JP6766676B2 - 反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents
反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6766676B2 JP6766676B2 JP2017026462A JP2017026462A JP6766676B2 JP 6766676 B2 JP6766676 B2 JP 6766676B2 JP 2017026462 A JP2017026462 A JP 2017026462A JP 2017026462 A JP2017026462 A JP 2017026462A JP 6766676 B2 JP6766676 B2 JP 6766676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask blank
- reflective
- reflective mask
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 30
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 7
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 287
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 97
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 63
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 51
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- -1 etc.) Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910019895 RuSi Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012496 blank sample Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019912 CrN Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100072790 Mus musculus Irf4 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004162 TaHf Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004228 TaPd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000424 chromium(II) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
基板と、
該基板の上部に設置された、EUV光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、EUV光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、Ssk<1.0を満たす、反射型マスクブランクが提供される。
基板と、
該基板の上部に設置された、EUV光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、EUV光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、Sku<10を満たす、反射型マスクブランクが提供される。
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
(3)前記吸収層の上部に、190nm〜260nmの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
本発明の特徴をより良く理解するため、まず、図1〜図3を参照して、従来の問題について、簡単に説明する。
以下の記載では、マスクブランクの「欠点」は、「実欠点」と「擬似欠点」を含むものと定義する。
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、マスクブランクの製造方法が提供される。
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
(3)前記吸収層の上部に、190nm〜260nmの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、マスクブランクの製造方法が提供される。
次に、本発明の一実施形態において、マスクブランクに含まれる欠点を評価する際に重要な指標となる2つのパラメータについて、簡単に説明する。
スキューネスSskは、歪度とも呼ばれ、評価対象表面の基準高さにおける凸部と凹部の対称性を表す指標である。
クルトシスSkuは、尖度とも呼ばれ、評価対象表面の高さ分布の尖りを表す指標である。
パワースペクトル密度PSDは、二次元の高さ変化z(x,y)を空間周波数領域に変換することで得られる。パワースペクトル密度PSDは、空間周波数の関数としての振幅強度を表す。
次に、図4を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図4には、本発明の一実施形態によるマスクブランクの構成の一例を模式的に示す。
吸収層150の側の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、Ssk<1.0を満たし、および/または
吸収層150の側の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、Sku<10を満たす
という特徴を有する。
ここで、第1のマスクブランク100に含まれる各構成部材について、より詳しく説明する。
基板110は、積層膜120を支持するために使用される。
反射層130は、高いEUV光線反射率を有することが好ましい。例えば、反射層130の表面に、EUV光を入射角6゜で照射した際に、13.3nm〜13.7nmの波長域における光線反射率の最大値が60%以上であることが好ましい。
必要な場合、反射層130と吸収層150の間に追加層140が設置される。
吸収層150は、高いEUV光の吸収率、すなわち低いEUV光線反射率を有することが好ましい。例えば、吸収層150の表面に、EUV光を照射した際に、13.3nm〜13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下であることが好ましい。
さらに、第1のマスクブランク100は、基板110の第2の主面114の側に、導電層を有してもよい。
次に、図5を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。
低反射層260の側の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、Ssk<1.0を満たし、および/または
低反射層260の側の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、Sku<10を満たす
という特徴を有する。スキューネスをSskは、Ssk<0.78を満たすことが好ましく、Ssk<0.6を満たすことがさらに好ましい。また、クルトシスをSkuは、Sku<8を満たすことが好ましく、Sku<6を満たすことがさらに好ましい。
ここで、第2のマスクブランク200に含まれる低反射層260の構成について、簡単に説明する。
次に、図6を参照して、本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法の一例について説明する。
(1)基板の上部に反射層を設置するステップ(S110)と、
(2)前記反射層の上部に追加層を設置するステップ(S120)と、
(3)前記追加層の上部に吸収層を設置するステップ(S130)と、
を有する。ただし、(2)のステップS120は、必須の工程ではなく、省略されてもよい。その場合、(3)のステップS130では、反射層の上部に吸収層が設置される。
まず、基板110が準備される。前述のように、基板110の材質は、特に限られず、基板110は、ガラス、シリコン、金属等で構成されてもよい。
次に、必要な場合、反射層130の上に、追加層140が形成される。
次に、追加層140の上に、吸収層150が形成される。なお、追加層140が存在しない場合、吸収層150は、反射層130の上に形成される。
表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす
という特徴を有する。
ガス組成;ArとKrとN2の混合ガス(Ar:Kr:N2=0〜70vol%:15〜95vol%:0〜25vol%)、
