TWI654477B - 極紫外線光罩基底系統以及其之生產系統 - Google Patents

極紫外線光罩基底系統以及其之生產系統

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TWI654477B
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福德馬吉德Ａ
比斯利卡拉
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Abstract

一種極紫外線(EUV)光罩基底生產系統包括：基材操控真空腔室，該基材操控真空腔室用以產生真空；基材操控平台，該基材操控平台位在該真空中，用以傳送被裝載在該基材操控真空腔室中的超低膨脹基材；及多個子腔室，該多個子腔室由該基材操控平台進出，用以形成EUV光罩基底，該EUV光罩基底包括：多層堆疊，該多層堆疊形成在該超低膨脹基材上方，用以反射極紫外線(EUV)光；及一吸收劑層，該吸收劑層形成在該多層堆疊上方，用以吸收在13.5nm的波長的該EUV光，該吸收劑層包括具有小於80nm的厚度與小於2%的反射率的吸收劑層。

Description

極紫外線光罩基底系統以及其之生產系統
本發明大致上關於極紫外線微影基底以及用於此種極紫外線微影基底的製造與微影系統。
極紫外線微影(EUV，亦稱為軟x-射線投射微影)係用以取代深紫外線微影以製造0.0135微米與更小、最小的特徵尺寸半導體元件的競爭者。
然而，極紫外線光大致上位在5至100奈米波長範圍中，且在實質上所有材料中強烈地被吸收。基於此原因，極紫外線系統係藉由光的反射而非藉由光的透射來作用。經由使用一系列鏡子、或透鏡元件與反射元件、或被塗覆有非反射吸收劑光罩圖案的光罩基底，圖案化光化性光被反射到塗覆有阻劑的半導體基材上。
極紫外線微影系統的透鏡元件與光罩基底被塗覆有諸如鉬與矽之材料的反射多層塗覆物。已經藉由使用被塗覆有多層塗覆物的基材來獲得每個透鏡元件或光罩基底之約65%的反射值，其中該多層 塗覆物會強烈地反射極窄紫外線帶通內(例如對於13.5奈米紫外線光係12.5至14.5奈米帶通)的光。
基於漸增的更小特徵尺寸的電子部件的需求，尋求該等問題的答案係漸漸重要的。基於自始以來增加的商業競爭壓力，以及成長的消費者期待，尋求該等問題的答案係重要的。此外，降低成本、改善效率與效能以及達到競爭壓力的需求，會增加甚至更大的尋求該等問題的答案的關鍵必要性的急迫性。
已經長久以來尋找該等問題的答案，但是先前的發展並無法教示或建議任何解決方式，且因此該等問題的解決方案已經長久困擾熟習此項技藝之人士。
本發明的一實施例係一種極紫外線(EUV)光罩基底生產系統，提供：基材操控真空腔室，該基材操控真空腔室用以產生真空；基材操控平台，該基材操控平台位在該真空中，該基材操控平台用以傳送被裝載在該基材操控真空腔室中的超低膨脹基材；及多個子腔室，該多個子腔室可由該基材操控平台進出，該多個子腔室用以形成EUV光罩基底，該EUV光罩基底包括：多層堆疊，該多層堆疊形成在該超低膨脹基材上方，該多層堆疊用以反射極紫外線(EUV)光；及吸收劑層，該吸收劑層形成在該多層堆疊上方，該吸收劑層用以吸收在13.5nm的波長的 該EUV光，該吸收劑層具有小於80nm的厚度與小於2%的反射率。
本發明的一實施例係一種極紫外線(EUV)光罩基底系統，提供：超低膨脹基材；多層堆疊，該多層堆疊位在該超低膨脹基材上方；及吸收劑層，該吸收劑層位在該多層堆疊上方且具有小於80nm的厚度與對在13.5nm的波長的極紫外線(EUV)光的小於2%的反射率。
除了或為了取代上述彼等步驟或元件，本發明的特定實施例具有其他步驟或元件。藉由詳讀以下詳細說明並參照所附圖式，步驟或元件對於熟習此項技藝之人士係顯而易知的。
下一世代微影技術的光源從193nm波長移動至13.5nm的極紫外線源。因此，光罩基底將從透射移動至反射幾何形態。光罩基底的結構可以係具有被設計用於13.5nm波長最大反射的週期間隔的鉬(Mo)/矽(Si)多層結構。EUV光罩基底係複雜的結構，該EUV光罩基底控制各個層中的光的行為。該光罩的一些區域將反射光且其他區域將吸收光。光反射區域係由於來自該多層的週期結構中的各個界面的建設性干涉，而具有最小吸收。並且，光吸收區域係由於來自吸收劑層及下方之該多層結構的薄膜吸收與破壞性干涉的組合。實施例揭示單層膜，該單 層膜作為用於以13.5nm為中心且具有0.5nm帶寬之輻射的吸收劑。
100‧‧‧整合式極紫外線(EUV)光罩基底生產系統
102‧‧‧光罩基底裝載與載具操控系統
104‧‧‧裝載埠
105‧‧‧基材
106‧‧‧氣塞
108‧‧‧基材操控真空腔室
110‧‧‧第一真空腔室
112‧‧‧第二真空腔室
114‧‧‧第一基材操控平台
116‧‧‧第二基材操控平台
118‧‧‧去氣子系統
120‧‧‧第一物理氣相沉積子腔室
122‧‧‧第二物理氣相沉積子腔室
124‧‧‧預清潔子系統
126‧‧‧第一多陰極子腔室
132‧‧‧第二多陰極子腔室
134‧‧‧第一製程中基材
136‧‧‧第二製程中基材
200‧‧‧EUV光罩基底
202‧‧‧超低熱膨脹基材
203‧‧‧表面瑕疵
204‧‧‧平坦化層
205‧‧‧平坦表面
206‧‧‧多層堆疊
208‧‧‧帽蓋層
210‧‧‧吸收劑層
211‧‧‧厚度
212‧‧‧抗反射塗覆物(ARC)
214‧‧‧背側夾持層
300‧‧‧EUV光罩
302‧‧‧圖案
400‧‧‧方法
402~428‧‧‧步驟
500‧‧‧方法
502~526‧‧‧步驟
600‧‧‧光學元件串
602‧‧‧極紫外線光源
604‧‧‧收集器
606‧‧‧照射系統
608‧‧‧場面鏡子
610‧‧‧瞳孔面鏡子
612‧‧‧標線片
614‧‧‧投射光學系統
702‧‧‧經帽蓋的鉬/矽多層堆疊
704‧‧‧矽化鉬層
706‧‧‧鉬層
708‧‧‧矽化鉬層
710‧‧‧矽層
第1圖係極紫外線(EUV)光罩生產系統。
第2圖係根據一實施例之EUV光罩基底的剖視圖。
第3圖係EUV光罩的正交視圖。
第4圖係一種用以製造具有超低缺陷之EUV光罩基底的方法的流程圖。
第5圖係一種用以製造具有超低缺陷之EUV光罩基底的替代方法的流程圖。
第6圖係用於EUV微影系統的光學元件串的功能圖。
第7圖顯示在一實施例中包括吸收劑層的EUV光罩基底的示意圖。
足夠詳細地描述了以下實施例，以使得熟習此項技藝之人士可利用與使用本發明。應瞭解的是，根據本文，其他實施例係顯而易知的，並且可進行系統、製程或機械變化而不悖離本發明的範疇。
在以下的說明中，給予許多特定細節以提供本發明的透徹瞭解。然而，清楚地，本發明可在不具有該等特定細節下而被實施。為了避免模糊化本 發明，一些熟知的電路、系統組態與製程步驟沒有詳細地被揭示。
顯示系統的實施例的圖式係部分概略的，並且沒有依比例繪製，並且尤其該等尺寸中的一些尺寸在圖式中係為了清晰的呈現且被誇張地顯示。同樣地，儘管圖式中為了易於描述的視圖大致上顯示類似的取向，但是圖式中的此類繪示對於大部分係隨意的。通常，本發明能以任何取向來運作。
在揭示且描述具有一些共同特徵的多個實施例的情況下，為了它們的清晰與易於說明、描述與瞭解，類似與相似的特徵將以類似的元件符號來描述。
為了說明目的，在此使用的術語「水平」被定義成平行於光罩基底的平面或表面的平面，無論該光罩基底的取向為何都係如此。術語「垂直」係指垂直於剛剛所定義的水平的方向。諸如「以上」、「以下」、「底部」、「頂部」、「側面」(如在「側壁」中)、「更高」、「更低」、「上部」、「上方」與「下方」的術語係相對於該水平平面來定義，如圖所示。詞語「之上」意指元件之間具有直接接觸。
在此使用的術語「處理」包括所需要用以形成所描述的結構之材料或光阻劑的沉積、材料或光阻劑的圖案化、曝光、顯影、蝕刻、清潔、與/或移除。
現在參照第1圖，圖上圖示整合式極紫外線(EUV)光罩基底生產系統100。整合式EUV光罩基底生產系統100包括光罩基底裝載與載具操控系統102，光罩基底裝載與載具操控系統102具有多個裝載埠104，含有基材105(諸如玻璃、矽、或其他超低熱膨脹材料的基材)的傳送盒被裝載到該些裝載埠104內。氣塞106提供對基材操控真空腔室108的進出。在一實施例中，基材操控真空腔室108可含有兩個真空腔室，即第一真空腔室110與第二真空腔室112。第一真空腔室110可含有第一基材操控平台114，並且第二真空腔室112可含有第二基材操控平台116。
基材操控真空腔室108可在基材操控真空腔室108的周邊具有複數個埠以附接各種子系統。第一真空腔室110可例如具有去氣子系統118、第一物理氣相沉積子腔室120(諸如吸收劑層沉積腔室)、第二物理氣相沉積子腔室122(諸如背側夾持層沉積腔室)與預清潔子系統124。
第二真空腔室112可具有和第二真空腔室112連接的第一多陰極子腔室126(諸如多層沉積腔室)、可流動化學氣相沉積(FCVD)子腔室128(諸如平坦化層沉積腔室)、硬化子腔室130、與第二多陰極子腔室132。
第一基材操控平台114能於連續真空中在氣塞106與各種子系統之間於第一真空腔室110的周邊移動超低膨脹基材(諸如第一製程中基材134)且穿過狹縫閥(未圖示)。第二基材操控平台116能在第二真空腔室112的周邊移動超低膨脹基材(諸如第二製程中基材136)，同時將第二製程中基材136維持在連續真空中。
