JP2017521713A - 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム - Google Patents

Abstract

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システムは、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバと、真空内で基板ハンドリング真空チャンバにロードされる超低膨張基板を搬送するための基板ハンドリングプラットフォームと、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、極紫外線（ＥＵＶ）光を反射させるための、超低膨張基板の上に形成された多層スタックと、８０ｎｍ未満の厚さと２％未満の反射率を有する吸収層を含む、多層スタックの上に形成され、１３．５ｎｍの波長におけるＥＵＶ光を吸収するための吸収層とを含む複数のサブチャンバとを含む。【選択図】図１

Description

［０００１］本発明は概して、極紫外線リソグラフィブランクと、上記極紫外線リソグラフィブランクの製造及びリソグラフィシステムに関する。

［０００２］ソフトＸ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）とは、０．０１３５ミクロン、及びこれより小さい最小形状の半導体デバイスを製造するための、深紫外線リソグラフィに取って代わる後継候補である。

［０００３］しかしながら、一般に５から１００ナノメートルの波長範囲の極紫外線は、ほとんどの物質によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。非反射吸収マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ素子、及び反射素子又はマスクブランクの使用を介して、パターン化された化学光がレジストでコーティングされた半導体基板上で反射される。

［０００４］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びシリコン等の材料の多層反射コーティングでコーティングされる。１３．５ナノメートルの極紫外線において例えば１２．５〜１４．５ナノメートルの帯域等の非常に狭い紫外線の帯域内の光を強く反射させる多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たりおおよそ６５％の反射率値が得られている。

［０００５］電子部品の形状を更に小さくする必要を考慮すると、これらの問題への答えを見つけることが更に重要になってくる。かつてないほどの消費市場での競争圧力と共に、消費者の期待の高まりを考慮すると、これらの問題への答えを見つけることは益々重要である。加えて、コストを下げて、効率性及び性能を改善し、競争圧力に対抗する必要により、これらの問題への答えを見つける必要の重要性にさらに高い緊急性が増し加わる。

［０００６］これらの問題への解決法が長く求められてきたが、以前の開発状況ではいかなる解決法も教示又は提案されてこなかったため、当業者はこれらの問題への解決法を長く見い出せずにいた。

［０００７］本発明の一実施形態は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システムであって、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバと、真空内で基板ハンドリング真空チャンバにロードされる超低膨張基板を搬送するための基板ハンドリングプラットフォームと、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、極紫外線（ＥＵＶ）光を反射させるための、超低膨張基板の上に形成された多層スタックと、８０ｎｍ未満の厚さと２％未満の反射率を有する吸収層を含む、多層スタックの上に形成され、１３．５ｎｍの波長におけるＥＵＶ光を吸収するための吸収層とを含む複数のサブチャンバとを提供する。

［０００８］本発明の一実施形態は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、超低膨張基板と、超低膨張基板の上の多層スタックと、多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層とを提供する。

［０００９］本発明の特定の実施形態は、上述したものに加えて、又はその代わりに他のステップ又はエレメントを有する。添付の図面を参照しながら、以下の詳細説明を読むことで、ステップ又はエレメントが当業者に明らかとなるだろう。

［００１０］次世代リソグラフィの光源は、１９３ｎｍの波長から１３．５ｎｍの極紫外線源へ移りつつある。この結果、マスクブランクは透過性から反射性の形状寸法へと変わるだろう。マスクブランクの構造は、１３．５ｎｍの波長において最大限に反射するように設計された周期間隔を有するモリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓｉ）多層構造であってよい。ＥＵＶマスクブランクは、各層の光の作用を制御する複雑な構造である。マスクの幾つかの領域は光を反射させ、他の領域は吸収する。光が反射される領域は、吸収率が最小限である、多層の周期的構造における各インターフェースからの建設的干渉に起因する。光が吸収される領域は、薄膜吸収と、吸収体及び下の多層構造からの相殺的干渉の組み合わせに起因する。実施形態において、０．５ｎｍの帯域幅を有する１３．５ｎｍを中心として放射線の吸収体として機能する単層膜が開示される。

極紫外線（ＥＵＶ）マスク作製システムの図である。 一実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの断面図である。 ＥＵＶマスクの斜視図である。 超低欠陥のＥＵＶマスクブランクを作製するための方法のフロー図である。 超低欠陥のＥＵＶマスクブランクを作製するための代替方法のフロー図である。 ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系トレインの機能図である。 一実施形態における吸収層を含むＥＵＶマスクブランクの概略図である。