ガス圧力;0.28Pa以下、
成膜速度;9.0nm/min以下等。
次に、図7を参照して、本発明の一実施形態による別のマスクブランクの製造方法の一例について説明する。
(1)基板の上部に反射層を設置するステップ(S210)と、
(2)前記反射層の上部に追加層を設置するステップ(S220)と、
(3)前記追加層の上部に吸収層を設置するステップ(S230)と、
(4)前記吸収層の上部に低反射層を設置するステップ(S240)と、
を有する。ただし、(2)のステップS220は、必須の工程ではなく、省略されてもよい。その場合、(3)のステップS230では、反射層の上部に吸収層が設置される。
本ステップS240では、ステップS230で形成された吸収層250の上に、低反射層260が形成される。
表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす
という特徴を有する。
ガス組成;ArとO2とN2の混合ガス(Ar:O2:N2=40〜80vol%:10〜50vol%:0〜30vol%)、
ガス圧力;0.30Pa以下、
成膜速度;9.0nm/min以下等。
以下の方法で、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
実施例1と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
前述のようにして製造された各サンプルを用いて、以下の評価を行った。
可視光レーザ光の欠点検査装置(M1350:レーザーテック社製)を用いて、各サンプルの低反射層側の表面に対して、マッピング評価を実施した。評価領域は、132mm×132mmの範囲とした。
原子間力顕微鏡装置(AFM:SII社製)を用いて、各サンプルの低反射層側の表面粗さを測定した。得られた表面粗さ(高さ変位成分)を、前述の(3)式および(4)式に基づき計算し、スキューネスSskおよびクルトシスSkuを評価した。評価領域は、1μm×1μmの範囲とした。Ssk、Skuの評価にはイメージ解析ソフト(SPIP Ver.6.3.4:イメージメトロロジー社製)を使用したが、(3)式および(4)式に従えば、評価方法はその限りではない。
図8には、サンプル1において得られたマッピング結果を示す。また、図9には、サンプル4において得られたマッピング結果を示す。さらに、前述の図1〜図2には、それぞれ、サンプル7、およびサンプル9において得られたマッピング結果を示す。
110 基板
112 第1の主面
114 第2の主面
120 積層膜
130 反射層
140 追加層
150 吸収層
200 第2のマスクブランク
210 基板
212 第1の主面
214 第2の主面
220 積層膜
230 反射層
240 追加層
250 吸収層
260 低反射層
Claims (14)
- 反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、EUV光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、EUV光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、Ssk<1.0を満たす、反射型マスクブランク。 - 反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、EUV光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、EUV光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、Sku<10を満たす、反射型マスクブランク。 - 前記吸収層の上部には、190nm〜260nmの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層が設置されている、請求項1または2に記載の反射型マスクブランク。
- 前記低反射層は、タンタル、窒素および酸素を含む、請求項3に記載の反射型マスクブランク。
- 前記反射層と前記吸収層の間に、追加層を有する、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
- 前記吸収層は、タンタルおよび窒素を含む、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項1乃至6のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
- 反射型マスクブランクの製造方法であって、
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(2)のステップで得られた前記吸収層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、反射型マスクブランクの製造方法。 - 反射型マスクブランクの製造方法であって、
(1)基板の上部に、EUV光を反射する反射層を設置するステップと、
(2)前記反射層の上部に、EUV光を吸収する吸収層を設置するステップと、
(3)前記吸収層の上部に、190nm〜260nmの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるスキューネスをSskとしたとき、前記スキューネスは、Ssk<1.0を満たし、または
前記(3)のステップで得られた前記低反射層の表面の1μm×1μmの領域におけるクルトシスをSkuとしたとき、前記クルトシスは、Sku<10を満たす、反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記低反射層は、タンタル、窒素および酸素を含む、請求項9に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記吸収層を設置するステップの前に、前記前記反射層の上部に、追加層を設置するステップを有する、請求項8乃至10のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記吸収層は、タンタルおよび窒素を含む、請求項8乃至11のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項8乃至12のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記吸収層は、0.28Pa以下のガス圧力で成膜される、請求項9乃至13のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016033603 | 2016-02-24 | ||
JP2016033603 | 2016-02-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017151427A JP2017151427A (ja) | 2017-08-31 |
JP6766676B2 true JP6766676B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=59631074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017026462A Active JP6766676B2 (ja) | 2016-02-24 | 2017-02-15 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10241390B2 (ja) |
JP (1) | JP6766676B2 (ja) |
TW (1) | TWI721098B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102444967B1 (ko) | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102617017B1 (ko) | 2017-08-10 | 2023-12-26 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
US10553428B2 (en) * | 2017-08-22 | 2020-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reflection mode photomask and fabrication method therefore |
JP6864952B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-04-28 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
US10866197B2 (en) * | 2018-09-20 | 2020-12-15 | KLA Corp. | Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks |
KR20220137023A (ko) * | 2020-02-04 | 2022-10-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판 및 노광 방법, 그리고 반도체 장치 또는 액정 표시판의 제조 방법 |
KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102465982B1 (ko) * | 2021-07-13 | 2022-11-09 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
US20230032950A1 (en) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Euv photo masks and manufacturing method thereof |
KR102435818B1 (ko) * | 2021-09-03 | 2022-08-23 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102503790B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102535171B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02113375A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Asahi Eng Co Ltd | 傷検出装置 |
JP4502715B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2010-07-14 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP5418400B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2014-02-19 | 大日本印刷株式会社 | グラビア印刷版 |
KR20140004057A (ko) * | 2010-08-24 | 2014-01-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
DE102012204704A1 (de) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Abbildungsgüte eines EUV-Objektives |
WO2014050891A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにeuvリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
KR102012783B1 (ko) | 2013-08-30 | 2019-08-21 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크의 제조방법, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 |
KR102030100B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2019-10-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 |
-
2017
- 2017-02-03 US US15/424,176 patent/US10241390B2/en active Active
- 2017-02-09 TW TW106104233A patent/TWI721098B/zh active
- 2017-02-15 JP JP2017026462A patent/JP6766676B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102444967B1 (ko) | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI721098B (zh) | 2021-03-11 |
US10241390B2 (en) | 2019-03-26 |
TW201741760A (zh) | 2017-12-01 |
US20170242330A1 (en) | 2017-08-24 |
JP2017151427A (ja) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6766676B2 (ja) | 反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 | |
JP4666365B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
US11815806B2 (en) | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method | |
US8916316B2 (en) | Reflecting mask blank, method for manufacturing reflective mask blank and method for quality control for reflective mask blank | |
JP5541159B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP4905914B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP5910625B2 (ja) | 多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法 | |
KR101858947B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크의 제조방법, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 | |
JP4703354B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP2004289110A (ja) | 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板 | |
JP7006078B2 (ja) | 反射型マスクブランク、および反射型マスク | |
TWI437360B (zh) | EUV micro-shadow with a reflective mask base, and EUV micro-shadow with a reflective mask | |
JP4834205B2 (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP4703353B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP2022017570A (ja) | 反射型マスクブランク、および反射型マスク | |
JP6601118B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、ならびに、その検査方法および製造方法 | |
JP6586934B2 (ja) | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 | |
JP2017075997A (ja) | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 | |
WO2022138170A1 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2021105727A (ja) | 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 | |
Seo et al. | Properties of EUVL masks as a function of capping layer and absorber stack structures | |
JP5568158B2 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
TWI582530B (zh) | Reflective mask base for EUV microfilm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6766676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |