JPH01312072A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、真空処理炉内において被処理材を搬送し、
処理ステージにて被処理材に対し成膜、熱処理、ドライ
エツチング等の真空処理を施すようにした真空処理装置
の改良に関する。

［従来の技術］ 従来にｊ５ける真空処理装置の−っである真空成膜装置
としては、第１５図及び第１６図に示すように、各種基
板等の被処理材１が保持される搬送シャトル２を有し、
この搬送シャトル２の両側部にチェーン駆動等で回転す
る搬送ロール３をイ」設すると共に、真空処理炉ＲＶ内
には一対のガイドレール４をｔｉし、下方へ向かう押圧
力付与用のカムフォロア５等によって上記搬送シャトル
２の浮上りを防止しながら、上記ガイドレール４に沿っ
て上記搬送シャトル２を搬送ロール３を介して移動させ
、図示外の成膜手段部位で上記被処理材１に成膜処理を
施すようにしたものが知られている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、このような真空成膜装置にあっては、上記搬
送シャトル２の浮上りを防止する上でカムフォロア５等
が用いられているため、搬送ロール３とガイドレール４
との間の面圧はかなり高く、しかも、真空処理炉内では
潤滑剤の蒸発に伴う成膜処理への影響を考慮して搬送ロ
ール３とガイドレール４との間に潤滑材を使用すること
ができないため、搬送シャトル２移動時においては、搬
送ロール３とガイドレール４との間の摩耗によって金属
微粉等のダストＤが舞い上がり、このダストＤが被処理
材１の成膜箇所に付着してしまう虞れがある。このため
、被処理材１の成膜部の厚さが不均一になったり、成膜
部にピンホールが生じたり、成膜製品の品質劣化につな
がり易いという問題が起る。

尚、このような問題は、上記真空成膜装置に限られるも
のではなく、広く真空処理装置全般において生じ得るも
のである。

この発明は、以上の問題点に着目して為されたものであ
って、装置の保全及び被処理材の安定搬送性を確保しな
がら、真空処理に対するダストによる悪影響を回避でき
るようにした真空処理装置を提供するものである。

［課題を解決するだめの手段］ ずなわら、この発明は、第１図に示すように、被処理材
１０を保持する搬送シャトル１１と、真空処理炉Ｒｖ中
において上記搬送シャトル１１が支持搬送される一対の
搬送系３０ａ、３０ｂを有すると共に、少なくとも一方
が固定子３１に対して非接触移動可能な可動子３２を有
する磁気浮上型のリニアモータ搬送系で構成される真空
搬送手段３０と、真空処理炉ＲＶ中の処理ステージＳＴ
に設置されて被処理材１０に対し真空処理する処理手段
５０と、少なくとも上記処理ステージＳＴに対応した箇
所にて上記真空搬送手段３０と処理手段５０とを遮蔽す
るシールド部材７０とを備えたものである。

このような技術的手段において、上記被処理材１０とし
ては、表示用基板、半導体装置等のベースになる各種基
板を始め、真空処理の対象となり得るものであれば適宜
選択することができる。

また、搬送シャトル１１としては、被処理材１０に対し
て処理手段５０による処理が可能で且つ少なくとも被処
理材１０の保持部を有していれば、特に板状のものに限
らず適宜設計変更して差支えない。また、搬送シャトル
１１の被処理材１０の保持部の数あるいは被処理材１０
の配設姿勢についても、単一、複数あるいは水平、垂直
を問わない。

更に、真空搬送手段３０の一対の搬送系３０ａ。

３０ｂについては、搬送シャトル１１を安定走行させ得
る範囲において接近あるいは離間配置することができる
。また、少なくとも一方の磁気浮上型のリニアモータ搬
送系としては、固定子３１と非接触移動型の可動子３２
とを有し、両者間に推力発生部と浮上位置規制部とを具
備することが必要である。

この場合において、固定子３１については、−体向に設
けても差支えないが、必要とする搬送系の長さに応じて
適宜長さの固定子３１を設置し得るという点からすれば
、適宜長さの固定子単位体をブロック毎に配列するよう
にすることが好ましい。また、推力発生部としては、固
定子３１あるいは可動子３２側に磁性体に適宜コイルが
巻装される推力用励磁部を設け、一方側の対向部位に非
磁性の導体部（固定子３１あるいは可動子３２そのもの
をも含む）を設け、推力用励磁部を順次切換え励磁する
等適宜設計変更して差支えない。−・方、浮上位置規制
部としては、永久磁石あるいは電磁石の吸引若しくは反
発動作を利用し、上下、幅方向のギャップを規制するも
のであれば適宜選択して差支えないが、浮上位置制御の
し易さからすれば、浮上位置規制用励磁部として電磁石
を利用したもの、更にはその吸引動作を利用することが
好ましい。また、磁気浮上型のリニアモータ搬送系を設
計する上で、配線のし易さを考慮すると、推力用励磁部
及び浮上位置規制用励磁部を固定子３１側に設けること
が好ましく、また、メンテナンス時等において非浮上時
にて可動子３２を移動させる必要がある場合を考慮する
と、可動子３２に移動用補助ロールを付設することが好
ましい。

