JP5082857B2 - Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 - Google Patents
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Description
このような問題を解消するため、特許文献1には、基板の静電チャッキングを促進する層として、通常のCr以外の材料、例えばSi,Mo,オキシ窒化クロム(CrON)、又はTaSiのような、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率の物質の裏面コーティング(導電膜)を有するマスク基板が記載されている。
また特許文献1に記載のマスク基板は、基板の面取面と側面を含む片面全面に導電膜が形成されているので、とりわけ基板の面取面と側面は、面取面と側面に導電膜が斜めに形成されることによる膜付着力が特に弱い状況において、静電チャック時の基板の反りなどにより、膜剥れが発生しやすい。
また特許文献1に記載のマスク基板では、CrONの導電膜の表面には酸素(O)が含まれているので、成膜条件によっては多層反射膜や吸収体膜の成膜時に異常放電が起きることがある。
特許文献2に記載の多層反射膜付き基板では、基板周縁部における導電膜の膜剥れによるパーティクルの発生を防止するため、基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜が形成されている。また、特許文献2に記載の多層反射膜付き基板では、多層反射膜や吸収体膜の成膜の際、異常放電の発生を防止するため、静電チャック時に接触する導電膜表面を実質的に酸素(O)を含まない金属窒化膜としている。また、特許文献2に記載の多層反射膜付き基板では、基板に対する導電膜の密着力並びに静電チャックと基板との密着力の双方を向上させ、導電膜の膜剥れによるパーティクルの発生、或いは、静電チャックと基板との密着力不足により生じる静電チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生を防止するため、導電膜を形成する材料を導電膜の膜厚方向で変えて組成が異なっている。すなわち、導電膜のうち基板側には、窒素(N)を含み、導電膜のうち表面側には、酸素(O)及び炭素(C)の少なくとも何れか一方を含む構成としている。
(1)基板周縁部に導電膜を形成しないことで、基板周縁部における導電膜の膜剥れを防止する。
(2)成膜時の異常放電の発生を防止することにより、成膜時のパーティクルの発生を防止する。
(3)基板に対する導電膜の密着力を向上させることにより、成膜時の導電膜の膜剥れによるパーティクルの発生を防止する。
(4)静電チャックと基板との密着力を向上させることにより、静電チャックと基板との密着力不足により生じる静電チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生を防止する。
また、本発明は、基板との密着性、および表面硬度の双方が高められた導電膜付基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、EUVマスクブランクの製造の際、スパッタリング法で成膜された膜で発生する応力による基板の変形を防止できる導電膜付基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、該導電膜付基板を用いたEUVマスクブランクの多層反射膜付基板、およびEUVマスクブランクを提供することを目的とする。
また、本発明の導電膜付基板は、導電膜の結晶構造のアモルファス化によって、導電膜表面が平滑性に優れている。このこともまた、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生防止に寄与する。
静電チャックとの密着性が良好であることにより、導電膜付基板から静電チャックへの熱伝導性が向上する。これにより、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時の基板冷却性能が向上する。
また、アモルファス化によって、導電膜が酸化されにくくなるため、導電膜中の応力の経時変化が小さい。その結果、パターン精度の悪化が起こりにくくなり、マスクとしての寿命が長くなることが期待される。
2:導電膜
3:多層反射膜
4:吸収層
導電膜2は、Cr、Ti、Zr、Nb、NiおよびVのうち、2つ以上を構成材料としてもよい。但し、通常は、Cr、Ti、Zr、Nb、NiおよびVのうち、いずれか1つを構成材料とする。
導電膜2において、Bは導電膜2の構成材料であるCr、Ti、Zr、Nb、NiまたはVと化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成する。但し、本発明の導電膜付基板において、導電膜2の構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)が全て、Bと化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成していることもあるが、導電膜2が、構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)と、構成材料とBとの化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)と、が混在した状態となっていることもある。本発明においては、混在した状態であることが好ましい。