［００１８］以下の実施形態を、当業者が本発明を作製し使用することが可能になるように、十分詳細に説明する。本開示に基づき他の実施形態も自明となり、本発明の範囲から逸脱せずに、システム、プロセス、又は機械的変更を行うことが可能であることを理解すべきである。

［００１９］以下の記載では、本発明の完全な理解を促すために多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本発明がこれら具体的な詳細なしに実施可能であることが明らかになるであろう。本発明が曖昧になるのを避けるために、幾つかの周知の回路、システム設定、及びプロセスステップは詳細には開示されない。

［００２０］システムの実施形態を示す図面は、やや概略的なものであり、原寸に比例するものではない。特に、幾つかの寸法は、明確に表示するために、図面において拡大して示されている。同様に、説明しやすくするために、図面はおおむね同じような配向で示されているが、このような図示はほとんどの部分において任意のものである。本発明は概して、いかなる配向においても動作可能である。

［００２１］幾つかの共通している特徴を有する複数の実施形態が開示され、記載されるが、これら実施形態の例示、説明を明解にし、簡単に理解できるようにするために、同様の似ている特徴は同じ参照番号で記載される。

［００２２］解説のために、本明細書で使用する「水平」という語は、その配向性と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行する面として定義される。「垂直」という語は、ここで定義されたように水平に対して垂直の方向を指すものである。例えば「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、（「側壁」にあるような）「側方（ｓｉｄｅ）」、「高い（ｈｉｇｈｅｒ）」、「低い（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ｕｐｐｅｒ）」、「上側（ｏｖｅｒ）」、「下側（ｕｎｄｅｒ）」等の語は、図に示すように、水平面に対して定義される。［００３１］「の上（ｏｎ）」という語は、エレメント間で直接の接触があることを示す。

［００２３］本明細書で使用される「処理」という用語は、記載された構造体を形成するために必要とされる、材料又はフォトレジストの堆積、並びに、材料又はフォトレジストのパターニング、露出、現像、エッチング、洗浄、及び／又は除去を含む。

［００２４］ここで、統合型極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システム１００を示す図１を参照する。統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００は、例えばガラス、シリコン、又は他の超低熱膨張材料の基板等の基板１０５を含有する搬送ボックスがロードされるロードポート１０４を有するマスクブランクローディング及びキャリアハンドリングシステム１０２を含む。エアロック１０６により、基板ハンドリング真空チャンバ１０８へのアクセスが提供される。一実施形態では、基板ハンドリング真空チャンバ１０８は、第１の真空チャンバ１１０と第２の真空チャンバ１１２の２つの真空チャンバを含有しうる。第１の真空チャンバ１１０は第１の基板ハンドリングプラットフォーム１１４を含有し得、第２の真空チャンバ１１２は第２の基板ハンドリングプラットフォーム１１６を含有しうる。

［００２５］基板ハンドリング真空チャンバ１０８は、様々なサブシステムを取り付けるためにその外縁に複数のポートを有しうる。第１の真空チャンバ１１０は例えば、ガス抜きサブシステム１１８と、吸収層堆積チャンバ等の第１の物理的気相堆積サブチャンバ１２０と、裏面チャッキング層チャッキング層堆積チャンバ等の第２の物理的気相堆積サブチャンバ１２２と、予洗浄サブシステム１２４とを有しうる。

［００２６］第２の真空チャンバ１１２は、多層堆積チャンバ等の第１のマルチカソードサブチャンバ１２６と、平坦化層堆積チャンバ等の流動性化学気相堆積（ＦＣＶＤ）サブチャンバ１２８と、硬化サブチャンバ１３０と、第２の真空チャンバ１１２に接続された第２のマルチカソードサブチャンバ１３２とを有しうる。

［００２７］第１の基板ハンドリングプラットフォーム１１４は、連続的な真空下で、エアロック１０６及び第１の真空チャンバ１１０の外縁の様々なサブシステムの中で、スリットバルブ（図示せず）を介して、第１の処理中基板１３４等の超低膨張基板を移動させることができる。第２の基板ハンドリングプラットフォーム１１６は、連続的な真空下に第２の処理中基板１３６を維持しながら、第２の真空チャンバ１１２周囲で第２の処理中基板１３６等の超低膨張基板を移動させることができる。