已經發現整合式EUV光罩基底生產系統100可提供製造EUV光罩基底的環境，同時最小化第一製程中基材134與第二製程中基材136的手動傳送。
現在參照第2圖，圖上顯示根據一實施例的EUV光罩基底200的剖視圖。EUV光罩基底200可具有玻璃、矽、或其他超低熱膨脹材料構成的超低熱膨脹基材202。超低熱膨脹材料包括熔融氧化矽、熔融石英、氟化鈣、碳化矽、氧化矽-氧化鈦、或具有在該等材料的範圍內的熱膨脹係數的其他材料。
已經發現平坦化層204可用以填充超低膨脹基材202中的表面瑕疵203(諸如凹洞與/或缺陷)，從而覆蓋超低膨脹基材202的頂部上的微粒、或平滑化超低膨脹基材202的已被平坦化的表面以形成平坦表面205。
多層堆疊206可形成在平坦化層204上以形成布拉格(Bragg)反射器。由於在EUV中使用 的照射波長的吸收本質，使用反射光學元件。多層堆疊206可由交替的高-Z與低-Z材料層製成，諸如鉬與矽，以便形成反射器。
帽蓋層208形成在多層堆疊206上，與超低膨脹基材202相對，以形成經帽蓋的布拉格反射器。帽蓋層208可以係諸如釕(Ru)或釕之非氧化化合物的材料，以有助於保護多層堆疊206免於被氧化以及免於受到EUV光罩基底200在後續光罩處理期間可能暴露至的任何化學蝕刻劑。諸如氮化鈦、碳化硼、氮化矽、氧化釕、與碳化矽的其他材料亦可被用在帽蓋層208中。
吸收劑層210可形成在帽蓋層208上。吸收劑層210可以係對於EUV光的特定頻率(約13.5nm)具有高吸收係數的材料，並且可以係諸如鉻、鉭、或它們的氮化物的材料。舉例而言，由鉻、鉭、或它們的氮化物形成之吸收劑層210的厚度211可大於80nm。該由鉻、鉭、或它們的氮化物形成的吸收劑層210可具有大於2%的反射率。
吸收劑層210必須被保持得儘可能地薄，以便減少表面視差(parallax)，該視差會造成在形成於EUV光罩基底上的光罩中的投影(shadowing)。由鉻、鉭、或它們的氮化物形成且具有大於80nm的厚度211之吸收劑層210的限制之一係EUV光的入射角會造成投影，此會限制在藉由使 用EUV光罩基底之光罩生產的積體電路中可達到的圖案尺寸，此會限制所能製造的積體電路元件的尺寸。
吸收劑層210可藉由使用下列金屬之一由小於80nm的單層形成：鎳(Ni)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鋅(Zn)、錫(Sn)、金(Au)、鉿(Hf)、鉛(Pb)、銦(In)、鎘(Cd)、或半金屬鉍(Bi)、銻(Sb)、與碲(Te)。吸收劑層210的材料係針對它們在13.5nm的吸收特徵以及它們可被蝕刻的能力經選擇。可藉由PVD、CVD、ALD、RF、與DC磁控濺鍍技術來沉積吸收劑層210。吸收劑層210可藉由薄膜吸收與EUV光的破壞性干涉的組合來運作。
可藉由管理吸收劑層210的厚度211來控制由EUV光罩基底200提供的反射率百分比。舉例而言，基於吸收劑層210的厚度211，EUV光在13.5nm的波長的反射率百分比可被控制至5%、3%、1%、或0.5%。
抗反射塗覆物(ARC)212可被沉積在吸收劑層210上。ARC 212可以係諸如氮氧化鉭或氧化硼鉭的材料。
背側夾持層214可形成在超低膨脹基材202的背側表面上，而和平坦化層204相對，以將基材安裝在靜電夾盤(未圖示)上或將基材和靜電夾盤(未圖示)安裝在一起。
現在參照第3圖，圖上圖示了EUV光罩300的正交視圖。EUV光罩300可以係矩形形狀且可以具有圖案302在EUV光罩300的頂表面上。圖案302可被蝕刻到ARC 212與吸收劑層210內，以暴露帽蓋層208，以呈現與製造積體電路過程中的步驟相關聯的幾何形態(未圖示)。背側夾持層214可被施加在EUV光罩300的背側上，而和圖案302相對。
現在參照第4圖，圖上圖示一種用以製造具有超低缺陷之EUV光罩基底200的方法400的流程圖。超低缺陷係實質上零缺陷。方法400包括，在輸入基材步驟402中，提供第2圖的超低膨脹基材202。超低膨脹基材202可在基材清潔步驟404中被清潔背側，在背側預備步驟406中被去氣與預清潔。
在沉積背側夾持層步驟408中，將第2圖的背側夾持層214施加到超低膨脹基材202的背側；及在前側清潔步驟410中，可執行前側清潔。可將基材105在前側清潔步驟410之後輸入到第一真空腔室110以進行進一步處理。形成經帽蓋的布拉格反射器412的步驟較佳地在第1圖的整合式EUV光罩基底生產系統100中被執行，同時處於連續真空下，以避免來自環境狀況的污染。