なお、導電膜2のBの平均濃度はX線光電子分光装置によって、膜を表面からスパッタし、深さ方向のプロファイルを測定することで見積もることができる。
導電膜2の構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)と、Bと、が硬度の高い化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成することによって、導電膜2の硬度、特に表面硬度が高くなる。この結果、該導電膜付基板を静電チャックに固定してEUVマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックと導電膜2との擦れによってパーティクルが発生することが防止される。また、構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)と、Bと、が化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成することによって、導電膜2の結晶構造がアモルファス化する。結晶構造のアモルファス化によって、導電膜2の表面の平滑性が高くなる。このこともまた、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生防止に寄与する。
導電膜2表面の平滑性が高くなることによって、静電チャックとの密着性が良好となる。この結果、静電チャックによるチャック力も向上する。
また、静電チャックとの密着性が良好となることにより、導電膜2から静電チャックへの熱伝導性、ひいては基板1から静電チャックへの熱伝導性が向上する。これにより、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時の基板冷却性能が向上する。
また、アモルファス化によって、導電膜2が酸化されにくくなるため、導電膜2中の応力の経時変化が小さい。その結果、パターン精度の悪化が起こりにくくなり、マスクとしての寿命が長くなることが期待される。
導電膜2でのB平均濃度は、30〜70at%であることがより好ましく、50〜68at%であることがさらに好ましい。
本明細書において、「傾斜組成膜」といった場合、基板1側におけるB平均濃度が低く、表面側におけるB平均濃度が高くなるように、導電膜2中のBの濃度が該導電膜2の厚さ方向に沿って連続的に変化した構造の導電膜(以下、「狭義の傾斜組成膜」ともいう。)だけではなく、表面側にBが偏在した構造の導電膜を広く含む。したがって、B平均濃度が異なる複数の層が積層した構造の導電膜(以下、「積層構造の導電膜」ともいう。)であってもよい。但し、この場合、基板側の層がB平均濃度の低い層、表面側の層がB平均濃度の高い層となるように積層されている。なお、積層構造の導電膜において、層数は特に限定されない。したがって、2層であってもよく、3層以上であってもよい。
・導電膜2の基板1付近の部分はBを含有しない。
・導電膜2の基板1付近以外の部分はBを含有する。
・導電膜2中のBの濃度は、導電膜2の厚さ方向に沿って連続的に変化する。
・導電膜2全体としてみた場合、平均濃度1〜70at%でBを含有する。
一方、導電膜2が積層構造(2層)である場合、以下の構造となる。
・導電膜2の基板1側の層はBを含有しない。
・導電膜2の表面側の層はBを含有する。
・導電膜2全体としてみた場合、平均濃度1〜70at%でBを含有する。
また、導電膜2が3層以上の積層構造である場合、以下の構造となる。
・導電膜2の最も基板1側の層はBを含有しない。
・導電膜2の最も基板1側の層以外の層はBを含有する。
・Bを含有する層は、基板1側から表面側へとB平均濃度が高くなるように積層されている。
・導電膜2全体としてみた場合、平均濃度1〜70at%でBを含有する。
また、導電膜2の全膜厚をL(nm)とした場合、上記した基板近傍部分は基板1側の面から0.05Lの部分であることが好ましい。
傾斜組成膜において、表面近傍部分は表面から少なくとも膜厚50nmまでの部分であることが好ましく、少なくとも膜厚90nmまでの部分であることがさらに好ましい。
また、導電膜2の全膜厚をL(nm)とした場合、上記した表面近傍部分は表面から少なくとも0.05Lの部分であることが好ましく、表面から少なくとも0.1Lの部分であることがさらに好ましい。
また、本発明の導電膜中に含まれる酸素濃度は、5at%以下であることが好ましい。酸素の含有量が多すぎると、反射多層膜や吸収層を成膜する場合に異常放電が起こる可能性があり、好ましくない。なお、導電膜の表面は、静電チャックの影響がないレベルで、膜表面から5nm程度は自然酸化されることにより酸素濃度が上昇する。よって、本願における酸素濃度は、膜表面から5nm程度の部分は除外して測定した値である。
導電膜2の膜厚Lが500nm超である場合、チャック力の向上にはもはや寄与せず、導電膜2の形成に要する時間が増加し、導電膜2の形成に要するコストが増加する。また、導電膜2の膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増加する。
導電膜2の膜厚は、50〜400nmであることがより好ましく、50〜200nmであることがさらに好ましく、50〜100nmであることが特に好ましい。
