JPS62183463A - フオトマスクブランクの製造法 - Google Patents
フオトマスクブランクの製造法Info
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- JPS62183463A JPS62183463A JP61024073A JP2407386A JPS62183463A JP S62183463 A JPS62183463 A JP S62183463A JP 61024073 A JP61024073 A JP 61024073A JP 2407386 A JP2407386 A JP 2407386A JP S62183463 A JPS62183463 A JP S62183463A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 6
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はICやLSI等の半導体素子製造に用いられる
フォトマスクブランクの製造に関するものである。
フォトマスクブランクの製造に関するものである。
[従来の技術]
フォトマスクブランクには、主としてWLIialなパ
ターンが形成されることから、エツチング特性(エツチ
ング速度、サイドエッチ量)、光学的特性、化学的耐久
性、及び機械的耐久性に憧れることが要求される。従来
、フォトマスクブF ランクに用いられるクロム膜は
クロム金属をターゲットとして酸素、窒素、メタン等の
反応性ガスとアルゴンガスとの混合雰囲気中で反応性ス
パッタリングを行うことによって製造されてきた。
ターンが形成されることから、エツチング特性(エツチ
ング速度、サイドエッチ量)、光学的特性、化学的耐久
性、及び機械的耐久性に憧れることが要求される。従来
、フォトマスクブF ランクに用いられるクロム膜は
クロム金属をターゲットとして酸素、窒素、メタン等の
反応性ガスとアルゴンガスとの混合雰囲気中で反応性ス
パッタリングを行うことによって製造されてきた。
しかしながら、上記の方法で得られたクロム膜は、エツ
チング特性(エツチング速度、サイドエッチ量)、光学
的特性、化学的耐久性及び機械的耐久性の諸特性をかな
らずしも十分満足するものではない、これらの特性を満
足させる1つの方法としてクロム膜中に硼素を含有させ
れば達成できることが、本願発明者の研究の結果得られ
ている。すなわち、本顯発明者による既出願特許「フォ
トマスクブランクおよびフォトマスク」 (昭81.1
.14出願)に示されるように、クロム膜中にクロム、
硼素及び窒素が所定の割合で含まれることにより、クロ
ム膜のエツチング特性(エツチング速度、サイドエッチ
量)の制御が可能となったこと、およびクロム膜に必要
とされる光学的特性、化学的耐久性、機械的耐久性等の
諸特性を十分に満足することが可能となったことである
。
チング特性(エツチング速度、サイドエッチ量)、光学
的特性、化学的耐久性及び機械的耐久性の諸特性をかな
らずしも十分満足するものではない、これらの特性を満
足させる1つの方法としてクロム膜中に硼素を含有させ
れば達成できることが、本願発明者の研究の結果得られ
ている。すなわち、本顯発明者による既出願特許「フォ
トマスクブランクおよびフォトマスク」 (昭81.1
.14出願)に示されるように、クロム膜中にクロム、
硼素及び窒素が所定の割合で含まれることにより、クロ
ム膜のエツチング特性(エツチング速度、サイドエッチ
量)の制御が可能となったこと、およびクロム膜に必要
とされる光学的特性、化学的耐久性、機械的耐久性等の
諸特性を十分に満足することが可能となったことである
。
一方、硼素を含んだクロム膜については特開昭54−1
08701号公報に示されるように、「耐久性があり画
像性に優れていて製造も容易なフォトマスクを提供する
ことを目的とする」として知られているが、特開昭54
−108701号公報にはクロム膜の適正組成範囲ある
いはスパッタ法で用いられるターゲットについては詳細
な記載がされておらず、その点において不十分である。
08701号公報に示されるように、「耐久性があり画
像性に優れていて製造も容易なフォトマスクを提供する
ことを目的とする」として知られているが、特開昭54
−108701号公報にはクロム膜の適正組成範囲ある
いはスパッタ法で用いられるターゲットについては詳細
な記載がされておらず、その点において不十分である。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は、従来のクロム膜では不充分であったエツチン
グ特性(エツチング速度、サイドエッチ量)の1111
が可能であり、なおかつ光学的特性、化学的耐久性、機