更にまた、真空搬送手段３０の搬送制御については、常
時定速で移動させるようにしてもよいし、処理ステージ
ＳＴにて一旦停止させて処理を行うようにしてもよいし
、処理スデージＳＴにて処理手段５０の処理速度分布を
考慮して、処理度合を均一にするような速度制御を行っ
てもよい。また、一対の搬送系３０ａ　、３０ｂとして
は、夫々で搬送シャトル１１の搬送力を付与するように
設計しても差支えないが、搬送シャトル１１の安定搬送
性の観点からすると、両者の搬送力のばらつきを回避す
る上で一方の磁気浮上型のリニアモータ搬送系でのみ推
進力を得るようにすることが好ましい。また、搬送シャ
トル１１が水平ベース部を有し、しかも、処理手段５０
が熱処理を含むような場合において、上記水平ベース部
の熱変形量が比較的大きいときには、搬送シャトル１１
の安定搬送性を確保するという観点から、一方の搬送系
３０ａ若しくは３０ｂに熱変形吸収部を設けることが好
ましい。

また、上記処理手段５０としては、真空処理を行うもの
であれば、真空スパッタ装置、真空蒸着装置等の物理的
手法による気相メツキ（ＰＶＤ　：　Ｐｈｙｓｉｃａｌ
　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）　、プラズマ
ＣＶＤ等の化学的手法による気相メツキ（ＣＶＤ　：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　
）　、真空熱処理装置、ドライエツチング装置を始め、
広範囲のものが含まれる。また、処理手段５０の数、組
合せについても、被処理材１０に施す真空処理に応じて
適宜選択して差支えない。

また、上記シールド部材７０としては、処理手段５０の
動作特性に基づいて少なくとも真空搬送手段３０の搬送
動作に支障をもたらすもの、例えば熱、磁気あるいは飛
散する成膜対象物等をシールドするものであれば適宜選
択することができる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、真空処理炉ＲＶ内
において、搬送シャトル１１は真空搬送手段３０によっ
て被処理材１０を処理ステージＳＴに搬送し、この処理
ステージＳＴにて、処理手段５０は被処理材１０に対し
所定の処理を行う。

このとき、上記真空搬送手段３０の一対の搬送系３０ａ
　、３０ｂが搬送シャトル１１を両側で安定支持するほ
か、少なくとも一方の搬送系３０ａを構成する磁気浮上
型のリニアモータ搬送系は搬送シャトル１１の支持部を
非接触状態で移動させる。

また、処理手段５０が被処理材１０に対して所定の処理
を行う際に、処理手段５０からなんらかのシールド対象
物が発生したとしても、このシールド対象物はシールド
部材７０に塞き止められ、真空搬送手段３０側には到達
しない。

［実施例］ 以下、添附図面に示す実施例に基づいてこの発明の詳細
な説明する。

実施例１ 第２図ないし第５図においては真空成膜装置にこの発明
を適用したものが示されている。

この実施例に係る真空成膜装置は、ガラス基板上に３ｉ
０２からなる保護膜及びＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ　
０Ｘｉｄｅ）からなる透明導電膜が順次スパッタ蒸着さ
れた表示用基板を製造するためのものであり、この表示
用基板は後工程で適宜エツチング処理等を施すことによ
り所定の表示パターンを具備し得るようになっている。

そして、上記真空処理装置の基本的構成は、被処理材と
してのガラス基板１０を保持する搬送シャトル１１と、
真空処理炉Ｒｖ内において上記搬送シャトル１１を搬送
する真空搬送手段３０と、真空処理炉Ｒｖの二つの処理
ステージＳＴＩ　。

ＳＴ２に夫々設置されてガラス基板１０に対してＳｉＯ
、ＩＴＯをスパッタ蒸着する第−及び第二のスパッタ装
置５０（具体的には５０ａ、５０ｂ）と、上記各スパッ
タ装置５０と真空搬送手段３０との間を遮蔽するシール
ド部材７０とからなる。

この実施例において、搬送シャトル１１は、特に第２図
及び第５図に示すように、水平方向に延びる平板状の水
平ベース部１２を有し、この水平ベース部１２の略中火
に開口１３を開設すると共に、この間口１３の周縁にガ
ラス基板１０が支持される受は部材１４を設（）、この
受は部材１４の近傍箇所には複数、例えば四つのクラン
プ部材１５を設け、このクランプ部材１５によって受は
部材１４で支持されたガラス基板１０の周縁を押え込む
ようにしたものである。

また、上記真空処理炉ＲＶは、特に第３図に示−１２＝ すように、搬送シャトル１１上にガラス基板１０を保持
するロードロック室１６と、二つの処理ステージＳＴ１
　、ＳＴ２にてスパッタ蒸着を行うプロセス室１７とに
機能分離しており、ロードロック室１６の手前にはメン
テナンス時等において搬送シャトル１１を引出す待機ゾ
ーン１８が設けられ、上記真空搬送手段３０がこの待機
ゾーン１８まで延設されている。そして、上記ロードロ
ック室１６とプロセス室１７及び待機ゾーン１８との間
には気密開閉バルブ１９．２０が夫々設けられている。

更に、上記真空搬送手段３０は図示外の搬送制御ユニツ
１〜によって駆動制御される一対の磁気浮上型のリニア
モータ搬送系３０ａ　、３０ｂからなり、このリニアモ
ータ搬送系３０ａ、３０ｂが上記搬送シャトル１１の水
平ベース部１２の両側部を支持している。この実施例に
おいて、各リニアモータ搬送系３０は、特に第２図及び
第４図に示すように、適宜数のブロックに分割されると
共に上記真空処理炉ＲＶの底壁取付孔２１を塞ぐように
固定される非磁性材（この実施例ではオーステナイト系
ステンレス）製の固定子３１と、この固定子３１に対し
て遊嵌する非磁性導体（この実施例ではアルミニウム）
製可動子３２とからなり、上記固定子３１は、真空処理
炉ＲＶの底壁取付孔２１外側縁部に固定される固定子基
部３１ａと、この固定子基部３１ａの中央部長手方向に
沿って立設される固定子胴部３１ｂと、この固定子胴部
３１ｂの上端に設けられて固定子胴部３１ｂより幅広の
固定子頭部３１ｃとを備え、一方、可動子３２は上記固
定子頭部３１ｃの上面、側面及び下面を囲繞する一部が
開口した断面矩形状に形成されている。そして、上記可
動子３２がアルミナ等の絶縁プレート３３を介して上記
搬送シャトル１１水平ベース部１２の両側部に固定され
ている。

そして、上記一方のリニアモータ搬送系３０ａは、推力
発生部３４、浮上位置規制部３６を有している。上記推
力発生部３４は上記固定子頭部３１Ｃの中央窪み部に設
けられる推力用励磁部３５と、この推力用励磁部３５に
対向する導体部（この実施例では可動子３２そのもの〉
とで構成され、上記推力用励磁部３５は例えば所定ピッ
チ間隔の歯を右する磁性平板に励磁コイルを適宜巻装し
たもので、導体部を過ぎる磁界を生じさせることにより
導体部に所定の渦電流を形成せしめ、可動子３２に所定
の推力を生じせしめるものである。一方、上記浮上位置
規制部３６は、固定子頭部３１ｃの上面幅方向両側と可
動子３２との間並びに固定子頭部３１Ｃの下面幅方向両
側と可動子３２との間に夫々設けられる四つの上下方向
位置規制部３７（具体的には３７ａないし３７ｄ）と、
固定子頭部３１ｃの両側面と可動子３２との間に設けら
れる一対の幅方向位置規制部３８（具体的には３８ａ、
３８ｂ）とからなる。そして、これらの浮上位置規制部
３６は、固定子頭部３１Ｃの対応窪み部に設りられる位
置決め用励磁部であるである電磁石４０と、この電磁石
４０に対向した部位に設けられた磁性板４１とで構成さ
れ、電磁石４０励磁時には電磁石４０と磁性板４１との
間に吸引磁界が生ずるようになっている。そしてまた、
上記浮上位置規制部３６が働いた際には、固定子頭部３
１ｃと可動子３２との間の上下方向ギャップδ１及び左
右方向ギャップδ２が１〜３　ｔｍｎ程度になるように
設定されている。

また、他方のリニアモータ搬送系３０ｂは浮上位置規制
部３６のみを有している。そして、この浮上位置規制部
３６は一方のリニアモータ搬送系３０ａと同様な構成の
上下方向位置規制部３７（具体的には３７ａないし３７
ｄ）からなっており、幅方向位置規制部を具備していな
い。そして、上記浮上位置規制部３６が働いた際には、
固定子頭部３１ｃと可動子３２との間の上下方向ギャッ
プδ３は１〜３　ｍｍ程度に設定されるが、固定子頭部
３１Ｃと可動子３２との間の左右方向ギャップδ４は５
〜１０ｍ程麿に設定されるようになっている。