［００２８］統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００により、ＥＵＶマスクブランクを製造するための環境が得られ、また第１の処理中基板１３４と第２の処理中基板１３６の手動での搬送が最小限になりうることが分かっている。

［００２９］ここで、一実施形態に係るＥＵＶマスクブランク２００の断面図である図２を参照する。ＥＵＶマスクブランク２００は、ガラス、シリコン、又は他の超低熱膨張材料の超低熱膨張基板２０２を有しうる。超低熱膨張材料は、溶融シリカ、溶融石英、フッ化カルシウム、炭化ケイ素、酸化ケイ素−酸化チタン、又はこれらの材料の範囲内の熱膨張係数を有する他の材料を含む。

［００３０］超低膨張基板２０２におけるくぼみ及び／又は欠陥等の表面不完全性２０３を塞ぐ、超低膨張基板２０２の上部の粒子をカバーする、又は超低膨張基板２０２のすでに平坦化された表面を滑らかにして平面２０５を形成するために平坦化層２０４が使用可能であることが分かっている。

［００３１］多層スタック２０６を平坦化層２０４に形成して、ブラッグリフレクタが形成されうる。ＥＵＶで使用される照射波長の吸収性のために、反射光学系が使用される。多層スタック２０６は、リフレクタを形成するために、例えばモリブデン及びシリコン等の高Ｚ材料及び低Ｚ材料が交互に重なった層からできていてよい。

［００３２］キャップドブラッグリフレクタ（ｃａｐｐｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を形成するために、超低膨張基板２０２の反対側の多層スタック２０６にキャッピング層２０８が形成される。キャッピング層２０８は、多層スタック２０６を、ＥＵＶマスクブランク２００が連続的なマスク処理の間に曝露されうる酸化及び全ての化学エッチャントから保護するのを助けるために、ルテニウム（Ｒｕ）又はそれらの非酸化化合物等の材料であってよい。窒化チタン、炭化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ルテニウム、及び炭化ケイ素等の他の材料もキャッピング層２０８に使用されうる。

［００３３］キャッピング層２０８に、吸収層２１０が形成されうる。吸収層２１０は、特定周波数（約１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光に対し、高い吸収係数を有する材料でできていてよく、例えばクロム、タンタル、又はそれらの窒化物等の材料であってよい。一実施例として、クロム、タンタル又はそれらの窒化物で形成された吸収層２１０の厚さ２１１は、８０ｎｍよりも厚くてよい。クロム、タンタル又はそれらの窒化物で形成された吸収層２１０は、２％を超える反射率を有しうる。

［００３４］ＥＵＶマスクブランク２００に形成されたマスクにおいてシャドーイングの原因となる表面視差を低減するために、吸収層２１０をできるだけ薄く維持しなければならない。クロム、タンタル又はそれらの窒化物で形成され、８０ｎｍを超える厚さ２１１を有する吸収層２１０に課せられる制約のうちの１つは、ＥＵＶ光の入射角により、ＥＵＶマスクブランクを使用してマスクによって作製される集積回路において達成されうるパターンサイズを制限するシャドーイングが生じ得、製作されうる集積回路デバイスのサイズが制限される。

［００３５］吸収層２１０は、以下の金属、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、カドミウム（Ｃｄ）等、又はビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）等の半金属のうちの１つを使用して、８０ｎｍ未満の単層で形成されうる。吸収層２１０の材料は、１３．５ｎｍにおける吸収特性と、エッチング可能性に照らして選択される。吸収層２１０は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＲＦ、及びＤＣマグネトロンスパッタリング技法によって堆積されうる。吸収層２１０は、薄膜吸収性と、ＥＵＶ光の相殺的干渉との組み合わせによって作用しうる。

［００３６］ＥＵＶマスクブランク２００によって提供される反射率の割合は、吸収層２１０の厚さ２１１を管理することによって制御されうる。一例として、１３．５ｎｍの波長におけるＥＵＶ光の反射率の割合は、吸収層２１０の厚さ２１１に基づいて５％、３％、１％、又は０．５％に制御されうる。

［００３７］吸収層２１０に、反射防止コーティング（ＡＲＣ）２１２が堆積されうる。ＡＲＣ２１２は、例えばオキシ窒化タンタル、又は酸化ホウ素タンタル等の材料でできていてよい。

