JP2007023380A - ハイブリッドpvd−cvdシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システムは、1つ又は複数のロードロックチャンバに接続された1つ又は複数の搬送ポット及び2つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。2つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。
【選択図】図4B
Description
前記第2の搬送ポットは、1つ又は複数の第2の処理チャンバ内で回転移動可能にそこに位置する第2の移動ロボットを含んでいてもよい。
他の実施例としては、クロムの層、及びアルミニウムネオジムの層が挙げられる。更に、銅及び銅に適する様々な障壁材料を含む積層膜は、本発明の方法及び装置を使用して蒸着することができる。
特に、エッチングチャンバ、アッシングチャンバ、イオン注入チャンバ、加熱チャンバなどの別の処理チャンバも、前記第2の処理モジュール460によって処理された後に、前記基板422上に別の処理を行う第2の処理モジュール460に、直線的に接続することができる。
、搬送ポット408に、前記基板処理システム900で連結されている。従って、更に専有面積を低減し、かつまだ基板処理能力を犠牲にせずに、現場基板処理を提供するために、搬送ポット408に位置する単一の基板移動ロボットを使用して、2つの処理モジュールの異なるタイプの処理チャンバ内で、処理される基板422は、回転移動可能である。一実施例では、前記基板処理システム900は、ハイブリッドPVD−CVDツールであり、処理チャンバ410、412、414などのCVDチャンバ、又は処理チャンバ418、420などの1つ又は複数のPVDチャンバを含む。
前記チャンバ体1012の内部全体により大きなアクセスを可能としてもよい。
1030B、1030Cを介して前記移動ロボット430を使用して、処理される基板は前記搬送ポット408に移動する。前記搬送ポット408から前記ロードロックチャンバ404の基板サブチャンバ1020、1022、1024の基板支持体1044上に戻る前記基板422を配置した後、前記スリットバルブ1026A、1026B、1028Cは閉じられ、前記バルブ1110A、1110B、1110Cは、開けることができ、それによって、ベントガス、例えば、N2及び/又はH2等が前記ベントポート1104A、1104B、1104Cを介して前記ロードロックチャンバ404の基板サブチャンバ1020、1022、1024に流れ込むことを可能にし、前記基板サブチャンバ1020、1022、1024の内容積の圧力を上げることを可能とする。ベントポート1104A、1104B、1104Cを介して、前記内部体積に入るベントガスを、一般的に濾過して、前記基板422の潜在的な微粒子の汚染を最小限にする。真空圧力レベルの維持及び前記基板サブチャンバ1020、1022、1024内での放出は、前記基板サブチャンバ1020、1022、1024の各々の上で、個々に行なわれることができる。一旦、前記基板サブチャンバ1020、1022、1024の各々の圧力が、前記工場インターフェース402と実質的に等しくなれば、前記スリットバルブ1028A、1028B、1028Cは開き、このようにして、前記基板サブチャンバ1020、1022、1024と前記工場インターフェイス402に連結された基板収納カセットとの間で、前記基板アクセス・ポート1032A、1032B、1032Cを介して、前記工場インターフェース402から大気ロボットが基板を移動することを可能にする。
更に、前記チャンバの壁は、セラミック材料又は陽極酸化アルミニウム材料で被覆することにより保護することができる。
前記チャンバ体1502は、一般に、側壁1552及び底1554を含む。
AMAT/10169)、及びTepmanによる2004年6月7日に出願された第10/863,152号(事件整理番号: AMAT/8841)の「フラットパネルスパッタ用2次元のマグネトロン走査」に記載されており、それらのすべては、引用によってその開示内容全体を本明細書に含めることとする。
2030は、一般に、前記基板422の下側全体と実質的に接触するように構成された上面2032を含んでいる。前記サセプター2030の上面2032は、前記サセプター2030を介して下から延在してもよい複数のリフトピン2034用の通路の存在によって引き起こされた中断を除いて連続的である。
Claims (56)
- 基板処理システムにおいて、基板上に1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、同一の基板処理システムの物理気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記物理気相蒸着処理チャンバで、1つ又は複数のシリコン含有層の表面処理なしに、前記シリコン含有層の表面に1つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップとを含む方法。 - 前記1つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、n+がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、p+がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項1の方法。
- 前記1つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ネオジム(Nd)、アルミニウムネオジム(AlNd)、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、銅(Cu)、窒化アルミニウム(AlxNy)、窒化モリブデン(MoxNy)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項1の方法。
- フラットパネルディスプレイ(FPD)、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード(FOLED)ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード(PLED)ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、1つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項1の方法。
- 約1平方メートル以上の、1つ又は複数の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項1の方法。
- 更に、前記基板処理システムの第1の搬送ポットに位置する第1の回転移動可能な真空移動ロボットを使用して、1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバへ前記基板を移動するステップを含む請求項1の方法。
- 更に、前記基板処理システムの第2の搬送ポットに位置する第2の回転移動可能な真空移動ロボットを使用して、前記物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記基板を移動するステップを含む請求項1の方法。
- 更に、前記基板処理システムの基板移動シャトル機構を使用して、前記物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記基板を移動するステップを含む請求項1の方法。
- 基板処理システムにおいて、基板上に1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの1つ又は複数のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記1つ又は複数のロードロックチャンバから、回転移動可能な真空移動ロボットを有する第1の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに、前記第1の搬送ポットから前記基板を移動するステップと、
1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、同一の基板処理システムの1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、1つ又は複数のシリコン含有層の表面処理なしに、前記シリコン含有層の表面上に1つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、
前記第1の搬送ポットに前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記基板を移動するステップと、
1つ又は複数のロードロックチャンバに前記第1の搬送ポットから前記基板を移動するステップと、
1つ又は複数のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。 - 更に、そこに接続された第2の回転移動可能な真空移動ロボットを有する第2の搬送ポットを使用して、1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、前記基板を移動するステップを含む請求項9の方法。
- 更に、そこに接続された基板移動シャトル機構を有する第2の往復チャンバを使用して、1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、
前記基板を移動するステップを含む請求項9の方法。 - 更に、接続された基板移動シャトル機構を有する第2のロードロックチャンバを使用して、1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、
前記基板を移動するステップを含む請求項9の方法。 - 1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに移動する前に、前記第1の搬送ポットに1つ又は複数のロードロックチャンバから第2の搬送ポットを介して前記基板を移動する請求項9の方法。
- 基板処理システムにおいて、基板上に1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの第1のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記基板処理システムの第1の搬送ポットに位置する真空移動ロボットを使用して、前記基板処理システムの1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
同一の基板処理システムの1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、前記基板を移動するステップと、
1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、1つ又は複数のシリコン含有層の表面上に1つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、 前記第1のロードロックチャンバに1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの前記第1のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。 - 前記1つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、n+がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、p+がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項14の方法。
- 前記1つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ネオジム(Nd)、アルミニウムネオジム(AlNd)、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、銅(Cu)、窒化アルミニウム(AlxNy)、窒化モリブデン(MoxNy)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項14の方法。
- フラットパネルディスプレイ(FPD)、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード(FOLED)ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード(PLED)ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、1つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項14の方法。
- 約1平方メートル以上の、1つ又は複数の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項14の方法。
- 前記第1の搬送ポットの前記真空移動ロボットは、1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバ内で回転移動可能に構成されている請求項14の方法。
- 1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップは、更に、第2の搬送ポットに前記第1のロードロックチャンバから前記基板を移動するステップと、1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに接続された前記第1の搬送ポットに前記第2の搬送ポットから前記基板を移動することを含む請求項14の方法。
- 更に、前記第2の搬送ポットから第2のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、前記第2のロードロックチャンバから前記第1の搬送ポットに前記基板を移動するステップを含む請求項20の方法。