尚、第４図中、符号４２は各リニアモータ搬送系３０ａ
　、３０ｂの固定子３１内に組込まれて冷却水を供給す
る冷却ダク１−１４３は上記固定子３１の両側に沿って
敷設される補助ガイドレール、４４は上記可動子３２の
下面両側にブラケット４５を介して回転可能に取付けら
れ、可動子３２非浮上時において上記補助ガイドレール
４３に沿って接触転動する移動用補助ロールである。

また、上記スパッタ装置５０は、特に第２図及び第５図
に示すように、真空処理炉ＲＶの各処理ステー２８丁の
下方部位に開設された底壁開口部２２にて昇降ロッド５
１により昇降動自在に支持されており、セット時には上
記底壁開口部２２を完全に閉塞するように設置される。

そして、このスパッタ装置５０は上記昇降ロッド５１に
支持されるカソード電極５２を有し、このカソード電極
５２は、上記昇降ロッド５１の上端取付部５１ａに絶縁
シール部材５３を介して固定されるベースプレート５４
と、このベースプレー　ｈ　５４上に設置されるボック
ス断面状のカソード本体５５とを備え、カソード本体５
５の頂部面をターゲツト材５６（この実施例においては
処理ステー２８丁１で＄１０２製板材、処理ステージＳ
Ｔ２ではＩＴＯ製板拐）のテーブル面５７としたもので
、図示外のホルダでテーブル面５７にターゲツト材５６
を保持するようにしたものである。

そして、この実施例にあっては、ターゲット材５６とガ
ラス基板１０との間に一転鎖線で示すような拘束磁界を
形成するためのマグネットスキャニング機構５８が上記
カソード本体５５内に組込まれている。尚、第５図中符
号５９はカソード本体５５内に冷却水を供給するための
冷却用ダク［・、６０はターゲツト材５６の表面上で放
電を集中発生させるアースシールドである。

一方、上記各処理ステージＳＴの上方部位にはスパッタ
蒸着時において必要とされる環境温度（例えば３００〜
４００℃）までガラス基板１０を加熱するヒータユニッ
ト６１が配設されている。

この実施例において、上記ヒータユニット６１は、多数
配列される棒状ヒータ６２がと、この棒状ヒータ６２の
上方に配設されて棒状ヒータ６２からの熱を下り側へと
反射させるリフレクタ６３と、上記棒状ヒータ６２の下
方側に配設されて棒状ヒータ６２からの熱を下方側へと
導く伝熱プレー１〜６４とで桝成されている。

また、この実施例において、シールド部材７０は、搬送
シャトル１１を境とした下部領域にてリニアモータ搬送
系３０ａ、３０ｂと処理ステージＳＴが含まれる搬送シ
ャトル１１の移動ゾーンとを遮蔽し、搬送シャトル１７
の移動ゾーン側に反射面を持つ一対の防熱兼用防着板７
１と、この防熱兼用防着板７１の外側において平行配設
される磁気シールド板７２と、搬送シャトル１１を境と
した上部領域にてリニアモータ搬送系３０ａ。

３０１）と処理ステージＳＴが含まれる搬送シャトル１
１の移動ゾーンとを遮蔽し、搬送シャトル１１の移動ゾ
ーン側に反射面を持つ一対の防熱板７３とからなる。

次に、この実施例に係る真空処理装置の作動について説
明する。

第３図に示すように、先ず、ロードロック室１６におい
て、図示外のロボットが搬送シャトル１１の受は部材１
４上にガラス基板１０を位置決めセットし、しかる後、
クランプ部材１５でガラス基板１０をクランプする。

このクランプ動作が完了した時点で、図示外の搬送制御
ユニットに駆動開始信号が与えられ、この搬送制御ユニ
ットは、リニアモータ搬送系３０ａ　、３０ｂの推力発
生部３４及び浮上位置規制部３６を作動させる。

すると、第４図に示すように、一方のリニアモータ搬送
系３０ａの可動子３２が固定子３１から浮上し、所定の
推力で移動し始める。このどき、上記他方のリニアモー
タ搬送系３０ｂの可動子３２は推力を受けないが、固定
子３１から浮上した状態にあるため、搬送シャトル１１
を介して上記可動子３２も上記一方のリニアモータ搬送
系３０ａの可動子３２に追従して移動する。また、各可
動子３２の浮上位置は浮上位置規制部３６の働きによっ
て所定位置に規制されるため、各可動子３２が上下、幅
方向にぶれながら移動することもない。従って、上記搬
送シャトル１１は安定姿勢を保ちながら非接触状態で処
理ステージＳＴ１に向って移動することになる。

＝　２０− そして、上記搬送シャトル１１が第一の処理ステー９８
丁１に突入すると、第一のスパッタ装置５０ａ及びこれ
に対応するヒータユニット６１が作動する。すると、タ
ーゲツト材５６が上記搬送シャトル１１の開口１３を通
じてガラス基板１０下面に付着し、第６図（ａＨｂ）に
示すように、ガラス基板１０の下面にＳｉＯ２からなる
保護膜８１がスパッタ蒸着される。

