逆にされ、基板１１５を別層の処理位置に移
動した。この例では、非反応性処理でＭｏＣｒの２００
０Å厚の層がＭｏＣｒＯ層上に堆積した。ＭｏＣｒター
ゲット３２８、３３０を含む両処理区域は高いスル―プ
ット率のために利用された。アルゴンあるいはその他の
不活性ガスは各処理区域に約７５ｓｃｃｍの速度で流入
した。第２あるいは第３処理区域３２２、３２４にそれ
ぞれ流入した酸素は実質的にゼロであった。基板１１５
の上方に配置された各ＭｏＣｒターゲット３２８、３３
０に約１３０００ワットを加えて処理区域３２２、３２
４内にプラズマを発生し、ＭｏＣｒターゲット３２８、
３３０が約４４秒間スパッタされ約２０００ÅのＭｏＣ
ｒ層厚を形成した。
【００４９】図２３に示したように、基板は処理区域３
２０、３２２、３２４から撤去され、さらなる処理のた
めアンローディングロードロックチャンバ９４に搬送さ
れた。
２０、３２２、３２４から撤去され、さらなる処理のた
めアンローディングロードロックチャンバ９４に搬送さ
れた。
【００５０】シャトル、キャリア、基板、ロボット、チ
ャンバ、ターゲットおよびその他の装置構成部品の配向
の変形は可能である。加うるに、説明した「上方」、
「上面」、「下方」、「下」、「底部」、「側面」等の
動作および位置はすべてターゲット、チャンバ、キャリ
アおよびシャトル等の物体の位置に対するものである。
従って、本発明は任意のあるいはすべての構成部品を配
向し処理装置を通して所望の基板動作を達成すると考え
られる。
ャンバ、ターゲットおよびその他の装置構成部品の配向
の変形は可能である。加うるに、説明した「上方」、
「上面」、「下方」、「下」、「底部」、「側面」等の
動作および位置はすべてターゲット、チャンバ、キャリ
アおよびシャトル等の物体の位置に対するものである。
従って、本発明は任意のあるいはすべての構成部品を配
向し処理装置を通して所望の基板動作を達成すると考え
られる。
【００５１】上記は本発明の好適な実施例を対象とする
が、基本範囲を逸脱しないなら別のさらなる本発明の実
施例を考案してよく、該範囲は請求項によって決定され
るものである。
が、基本範囲を逸脱しないなら別のさらなる本発明の実
施例を考案してよく、該範囲は請求項によって決定され
るものである。
【図１】代表的クラスタツール装置の概略平面図であ
る。
る。
【図２】代表的インライン装置の概略側面図である。
【図３】図２に示したインライン装置内の各チャンバの
概略平面図である。
概略平面図である。
【図４】インライン装置内の基板キャリアの概略側面図
である。
である。
【図５】インライン装置内の基板キャリアの概略端面図
である。
である。
【図６】本発明の連続堆積インライン装置の概略平面図
である。
である。
【図７】図６に示した連続堆積インライン装置の概略側
面図である。
面図である。
【図８】シャトルの概略斜視図である。
【図９】チャンバの概略部分横断面図である。
【図１０】ピニオンを示す別のチャンバ横断面の概略図
である。
である。
【図１１】図１０に示した駆動機構の別の実施例の概略
図である。
図である。
【図１２】基板キャリアの概略斜視図である。
【図１３】ピンプレートの概略斜視図である。
【図１４】温度可変プレートを有する、 図６に示した
装置の別の実施例の概略側面図である。
装置の別の実施例の概略側面図である。
【図１５】図１４に示した温度可変プレートの概略平面
図である。
図である。
【図１６】温度可変プレートの概略側面図である。
【図１７】一対のロードロックチャンバとプロセスチャ
ンバとロボットを有する装置の平面図である。
ンバとロボットを有する装置の平面図である。
【図１８】２つのチャンバラインを有し、各ラインは２
つのロードロックチャンバと該２ライン間に配設された
ロボットとを有するプロセスチャンバとを有する装置の
平面図である。
つのロードロックチャンバと該２ライン間に配設された
ロボットとを有するプロセスチャンバとを有する装置の
平面図である。
【図１９】例示的な処理シーケンスの概略図である。
【図２０】例示的な処理シーケンスの概略図である。
【図２１】例示的な処理シーケンスの概略図である。
【図２２】例示的な処理シーケンスの概略図である。
【図２３】例示的な処理シーケンスの概略図である。
９０・・・インライン装置、９２・・・ローディングロードロ
ックチャンバ、９４・・・アンローディングロードロック
チャンバ、９６・・・プロセスチャンバ、９８、１００・・・