械的耐久性に優れた膜を透明基板上に形成したフォトマ
スクブランクを得ることを目的としてなされたものであ
る。
グ特性(エツチング速度、サイドエッチ量)の1111
が可能であり、なおかつ光学的特性、化学的耐久性、機
械的耐久性に優れた膜を透明基板上に形成したフォトマ
スクブランクを得ることを目的としてなされたものであ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、前述の目的を達成すべくなされたものであり
、透明基板上にスパッタ法により硼素を含むクロム膜を
形成しフォトマスクブランクを製造するに際し、ターゲ
ットとして硼素を原子比で1〜10%含むクロムを用い
ることを特徴とするフォトマスクブランクの製造法を提
供するものである。
、透明基板上にスパッタ法により硼素を含むクロム膜を
形成しフォトマスクブランクを製造するに際し、ターゲ
ットとして硼素を原子比で1〜10%含むクロムを用い
ることを特徴とするフォトマスクブランクの製造法を提
供するものである。
ここに前記「透明基板上にスパッタ法により硼素を含む
クロム膜を形成し」とは、透明基板とに直接に上記した
硼素を含むクロム膜を形成することは勿論、透明基板上
に形成した反射防止膜、導電性膜等の下地膜の上に上記
した硼素を含むクロム膜を形成することも意味するもの
である。
クロム膜を形成し」とは、透明基板とに直接に上記した
硼素を含むクロム膜を形成することは勿論、透明基板上
に形成した反射防止膜、導電性膜等の下地膜の上に上記
した硼素を含むクロム膜を形成することも意味するもの
である。
以下、本発明を更に詳細に説明する。第1図、第2図及
び第3図は本発明におけるフォトマスクブランクの断面
構造を示す説明図であり、第1図は屯層タイプ、第2図
は表面低反射タイプ、第3図は両面低反射タイプのフォ
トマスクブランクの断面構造を示す0図において。
び第3図は本発明におけるフォトマスクブランクの断面
構造を示す説明図であり、第1図は屯層タイプ、第2図
は表面低反射タイプ、第3図は両面低反射タイプのフォ
トマスクブランクの断面構造を示す0図において。
■は透明基板、2は遮光膜、3は表面反射防止off、
4は裏面反射防止膜、5はフォトマスクブランクを示す
。
4は裏面反射防止膜、5はフォトマスクブランクを示す
。
ここで、透明基板lとしては表面が平滑、モ坦なボロシ
リケートガラス、アルミノシリケートガラスなどの低n
1ni性ガラス、または、石英ガラス、ソーダ・石灰ガ
ラス、あるいはサファイヤなどが使用される。
リケートガラス、アルミノシリケートガラスなどの低n
1ni性ガラス、または、石英ガラス、ソーダ・石灰ガ
ラス、あるいはサファイヤなどが使用される。
本発明における遮光膜2としては、硼素、窒素を含むク
ロム膜が使用される。かかる硼素がクロム遮光膜中に含
有されるとエツチング特性つまりエツチング速度及びサ
イドエッチ量の制御が可能であること、更に窒素がクロ
ム遮光膜中に含まれると化学的耐久性が向上すること等
の点で優れる。
ロム膜が使用される。かかる硼素がクロム遮光膜中に含
有されるとエツチング特性つまりエツチング速度及びサ
イドエッチ量の制御が可能であること、更に窒素がクロ
ム遮光膜中に含まれると化学的耐久性が向上すること等
の点で優れる。
本願発明者による前記既出願特許に示されるように、上
記の性能を満足するためには、遮光1模中に含まれるク
ロム、硼素、窒素が原子比でそれぞれ50〜89%、1
〜10%、30〜40%の範囲にあることが必要である
。
記の性能を満足するためには、遮光1模中に含まれるク
ロム、硼素、窒素が原子比でそれぞれ50〜89%、1
〜10%、30〜40%の範囲にあることが必要である
。
さらに、遮光膜の厚みは、 600〜1300人の範囲
とすることが光学的特性、化学的耐久性、及び機械的耐
久性をよく満足するという理由で好ましい。
とすることが光学的特性、化学的耐久性、及び機械的耐
久性をよく満足するという理由で好ましい。
さらに本発明における表面および裏面反射防圧膜として
は、クロム酸化物を含みかつ窒素。
は、クロム酸化物を含みかつ窒素。
炭素あるいは硼素のうちの少くとも一つを含むクロム膜
が使用される。この反射防止膜を設けることによって反
射率が55〜60%程度から5〜15%程度に低減され
る。この表面及び裏面反射防止膜の膜厚はそれぞれ15
0〜450人の範囲が好ましい。
が使用される。この反射防止膜を設けることによって反
射率が55〜60%程度から5〜15%程度に低減され
る。この表面及び裏面反射防止膜の膜厚はそれぞれ15
0〜450人の範囲が好ましい。
本発明において、クロム膜中に硼素、窒素を導入する方
法としていくつか挙げられる。そのひとつとしては、ク