［００３８］基板を静電チャック（図示せず）に、又は静電チャックと共に装着するために、平坦化層２０４の反対側の超低膨張基板２０２の裏面側の表面に、裏面チャッキング層２１４が形成されうる。

［００３９］ここで、ＥＵＶマスク３００の斜視図を示す図３を参照する。ＥＵＶマスク３００は長方形であってよく、その上面にパターン３０２を有しうる。パターン３０２がエッチングされてＡＲＣ２１２と吸収層２１０が形成され、集積回路（図示せず）の製造ステップに関連する形状寸法を示すためにキャッピング層２０８が露出しうる。パターン３０２の反対側のＥＵＶマスク３００の裏面に、裏面チャッキング層２１４が形成されうる。

［００４０］ここで、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を作製するための方法４００のフロー図を示す図４を参照する。超低欠陥は、欠陥がほぼゼロということである。方法４００は、基板投入ステップ４０２において図２の超低膨張基板２０２を供給することを含む。超低膨張基板２０２の裏面が、基板洗浄ステップ４０４で洗浄され、裏面準備ステップ４０６においてガス抜きされ、予洗浄されうる。

［００４１］裏面チャッキング層堆積ステップ４０８において超低膨張基板２０２の裏面に図２の裏面チャッキング層２１４が形成され、前面洗浄ステップ４１０において前面の洗浄が実施されうる。前面洗浄ステップ４１０の後で、基板１０５が次の処理のために第１の真空チャンバ１１０に投入されうる。キャップドブラッグリフレクタ４１２を形成するステップは、周囲環境からの汚染を避けるために連続的な真空下にある間に、図１の統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００においてより良好に実施される。

［００４２］第１の真空チャンバ１１０において、ガス抜き及び予洗浄ステップ４１４と、平坦化ステップ４１６が実施されうる。平坦化層硬化ステップ４１８において図２の平坦化層２０４が硬化され得、多層スタック堆積ステップ４２０において図２の多層スタック２０６の堆積が実施されうる。平坦化層硬化ステップ４１８と多層スタックステップ４２０は両方とも、第２の真空チャンバ１１２で実施されうる。キャップドブラッグリフレクタ等の第２の処理中基板１３６を形成するために、キャッピング層堆積ステップ４２２において第２の真空チャンバ１１２内で図２のキャッピング層２０８が堆積されうる。

［００４３］統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００から出た後で、第２の処理中基板１３６に検査ステップ４２４において実施されうる深紫外線（ＤＵＶ）／化学的検査が行われ、第２の処理中基板１３６は任意選択的に第２の前面洗浄ステップ４２６において洗浄され、図２のＥＵＶマスクブランク２００を形成するために、ＥＵＶマスクブランク完成ステップ４２８において図２の吸収層２１０と図２の反射防止コーティング２１２が堆積されうる。

［００４４］統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００は、一貫して欠陥がほぼゼロのＥＵＶマスクブランク２００を作製しうることが分かっている。チャンバでは平坦化層２０４の堆積とその硬化との間に熱勾配時間を設ける必要がないため、第１の真空チャンバ１１０における平坦化層２０４の形成と、第２の真空チャンバ１１２における平坦化層２０４の硬化により、統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００の効率が改善されうる。

［００４５］ここで、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を作製するための代替方法５００のフロー図を示す図５を参照する。超低欠陥とは、欠陥がほぼゼロであるということである。代替方法５００は、基板投入ステップ５０２において図２の超低膨張基板２０２を供給することによって開始される。裏面洗浄ステップ５０４において超低膨張基板２０２が洗浄され得、前面洗浄ステップ５０６において前面が洗浄されうる。

［００４６］キャップドブラッグリフレクタ５０８形成するステップは、周囲環境からの汚染を避けるために連続的な真空下にある間に、図１の統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００においてより良好に実施される。

［００４７］ガス抜きサブシステム１１８において実施される真空洗浄ステップ５１０において、基板１０５がガス抜きされ予洗浄される。裏面チャッキング層堆積ステップ５１２において裏面チャッキング層２１４が堆積され、平坦化層５１４において平坦化されうる。硬化サブシステム１３０で実施されうる平坦化硬化ステップ５１６において図２の平坦化層２０４が硬化されうる。第２の処理中基板１３６を形成するために、多層スタック堆積ステップ５２０において図２の多層スタック２０６の堆積が実施され得、キャップ堆積ステップ５２０の堆積において図２のキャッピング層２０８が堆積されうる。