導電膜2の表面硬度は、20GPa以上であることがより好ましい。
本発明の導電膜付基板では、導電膜2の構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)と、Bと、が化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成することによって、結晶構造がアモルファス化する。結晶構造がアモルファス化した場合、導電膜2で発生する応力が低下する。導電膜2で発生する応力の低下は、基板1に対する導電膜2の密着性を向上させるため、一般的には好ましい特性である。但し、本発明の導電膜付基板では、以下に述べるように、導電膜2で発生する応力を高めることが好ましい場合がある。
導電膜2の構成材料(Cr、Ti、Zr、Nb、NiまたはV)と、Bと、が化合物(CrB2、TiB2、ZrB2、NbB2、NiB2またはVB2)を形成することによって、結晶構造がアモルファス化した導電膜2にNを含有させた場合、導電膜2中に結晶相(BN相、CrN2相(導電膜2の構成材料がCrの場合))が生じ、導電膜2の体積が増加するため、導電膜2中の圧縮応力が高まる。
例えば、基板上に多層反射膜として、Si膜(低屈折率層、膜厚4.5nm)と、Mo膜(高屈折率層、膜厚2.3nm)と、を交互に40〜50層成膜して、Si/Mo多層反射膜を成膜した場合、成膜後の多層反射膜では400〜500MPaの圧縮応力が発生する。
成膜された膜で応力が発生したとしても、静電チャックに固定されている状態ではこの応力によって基板は変形しない。しかしながら、基板を静電チャックから取り外すと、膜で発生している応力によって基板が変形するおそれがある。上記したように、多層反射膜で400〜500MPaという大きな圧縮応力が発生した場合、高い剛性を有する石英ガラス基板であってもある程度変形する。例えば、EUVマスクブランク用の基板として、一般的に使用されるSiO2−TiO2系のガラス基板(外形6インチ(152.4mm)角、厚さ6.3mm、熱膨張率0.2×10-7/℃、ヤング率67GPa、比剛性3.1×107m2/s2)に、成膜後の多層反射膜で発生した400〜500MPaの圧縮応力が加わった場合、基板は成膜面側に2μm程度凸状に反った状態に変形する。
EUVマスクブランクにおいて、平坦度の許容限界値はマスクブランクの端から端までで100nm以下である。基板が成膜面(多層膜面)側に2μm程度凸状に反った状態に変形した場合、基板の平坦度は少なくとも2μm程度になっているため、上記許容限界値を満たすことができない。
導電膜2でのN平均濃度を高くすると、それに応じて導電膜2で発生する圧縮応力が増加する。しかしながら、導電膜2のN平均濃度が高くなると、それに応じて導電膜の硬度が低下する。導電膜2のN平均濃度が60at%超であると、導電膜2の硬度(特に、表面硬度)が不十分となる。
電子ビーム描画技術を用いたパターン形成をするためには、まず初めに、EUVマスクブランクの吸収層表面に電子ビーム描画用のレジストを塗布し、ベーキング処理、たとえば200℃でベーキング処理を行う。次に、レジスト表面上に電子ビーム描画装置を用いて電子ビームを照射し、その後現像することでレジストパターンを形成する。上記手順でパターン形成されたマスクは、EUV光を用いた露光プロセスに供される。これらの手順は、EUVマスクブランク(またはパターン形成されたマスク)を静電チャックに固定した状態で実施される。
上記のパターン形成やEUV光による露光の際、基板の温度が上昇する。基板の温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。このため、パターン形成の際に基板を冷却することが検討されている。基板の冷却方法としては、様々な方法が考えられるが、例えば、静電チャック内部に液体や気体を流通させて基板を冷却する方法、ピンチャックと基板との空隙部分に気体を流通させて基板を冷却する方法がある。これらの方法において、基板の冷却効率という点から、導電膜2と静電チャックとの密着性が高く、両者の接触部での熱伝導性が高いことが好ましい。
基板1は、Rmsが0.15nm以下の平滑な表面と100nm以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板1の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形6インチ(152.4mm)角で、厚さ0.25インチ(6.3mm)のSiO2−TiO2系ガラスを用いた。
基板1の成膜面に成膜される多層反射膜3は、EUVマスクブランクの多層反射膜として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜3に特に要求される特性は、高EUV光線反射率の膜であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を多層反射膜表面に照射した際に、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60%以上であることが好ましく、65%以上であることがより好ましい
