JP5528727B2 - 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス - Google Patents
薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス Download PDFInfo
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Description
<1> 基板上に酸化物半導体薄膜を形成する真空薄膜形成室と、
前記真空薄膜形成室で前記酸化物半導体薄膜を形成中に又は形成した後に、前記酸化物半導体薄膜を加熱する加熱手段と、
前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され、前記大気と遮断された真空処理室内に設けられ、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を冷却する冷却手段と、
を有する薄膜トランジスタ製造装置。
<2> 前記酸化物半導体薄膜は、前記基板上に薄膜トランジスタの活性層として形成され、
前記真空処理室に接続されて前記大気と遮断され、前記基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する真空金属膜形成室と、
前記真空処理室に接続されて前記大気と遮断され、前記基板上にゲート絶縁層を形成する真空絶縁膜形成室と、
を有する<1>に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<3> 前記真空薄膜形成室、前記真空処理室、前記真空金属膜形成室、又は前記真空絶縁膜形成室のいずれか1つの室内には、少なくとも1つのメタルマスクを収納するメタルマスクシェルフが設けられている<2>に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<4> 前記真空薄膜形成室には、前記真空薄膜形成室内の酸素分圧を制御する制御機構が設けられている<1>〜<3>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<5> 前記制御機構は、オゾン照射機構又は酸素ラジカル照射機構を含む<4>に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<6> 前記冷却手段は、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を有する基板の裏面側に冷却媒体を接触させて、前記酸化物半導体薄膜を冷却する<1>〜<5>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<7> 前記冷却手段は、前記基板及び前記冷却媒体の少なくとも一方を移動させて前記基板の裏面側と前記冷却媒体を接触させる<6>に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
<8> 大気と遮断された真空薄膜形成室内で、基板上に酸化物半導体の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程の中で又は前記薄膜を形成した後に、前記薄膜を加熱する加熱工程と、
前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され前記大気と遮断された真空処理室内で、前記基板上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から冷却する冷却工程と、
を有する酸化物半導体薄膜の製造方法。
<9> 前記加熱工程では、前記薄膜を150℃以上に加熱し、
前記冷却工程では、150℃以上に加熱された前記薄膜を600℃/min以上の冷却速度で100℃未満に冷却する<8>に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
<10> 前記冷却工程では、前記薄膜が形成された基板の裏面側から冷却する<8>又は<9>に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
<11> 前記真空薄膜形成室内又は前記真空処理室内に設けられた冷却媒体、及び前記基板の少なくとも一方を移動して、前記薄膜が形成された基板の裏面側と前記冷却媒体を接触させることにより、前記薄膜を冷却する<10>に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
<12> 前記酸化物半導体の構成材料は、In及びZnのうち少なくとも一方の元素を含む<8>〜<11>のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
<13> 前記酸化物半導体の構成材料は、In2−xMxO3(ZnO)m(Mは、Fe、Ga、Alからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、0≦x≦1、mは1以上の自然数)である<12>に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
<14> 少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、活性層、ソース電極及びドレイン電極をそれぞれ形成する工程を含み、
前記活性層を形成する工程では、<8>〜<13>のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いる薄膜トランジスタの製造方法。
<15> <8>〜<13>のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いて作製した酸化物半導体薄膜。
<16> <14>に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて作製した薄膜トランジスタ。
<17> <8>〜<13>のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いて作製した酸化物半導体薄膜を備えた発光デバイス。
1.薄膜トランジスタ製造装置の構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る薄膜トランジスタ製造装置の概略構成図である。
本発明の第1実施形態に係る薄膜トランジスタ(以下、TFTと略す)は、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。
TFT100の基板36を構成する材料としては、例えば、ガラス、YSZ(ジルコニア安定化イットリウム)等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の有機材料が挙げられる。基板36を構成する材料として、上記有機材料を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れた材料を選択することが好ましい。
ゲート電極102は、基板36上に形成される。
ゲート絶縁層104は、主にゲート電極102上に形成される。
活性層106は、主にゲート絶縁層104上に形成される。
ソース電極108及びドレイン電極110は、活性層106上に互いに離間して形成されている。
(保護層)
保護層112は、活性層106、ソース電極108及びドレイン電極110の上に形成される。この保護層112が形成されることにより、外気に対する封止性能が向上する。
次に、本発明の第1実施形態に係るTFTの製造方法について詳細に説明する。このTFTは、図1に示す薄膜トランジスタ製造装置10を用いて製造される。