離隔弁、１０８・・・受取ステーション、１１０、１１２・
・・ロボット、１１６・・・基板、１１８、１２０・・・シャト
ル、１２２・・・キャリア、１２３、１２５・・・トラック。
ックチャンバ、９４・・・アンローディングロードロック
チャンバ、９６・・・プロセスチャンバ、９８、１００・・・
離隔弁、１０８・・・受取ステーション、１１０、１１２・
・・ロボット、１１６・・・基板、１１８、１２０・・・シャト
ル、１２２・・・キャリア、１２３、１２５・・・トラック。
Claims (49)
- 【請求項１】 基板処理装置であって、前記装置は： ａ）少なくとも１つのプロセスチャンバと； ｂ）前記プロセスチャンバに結合された少なくとも１つ
のロードロックチャンバと； ｃ）前記ロードロックチャンバ内に配設されプロセスチ
ャンバに連通可能なシャトルと； ｄ）前記少なくとも１つのプロセスチャンバに主に配設
されプロセスチャンバ内でのみ動作するよう構成された
基板キャリアと、を備える、基板処理装置。 - 【請求項２】 前記基板処理装置は少なくとも１つプロ
セスチャンバの対向する側に装着された少なくとも２つ
のロードロックチャンバを備える、請求項１記載の基板
処理装置。 - 【請求項３】 前記少なくとも１つのロードロックチャ
ンバに隣接配置されロードロックチャンバに連通可能な
ロボットをさらに備える、請求項１記載の基板処理装
置。 - 【請求項４】 前記プロセスチャンバ内に少なくとも一
部分が配設され、第１垂直方向位置と第２垂直方向位置
間を可動なピンプレートをさらに備える、請求項１記載
の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記ピンプレートはピンプレートに接続
された複数のピンを備える、請求項４記載の基板処理装
置。 - 【請求項６】 前記ピンプレートはピンプレート内に配
設された流体チャネルを備える、請求項５記載の基板処
理装置。 - 【請求項７】 前記プロセスチャンバ内の少なくとも１
つの処理区域に近接配置される温度制御可能なプレート
をさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記温度制御可能なプレートは少なくと
も０．２の放射率を有する少なくとも１つの表面を備え
る、請求項７記載の基板処理装置。 - 【請求項９】 １つのプロセスチャンバ内に複数の処理
区域をさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 前記処理区域を離隔する複数の隔壁を
さらに備える、請求項９記載の基板処理装置。 - 【請求項１１】 前記処理区域の１つ以上に接続された
少なくとも１つのガス吸気口をさらに備える、請求項１
０記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】 各処理区域は別個のガス吸気口を備え
る、請求項１１記載の基板処理装置。 - 【請求項１３】 前記プロセスチャンバ内に少なくとも
一部分が配設されるガイドローラとピニオンギアを有す
るトラックをさらに備える、請求項１記載の基板処理装
置。 - 【請求項１４】 前記トラックに結合されたコントロー
ラをさらに備える、請求項１３記載の基板処理装置。 - 【請求項１５】 前記シャトルおよび基板キャリアは各
々トラック上に配設された少なくとも１つのラックを備
える、請求項１３記載の基板処理装置。 - 【請求項１６】 各々少なくとも１つのロードロックチ
ャンバと少なくとも１つのプロセスチャンバを備える少
なくとも２系統のチャンバをさらに備え、かつ少なくと
も２系統のチャンバ間に配設された少なくとも１つのロ
ボットをさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項１７】 前記基板処理装置は同一プロセスチャ
ンバ内に反応性処理環境と非反応性処理環境を備える、
請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項１８】 前記基板処理装置はトラックに結合さ
れた１つ以上のモータを備え、前記１つ以上のモータは
基板キャリアをトラックに沿って可逆的に移動する、請
求項１３記載の基板処理装置。 - 【請求項１９】 前記１つ以上のモータは少なくとも１
つの可逆モータを備える、請求項１８記載の基板処理装