［００４８］検査ステップ５２２において、ＤＵＶ／化学的検査は統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００内で実施されうるが、その外でも実施されうる。第２の処理中基板１３６は任意選択的に第２の洗浄ステップ５２４において洗浄され、ＥＵＶマスクブランク完成ステップ５２６において図２の吸収層２１０と図２の反射防止コーティング２１２が堆積されうる。

［００４９］ここで、ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系トレイン６００の機能図を示す図６を参照する。光学系トレイン６００は、ＥＵＶ光を生成し、それをコレクタ６０４に集めるための、プラズマ源等の極紫外線源６０２を有する。コレクタ６０４は、ＥＵＶ光の焦点を視野ファセットミラー６０８に合わせるための放物形状を有しうる。コレクタ６０４により、照射システム６０６の一部である視野ファセットミラー６０８に光が供給される。

［００５０］視野ファセットミラー６０８の表面は、ＥＵＶ光の焦点を瞳孔ファセットミラー６１０に更に合わせるために、凹状の輪郭を有しうる。照射システム６０６はまた、（図１の基板１０５の完全に処理されたバージョンである）レチクル６１２にＥＵＶ光を伝達し、焦点を合わせるための一連の瞳孔ファセットミラー６１０も含む。

［００５１］レチクル６１２は、集積回路の処理層を表すパターンを有しうる。レチクル６１２は、投影光学素子６１４を通して、半導体基板６１６上にパターンを含むＥＵＶ光を反射する。投影光学素子６１４により、レチクル６１２によって提供されたパターンの面積が縮小し、半導体基板６１６の表面にわたるパターンが繰り返し露出されうる。

［００５２］ここで、一実施形態において吸収層２１０を含むＥＵＶマスクブランク２００の概略図を示す図７を参照する。本発明では、吸収層の幾つかの候補が記載されている。吸収層２１０は、金属と半金属の単層において１３．５ｎｍの光の吸収と分散を制御するようにパターン化されうる。吸収層２１０は、超低膨張基板２０２の反対側のキャップドＭｏ／Ｓｉ多層スタック７０２に堆積されうる。一実施形態では、キャッピング層２０８は厚さが２．５〜３ｎｍの薄いルテニウム層であってよいことになっている。

［００５３］キャップドＭｏ／Ｓｉ多層スタック７０２における吸収層２１０の作用が予測されうる。多層スタック２０６は、各インターフェースのベースにおける１．７ｎｍの層であるケイ化モリブデン層７０４と共に、６０回以上複製されうる。一例として、各多層スタック２０６の一実施形態は、ケイ化モリブデン層７０４に形成された２ｎｍの層であるモリブデン（Ｍｏ）層７０６を含む。モリブデン（Ｍｏ）層７０６に、１ｎｍの層であるケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）層７０８が形成される。各多層スタック２０６の上部に、２．２６ｎｍの厚さの層であるシリコン（Ｓｉ）層７１０が形成されうる。

［００５４］追加の多層スタック７１２は、平坦化層２０４のすぐ上に形成されうる。追加の多層スタック７１２は、超低膨張基板２０２の上に、最大６０の垂直のスタックに形成された多層スタック２０６を含みうることを理解すべきである。

［００５５］一例として、１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ光の吸収率を９５％〜９９．５％にするには、吸収層２１０の厚さ２１１が１０ｎｍ〜８３ｎｍの範囲であってよい。ＥＵＶマスクブランク２００によって提供される反射率の割合は、吸収層２１０の厚さ２１１を管理することによって制御されうる。一例として、１３．５ｎｍの波長におけるＥＵＶ光の反射率の割合は、表１に示すように、吸収層２１０の厚さ２１１に基づいて５％、３％、１％、又は０．５％に制御されうる。

［００５６］結果として得られる全ての反射率は、パロットの厳密回帰法を使用して各インターフェースにおいてフレネル方程式を用いて検証されうる。吸収層２１０への使用には、以下の金属、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、カドミウム（Ｃｄ）等が、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）等の半金属と共に、１３．５ｎｍにおける吸収特性とエッチング可能性のために選択される。吸収層２１０は、１３．５ｎｍの波長におけるＥＵＶ光の９９％以上の最大割合の吸収率を確立するために、３１ｎｍ〜８３ｎｍの範囲の厚さ２１１を有しうる。吸収層２１０は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＲＦ及びＤＣマグネトロンスパッタリング技法によって堆積されうる。これらの金属は、自然酸化物の非常に薄い層を形成し得、これらの層の１３．５ｎｍの波長における吸収及び移相作用に対する影響は非常に小さい。表１には、５、３、１、及び０．５％の全体反射率を達成するのに必要な各金属の厚さ２１１が記載されている。