ロム金属と硼素金属の粉末を混合して真空ホットプレス
により焼結させたターゲットあるいは溶融し固化させた
ターゲットを用いて、アルゴンガス中に窒素ガスを混合
した混合ガス中でスパッタリングを行うことによってク
ロム膜中に硼素、窒素を導入することができる。他の方
法としてはクロム金属とクロム硼化物の粉末を混合して
真空ホットプレスにより焼結させたターゲットあるいは
溶融し固化させたターゲットを用いて、アルゴンガス中
に窒素ガスを混合した混合ガス中でスパッタリングを行
うことによってクロム膜中に硼素、窒素を導入すること
ができる。ここで、スパッタリングにより得られるクロ
ム膜のエツチング特性(エツチング速度、サイドエッチ
量)の制御を可能とし、光学的特性、化学的耐久性およ
び機械的耐久性等の諸特性を満足するクロム膜中の硼素
の量としては原子比で1〜10%であるということを既
に本願発明者は示した。そこでクロムターゲット中に含
まれる硼素の適正範囲を示す例として本願発明者の研究
結果を第4図に示す、第4図はスパッタリングによりク
ロム膜中に取り込まれる硼素の量とそのときに用いられ
るクロムターゲット中の硼素の量との関係を示すもので
ある。この第4図より明らかなようにクロム膜中に硼素
を原子比で1〜10%の範囲で取り込むためにはクロム
ターゲット中での硼素の量は原子比で1−10%の範囲
であることがわかる。したがって、エツチング特性(エ
ツチング速度、サイドエッチ量)の制御に優れ、光学的
特性、化学的耐久性および機械的耐久性に優れたクロム
膜を得るためにはクロムターゲット中に硼素が原子比で
1〜10%の範囲で含まれることが好ましいことがわか
る。なお、本願発明者による前記既出願特許に示される
ごとくクロム膜中の硼素が原子比で2.5〜7.0%の
範囲で含まれることが、エツチング特性(エツチング速
度、サイドエッチ量)の制御に優れ、光学的特性、化学
的耐久性、機械的耐久性等の諸特性に優れる点で特に好
ましいので、このときのターゲット中に含まれる硼素の
量としては原子比で2.5〜8.0%の範囲にあること
が特に好ましいことになる。
法としていくつか挙げられる。そのひとつとしては、ク
ロム金属と硼素金属の粉末を混合して真空ホットプレス
により焼結させたターゲットあるいは溶融し固化させた
ターゲットを用いて、アルゴンガス中に窒素ガスを混合
した混合ガス中でスパッタリングを行うことによってク
ロム膜中に硼素、窒素を導入することができる。他の方
法としてはクロム金属とクロム硼化物の粉末を混合して
真空ホットプレスにより焼結させたターゲットあるいは
溶融し固化させたターゲットを用いて、アルゴンガス中
に窒素ガスを混合した混合ガス中でスパッタリングを行
うことによってクロム膜中に硼素、窒素を導入すること
ができる。ここで、スパッタリングにより得られるクロ
ム膜のエツチング特性(エツチング速度、サイドエッチ
量)の制御を可能とし、光学的特性、化学的耐久性およ
び機械的耐久性等の諸特性を満足するクロム膜中の硼素
の量としては原子比で1〜10%であるということを既
に本願発明者は示した。そこでクロムターゲット中に含
まれる硼素の適正範囲を示す例として本願発明者の研究
結果を第4図に示す、第4図はスパッタリングによりク
ロム膜中に取り込まれる硼素の量とそのときに用いられ
るクロムターゲット中の硼素の量との関係を示すもので
ある。この第4図より明らかなようにクロム膜中に硼素
を原子比で1〜10%の範囲で取り込むためにはクロム
ターゲット中での硼素の量は原子比で1−10%の範囲
であることがわかる。したがって、エツチング特性(エ
ツチング速度、サイドエッチ量)の制御に優れ、光学的
特性、化学的耐久性および機械的耐久性に優れたクロム
膜を得るためにはクロムターゲット中に硼素が原子比で
1〜10%の範囲で含まれることが好ましいことがわか
る。なお、本願発明者による前記既出願特許に示される
ごとくクロム膜中の硼素が原子比で2.5〜7.0%の
範囲で含まれることが、エツチング特性(エツチング速
度、サイドエッチ量)の制御に優れ、光学的特性、化学
的耐久性、機械的耐久性等の諸特性に優れる点で特に好
ましいので、このときのターゲット中に含まれる硼素の
量としては原子比で2.5〜8.0%の範囲にあること
が特に好ましいことになる。
[実施例]
実施例1
クロムと硼素の粉末を適量混合して作成した焼結ターゲ
ット(原子比でCr:135%、B:5%)を用い、表
面を精密研磨した透明ガラス基板EにDCスパッタリン
グ法によりCrBxNyllQを形成した。スパッタ条
件としてはアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、
ガス圧4.5x101Torr、 D C電力= 4.