上記の特性を満たす多層反射膜3としては、Si膜とMo膜とを交互に積層させたSi/Mo多層反射膜、Be膜とMo膜とを交互に積層させたBe/Mo多層反射膜、Si化合物膜とMo化合物膜とを交互に積層させたSi化合物/Mo化合物多層反射膜、Si膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Mo/Ru多層反射膜、Si膜、Ru膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Ru/Mo/Ru多層反射膜が挙げられる。
スパッタリング法を用いて、吸収層4を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いて基板1を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
バッファ層を構成する材料としては、たとえば、Cr、Al、Ru、Taおよびこれらの窒化物、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3などが挙げられる。バッファ層は厚さ10〜60nmであることが好ましい。
さらに、上記EUVマスクブランクをパターニングすることで、表面欠陥の少ないEUVマスクを形成することが可能である。欠陥を減少させることで、欠点の少ない露光を行うことができ、半導体の生産性にも優れる。
(実施例1)
導電膜の形成
本実施例では、成膜用の基板1(図1参照)として、SiO2−TiO2系のガラス基板(外形6インチ(152.4mm)角、厚さが6.3mm)を使用する。このガラス基板の熱膨張率は0.2×10-7/℃、ヤング率は67GPaである。このガラス基板を研磨により、Rmsが0.15nm以下の平滑な表面と100nm以下の平坦度に形成する。
次に、基板1の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜2(構成材料:Cr、B含有)を成膜する。具体的には、CrB2ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ100nmの導電膜2を形成する。導電膜2の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット:CrB2ターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧:0.3Pa)
投入電力:250W
成膜速度:0.45nm/sec
導電膜2のB平均濃度を、X線光電子分光装置を用いて測定すると66at%であることが確認される。導電膜2のシート抵抗を四探針測定器を用いて測定すると20Ω/□であることが確認される。導電膜2の表面の平滑度をAFM(原子間力顕微鏡)を用いて測定すると0.5nm以下であることが確認される。
上記手順で成膜される導電膜2の表面硬度をナノインデンテーション試験により測定する。具体的には、ダイヤモンドチップからなる三角錐(バーコビッチ型)の圧子を導電膜2の表面に押し込み、荷重Pと圧子の下の射影面積Aから表面硬度H(H=P/A)を算出する。その結果、表面硬度Hは22.5GPaであることが確認される。
次に、基板1の導電膜2に対して反対側(成膜面)に、イオンビームスパッタリング法を用いて多層反射膜(Si/Mo多層反射膜)を成膜する。具体的には、Si膜およびMo膜を交互に成膜することを40周期繰り返すことにより、合計膜厚272nm((4.5+2.3)×40)のSi/Mo多層反射膜を成膜する。最後にキャップ層として膜厚11.0nmになるようにSi層を成膜する。
なお、Si膜およびMo膜の成膜条件は以下の通りである。
Si膜の成膜条件
ターゲット:Siターゲット(ホウ素ドープ)
スパッタガス:Arガス(ガス圧0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.077nm/sec
膜厚:4.5nm
Mo膜の成膜条件
ターゲット:Moターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.064nm/sec
膜厚:2.3nm
上記手順で成膜される多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定する。その結果、パーティクル個数は1.5個/cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発生しないことが確認される。なお、パーティクル個数は、大きさが0.15μm以上のものとして測定する。
TaN層の成膜条件
ターゲット:Taターゲット
スパッタガス:N2ガス(ガス圧0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.015nm/sec
膜厚:70nm
上記手順で得られるEUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数についても上記と同様の手順で測定すると2.0個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ないEUVマスクブランクであることが確認される。
本実施例では、ガラス基板の表面上に形成される導電膜が、Crが構成材料であって、BおよびNを含有する導電膜であること以外は実施例1と同様である。導電膜2の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット:CrB2ターゲット
スパッタガス:Arガス、N2ガス(Ar:99.8体積%、N2:0.2体積%、ガス圧:0.3Pa)
投入電力:250W
成膜速度:0.4nm/sec