可在第一真空腔室110中執行去氣與預清潔步驟414與平坦化步驟416。在平坦化層硬化步驟418中，可硬化第2圖的平坦化層204；及在沉積 多層堆疊步驟420中，可執行第2圖的多層堆疊206的沉積。平坦化層硬化步驟418與沉積多層堆疊步驟420兩者皆可在第二真空腔室112中執行。在沉積帽蓋層步驟422中，可在第二真空腔室112內沉積第2圖的帽蓋層208，以形成第二製程中基材136(諸如經帽蓋的布拉格反射器)。
在離開整合式EUV光罩基底生產系統100之後，第二製程中基材136經受深紫外線(DUV)/光化性檢視，此可在檢視步驟424中執行，可在第二前側清潔步驟426中可選地清潔第二製程中基材136，並且可在EUV光罩基底完成步驟428中沉積第2圖的吸收劑層210與第2圖的抗反射塗覆物212以形成第2圖的EUV光罩基底200。
已經發現整合式EUV光罩基底生產系統100可一致地生產具有實質上零缺陷的EUV光罩基底200。第一真空腔室110中平坦化層204的施加以及第二真空腔室112中平坦化層204的硬化可改善整合式EUV光罩基底生產系統100的效率，此係因為腔室不需要平坦化層204的沉積與平坦化層204的硬化之間的熱上升時間。
現在參照第5圖，圖上顯示一種用以製造具有超低缺陷的EUV光罩基底200的替代方法500的流程圖。超低缺陷係實質上零缺陷。替代方法500開始於在輸入基材步驟502中，供應第2圖的超低膨 脹基材202。在背側清潔步驟504中，可清潔超低膨脹基材202；及在前側清潔步驟506中，可清潔前側。
形成經帽蓋的布拉格反射器508的步驟係較佳地在第1圖的整合式EUV光罩基底生產系統100中執行，同時處於連續真空下，以避免來自環境狀況的污染。
在於去氣子系統118中執行的真空清潔步驟510中，可將基材105去氣與預清潔。在沉積背側夾持層步驟512中，可沉積背側夾持層214；及在平坦化步驟514中，可進行平坦化。在可在硬化子系統130中執行的平坦化硬化步驟516中，可硬化第2圖的平坦化層204。可在沉積多層堆疊步驟518中執行第2圖的多層堆疊206的沉積，並且可在沉積帽蓋沉積步驟520中沉積第2圖的帽蓋層208以形成第二製程中基材136。
儘管DUV/光化性檢視可在整合式EUV光罩基底生產系統100內執行，但是DUV/光化性檢視亦可在檢視步驟522中發生在整合式EUV光罩基底生產系統100外面。可在第二清潔步驟524中可選地清潔第二製程中基材136，並且可在EUV光罩基底完成步驟526中沉積第2圖的吸收劑層210與第2圖的抗反射塗覆物212。
現在參照第6圖，圖上圖示用於EUV微影系統的光學元件串600的功能圖。光學元件串600 具有極紫外線光源602(諸如電漿源)以產生EUV光且將EUV光收集在收集器604中。收集器604可具有拋物線形狀以將EUV光聚焦在場面鏡子608上。收集器604提供光到場面鏡子608，場面鏡子608係照射系統606的部分。
場面鏡子608的表面可具有內凹輪廓以便進一步將EUV光聚焦在瞳孔面鏡子610上。照射系統606亦包括一系列的瞳孔面鏡子610以傳送並聚焦EUV光在標線片(reticle)612上(其係第1圖的基材105的經過完全處理的版本)。
標線片612可具有代表積體電路的處理層的圖案。標線片612反射包括圖案的EUV光而穿過投射光學系統614且到半導體基材616上。投射光學系統614可減少由標線片612提供的圖案的面積，並且重複地暴露在半導體基材616的表面上的圖案。
現在參照第7圖，圖上圖示在一實施例中包括吸收劑層210的EUV光罩基底200的示意圖。本發明記述一些用於吸收劑層的競爭者。吸收劑層210可被圖案化，以控制13.5nm光在單層的金屬與半金屬中的吸收與分散。吸收劑層210可被沉積在經帽蓋的鉬/矽多層堆疊702上而和超低膨脹基材202相對。一實施例提供帽蓋層208可以係厚度為2.5至3nm的薄釕層。
可預期吸收劑層210在經帽蓋的鉬/矽多層堆疊702上的行為。多層堆疊206可被複製60次或更多次，而1.7nm的矽化鉬層704位在各界面的基部處。舉例而言，各個多層堆疊206的一實施例包括形成在矽化鉬層704上的2nm鉬層706。1nm的矽化鉬(MoSi)層708形成在鉬(Mo)層706上。2.26nm厚度的矽(Si)層710可形成在各個多層堆疊206的頂部處。
額外的多層堆疊712可直接形成在平坦化層204上。可瞭解的係額外的多層堆疊712可包括在超低膨脹基材202上方形成為垂直堆疊的至多60個多層堆疊206。
舉例而言，吸收劑層210的厚度211可位在10nm與83nm的範圍中，以便提供對在13.5nm的EUV光的介於95%與99.5%之間的吸收。由EUV光罩基底200所提供之反射率百分比可藉由管理吸收劑層210的厚度211來控制。舉例而言，基於吸收劑層210的厚度211，在13.5nm的波長的EUV光的反射率百分比可被控制至5%、3%、1%、或0.5%，如表1所示。