2に−としガラス基板上に約750人の硼素および窒素
を含むクロム藤を形成した。オージェ電子分光法等によ
り該遮光膜を分析した結果、クロム、硼素、窒素が原子
比でそれぞれ83%、4%、33%含まれていることが
わかった。この膜の光学濃度を波長436mmで測定し
たところ、約3.0であり、十分な遮光性能が得られた
。更に、砂入消しゴムに501/mm2の圧力をかけ5
回収面を往復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見
られず、十分な耐擦傷性のあることがわかった。また1
20”0の濃硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが
見られず優れた耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用
のポジ型レジストC5hipley 社製MP−135
0)をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ鳳
の線状テストパターンを形成したものを硝酸第二セリウ
ムアンモニウム185g、!= 過塩素酸(70%)4
2履Qに純水を加えて1000履Qにした液(22〜2
3℃)でエツチングしたところ約37秒でパターンを形
成することができた。パターンのエツジ・シャープネス
も良好で、走査型゛1子顕微鏡(SEM)による測定で
は0.1μ謬以Fにおさまっていた。更に10秒毎のオ
ーバーエツチングを行い、微小寸法測定装置でサイドエ
ッチ量を測定したところ0.1μml 10sec、以
下におさまっており、良好なパターン形成が可能である
ことがわかった。なおパターン形成後のマスクをスクラ
ブ洗浄したが、パターンの欠は等によるマスクの不良は
殆ど生じなかった。
ット(原子比でCr:135%、B:5%)を用い、表
面を精密研磨した透明ガラス基板EにDCスパッタリン
グ法によりCrBxNyllQを形成した。スパッタ条
件としてはアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、
ガス圧4.5x101Torr、 D C電力= 4.
2に−としガラス基板上に約750人の硼素および窒素
を含むクロム藤を形成した。オージェ電子分光法等によ
り該遮光膜を分析した結果、クロム、硼素、窒素が原子
比でそれぞれ83%、4%、33%含まれていることが
わかった。この膜の光学濃度を波長436mmで測定し
たところ、約3.0であり、十分な遮光性能が得られた
。更に、砂入消しゴムに501/mm2の圧力をかけ5
回収面を往復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見
られず、十分な耐擦傷性のあることがわかった。また1
20”0の濃硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが
見られず優れた耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用
のポジ型レジストC5hipley 社製MP−135
0)をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ鳳
の線状テストパターンを形成したものを硝酸第二セリウ
ムアンモニウム185g、!= 過塩素酸(70%)4
2履Qに純水を加えて1000履Qにした液(22〜2
3℃)でエツチングしたところ約37秒でパターンを形
成することができた。パターンのエツジ・シャープネス
も良好で、走査型゛1子顕微鏡(SEM)による測定で
は0.1μ謬以Fにおさまっていた。更に10秒毎のオ
ーバーエツチングを行い、微小寸法測定装置でサイドエ
ッチ量を測定したところ0.1μml 10sec、以
下におさまっており、良好なパターン形成が可能である
ことがわかった。なおパターン形成後のマスクをスクラ
ブ洗浄したが、パターンの欠は等によるマスクの不良は
殆ど生じなかった。
実施例2
実施例1で作成した遮光膜上に、窒素を含むクロム酸化
物膜を反射防と膜として形成した。
物膜を反射防と膜として形成した。
スパッタ条件としては、アルゴンガス、窒素ガスおよび
酸素ガスの混合ガスを用い、ガス圧4.5 X 1O−
3Torr、D C電力= 4.5KWとし遮光膜上に
厚み200人の窒素を含むクロム酸化物膜を形成した。
酸素ガスの混合ガスを用い、ガス圧4.5 X 1O−
3Torr、D C電力= 4.5KWとし遮光膜上に
厚み200人の窒素を含むクロム酸化物膜を形成した。
この膜構成の波長438n騰における表面反射率は10
%であった。
%であった。
この膜の光学濃度を波長436n■で測定したところ、
約3.2であり、十分な遮光性部が得られた。更に、砂
入消しゴムに50g/ll112 の圧力をかけ5回膜
面を往復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見られ
ず、十分な耐擦傷性のあることがわかった。また 12
0℃の濃硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが見ら
れず優れた耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用のポ
ジ型レジスト(Shipley社製 MP−1350)
をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ層の線