［００５７］これら選択された素子の原子散乱因子は、周期表のほとんどの素子よりも高い実数及び虚数部を有する。高い虚数部は吸収によるものであり、実数部は入射ＥＵＶ光の位相を調節する能力に対応する。位相の調節は、光路差によって誘発された移相に関連するため、吸収層２１０の厚さ２１１にも依存する。

［００５８］結果的な方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムは、単純で、費用効率が高く、複雑でなく、非常に万能で正確、精度が高く、また効果的であり、素早く効率的に、及び経済的に製造、応用、及び利用するために既知の構成要素を適合させることによって実行されうる。

［００５９］本発明の別の重要な態様は、コスト削減、システムの簡略化、及び性能向上という歴史的トレンドを有用に支持且つ支援することである。

［００６０］本発明のこれらの及び他の有用な態様により結果的に、技術段階が少なくとも次のレベルまで引き上げられる。

［００６１］本発明を特定の最良モードと併せて説明してきたが、当然ながら、前述の説明に照らせば、多数の代替例、修正例、及び変形例が当業者に明らかとなるであろう。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲内の全ての上記代替例、修正例、及び変形例を包含するものである。本明細書にこれまでに記載された、又は添付の図に示された全ての事項は、単なる実例であり非限定的なものとして解釈されるべきである。

Claims (14)

1. 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システムであって、
   真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバと、
   真空内の、前記基板ハンドリング真空チャンバにロードされる超低膨張基板を搬送するための基板ハンドリングプラットフォームと、
   ＥＵＶマスクブランクを形成するための、前記基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、前記ＥＵＶマスクブランクは、
   極紫外線（ＥＵＶ）光を反射させるための、前記超低膨張基板の上に形成された多層スタックと、
   ８０ｎｍ未満の厚さと２％未満の反射率を有する吸収層を含む、前記多層スタックの上に形成され、１３．５ｎｍの波長における前記ＥＵＶ光を吸収するための吸収層と
   を含む、複数のサブチャンバと
   を備えるシステム。
2. 前記ＥＵＶマスクブランクが１３．５ｎｍの波長における前記ＥＵＶ光を反射させることが、前記吸収層の厚さを制御することによって反射率の割合を調節することを含む、請求項１に記載のシステム。
3. 前記超低膨張基板をロードするための、前記基板ハンドリング真空チャンバの基板ハンドリングプラットフォームを更に備え、
   前記ＥＵＶマスクブランクを形成するための前記複数のサブチャンバが、
   前記超低膨張基板の上に形成された追加の多層スタックを含み、
   前記多層スタックが、１３．５ｎｍの波長における前記ＥＵＶ光を反射させるように調整される、請求項１に記載のシステム。
4. 前記吸収層が、ニッケル（Ｎｉ）又はプラチナ（Ｐｔ）の単層を含む、請求項１に記載のシステム。
5. 前記吸収層が、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、又は錫（Ｓｎ）の単層を含む、請求項１に記載のシステム。
6. 前記吸収層が、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、又はインジウム（Ｉｎ）の単層を含む、請求項１に記載のシステム。
7. 前記吸収層が、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む、請求項１に記載のシステム。
8. 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、
   超低膨張基板と、
   前記超低膨張基板の上の多層スタックと、
   前記多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層と
   を備えるシステム。
9. 前記超低膨張基板と前記吸収層との間に形成された追加の多層スタックを更に備え、前記追加の多層スタックが複数の多層スタックを含む、請求項８に記載のシステム。
10. 平坦化層のすぐ上に形成された追加の多層スタックと、前記追加の多層スタックに形成された前記多層スタックとを更に備える、請求項８に記載のシステム。
11. 前記吸収層が、ニッケル（Ｎｉ）又はプラチナ（Ｐｔ）の単層を含む、請求項８に記載のシステム。
12. 前記吸収層が、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ），又は錫（Ｓｎ）の単層を含む、請求項８に記載のシステム。
13. 前記吸収層が、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、又はインジウム（Ｉｎ）の単層を含む、請求項８に記載のシステム。
14. 前記吸収層が、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む、請求項８に記載のシステム。

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