可使用派瑞特精確遞迴方法(Parratt’s exact recursive method)，藉由菲涅耳方程(Fresnel Equation)來確認在各個界面處之所有的反射率結果。以下的金屬鎳(Ni)、鉑 (Pt)、銀(Ag)、鋅(Zn)、錫(Sn)、金(Au)、鉿(Hf)、鉛(Pb)、銦(In)、鎘(Cd)、以及半金屬鉍(Bi)、銻(Sb)、與碲(Te)係由於它們在13.5nm處的吸收特徵與由於它們的可蝕刻能力，而被選擇用於吸收劑層210。吸收劑層210可具有位在31nm至83nm的範圍中的厚度211，以建立在13.5nm的波長的EUV光的最大的吸收百分比(大於或等於99%)。可藉由PVD、CVD、ALD、RF、與DC磁控濺鍍技術來沉積吸收劑層210。該等金屬可形成非常薄的原生氧化物層，該原生氧化物層對於在13.5nm的波長處的吸收與相轉移行為具有非常小的影響。表1提供了對於各個金屬為了達到5、3、1、與0.5%的整體反射率所需要的厚度211。
該等經選擇的元素的原子散射因子比週期表中大部分元素具有更高的實際與虛擬份。更高的虛擬份解釋了吸收，並且實際的份相應於調變入射EUV光的相的能力。相調變亦取決於吸收劑層210的厚度211，此係因為相調變與路徑差異引起的相轉移有關。
最終的方法、製程、設備、裝置、產品、與/或系統係直接的、符合成本效益的、不複雜的、高多功能的、精確的、敏感的、與有效的，並且可藉由改變已知用於準備好、有效且經濟之製造的、應用、與利用的部件來實施。
本發明的另一重要態樣係本發明有價值地支援與服務降低成本、簡化系統、與增加效能的歷史趨勢。
本發明之該等與其他有價值的態樣因此將技術狀態推進到至少下一個階層。
儘管已經以特定最佳模式來描述本發明，應瞭解的是許多替代物、變更、與改變對於熟習此項技藝之人士基於上述說明係顯而易知的。因此，吾等意圖涵蓋所有此類落入所包含之申請專利範圍之範疇的替代物、變更、與改變。所以，本文敘述的或附圖中所顯示的所有內容應以說明與非限制的意義來解釋。

Claims (12)

  1. 一種極紫外線(EUV)光罩基底生產系統，包含：一基材操控真空腔室，該基材操控真空腔室用以產生一真空；一基材操控平台，該基材操控平台位在該真空中，用以傳送被裝載在該基材操控真空腔室中的一超低膨脹基材；及多個子腔室，該多個子腔室可由該基材操控平台進出，用以形成一EUV光罩基底，該EUV光罩基底包括：一多層堆疊，該多層堆疊形成在該超低膨脹基材上方，用以反射一極紫外線(EUV)光；及一吸收劑層，該吸收劑層形成在該多層堆疊上方，用以吸收在13.5nm的波長的該EUV光，該吸收劑層包括具有小於80nm的厚度與小於2%的反射率的吸收劑層，其中該吸收劑層包括一單層的錫(Sn)、鉛(Pb)、鉿(Hf)、鉍(Bi)、銻(Sb)或碲(Te)。
  2. 如請求項1所述之系統，其中該EUV光罩基底更包含介於該多層堆疊與該吸收劑層之間的一帽蓋層，用以保護該多層堆疊。
  3. 如請求項1所述之系統，其中該EUV光罩基底反射在13.5nm的該波長的該EUV光，包括藉由控制該吸收劑層的該厚度來調整一反射率百分比。
  4. 如請求項1所述之系統，更包含：一基材操控平台，該基材操控平台位在該基材操控真空腔室中，用以裝載該超低膨脹基材；及其中該多個子腔室用以形成該EUV光罩基底，該EUV光罩基底包括：一額外的多層堆疊，該額外的多層堆疊形成在該超低膨脹基材上方；及其中該多層堆疊係經調整以反射在13.5nm的波長的該EUV光。
  5. 如請求項1所述之系統，更包含一額外的多層堆疊，該額外的多層堆疊形成在該超低膨脹基材與該吸收劑層之間，其中該額外的多層堆疊包括複數個該多層堆疊。
  6. 如請求項1所述之系統，其中該吸收劑層的厚度位在10nm至83nm的範圍中。
  7. 一種極紫外線(EUV)光罩基底系統，包含：一超低膨脹基材；一多層堆疊，該多層堆疊位在該超低膨脹基材上方；及一吸收劑層，該吸收劑層位在該多層堆疊上方且具有小於80nm的厚度與在13.5nm的波長的極紫外線(EUV)光的小於2%的反射率，其中該吸收劑層包括一單層的錫(Sn)、鉛(Pb)、鉿(Hf)、鉍(Bi)、銻(Sb)或碲(Te)。
  8. 如請求項7所述之系統，更包含一帽蓋層，該帽蓋層介於該多層堆疊與該吸收劑層之間，用以保護該多層堆疊。
  9. 如請求項7所述之系統，更包含一額外的多層堆疊，該額外的多層堆疊形成在該超低膨脹基材與該吸收劑層之間，其中該額外的多層堆疊包括複數個該多層堆疊。
  10. 如請求項7所述之系統，更包含一額外的多層堆疊，該額外的多層堆疊直接形成在一平坦化層上，並且該多層堆疊形成在該額外的多層堆疊上。