置。 - 【請求項２０】 基板処理装置であって、前記装置は： ａ）少なくとも１つのプロセスチャンバと； ｂ）前記プロセスチャンバに結合された少なくとも１つ
のロードロックチャンバと； ｃ）ロードロックチャンバとプロセスチャンバ間を可動
なシャトルと； ｄ）前記プロセスチャンバ内に少なくとも一部分が配設
される温度制御可能な基板キャリアと、を備える、基板
処理装置。 - 【請求項２１】 前記プロセスチャンバ内に配設された
温度制御可能なピンプレートをさらに備える、請求項２
０記載の基板処理装置。 - 【請求項２２】 前記ピンプレートは内部に形成された
流体チャネルを備える、請求項２１記載の基板処理装
置。 - 【請求項２３】 前記ピンプレートはビードブラストし
た上面をさらに備える、請求項２１記載の基板処理装
置。 - 【請求項２４】 前記ピンプレートの動作を制御するコ
ントローラをさらに備える、請求項２１記載の基板処理
装置。 - 【請求項２５】 基板処理装置であって、前記装置は： ａ）少なくとも１つのプロセスチャンバと； ｂ）前記プロセスチャンバに結合された少なくとも１つ
のロードロックチャンバと； ｃ）前記ロードロックチャンバとプロセスチャンバ間を
可動なシャトルと； ｄ）１つのプロセスチャンバ内の少なくとも２つの処理
区域と、を備える、基板処理装置。 - 【請求項２６】 前記処理区域を少なくとも部分的に離
隔する処理区域に隣接した隔壁をさらに備える、請求項
２５記載の基板処理装置。 - 【請求項２７】 少なくとも１つの処理区域は前記処理
区域に隣接配置された基板を反応性処理する、請求項２
５記載の基板処理装置。 - 【請求項２８】 基板処理装置であって、前記装置は： ａ）プレートと； ｂ）前記プレート内に少なくとも一部分が配設され排気
口と吸気口を有する１つ以上のチャネルと； ｃ）基板処理装置内の基板キャリアと係合する、プレー
トに接続された複数の上方突出ピンと、を備える、基板
処理装置。 - 【請求項２９】 前記プレートは少なくとも１つの陽極
酸化した面を有する、請求項２８記載の基板処理装置。 - 【請求項３０】 前記プレートは少なくとも１つのビー
ドブラストした面を有する、請求項２８記載の基板処理
装置。 - 【請求項３１】 前記プレートに結合された軸をさらに
備える、請求項２８記載の基板処理装置。 - 【請求項３２】 前記軸に結合されたリフトモータをさ
らに備える、請求項３１記載の基板処理装置。 - 【請求項３３】 基板処理装置であって、前記装置は： ａ）基板キャリアと； ｂ）前記基板キャリアに近接配置された温度可変プレー
トと； ｃ）前記温度制御可能なプレートに結合された流体チャ
ネルと、を備える、基板処理装置。 - 【請求項３４】 前記温度可変プレートは冷却放射面に
よって基板キャリアを冷却する、請求項３３記載の基板
処理装置。 - 【請求項３５】 前記温度可変プレートは温度可変プレ
ート上の放射率増大面処理によって基板キャリアの温度
に影響を与える、請求項３３記載の基板処理装置。 - 【請求項３６】 前記温度可変プレートは基板キャリア
との断続的係合によって基板キャリアの温度に影響を与
える、請求項３３記載の基板処理装置。 - 【請求項３７】 温度可変プレートと基板キャリアとの
係合を制御する、温度可変プレートに結合されたコント
ローラをさらに備える、請求項３６記載の基板処理装
置。 - 【請求項３８】 基板処理方法であって、前記方法は： ａ）基板を基板処理装置のプロセスチャンバ内に配設す
るステップと； ｂ）前記基板をプロセスチャンバ内にプロセスチャンバ
に開口して設けられた第１処理区域に隣接配置するステ
ップと； ｃ）前記基板を第１処理区域内で第１プロセスによって
処理するステップと； ｄ）前記基板をプロセスチャンバ内にプロセスチャンバ
に開口して設けられた第２処理区域に隣接配置するステ
ップと； ｅ）前記基板を第２処理区域内で前記第１処理区域内の
第１プロセスとは異なるプロセスによって処理するステ
ップと、を含む、基板処理方法。 - 【請求項３９】 前記第２処理区域内で基板を処理する
ステップは、第１処理区域内の第１プロセスとは異なる
プロセスによって処理するステップを含む、請求項３８
記載の基板処理方法。 - 【請求項４０】 前記第１プロセス後に第１処理区域を
第１プロセスとは異なるプロセスに変更するステップを
さらに含む、請求項３８記載の基板処理方法。 - 【請求項４１】 前記第１処理区域を通る第１方向から
第２処理区域を通る第２方向へ基板の方向を逆にするス