状テストパターンを形成したものを硝酸第二セリウムア
ンモニウム185gと過塩素酸(70%)42■Qに純
水を加えて100100Oにした液(22〜23℃)で
エツチングしたところ約39秒でパターンを形成するこ
とができた。パターンのエツジ・シャープネスも良好で
、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定では0.1μ
厘以下におさまっていた。
約3.2であり、十分な遮光性部が得られた。更に、砂
入消しゴムに50g/ll112 の圧力をかけ5回膜
面を往復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見られ
ず、十分な耐擦傷性のあることがわかった。また 12
0℃の濃硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが見ら
れず優れた耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用のポ
ジ型レジスト(Shipley社製 MP−1350)
をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ層の線
状テストパターンを形成したものを硝酸第二セリウムア
ンモニウム185gと過塩素酸(70%)42■Qに純
水を加えて100100Oにした液(22〜23℃)で
エツチングしたところ約39秒でパターンを形成するこ
とができた。パターンのエツジ・シャープネスも良好で
、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定では0.1μ
厘以下におさまっていた。
更に10秒毎のオーバーエツチングを行い、微小1法測
定装置でサイドエッチ量を測定したところ0.1μs/
1osec、以下におさまっており、良好なパターン形
成が可能であることがわかった。
定装置でサイドエッチ量を測定したところ0.1μs/
1osec、以下におさまっており、良好なパターン形
成が可能であることがわかった。
なおパターン形成後のマスクをスクラブ洗浄したが、パ
ターンの欠は等によるマスクの不良は生じなかった。
ターンの欠は等によるマスクの不良は生じなかった。
実施例3
クロムとクロム硼化物の粉末を適量混合して作成した焼
結ターゲット(原子比でCr:95%、B:5%)を用
い、表面を精密研磨した透明ガラス基板上にDCスパッ
タリング法によりCrBxNy膜を形成した。スパッタ
条件としてはアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い
、ガス圧4.5X 1O−3Torr、 D C電力=
4.2Klllとしガラス基板上に約750人の硼素
および窒素を含むクロム膜を形成した。オージェ電子分
光法等により該遮光膜を分析した結果、クロム、硼素、
窒素が原子比でそれぞれ81%、4%、35%含まれて
いることがわかった。この膜の光学濃度を波長436n
腸で測定したところ、約3.0であり、十分な遮光性t
@が得られた。更に、砂入消しゴムに50g/wm2の
圧力をかけ5回膜面を往復させたところ、傷や膜はがれ
がほとんど見られず、+−分な耐擦傷性のあることがわ
かった。また120℃の濃硫酸に3時間浸漬してもほと
んど膜減りが見られず優れた耐酸性を示した0次いで、
紫外線露光用のポジ型しジス)(Shipley社製M
P−1350)をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光
で巾3μmの線状テストパターンを形成したものを硝酸
第二セリウムアンモニウム185gと過塩素酸(70%
) 42m12に純水を加えて1000■Qにした液(
22〜23℃)でエツチングしたところ約37秒でパタ
ーンを形成することができた。パターンのエツジ・シャ
ープネスも良好で、走査型電子WJ微鏡(SEM)によ
る測定では0.1μ謬以Fにおさまっていた。更に10
秒毎のオーバーエツチングを行い、微小寸法測定装置で
サイドエッチ量を測定したところ0.1μ履710se
c、以下におさまっており、良好なパターン形成が可能
であることがわかった。なおパターン形成後のマスクを
スクラブ洗浄したが、パターンの欠は等によるマスクの
不良は殆ど生じなかった。
結ターゲット(原子比でCr:95%、B:5%)を用
い、表面を精密研磨した透明ガラス基板上にDCスパッ
タリング法によりCrBxNy膜を形成した。スパッタ
条件としてはアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い
、ガス圧4.5X 1O−3Torr、 D C電力=
4.2Klllとしガラス基板上に約750人の硼素
および窒素を含むクロム膜を形成した。オージェ電子分
光法等により該遮光膜を分析した結果、クロム、硼素、
窒素が原子比でそれぞれ81%、4%、35%含まれて
いることがわかった。この膜の光学濃度を波長436n
腸で測定したところ、約3.0であり、十分な遮光性t
@が得られた。更に、砂入消しゴムに50g/wm2の
圧力をかけ5回膜面を往復させたところ、傷や膜はがれ
がほとんど見られず、+−分な耐擦傷性のあることがわ
かった。また120℃の濃硫酸に3時間浸漬してもほと
んど膜減りが見られず優れた耐酸性を示した0次いで、
紫外線露光用のポジ型しジス)(Shipley社製M
P−1350)をクロム膜面に塗布し、コンタクト露光
