JP5568158B2 - 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5568158B2 JP5568158B2 JP2013089991A JP2013089991A JP5568158B2 JP 5568158 B2 JP5568158 B2 JP 5568158B2 JP 2013089991 A JP2013089991 A JP 2013089991A JP 2013089991 A JP2013089991 A JP 2013089991A JP 5568158 B2 JP5568158 B2 JP 5568158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- substrate
- multilayer reflective
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
図1は、本発明の方法により形成された多層反射膜付基板を示す図である。図1に示す多層反射膜付基板3は、基板1と、基板1上に形成され、特定の波長の光を反射する多層反射膜2とから主に構成されている。この多層反射膜2は、低屈折率層21と、高屈折率層22とが交互に積層されて構成されている。ここでは、多層反射膜2は、低屈折率層21と高屈折率層22とが約40周期交互に積層されて構成されている。
(実施例1)
まず、基板1として、外形152mm角、厚さが6.3mmであり、低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板1上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV露光光の波長である13〜14nmの領域の反射膜として適したSi層(低屈折率層)21とMo層(高屈折率層)22とを積層して、合計厚さ291nmの多層反射膜2(最初にSi層21を4.2nm成膜し、次にMo層22を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層した後、最後にSi膜を11nm成膜)を形成した。Mo層22の成膜については、Moターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に対して63°傾斜して入射(斜入射成膜)するようにした。また、Si層21の成膜については、Siターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に入射(直入射成膜)するようにした。
この比較例1では、多層反射膜2の高屈折率層(Mo層)22の成膜を、Moターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に入射(直入射成膜)するようにしたこと以外は、実施例1と同条件で、多層反射膜付基板3、反射型マスクブランク6、反射型マスクを作製した。
まず、基板1として、外形152mm角、厚さが6.3mmであり、低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板1上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV露光光の波長である13〜14nmの領域の反射膜として適したSi層(低屈折率層)21とMo層(高屈折率層)22とを積層して、合計厚さ291nmの多層反射膜2(最初にSi層21を4.2nm成膜し、次にRu層22を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層した後、最後にSiを11nm成膜)を形成した。Ru層22の成膜については、Moターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に対して63°傾斜して入射(斜入射成膜)するようにした。また、Si層21の成膜については、Siターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に入射(直入射成膜)するようにした。
この比較例2では、多層反射膜2の高屈折率層(Ru層)22の成膜を、Ruターゲットからの飛散粒子が基板の垂直方向に入射(直入射成膜)するようにしたこと以外は、実施例2と同条件で、多層反射膜付基板3、反射型マスクブランク6、反射型マスクを作製した。
2 多層反射膜
3 多層反射膜付基板
4 バッファ膜
5 吸収体膜
21 低屈折率層
22 高屈折率層
51 吸収体層
52 低反射層
Claims (12)
- 基板上に、第1の層と第2の層とを交互に積層させた構成の多層反射膜を有する多層反射膜付基板の製造方法であって、
前記基板は、ガラス基板であり、
前記第1の層は、Si又はSi化合物を含む材料で構成されており、
前記第1の層は、Siターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面に対して概ね垂直方向に入射するように成膜する直入射成膜で形成され、
前記第2の層は、前記第2の層を成膜するためのスパッタリングターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面から垂直な方向に対して、40度以上90度未満の角度を持って入射するように成膜する斜入射成膜で形成され、
前記多層反射膜は、前記直入射成膜によって成膜された前記第1の層と前記斜入射成膜によって成膜された前記第2の層との少なくとも3層以上の交互積層構造として構成されることを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 前記第2の層は、Mo、Nb、Ru及びRhからなる群より選ばれる材料で形成されることを特徴とする請求項1記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 前記斜入射成膜の入射角度は、40度以上80度以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 前記第1の層と第2の層との間に形成される金属拡散層の厚さは、1.4nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 前記直入射成膜は、前記Siターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面から垂直な方向に対して0度以上40度以下の角度を持って入射するように成膜することを特徴とする請求項4記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 前記多層反射膜は、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、アモルファスガラス、石英ガラス及び結晶化ガラスから選ばれる材料で形成されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上面に、Ruを主成分とするバッファ膜を成膜し、該バッファ膜上面に露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上面に、Crを主成分とするバッファ膜を成膜し、該バッファ膜上面に露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項8に記載の製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
- 請求項9又は請求項10に記載の製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜及びバッファ膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013089991A JP5568158B2 (ja) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013089991A JP5568158B2 (ja) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008118704A Division JP5258368B2 (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013141039A JP2013141039A (ja) | 2013-07-18 |
JP5568158B2 true JP5568158B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=49038141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013089991A Active JP5568158B2 (ja) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5568158B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6441012B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-12-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040159538A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Hans Becker | Photo mask blank, photo mask, method and apparatus for manufacturing of a photo mask blank |
JP2005026396A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 多層膜成膜方法、多層膜成膜装置、多層膜反射鏡及び露光装置 |
JP4666365B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-04-06 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
JP5082857B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
-
2013
- 2013-04-23 JP JP2013089991A patent/JP5568158B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013141039A (ja) | 2013-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101829604B1 (ko) | 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법 | |
JP5590113B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 | |
US8828627B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography | |
US8367279B2 (en) | Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing the same | |
JP4465405B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにこれらの製造方法 | |
JP4666365B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
TWI657481B (zh) | 附多層反射膜之基板、euv微影用反射型光罩基底、euv微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 | |
JP6087401B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP5332741B2 (ja) | 反射型フォトマスク | |
JP6422873B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
US20100266938A1 (en) | Reflective mask blank and method of manufacturing a reflective mask | |
JPWO2010007955A1 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP5258368B2 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP2007108516A (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP5273143B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク | |
JP4703353B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP6845122B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2007073949A (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP6821865B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6828221B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP5681668B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク、反射型マスクブランクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 | |
JP5568158B2 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP2009519593A (ja) | 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法 | |
JP2019207361A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6896694B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5568158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |