JP5418293B2 - 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 - Google Patents
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R=CE0 n (1)
なお、便宜上、吸収層を除去して多層膜表面が露出する部分をスペース部21a、この部分の寸法をスペース寸法と呼び、これに対して吸収層30が残存した部分をライン部31a、この寸法をライン寸法と呼ぶが、パターンが線状になっている場合に限定されるわけではなく、ホールパターンについても同様の説明が適用できる。
する。
キャッピング層21として、モリブデンとシリコンのいずれかにする場合は、化学的な安定性からシリコンにすることが好ましい。
もちろん、多層膜を保護する目的を達成するために、モリブデン、シリコン以外の材料でキャッピング層21を形成してもよい。
なお、図2には示されていないが、露光装置内で静電チャックによってマスクを保持するために、基板10のパターン31と反対側の表面に導電性の膜を形成してもよい。
20…多層膜
21…キャッピング層
30…吸収層
31…パターン
50…入射電子
60…二次電子
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に積層した、露光光を反射する多層膜と、
前記多層膜上に積層した、露光光を吸収可能でパターンが形成される吸収層を備える反射型フォトマスクブランクであって、
形成された前記吸収層のパターンに対し電子線を照射した際に、前記多層膜と反対に位置する吸収層表面の電位と、前記パターンにより前記吸収層表面側に露出した前記多層膜表面の電位の差が小さくなるように、前記吸収層表面近傍と前記多層膜表面近傍の誘電率が設定されている、
ことを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収層及び前記多層膜は、表面近傍に金属と酸素とケイ素を含有し、
前記誘電率の設定は、前記吸収層及び前記多層膜の表面近傍のケイ素の含有率を変えることによって行われている、
ことを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収層が含有する金属は、タンタル、ハフニウムのうち少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記多層膜が含有する金属は、ジルコニウム、ニオブ、イットリウム、チタン、ランタンのうち少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の反射型フォトマスクブランクの前記吸収層に対し、パターンを形成して得られることを特徴とする反射型フォトマスク。
- 基板上に露光光を反射する多層膜を積層する多層膜積層ステップと、
前記多層膜上に露光光を吸収可能でパターンが形成される吸収層を積層する吸収層積層ステップを有する反射型フォトマスクブランク製造方法であって、
前記多層膜積層ステップ及び前記吸収層積層ステップにおいて、
形成された前記吸収層のパターンに対し電子線を照射した際に、前記多層膜と反対に位置する吸収層表面の電位と、前記パターンにより前記吸収層表面側に露出した前記多層膜表面の電位の差が小さくなるように、前記吸収層表面近傍と前記多層膜表面近傍の誘電率を調整して積層する、
ことを特徴とする反射型フォトマスクブランク製造方法。 - 前記吸収層及び前記多層膜は、表面近傍に金属と酸素とケイ素を含有し、
前記誘電率の調整は、前記吸収層及び前記多層膜の表面近傍のケイ素の含有率を変えることによって行う、
ことを特徴とする請求項6に記載の反射型フォトマスクブランク製造方法。 - 前記誘電率の調整は、前記パターンに前記電子線を照射した際に吸収層から放出される二次電子の検出量の変化を比較することによって行うことを特徴とする請求項6又は7に記載の反射型フォトマスクブランク製造方法。
- 前記吸収層が含有する金属は、タンタル、ハフニウムのうち少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項7に記載の反射型フォトマスクブランク製造方法。
- 前記多層膜が含有する金属は、ジルコニウム、ニオブ、イットリウム、チタン、ランタンのうち少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクブランク製造方法。
- 請求項6乃至10のいずれかに記載の方法で製造された反射型フォトマスクブランクの前記吸収層に対しパターンを形成するパターン形成ステップを有することを特徴とする反射型フォトマスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039672A JP5418293B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039672A JP5418293B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011176162A JP2011176162A (ja) | 2011-09-08 |
JP5418293B2 true JP5418293B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=44688756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010039672A Active JP5418293B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5418293B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9612522B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
KR102632988B1 (ko) | 2017-07-05 | 2024-02-01 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
CN110785703B (zh) | 2017-07-05 | 2023-07-21 | 凸版光掩模有限公司 | 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 |
TW202028495A (zh) | 2018-12-21 | 2020-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法 |
JP6919699B2 (ja) | 2019-11-28 | 2021-08-18 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
EP4145222A1 (en) | 2020-04-30 | 2023-03-08 | Toppan Photomask Co., Ltd. | Reflective photomask blank and reflective photomask |
JP7421411B2 (ja) | 2020-04-30 | 2024-01-24 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
JP2022054941A (ja) | 2020-09-28 | 2022-04-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
JP2022107355A (ja) | 2021-01-08 | 2022-07-21 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
JP2022108203A (ja) | 2021-01-12 | 2022-07-25 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
JP2022123773A (ja) | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JP2022185356A (ja) | 2021-06-02 | 2022-12-14 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5178996B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2013-04-10 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
JP2007078537A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Advantest Corp | 電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法 |
JP2008041740A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 |
-
2010
- 2010-02-25 JP JP2010039672A patent/JP5418293B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011176162A (ja) | 2011-09-08 |
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