テップをさらに含む、請求項３８記載の基板処理方法。 - 【請求項４２】 前記第１プロセスは反応性プロセスを
含む、請求項３８記載の基板処理方法。 - 【請求項４３】 基板処理方法であって、前記方法は： ａ）基板を基板処理装置のプロセスチャンバ内に配設さ
れたキャリアに搬送するステップと；次に ｂ）前記基板をプロセスチャンバ内で処理するステップ
と；次に ｃ）前記基板をキャリアからプロセスチャンバの外部の
スペースへ搬送するステップと、を含む、基板処理方
法。 - 【請求項４４】 前記基板の搬送・処理ステップ中にプ
ロセスチャンバ内にキャリアを保持するステップをさら
に含む、請求項４３記載の基板処理方法。 - 【請求項４５】 前記プロセスチャンバ内のキャリアの
方向を逆にするステップをさらに含む、請求項４３記載
の基板処理方法。 - 【請求項４６】 基板処理方法であって、前記方法は： ａ）基板キャリアを基板処理装置のプロセスチャンバ内
に配設するステップと； ｂ）基板を前記基板キャリア上に支持するステップと； ｃ）基板をプロセスチャンバ内で処理するステップと； ｄ）プロセスチャンバ内の基板キャリア温度を変更する
ステップと、を含む、基板処理方法。 - 【請求項４７】 前記基板キャリアを変更するステップ
は、温度前記基板キャリアをピンプレートに係合するス
テップを含む、請求項４６記載の基板処理方法。 - 【請求項４８】 前記基板キャリアの温度を判定するス
テップと、基板キャリアとピンプレートとの係合を制御
するステップをさらに含む、請求項４７記載の基板処理
方法。 - 【請求項４９】 前記基板キャリアを冷却するステップ
は、基板キャリアに近接配置された温度可変プレートか
ら冷却温度を放射するステップを含む、請求項４６記載
の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/432544 | 1999-11-03 | ||
| US09/432,544 US6298685B1 (en) | 1999-11-03 | 1999-11-03 | Consecutive deposition system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237296A true JP2001237296A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=23716598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338006A Pending JP2001237296A (ja) | 1999-11-03 | 2000-11-06 | 連続堆積装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6298685B1 (ja) |
| EP (1) | EP1098353A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001237296A (ja) |
| KR (1) | KR100746579B1 (ja) |
| TW (1) | TW469490B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039279A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Applied Materials Inc | 表面テクスチャ化方法 |
| JP2005522891A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド | 多層コーティングを個別のシートにデポジットする装置 |
| JP2007023380A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Applied Materials Inc | ハイブリッドｐｖｄ−ｃｖｄシステム |
| JP2015512153A (ja) * | 2012-02-06 | 2015-04-23 | ロート ウント ラウ アーゲー | 処理モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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