JP2014096397A - 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射型マスク10は、基板11と、その基板11上に形成された多層反射膜12と、その多層反射膜12上に形成された吸収パターン21Aと、その吸収パターン21Aの周辺領域の多層反射膜12に形成された凹部13とを有する。
【選択図】図1
Description
図1に示すように、反射型マスク(マスク)10は、基板11の上面に、EUV(Extreme Ultra Violet)光の波長(例えば、13〜14nm)に対して高い反射率を有する多層反射膜12と、多層反射膜12上に形成され、EUV光を吸収(遮光)する吸収パターン21,22,23とを有している。基板11の材料としては、低熱膨脹係数(例えば、0±1.0×10−7/℃程度の範囲)を有し、平滑性及び平坦性に優れた材料であることが好ましい。具体的には、基板11の材料としては、例えば低熱膨脹ガラス(SiO2−TiO2系ガラスなど)や石英ガラスを用いることができる。
図4に示すように、本例の吸収パターン21Aは、平面視略矩形状に形成されている。この吸収パターン21Aの幅L1(短手方向の長さ)は、例えば65〜120nm程度(ウエハスケールでは16〜30nm程度)とすることができる。この吸収パターン21Aの両側には、平面視略矩形状の凹部13が形成されている。これら凹部13は、露光装置で解像されないように形成されている。具体的には、凹部13は、露光装置で解像されないように、当該凹部13の幅L2(短手方向の長さ)、形成位置及び深さが設定されている。
次に、図7を参照して、反射型マスク10の作用を説明する。
続いて、図13(b)に示す工程では、図12(c)に示した工程と同様の製造工程により、多層反射膜12の上面12Aに、その多層反射膜12の上面12A全面及び上記吸収パターン21Aを被覆する電子線レジスト81Aを形成する。次いで、電子線リソグラフィによって電子線レジスト81Aをパターニングして、図13(c)に示すように、凹部13となる部分の多層反射膜12を露出させる開口部81Xを有するレジストパターン81を形成する。
以上の製造工程により、図1等に示したマスク10を製造することができる。
まず、評価用のサンプルを実施例1、比較例1及び比較例2の3種類作成した。具体的には、図14(a)に示すように、実施例1のサンプルは、吸収パターン21Aに凹部13を付加したマスク10である。この実施例1のサンプルでは、吸収パターン21Aの幅を88nm(ウエハスケールでは22nm)、凹部13の幅を88nm(ウエハスケールでは22nm)に設定し、EUV光に対する反射率が50%となるように凹部13を形成した。また、図14(b)に示すように、比較例1のサンプルは、疎パターン63に補助パターン64を付加したマスク60Aである。この比較例1のサンプルでは、疎パターン63の幅を88nm(ウエハスケールでは22nm)、補助パターン64の幅を40nm(ウエハスケールでは10nm)に設定した。また、図14(c)に示すように、比較例2のサンプルは、補助パターン64や凹部13を形成せずに、疎パターン63のみを形成したマスク60である。この比較例2のサンプルでは、疎パターン63の幅を88nm(ウエハスケール22nm)に設定した。
(1)吸収パターン21Aの周辺領域において吸収パターン21から露出された多層反射膜12に凹部13を形成するようにした。この凹部13の形成、つまり多層反射膜12の薄化により、凹部13の底面13Aにおける(吸収パターン21A近傍における)EUV光に対する反射率を小さくすることができる。これにより、吸収パターン21Aに対応する下に凸の光強度のピークの両側に、そのピークよりも小さいピークが現れる光強度分布、つまりSRAF技術を適用した場合と同様の光強度分布を得ることができる。したがって、凹部13又は補助パターン64を形成しない場合に比べて、吸収パターン21Aにおける焦点深度及びフォーカスマージンを拡大することができる。この結果、フォーカス変動に伴うパターン(レジストパターン41など)の寸法変動を抑制することができる。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図17に示すように、基板11の下面に導電膜14を形成するようにしてもよい。この導電膜14の材料としては、例えば窒化クロム(CrN)を用いることができる。この導電膜14の形成により、EUV光の露光時に静電チャックを行うことができるようになる。
11 基板
12 多層反射膜
20 吸収層
21,22,23 吸収パターン
21A 吸収パターン
31 回路パターン領域
32 スクライブ領域
33 遮光領域
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成された多層反射膜と、
前記多層反射膜上に形成された吸収パターンと、
前記吸収パターンの周辺領域の多層反射膜に形成された凹部と、
を有することを特徴とする反射型マスク。 - 前記凹部の平面形状は、前記吸収パターンと同じ、もしくは前記吸収パターンよりも大きく形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。
- 前記凹部は、EUV光に対する反射率が40〜50%となるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスク。
- 前記吸収パターンは、回路パターン同士のピッチが352nm以上であるパターン配置で形成された回路パターンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の反射型マスク。
- 前記凹部は、前記吸収パターンとの離間距離が72〜128nmとなるように形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の反射型マスク。
- 前記基板は、回路パターン領域と、前記回路パターン領域を囲うスクライブ領域と、前記スクライブ領域を囲う遮光領域とを有し、
前記吸収パターン及び前記凹部は、前記回路パターン領域に形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の反射型マスク。 - 基板の回路パターン領域上に多層反射膜を形成する工程と、
多層反射膜の上に吸収層を形成する工程と、
前記吸収層をパターニングして吸収パターンを形成する工程と、
前記吸収パターンの周辺領域の多層反射膜に凹部を形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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