  11. 如請求項7所述之系統，更包含一額外的多層堆疊，該額外的多層堆疊包括形成為一垂直堆疊的至多60個該多層堆疊。
  12. 如請求項7所述之系統，其中該吸收劑層的厚度位在10nm至83nm的範圍中。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
WO2018074512A1 (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20200014853A (ko) * 2017-06-01 2020-02-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 디바이스
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
EP3454120B1 (en) 2017-09-09 2024-05-01 IMEC vzw Method for manufacturing euv reticles and reticles for euv lithography
EP3454119B1 (en) 2017-09-09 2023-12-27 IMEC vzw Euv absorbing alloys
TWI662643B (zh) * 2017-09-22 2019-06-11 台灣美日先進光罩股份有限公司 光罩的製程方法、電漿製程設備及固定框
US11086215B2 (en) * 2017-11-15 2021-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask with reduced mask shadowing effect and method of manufacturing the same
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
JP2019138971A (ja) * 2018-02-07 2019-08-22 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
SG11202008268RA (en) 2018-03-19 2020-10-29 Applied Materials Inc Methods for depositing coatings on aerospace components
US11015252B2 (en) 2018-04-27 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
TWI805795B (zh) * 2018-07-20 2023-06-21 美商應用材料股份有限公司 基板定位設備與方法
US20200041892A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
TWI835896B (zh) 2018-10-26 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有後側塗層的極紫外線掩模
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
TWI845579B (zh) 2018-12-21 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
TWI818151B (zh) 2019-03-01 2023-10-11 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室及其操作方法
TWI842830B (zh) 2019-03-01 2024-05-21 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室與沉積交替材料層的方法
JP2022528697A (ja) 2019-04-08 2022-06-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フォトレジストプロファイルを修正し、限界寸法を調整するための方法
US11629402B2 (en) 2019-04-16 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition on optical structures