で巾3μmの線状テストパターンを形成したものを硝酸
第二セリウムアンモニウム185gと過塩素酸(70%
) 42m12に純水を加えて1000■Qにした液(
22〜23℃)でエツチングしたところ約37秒でパタ
ーンを形成することができた。パターンのエツジ・シャ
ープネスも良好で、走査型電子WJ微鏡(SEM)によ
る測定では0.1μ謬以Fにおさまっていた。更に10
秒毎のオーバーエツチングを行い、微小寸法測定装置で
サイドエッチ量を測定したところ0.1μ履710se
c、以下におさまっており、良好なパターン形成が可能
であることがわかった。なおパターン形成後のマスクを
スクラブ洗浄したが、パターンの欠は等によるマスクの
不良は殆ど生じなかった。
実施例4
実施例1で作成した遮光膜上に、窒素を含むクロム酸化
物膜を反射防止膜として形成した。
物膜を反射防止膜として形成した。
スパッタ条件としては、アルゴンガス、窒素ガスおよび
酸素ガスの混合ガスを用い、ガス圧4.5 X 1O−
3Torr、 D C電力=4.5KWとし遮光膜りに
厚み200人の窒素を含むクロム酸化物膜を形成した。
酸素ガスの混合ガスを用い、ガス圧4.5 X 1O−
3Torr、 D C電力=4.5KWとし遮光膜りに
厚み200人の窒素を含むクロム酸化物膜を形成した。
この膜構成の波長438nmにおける表面反射率は10
%であった。
%であった。
この膜の光学濃度を波長436n■で測定したところ、
約3.2であり、十分な遮光性能が得られた。更に、砂
入消しゴムに50g/mm2の圧力をかけ5回収面を往
復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見られず、十
分な耐擦傷性のあることがわかった。また120℃の濃
硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが見られず優れ
た耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用のポジ型レジ
スト(Shiplay社製 MP−1350)をりaム
膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ厘の線状テスト
パターンを形成したものを硝酸第二セリウムアンモニウ
ム185gと過塩8% (70%)42■Qに純水を加
えて1oOhQにした液(22〜23℃)でエツチング
したところ約38秒でパターンを形成することができた
。パターンのエツジ壷シャープネスも良好で、走査型’
l[E子顕微鏡(SEM)による測定では0.1μm以
下におさまっていた。
約3.2であり、十分な遮光性能が得られた。更に、砂
入消しゴムに50g/mm2の圧力をかけ5回収面を往
復させたところ、傷や膜はがれがほとんど見られず、十
分な耐擦傷性のあることがわかった。また120℃の濃
硫酸に3時間浸漬してもほとんど膜減りが見られず優れ
た耐酸性を示した0次いで、紫外線露光用のポジ型レジ
スト(Shiplay社製 MP−1350)をりaム
膜面に塗布し、コンタクト露光で巾3μ厘の線状テスト
パターンを形成したものを硝酸第二セリウムアンモニウ
ム185gと過塩8% (70%)42■Qに純水を加
えて1oOhQにした液(22〜23℃)でエツチング
したところ約38秒でパターンを形成することができた
。パターンのエツジ壷シャープネスも良好で、走査型’
l[E子顕微鏡(SEM)による測定では0.1μm以
下におさまっていた。
更に10秒毎のオーバーエツチングを行い、微小寸法測
定装置でサイドエッチ量を測定したところ0.1μm7
10sec、以下におさまっており、良好なパターン形
成が可能であることがわかった。
定装置でサイドエッチ量を測定したところ0.1μm7
10sec、以下におさまっており、良好なパターン形
成が可能であることがわかった。
なおパターン形成後のマスクをスクラブ洗浄したが、パ
ターンの欠は等によるマスクの不良は生じなかった。
ターンの欠は等によるマスクの不良は生じなかった。
[発明の効果]
以−ヒのように本発明によれば、硼素を 1〜10%の
範囲で含むクロムのターゲットを用い、反応性ガスとし
て窒素を導入したスパッタリングにより所望のクロム膜
が得られる。該クロム膜はエツチング特性(エツチング
速度、サイドエッチ量)の制御が可能であり、光学的特
性、化学的耐久性、機械的耐久性等の緒特性が優れてお
り、本発明によりこれら優れた特性をもっフォトマスク
ブランクの製造が容易となるものである。
範囲で含むクロムのターゲットを用い、反応性ガスとし
て窒素を導入したスパッタリングにより所望のクロム膜
が得られる。該クロム膜はエツチング特性(エツチング
速度、サイドエッチ量)の制御が可能であり、光学的特
性、化学的耐久性、機械的耐久性等の緒特性が優れてお
り、本発明によりこれら優れた特性をもっフォトマスク
ブランクの製造が容易となるものである。
第1図、第2図および第3図は、本発明のフォトマスク
ブランクの断面構造の説明図である。第4図はクロム膜
中の硼素の量とクロムターゲット中の硼素の量の関係図
である。 1:透明基板 2:遮光膜 3:表面反射防止膜 4:裏面反射防止膜 5:フォトマスクブランク 括 l 図 宅 3 国
ブランクの断面構造の説明図である。第4図はクロム膜
中の硼素の量とクロムターゲット中の硼素の量の関係図
である。 1:透明基板 2:遮光膜 3:表面反射防止膜 4:裏面反射防止膜 5:フォトマスクブランク 括 l 図 宅 3 国