このとぎ、ヒータユニット６１によってガラス基板１０
が加熱されるため、搬送シャトル１１の水平ベース部１
２が熱膨脹することになるが、リニアモータ搬送系３０
ｂの固定子３１と可動子３２との幅方向ギャップδ４が
大きく形成されているので、上記熱膨脹代が上記ギャッ
プδ４で吸収され、搬送シャトル１１の搬送性が損われ
ることない。また、上記スパッタ装置５０ａが作動する
と、カソード電極５２から周囲に熱が放出されたり、タ
ーゲラ）−０５６からイオン化した成膜粒子が周囲に飛
散しようとするが、これらの熱及び飛散粒子は防熱防着
板７１に突ぎ当たり、リニアモータ搬送系３０ａ　、３
０ｂ側へは到達しない。

また、この実施例では、マグネットスキャニング機構５
８が用いられるので、スパッタ装置５０８使用時には必
然的に磁界が周囲に影響することになるが、この磁界は
上記磁気シールド板７２で遮られることになり、前記発
生磁界によってリニアモータ搬送系３０ａ　、３０ｂが
誤動作するという懸念はほとんどない。更に、ヒータユ
ニツ１へ６１からも熱が生ずるが、この熱は上記防熱板
７３で遮られることになり、この熱がリニアモータ搬送
系３０ａ　、３０ｂに影響する懸念もほとんどない。

この後、上記第一の処理ステージＳＴ１での処理が完了
すると、搬送シャトル１１は第二の処理ステージＳＴ２
へと突入し、第二のスパッタ装置５０ｂ及びこれに対応
するヒータユニット６１が作動する。すると、ターゲツ
ト材５６が上記搬送シャ］〜ル１１の開口１３を通じて
ガラス基板１０の保護膜８１面に付着し、第６図（Ｃ）
に示すように、ガラス基板１０の保護膜８１面上にＩＴ
Ｏからなる透明導電膜８２がスパッタ蒸着される。この
とぎ、上記処理ステージＳＴ１と同様に、熱の影響によ
って搬送シャトル１１の搬送性が損われることはなく、
しかも、上述したシールド効果が得られる。

この段階において、成膜処理が完了した表示用基板が完
成するのである。

実施例２ 第７図において、真空成膜装置の基本的構成は実施例１
と略同様であるが、実施例１と異なり、一方の搬送系３
０ａのみが磁気浮上型のリニアモータ搬送系であり、使
方の搬送系３０ｂは、搬送シャトル１１の水平ベース部
１２の一側に搬送ロール４６を設け、この搬送ロール４
６をガイドレール４７に沿って移動さゼるようにしたも
のである。

従って、この実施例にあっては、一方の搬送系３０ａが
磁気浮上型のリニアモータ搬送系であるため、可動子３
２の固定子３１に対する浮上位冒が確実に規制されてい
る。このため、搬送ロール４６をカムフォロア等で押圧
する手段を採用しなくても、上記搬送ロール４６はガイ
ドレール４７に沿って安定的に摺動することになり、搬
送ロール４６とガイドレール４７との間の摺動抵抗は極
めて小さいものに抑えられる。それゆえ、上記搬送ロー
ル４６とガイドレール４７との間の層動部から金属微粉
等のダストが発生ずる事態は有効に回避される。

また、この実施例では、実施例１に比べて真空搬送手段
３０の構成を簡略化することもできる。

実施例３ 第８図において、真空成膜装置の搬送シャトル１１は、
上記各実施例と異なり、垂直方向に延びる垂直ベース部
２３を有し、この垂直ベース部２３の両側面上下箇所に
ガラス基板１０の受は部材２４を設けると共に、上記上
側受１ノ部材２４にクランプ部材２５を付設したもので
ある。尚、垂直ベース部２３の下端に取付は基部２６が
設けられている。

また、真空搬送手段３０は基本的には実施例１と略同様
な構成を有しているが、実施例１と異なリ、一対のリニ
アモータ搬送系３０ａ　、３０ｂの固定子３１及び可動
子３２が夫々一体向に形成され、一体止された可動子３
２の頂部に上記搬送シャトル１１の取付は基部２６が固
着されている。

更に、この実施例においては、一つの処理ステージＳＴ
において処理手段としてのスパッタ装置５０が上記垂直
ベース部２３を挟んで一対設けられている。

従って、この実施例によれば、実施例１と同様な作用、
効果を奏するほか、一つの処理ステージＳＴにおいて二
枚のガラス基板１０にスパッタ蒸着を行うことができる
ので、量産を行うのに適したシステムを構成することが
できるほか、一対の搬送系３０ａ　、３０ｂを一体化し
ているので、両者間の位置合せが不要になる分、真空搬
送手段３０を設置する上での位置決め作業が容易になる
。

実施例４ 第９図において、真空成膜装置の搬送シャトル１１は、
上端が連結部２７で連結された一対の垂直ベース部２３
（具体的には２３ａ　、２３ｂ　）を有し、各垂直ベー
ス部２３の両側面上下箇所にガラス基板１０の受は部材
２４を設（）ると共に、上記上側受１ノ部材２４にクラ
ンプ部′４Ａ２５を付設したものである。そして、上記
垂直ベース部２３の下端の取付は基部２６が真空搬送手
段３０のリニアモータ搬送系３０ａ　、３０ｂの可動子
３２頂部に夫々固着されている。そしてまた、一つの処
理ステージＳＴにおいて処理手段としてのスパッタ装置
５０が各垂直ベース部２３を挟／υで夫々一対設けられ
ている。

従って、この実施例によれば、一つの処理ステージＳＴ
において同時に四枚のガラス基板１０に対してスパッタ
蒸着を行うことができるので、更に量産に適したシステ
ムを構成することができるほか、上記連結部２７によっ
て垂直ベース部２３の倒れを確実に防止することができ
るので、スパッタ蒸着時においてガラス基板１０を正規
姿勢に確実に保持でき、その分、ガラス基板１０の姿勢
誤差に伴うスパッタ蒸着むらを回避することができる。

太１１凱万 第１０図において、真空成膜装置の基本的構成は実施例
１と略同様であるが、実施例１と巽なり、一対のリニア
モータ搬送系３０ａ　、３０ｂを駆動制御する搬送制御
ユニット９０には搬送シャトル１１の移動速度を可変設
定する速度制御部９１が設けられている。

この実施例において、第１０図及び第１１図に示すよう
に、上記一方のリニアモータ搬送系３０ａの可動子３２
の側部内面の所定部位には位置検出用磁石板９２が設け
られ、この位置検出用磁石板９２に対向する固定子３１
の側面所定部位、この実施例にあっては、上記搬送シャ
トル１１上のガラス基板１０の先端が第−及び第二の処
理ステー９８丁１、ＳＴ２に突入する直前位置に対応し
た部位（第１０図中Ａ、Ｂで示す）に例えば渦電流式の
リゾルバ９３．９４が組込まれている。

そして、上記速度制御部９１は、リゾルバ９３゜９４か
らの位置情報に基づき搬送シャトル１１の速度を例えば
第１２図に示すフローチャートに従って制御するもので
ある。

次に、第１２図に示すフローチャー１〜に従つ゛Ｃ上記
速度制御部９１の制御過程を詳細に説明覆る。

先ず、ロードロック室１６においてガラス基板１０が搬
送シャトル１１上にクランプされると、速度制御部９１
は、クランプ動作が完了したことを示すクランプ完了信
号に基づいてロードロックが完了したことを判別し、上
記搬送シャトル１１を定速で移動させる（ステップａ、
ｂ）。

この後、上記可動子３２の位置検出用磁石板９２がＡポ
イントに達すると、上記リゾルバ９３が作動し、この位
置検出信号が速度制御部９１に入力される。すると、速
度制御部９１は、リゾルバ９３からの信号に基づいてＡ
ポイントを通過したことを判別し、搬送シャトル１１を
変速Ａモードで移動搬送する（ステップｃ、ｄ）。この
実施例において、上記変速Ａモードは、上記ガラス基板
１０が定速で成膜ゾーンを移動したときに生ずる成膜厚
分布（第１３図（ａ）に実線で示す）に対応した速度分
布（第１３図（ｂ）に実線で示す）を＝　２８− もって移動させるものであり、成膜ゾーンを通過した後
には定速に戻るようになっている。このため、速度制御
部９１が変速Ａモードを実行した際には、上記ガラス基
板１０表面にＳｉＯ２からなる保護膜が均一に蒸着され
ることになる。

この後、上記可動子３２の位置検出用磁石板９２がＢポ
イン１へに達すると、上記リゾルバ９４が作動し、この
位置検出信号が速度制御部９１に入力される。すると、
速度制御部９１は、リゾルー　　バ９４からの信号に基
づいてＢポイントを通過したことを判別し、搬送シャト
ル１１を変速Ｂモードで移動搬送する（ステップｅ、ｆ
）。この実施例において、上記変速Ｂモードは、上記ガ
ラス基板１０が定速で成膜ゾーンを移動したときに生ず
る成膜厚分布く第１３図（ａ）に点線で示す）に対応し
た速度分布（第１３図（ｂ）に点線で示す）もって移動
させるものであり、成膜ゾーンを通過した後には定速に
戻るようになっている。このため、速度制御部９１が変
速Ｂモードを実行した際には、上記ガラス基板１０の保
護層表面にＩＴＯからなる透明導電膜が均一に蒸着され
ることになる。