CN113677825B (zh) 2019-04-16 2023-10-24 应用材料公司 沟槽中薄膜沉积的方法
WO2020219332A1 (en) 2019-04-26 2020-10-29 Applied Materials, Inc. Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI845677B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
WO2020251696A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
US11604406B2 (en) * 2019-07-24 2023-03-14 Intel Corporation Method and apparatus for fabrication of very large scale integration pattern features via electroless deposition on extreme ultraviolet lithography photomasks
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) * 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
EP3919979A1 (en) 2020-06-02 2021-12-08 Imec VZW Resistless patterning mask
US11739429B2 (en) 2020-07-03 2023-08-29 Applied Materials, Inc. Methods for refurbishing aerospace components
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682604B2 (ja) * 1987-08-04 1994-10-19 三菱電機株式会社 Ｘ線マスク
TWI267704B (en) * 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
JP2002313713A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Nikon Corp レチクル、それを用いた露光装置及び露光方法
JP2002329649A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法
US20030008148A1 (en) * 2001-07-03 2003-01-09 Sasa Bajt Optimized capping layers for EUV multilayers
EP1333323A3 (en) * 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
JP3806702B2 (ja) * 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
EP2189842B1 (en) * 2002-04-11 2017-08-23 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
KR20070054651A (ko) * 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
TWI295816B (en) * 2005-07-19 2008-04-11 Applied Materials Inc Hybrid pvd-cvd system
JP4652946B2 (ja) * 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US20070090084A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Pei-Yang Yan Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
JP2007134464A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 多層膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