Claims (4)
- (1)透明基板上に、スパッタ法により硼素を含むクロ
ム膜を形成しフォトマスクブランクを製造するに際し、
ターゲットとして硼素を原子比で1〜10%含むクロム
を用いることを特徴とするフォトマスクブランクの製造
法。 - (2)前記スパッタ法が、スパッタガスとしてアルゴン
ガスと窒素ガスの混合ガスを用いた反応性スパッタ法で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォ
トマスクブランクの製造法。 - (3)前記スパッタ法が、スパッタガスとしてアルゴン
ガスと酸素ガスの混合ガスを用いた反応性スパッタ法で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォ
トマスクブランクの製造法。 - (4)前記スパッタ法が、スパッタガスとしてアルゴン
ガス、窒素ガスおよび酸素ガスの混合ガスを用いた反応
性スパッタ法であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のフォトマスクブランクの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61024073A JPS62183463A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | フオトマスクブランクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61024073A JPS62183463A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | フオトマスクブランクの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62183463A true JPS62183463A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12128250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61024073A Pending JPS62183463A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | フオトマスクブランクの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62183463A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01127663A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-19 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 |
WO2007069417A1 (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
JP2007178498A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61024073A patent/JPS62183463A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01127663A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-19 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 |
JPH0587589B2 (ja) * | 1987-11-09 | 1993-12-17 | Fujitsu Kk | |
WO2007069417A1 (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
US7736821B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-06-15 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography and substrate with a conductive film for the mask blank |
JP5082857B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
KR101308838B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2013-09-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크블랭크용 도전막 부착 기판 |
JP2007178498A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP4614877B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-01-19 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
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