膜厚:100nm
実施例1と同様の手順で導電膜2中のB平均濃度およびN平均濃度を測定すると、それぞれ45at%、10at%であることが確認される。導電膜2のシート抵抗を測定すると80Ω/□であることが確認される。導電膜2の表面硬度を測定すると13.0GPaであることが確認される。また、平坦度測定機を用いて基板の変形量(たわみ量)を測定することにより、導電膜2で発生している圧縮応力を求める。その結果、導電膜2で発生している圧縮応力は400MPaであることが確認される。
また、実施例1と同様の手順で基板1の成膜面に多層反射膜(Si/Mo多層反射膜)を成膜し、多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定するとパーティクル個数は1.0個/cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発生しないことが確認される。
次に、上記手順で成膜した多層反射膜上に、実施例1と同様の手順で、吸収層(TaN層)を成膜して、EUVマスクブランクを得る。得られるEUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数について、上記と同様の手順で測定すると1.5個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ないEUVマスクブランクであることが確認される。
本実施例では、ガラス基板上に形成される導電膜が積層構造(2層)の導電膜(構成材料がCrであって、基板側の層(下層)はBを含有せず、表面側の層(上層)はBを含有する。)であること以外は実施例1と同様である。下層および上層の成膜条件は以下の通りである。
下層の成膜条件
ターゲット:Crターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧:0.3Pa)
投入電力:300W
成膜速度:0.5nm/sec
膜厚:50nm
上層の成膜条件
ターゲット:CrB2ターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧:0.3Pa)
投入電力:250W
成膜速度:0.45nm/sec
膜厚:50nm
上層中および下層中のB平均濃度を測定すると、上層は66at%、下層は0at%であることが確認される。導電膜2のシート抵抗を測定すると20Ω/□であることが確認される。導電膜2の表面硬度を測定すると22.0GPaであることが確認される。
また、実施例1と同様の手順で基板1の成膜面に多層反射膜(Si/Mo多層反射膜)を形成し、多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定するとパーティクル個数は0.5個/cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発生しないことが確認される。
次に、上記手順で成膜される多層反射膜上に、実施例1と同様の手順で、吸収層(TaN層)を成膜して、EUVマスクブランクを得る。得られるEUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数について、上記と同様の手順で測定すると1.0個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ないEUVマスクブランクであることが確認される。
本実施例では、ガラス基板上に形成される導電膜2を狭義の傾斜組成膜(構成材料がCrであって、ガラス基板側の部分はBを含まず、表面側の部分はB平均濃度が高くなるように、導電膜2中のBの濃度が導電膜2の厚さ方向に沿って連続的に変化した構造の導電膜)であること以外は、実施例1と同様である。導電膜の成膜条件は以下の通りである。なお、導電膜2中のBの濃度は、CrターゲットおよびBターゲットの投入電力を調節することによって変化させる。
ターゲット:Crターゲット、CrB2ターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧:0.3Pa)
投入電力:100〜300W(Crターゲット)、0〜300W(CrB2ターゲット)成膜速度:0.4nm/sec
膜厚:100nm
導電膜2のB平均濃度は33at%である。導電膜2の表面近傍部分(表面から5nm)の部分のB平均濃度を測定すると66at%であることが確認される。導電膜2の基板近傍部分(基板の面から5nmまで)の部分のB平均濃度を測定すると0at%であることが確認される。導電膜2のシート抵抗を測定すると22Ω/□であることが確認される。導電膜2の表面硬度を測定すると22.0GPaであることが確認される。
また、実施例1と同様の手順で基板1の成膜面に多層反射膜(Si/Mo多層反射膜)を形成し、多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定するとパーティクル個数は0.5個/cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発生しないことが確認される。
次に、上記手順で成膜した多層反射膜上に、実施例1と同様の手順で、吸収層(TaN層)を成膜して、EUVマスクブランクを得る。得られるEUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数について、上記と同様の手順で測定すると1.0個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ないEUVマスクブランクであることが確認される。