- 基板処理システムにおいて、基板上に1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの第1のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記第1の搬送ポットから第1のロードロックチャンバを介して第2の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、
前記第2の搬送ポットから前記基板処理システムの1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、 前記基板処理システムの1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから前記第2の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、
前記第2の搬送ポットから前記第1の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、
前記第1の搬送ポットから同一の基板処理システムの1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、真空を破ることなく前記基板を移動するステップと、
前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、前記1つ又は複数のシリコン含有層の表面上に前記1つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、
前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記第1の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、
前記第1の搬送ポットから前記第1のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの前記第1のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。 - 前記第2の搬送ポットに位置し、前記1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバ内で回転移動可能になされた真空ロボットを使用して、1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動する請求項22の方法。
- 更に、前記第1の搬送ポットから第2のロードロックチャンバを介して前記第2の搬送ポットに前記基板を移動するステップと、前記第2の搬送ポットから前記第2のロードロックチャンバを介して前記第1の搬送ポットに前記基板を移動するステップを含む請求項22の方法。
- 前記第2のロードロックチャンバは、更に、1つ又は複数の基板移動シャトル機構を含む請求項24の方法。
- 前記第1の搬送ポットは、1つ又は複数の基板移動シャトル機構を含む往復チャンバである請求項22の方法。
- 前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ、前記第1のロードロックチャンバ、前記第2のロードロックチャンバ及びそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つからなる群から選択されるチャンバに、1つ又は複数の基板移動シャトル機構の少なくとも1つが接続される請求項26の方法。
- 1つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
1つ又は複数のロードロックチャンバと、
1つ又は複数のロードロックチャンバに接続された1つ又は複数の搬送ポットと、
1つ又は複数の搬送ポットに接続され、前記基板上に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するように構成された1つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバと、
1つ又は複数の搬送ポットに接続され、前記基板上に1つ又は複数の金属含有層を蒸着するように構成された1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバとを含む基板処理システム。 - 前記1つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、n+がドープされたアモルファスシリコン、n+がドープされたポリシリコン、窒化ケイ素、p+がドープされたアモルファスシリコン、p+がドープされたポリシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項28の基板処理システム。
- 1つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ネオジム(Nd)、アルミニウムネオジム(AlNd)、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、銅(Cu)、窒化アルミニウム(AlxNy)、窒化モリブデン(MoxNy)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項28の基板処理システム。
- プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるチャンバを含む請求項28の基板処理システム。
- 前記ロードロックチャンバが、更に、1つ又は複数のロードロックサブチャンバを含み、前記1つ又は複数のロードロックサブチャンバの各々は、1つ又は複数の基板の処理のために構成されている請求項28の基板処理システム。
- 前記基板処理システムが、約1平方メートル以上の、1つ又は複数の大面積基板を処理するように構成されている、請求項28の基板処理システム。
- 更に、前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに接続された1つ又は複数の往復機構を含む請求項28の基板処理システム。
- 前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記1つ又は複数の基板を移動するために、約90°間隔で前記1つ又は複数の基板の方向を変化するように、前記1つ又は複数の往復機構が構成されている請求項34の基板処理システム。
- 1つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
1つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第1のロードロックチャンバと、
前記第1のロードロックチャンバに接続された第1の搬送ポットと、
前記第1の搬送ポットに接続され、1つ又は複数の第1の処理チャンバを含む第1の処理モジュールと、
第2のロードロックチャンバと、