尚、この実施例においては、スパッタ蒸着を対象として
いるが、仮に、処理ステージＳＴにｄ３ける処理が真空
蒸着であるような場合には、上記ガラス基板１０が定速
で成膜ゾーンを移動したときに生ずる成膜厚分布（第１
４図（ａ）に示す）に対応した速度分布く第１４図（ｂ
）に示す）をもって移動させるようにすれば、蒸着膜を
均一に形成することが可能になる。また、上記実施例に
あっては、スパッタ蒸着膜を均一に蒸着するように速度
制御部９１を構成しているが、ガラス基板１０の特定部
位の膜厚を変化させる場合においても、速度制御部９１
を適宜設計変更することができる。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、請求項コないし８記載の真空
処理装置によれば、基本的に以下のような効果を奏する
。

すなわち、搬送シャトルを一対の搬送系からなる真空搬
送手段で搬送するようにしたので、搬送シャトル上の被
処理材を安定搬送することができ処理ステージにお【プ
る被処理材の位置精度を高め、処理具合を良好に保つこ
とができる。

また、少なくとも一方の搬送系を磁気浮上型のリニアモ
ータ搬送系で構成し、搬送シャトルの少なくとも一方側
の支持部を非接触搬送させるようにしたので、搬送系に
おける摺動抵抗をなくすか、あるいは非常に少なくする
ことができ、その分、接触部からのダス１〜の発生を有
効に防止することができる。このため、被処理材の処理
箇所に舞い上がったダストが（＝ｌ　Ｎする事態を有効
に回避でき、ダストに基づく被処理材に対する処理不良
を防止することができる。

更に、処理手段からのシールド対象物をシールド部材で
遮蔽するようにしたので、処理手段にて発生ずるシール
ド対象物が真空搬送手段へ影響を及ぼす事態を回避する
ことができ、もって、真空処理装置を有効に保全するこ
とができる。

更にまた、請求項２記載の真空処理装置によれば、一対
の搬送系がいずれも磁気浮上型のリニアモータ搬送系で
あり、その一方のみに推力発生部を具備させるようにし
たので、搬送系にお（プる摺動抵抗を零にしてタス１〜
の発生を完全に防止することができるほか、一対の搬送
系での推力のばらつきを回避できる分、搬送シャトルを
より確実に安定搬送させることができる。

また、請求項３記載の真空処理装置によれば、可動子の
上下及び幅方向の浮上位置を確実に規制することができ
るので、搬送シャトル移動時における上下及び幅方向の
ぶれを有効に防止することができる。

また、請求項４記載の真空処理装置によれば、磁気浮上
型のリニアモータ搬送系の固定子側に推力用及び浮上位
置規制用励磁部を設けたので、可動子側に電気的な配線
を施す必要がなくなり、その分、配線作業が容易になる
ほか、各励磁部からの熱に対する冷却構造をも容易に対
処することができる。

また、請求項５記載の真空処理装置によれば、磁気浮上
型のリニアモータ搬送系において可動子に移動用補助ロ
ールを設けたので、非浮上詩においても可動子を容易に
動かずことができ、その分、メンテナンス作業等を簡単
に行うことができる。

そしてまた、請求項６記載の真空処理装置によれば、搬
送シャトルの熱変形代を一方の搬送系の熱変形吸収部に
て吸収するようにしたので、処理ステージにて熱処理が
施されたとしても、搬送シレトルの安定搬送性が損われ
る懸念は全くない。

また、請求項７記載の真空処理装置によれば、一つの搬
送シャトルで複数の被処理材を処理することができるの
で、量産処理に対して極めて有効である。

また、請求項８記載の真空処理装置によれば、速度制御
部にて処理手段の処理速度分布に応じて搬送シャトルを
速度制御するようにしたので、処理手段の被処理材に対
する処理具合を均一にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る真空処理装置の概略を示す説明
図、第２図はこの発明に係る真空処理装置の実施例１を
示す斜視図、第３図はその平面模成因、第４図及び第５
図は第２図中ＴＶ−ＴＶ線及びｖ−ｖ線に相当する断面
図、第６図は実施例１に係る真空処理装置の処理工程を
示す説明図、第７図ないし第９図はこの発明に係る真空
処理装置の実施例２、実施例３及び実施例４の要部を示
す斜視若しくは断面説明図、第１０図はこの発明に係る
真空処理装置の実施例５を示す平面模式図、第１１図は
第１０図中ＸＩ−ＸＩ線断面図、第１２図は実施例５に
おける速度制御部の動作過程を示すフローチャート、第
１３図（ａ）は実施例５において搬送シャトル定速時の
第一、第二成膜ゾーンの成膜分布を示す説明図、同図（
ｂ）は第一、第二成膜ゾーンの搬送シャトルの速度分布
を示す説明図、第１４図（ａ）は実施例５に係る処理手
段の一つを真空蒸着装置とした場合の変形例において搬
送シャトル定速時の成膜ゾーンの成膜分布を示す説明図
、同図（ｂ）は変形例における成膜ゾーンの搬送シャト
ルの速度分布を示す説明図、第１５図は従来における真
空処理装置の搬送手段の一例を示す要部斜視図、第１６
図は第１５図中Ｘ　ＶＩ　−Ｘ■線断面図である。 ［符号の説明］ ＲＶ・・・真空処理炉 ＳＴ・・・処理ステージ １０・・・ガラス基板（被処理材） １１・・・搬送シャトル １２・・・水平ベース部 ２３・・・垂直ベース部 ３０・・・真空搬送手段 ３０ａ・・・磁気浮上型リニアモータ搬送系（搬送系） ３０ｂ・・・磁気浮上型リニアモータ搬送系（搬送系） ３１・・・固定子 ３２・・・可動子 ３４・・・推力発生部 ３５・・・推力用励磁部 ３６・・・浮上位置規制部 ４０・・・電磁石（浮上位置規制用励磁部）４４・・・
移動用補助ロール ＝　３５− ５０・・・スパッタ装置（処理手段） ７０・・・シールド部材 ９１・・・速度制御部 特許出願人　　　旭　硝　子　株式会社代　理　−人　
　　弁理士　　小泉　雅裕（外３名） 第４ ３４：推力発生部 ４２　　３１ａ 第１１ 第１２図 第１３図 トー一一一一成膜ゾーン→ 第１４図 第１５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）被処理材（１０）を保持する搬送シャトル（１１）
   と、真空処理炉（Ｒｖ）中において上記搬送シャトル（
   １１）が支持搬送される一対の搬送系（３０ａ、３０ｂ
   ）を有すると共に、少なくとも一方が固定子（３１）に
   対して非接触移動可能な可動子（３２）を有する磁気浮
   上型のリニアモータ搬送系で構成される真空搬送手段（
   ３０）と、 真空処理炉（Ｒｖ）中の処理ステージ（ＳＴ）に設置さ
   れて被処理材（１０）に対し真空処理する処理手段（５
   ０）と、 少なくとも上記処理ステージ（ＳＴ）に対応した箇所に
   て上記真空搬送手段（３０）と処理手段（５０）とを遮
   蔽するシールド部材（７０）とを備えた真空処理装置。 ２）請求項１記載のものにおいて、真空搬送手段（３０
   ）の一対の搬送系（３０ａ、３０ｂ）がいずれも磁気浮
   上型のリニアモータ搬送系であり、その一方のみに推力
   発生部（３４）を具備させたことを特徴とする真空処理
   装置。 ３）請求項１記載のものにおいて、磁気浮上型のリニア
   モータ搬送系は、固定子（３１）と可動子（３２）との
   間で上下及び幅方向のギャップを規制する浮上位置規制
   部（３６）を備えていることを特徴とする真空処理装置
   。 ４）請求項１記載のものにおいて、固定子（３１）側に
   推力用及び位置規制用励磁部（３５、４０）が設けられ
   ていることを特徴とする真空処理装置。 ５）請求項１記載のものにおいて、上記磁気浮上型のリ
   ニアモータ搬送系の可動子（３２）は非浮上時の移動用
   補助ロール（４４）を備えていることを特徴とする真空
   処理装置。６）請求項１記載のものにおいて、搬送シャ
   トル（１１）が水平ベース部（１２）を有し且つ処理手
   段（５０）が熱処理を含んでいる場合に、真空搬送手段
   （３０）の一方側の搬送系（３０ａ、３０ｂ）に搬送シ
   ャトル（１１）の水平ベース部（１２）の熱変形に伴う
   変形代吸収部を設けたことを特徴とする真空処理装置。 ７）請求項１記載のものにおいて、搬送シャトル（１１
   ）は被処理材（１０）の保持部が両側面に設けられた垂
   直ベース部（２３）を有しており、処理ステージ（ＳＴ
   ）において処理手段（５０）が垂直ベース部（２２）を
   挟んで一対設けられていることを特徴とする真空処理装
   置。 ８）請求項１記載のものにおいて、上記真空搬送手段（
   ３０）は、処理ステージ（ＳＴ）で処理手段（５０）の
   処理速度分布に対応して搬送シャトル（１１）を搬送す
   る速度制御部（９１）を備えていることを特徴とする真
   空処理装置。