比較例では、ガラス基板上に形成される導電膜がCr膜(Bを含有しない)であること以外は、実施例1と同様である。Cr膜の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット:Crターゲット
スパッタガス:Arガス(ガス圧:0.3Pa)
投入電力:300W
成膜速度:0.5nm/sec
膜厚:100nm
導電膜のシート抵抗を測定すると5.5Ω/□であることが確認される。導電膜の表面硬度を測定すると11.0GPaであることが確認される。
また、実施例1と同様の手順で基板の成膜面に多層反射膜(Si/Mo多層反射膜)を形成し、多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定するとパーティクル個数は50個/cm2であり、多層反射膜の成膜時に非常に多くのパーティクルが発生することが確認される。
次に、上記手順で成膜した多層反射膜上に、実施例1と同様の手順で、吸収層(TaN層)を成膜して、EUVマスクブランクを得る。得られるEUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数について、上記と同様の手順で測定すると100個/cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多いEUVマスクブランクであることが確認される。
なお、2005年12月12日に出願された日本特許出願2005−357858号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (14)
- EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記導電膜の主材料は、Cr、Ti、Zr、Nb、NiおよびVからなる群から選択される少なくとも1つよりなり、前記導電膜は平均濃度1〜70at%でB(ホウ素)を含有し、
前記導電膜は、基板側におけるB平均濃度が低く、表面側におけるB平均濃度が高くなるように、導電膜中のBの濃度が該導電膜の厚さ方向に沿って変化した傾斜組成膜である導電膜付基板。 - 前記傾斜組成膜は、前記基板側の面から膜厚5nmまでの部分のB平均濃度が15at%以下であり、
表面から少なくとも膜厚5nmまでの部分のB平均濃度が1〜70at%である請求項1に記載の導電膜付基板。 - 前記導電膜は、さらに平均濃度1〜60at%でNを含有する請求項1または2に記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜は、表面から少なくとも膜厚5nmまでの部分のN平均濃度が10at%以下である請求項3に記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜の酸素濃度が5at%以下である請求項1ないし4のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜は、シート抵抗値が0.1〜100Ω/□である請求項1ないし5のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜が、Cr、Ti、Zr、Nb、NiおよびVからなる群から選択される少なくとも1つと、Cr、Ti、Zr、Nb、NiおよびVからなる群から選択される少なくとも1つとBとの化合物(CrB 2 、TiB 2 、ZrB 2 、NbB 2 、NiB 2 またはVB 2 )と、が混在した状態となっている請求項1ないし6のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜の結晶構造がアモルファスである請求項1ないし7のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜の表面硬度が12GPa以上である請求項1ないし8のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜表面の平滑性が、Rms(二乗平方根粗さ)で0.5nm以下である請求項1ないし9のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 前記導電膜の膜厚が10〜500nmである請求項1ないし10のいずれかに記載の導電膜付基板。
- 請求項1ないし11のいずれかに記載の導電膜付基板の前記導電膜が設けられた面に対して、反対側に多層反射膜を形成してなるEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜付基板。
- 請求項12に記載の多層反射膜付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなるEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 請求項13に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングしたEUVリソグラフィ用反射型マスク。
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