JP2011129870A - 薄膜トランジスタ製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを蒸着する第1マルチチャンバと、前記基板上に電極を形成する第2マルチチャンバと、前記第1マルチチャンバと前記第2マルチチャンバとの間に位置するローディング/アンローディングチャンバと、を含み、前記ローディング/アンローディングチャンバは、基板ホルダ及び電源電圧印加部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ製造装置。
【選択図】図1B
Description
Tube display device)に代替される表示装置として用いられる。このような平板表示装置の代表的な例として、液晶表示装置(Liquid Crystal
Display device; LCD)と有機電界発光表示装置(Organic Light Emitting Diode
display device; OLED)が知られている。特に有機電界発光表示装置は、液晶表示装置に比べて輝度特性及び視野角特性が優れているため、バックライト(Backlight)を必要とせず、超薄型を実現することができる長所を有する。
matrix)方式とに分類される。上記能動駆動方式の有機電界発光表示装置は、上記有機薄膜を含む有機電界発光ダイオードを駆動するために2つの薄膜トランジスタ(Thin
Film Transistor; TFT)が形成される。すなわち、上記有機電界発光ダイオードに駆動電流を印加するための駆動トランジスタ及び上記駆動トランジスタにデータ信号を伝達して上記駆動トランジスタのオン/オフを決定するスイッチングトランジスタが形成される。しかし、これら2つのトランジスタが形成されるために、能動駆動方式の有機電界発光表示装置は、受動駆動方式の有機電界発光表示装置に比べて製造が複雑であるという短所があった。
silicon; a-si)で形成され得るが、上記多結晶シリコンの電子移動度が非晶質シリコンの電子移動度よりも高いため、現在は多結晶シリコンが主に用いられる。
Induced Crystallization: MIC)、金属誘導側面結晶化法(Metal Induced Lateral
Crystallization: MILC)、エキシマレーザアニーリング(Excimer Laser Annealing: ELA)結晶化法、及び順次側面固相(Sequential Lateral Solidification: SLS)結晶化法のうちのいずれか1つを用いて結晶化する方法が主に用いられる。
図1Aは本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ製造装置の一部を示す模式図であり、図1Bは図1Aの切断線I−I’による断面図である。
110 第1工程チャンバ
200 第2マルチチャンバ
210 第2工程チャンバ
300 ローディング/アンローディングチャンバ
310 基板ホルダ
320 電源電圧印加部
Claims (13)
- 基板上に非晶質シリコンを蒸着する第1マルチチャンバと、
前記基板上に電極を形成する第2マルチチャンバと、
前記第1マルチチャンバと前記第2マルチチャンバとの間に位置するローディング/アンローディングチャンバと、
を含み、
前記ローディング/アンローディングチャンバは、基板ホルダ及び電源電圧印加部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ製造装置。 - 前記基板ホルダは、基板が載置される基板支持台と、前記基板支持台を上昇または下降させるホルダ移送部と、前記ホルダ移送部を制御するホルダ駆動部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記基板支持台は、前記基板を固定させる固定手段をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記固定手段は、真空ポンプに接続された1つまたは複数の真空ホールであることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記基板支持台の側面に位置し、基板を整列させるアラインメント手段をさらに含むことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記基板支持台は、基板の大きさを検知するための1つまたは複数のセンサをさらに含むことを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記電源電圧印加部は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に互いに異なる極性の電源電圧を印加する電源電圧源と、を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造装置。
- 前記電源電圧印加部は、前記第1電極と前記第2電極との間の距離を調節する制御部をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記電源電圧印加部は、前記第1電極を移動させる第1電極移送部と、前記第2電極を移動させる第2電極移送部と、前記第1電極移送部及び前記第2電極移送部の移動経路が設けられた移動ガイドをさらに含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記移動ガイドは、前記第1電極移送部の移動経路が設けられた第1移動ガイド及び前記第2電極移送部の移動経路が設けられた第2移動ガイドを含み、
前記第1移動ガイドと前記第2移動ガイドとは所定距離離隔されていることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ製造装置。 - 前記第1移動ガイド及び前記第2移動ガイドは、前記移動ガイドの長手方向に形成されたガイドホールを含み、
前記第1電極移送部及び前記第2電極移送部は、前記ガイドホームに対応するよう形成された突出部を含むことを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ製造装置。 - 前記第2マルチチャンバは、スパッタリング工程を行なう工程チャンバを含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記薄膜トランジスタ製造装置は、
前記第1マルチチャンバと前記ローディング/アンローディングチャンバとの間及び前記ローディング/アンローディングチャンバと前記第2マルチチャンバとの間に位置するゲートバルブをさらに含むことを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
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