なお、基板36は不図示の基板ホルダによって保持されていることから、実際には冷却媒体152は、基板36の裏面にある基板ホルダを構成する均熱板に接触することとなるが、基板ホルダは基板36の裏面と接触していることから、冷却媒体152は基板36の裏面に「間接的」に接触することとなる。また、冷却中の基板36温度は、冷却媒体152中に配置された熱電対を用いてモニターする。
上記第1実施形態では、冷却機構42が輸送室14内に設けられている場合を説明したが、本発明の第2実施形態では、冷却機構42が酸化物半導体薄膜形成室20内に設けられている場合を説明する。
以上、第1、第2実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
<実施例1>
実施例2に係る酸化物半導体薄膜も、図1に示す薄膜トランジスタ製造装置10を使用して作製した。
<比較例1>
比較例1に係る酸化物半導体薄膜も、図1に示す薄膜トランジスタ製造装置10を使用して作製した。
比較例2に係る酸化物半導体薄膜も、図1に示す薄膜トランジスタ製造装置10を使用して作製した。
実施例1及び2、並びに、比較例1及び2のそれぞれのInGaZnO4薄膜について電気抵抗率を測定した結果、比較例1及び2のInGaZnO4薄膜に比べて実施例1及び2のInGaZnO4薄膜の電気抵抗率は低い値となった。
14 輸送室(真空処理室)
16 金属薄膜形成室(真空金属膜形成室)
18 絶縁薄膜形成室(真空絶縁膜形成室)
20 酸化物半導体薄膜形成室(真空薄膜形成室、真空処理室)
36 基板
40 メタルマスクシェルフ
42 冷却機構(冷却手段)
56 ヒータ(加熱手段)
102、130 ゲート電極
104、128 ゲート絶縁層
106、122 活性層
108、124 ソース電極
110、126 ドレイン電極
140 ゲート電極用のメタルマスク(メタルマスク)
142 ゲート絶縁層用のメタルマスク(メタルマスク)
144 活性層用のメタルマスク(メタルマスク)
146 ドレイン電極用のメタルマスク(メタルマスク)
152 冷却媒体
204 輸送室(真空処理室)
212 酸化物半導体薄膜形成室(真空薄膜形成室、真空処理室)
Claims (17)
- 基板上に酸化物半導体薄膜を形成する真空薄膜形成室と、
前記真空薄膜形成室で前記酸化物半導体薄膜を形成中に又は形成した後に、前記酸化物半導体薄膜を加熱する加熱手段と、
前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され、前記大気と遮断された真空処理室内に設けられ、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を冷却する冷却手段と、
を有する薄膜トランジスタ製造装置。 - 前記酸化物半導体薄膜は、前記基板上に薄膜トランジスタの活性層として形成され、
前記真空処理室に接続されて前記大気と遮断され、前記基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する真空金属膜形成室と、
前記真空処理室に接続されて前記大気と遮断され、前記基板上にゲート絶縁層を形成する真空絶縁膜形成室と、
を有する請求項1に記載の薄膜トランジスタ製造装置。 - 前記真空薄膜形成室、前記真空処理室、前記真空金属膜形成室、又は前記真空絶縁膜形成室のいずれか1つの室内には、少なくとも1つのメタルマスクを収納するメタルマスクシェルフが設けられている請求項2に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記真空薄膜形成室には、前記真空薄膜形成室内の酸素分圧を制御する制御機構が設けられている請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記制御機構は、オゾン照射機構又は酸素ラジカル照射機構を含む請求項4に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記冷却手段は、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を有する基板の裏面側に冷却媒体を接触させて、前記酸化物半導体薄膜を冷却する請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 前記冷却手段は、前記基板及び前記冷却媒体の少なくとも一方を移動させて前記基板の裏面側と前記冷却媒体を接触させる請求項6に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
- 大気と遮断された真空薄膜形成室内で、基板上に酸化物半導体の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程の中で又は前記薄膜を形成した後に、前記薄膜を加熱する加熱工程と、
前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され前記大気と遮断された真空処理室内で、前記基板上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から冷却する冷却工程と、
を有する酸化物半導体薄膜の製造方法。 - 前記加熱工程では、前記薄膜を150℃以上に加熱し、
前記冷却工程では、150℃以上に加熱された前記薄膜を600℃/min以上の冷却速度で100℃未満に冷却する請求項8に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。 - 前記冷却工程では、前記薄膜が形成された基板の裏面側から冷却する請求項8又は請求項9に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記真空薄膜形成室内又は前記真空処理室内に設けられた冷却媒体、及び前記基板の少なくとも一方を移動して、前記薄膜が形成された基板の裏面側と前記冷却媒体を接触させることにより、前記薄膜を冷却する請求項10に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記酸化物半導体の構成材料は、In及びZnのうち少なくとも一方の元素を含む請求項8〜請求項11のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記酸化物半導体の構成材料は、In2−xMxO3(ZnO)m(Mは、Fe、Ga、Alからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、0≦x≦1、mは1以上の自然数)である請求項12に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、活性層、ソース電極及びドレイン電極をそれぞれ形成する工程を含み、
前記活性層を形成する工程では、請求項8〜請求項13のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いる薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項8〜請求項13のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いて作製した酸化物半導体薄膜。
- 請求項14に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて作製した薄膜トランジスタ。
- 請求項8〜請求項13のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法を用いて作製した酸化物半導体薄膜を備えた発光デバイス。
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