US7736820B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Anti-reflection coating for an EUV mask
JP4532533B2 (ja) * 2007-09-18 2010-08-25 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 Ｅｕｖ露光用マスクブランクおよびｅｕｖ露光用マスク
JP5194888B2 (ja) * 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
KR20090103630A (ko) * 2008-03-28 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법
KR20110050427A (ko) 2008-07-14 2011-05-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크
DE102008042212A1 (de) * 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) * 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
JP5766393B2 (ja) * 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP5716038B2 (ja) * 2009-12-15 2015-05-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用反射光学素子
JP5418293B2 (ja) * 2010-02-25 2014-02-19 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法
JP5559948B2 (ja) * 2010-03-12 2014-07-23 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法
WO2011157643A1 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask
JP6013720B2 (ja) * 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
JP5880449B2 (ja) * 2011-01-26 2016-03-09 旭硝子株式会社 フォトマスクの製造方法
KR101904560B1 (ko) * 2011-03-07 2018-10-04 에이지씨 가부시키가이샤 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법
JP5648558B2 (ja) * 2011-03-30 2015-01-07 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
WO2013077430A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
JP6069919B2 (ja) * 2012-07-11 2017-02-01 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service

Also Published As

Publication number Publication date
EP3167473A1 (en) 2017-05-17
US20170160632A1 (en) 2017-06-08
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US20160011499A1 (en) 2016-01-14
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KR20170032378A (ko) 2017-03-22
US10551732B2 (en) 2020-02-04
US9612522B2 (en) 2017-04-04
US20200058213A9 (en) 2020-02-20
JP2023011647A (ja) 2023-01-24

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