前記1つ又は複数の第1の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された1つ又は複数の第2の処理チャンバを含む前記第2のロードロックチャンバを介して、前記第1の搬送ポットに接続された第2の処理モジュールと、
前記第1の搬送ポットに位置し、前記第1のロードロックチャンバ、前記第1の処理モジュール及び前記第2のロードロックチャンバ内で回転移動可能な第1の移動ロボットとを含む基板処理システム。 - 更に、1つ又は複数の第2の処理チャンバに接続された1つ又は複数の往復機構を含む請求項36の基板処理システム。
- 前記1つ又は複数の往復機構の少なくとも1つは、更に、前記第2のロードロックチャンバに接続される請求項37の基板処理システム。
- 前記1つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記1つ又は複数の基板を移動するために、約90°間隔で前記1つ又は複数の基板の方向を変化するように、前記1つ又は複数の往復機構が構成されている請求項37の基板処理システム。
- 更に、前記第2のロードロックチャンバに接続された第2の搬送ポットを含む請求項36の基板処理システム。
- 更に、1つ又は複数の第2の処理チャンバ内で回転移動可能なように、前記第2の搬送ポットに位置する第2の移動ロボットを含む請求項40の基板処理システム。
- 更に、前記第2のロードロックチャンバに接続された往復チャンバを含む請求項36の基板処理システム。
- 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、アモルファスシリコン、n+がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、p+がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するように構成されている請求項36の基板処理システム。
- 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ネオジム(Nd)、アルミニウムネオジム(AlNd)、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、
チタン(Ti)、銅(Cu)、窒化アルミニウム(AlxNy)、窒化モリブデン(MoxNy)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、1つ又は複数の金属含有層を、1つ又は複数の基板上に蒸着するように構成されている請求項36の基板処理システム。 - 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される1つ又は複数のチャンバを含む請求項36の基板処理システム。
- 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、1つ又は複数の物理気相蒸着チャンバを含む請求項36の基板処理システム。
- 前記第1及び前記第2のロードロックチャンバの少なくとも1つは、更に、1つ又は複数のロードロックサブチャンバを含み、前記1つ又は複数のロードロックサブチャンバの各々は、1つ又は複数の基板の処理のために構成されている請求項36の基板処理システム。
- フラットパネルディスプレイ(FPD)、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード(FOLED)ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード(PLED)ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、1つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項36の基板処理システム。
- 1つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
1つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第1のロードロックチャンバと、
前記第1のロードロックチャンバに接続された第1の搬送ポットと、
前記第1の搬送ポットに接続され、1つ又は複数の第1の処理チャンバを含む第1の処理モジュールと、
前記第1の搬送ポットに接続され、真空密封可能なバルブによって前記第1の搬送ポットから分離された第2の搬送ポットと、
前記第2の搬送ポットを介して前記第1の搬送ポットに接続され、前記1つ又は複数の第1の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された1つ又は複数の第2の処理チャンバを含む第2の処理モジュールと、
前記第1のロードロックチャンバ、前記第1の処理モジュール及び前記第2の搬送ポット内で回転移動可能に前記第1の搬送ポットに位置する第1のロボットとを含む基板処理システム。 - 更に、前記第1の搬送ポット及び前記第2の搬送ポットに接続された往復機構を含む請求項49の基板処理システム。
- 更に、1つ又は複数の第2の処理チャンバ内で、回転移動可能に前記第2の搬送ポットに位置する第2のロボットを含む請求項49の基板処理システム。
- 1つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
前記1つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第1のロードロックチャンバと、
前記第1のロードロックチャンバに接続された第1の搬送ポットと、
前記第1の搬送ポットに接続され、1つ又は複数の第1の処理チャンバを含む第1の処理モジュールと、
前記1つ又は複数の第1の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された1つ又は複数の第2の処理チャンバを含み、1つ又は複数の第2の処理チャンバの少なくとも1つを介して前記第1の搬送ポットに接続された第2の処理モジュールと、
前記第1のロードロックチャンバ、前記第1の処理モジュール及び少なくとも1つの第2の処理チャンバ内で回転移動可能に前記第1の搬送ポットに位置する第1の移動ロボットとを含む基板処理システム。 - 更に、1つ又は複数の第2の処理チャンバに接続された第2の搬送ポットを含む請求項51の基板処理システム。
- 前記第2の搬送ポットは、更に、前記第2の搬送ポット及び前記1つ又は複数の第2の処理チャンバ内で、それに接続された1つ又は複数の往復機構を含む請求項52の基板処理システム。
- 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるチャンバを含む請求項51の基板処理システム。
- 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの少なくとも1つは、物理気相蒸着チャンバを含む請求項51の基板処理システム。
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