JP2000003845A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、応力が低く、且つ、ドライ・エッ
チング耐性が高く、従って、薄膜化が可能なハード・マ
スクを実現し、マスク歪みの発生をなくし、高精度のＸ
線露光用マスクが得られようにする。 【解決手段】 例えばＴａからなるＸ線吸収体１３上に
ＣｒとＺｒ（或いはＢ，Ｈｆなど他の金属）との化合物
からなるアモルファスＣｒＺｒ膜１４を形成し、アモル
ファスＣｒＺｒ膜１４をパターニングしてハード・マス
クを形成し、該ハード・マスクの下にあるＸ線吸収体１
３を同じパターンに加工する。
チング耐性が高く、従って、薄膜化が可能なハード・マ
スクを実現し、マスク歪みの発生をなくし、高精度のＸ
線露光用マスクが得られようにする。 【解決手段】 例えばＴａからなるＸ線吸収体１３上に
ＣｒとＺｒ（或いはＢ，Ｈｆなど他の金属）との化合物
からなるアモルファスＣｒＺｒ膜１４を形成し、アモル
ファスＣｒＺｒ膜１４をパターニングしてハード・マス
クを形成し、該ハード・マスクの下にあるＸ線吸収体１
３を同じパターンに加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンをも
つ半導体装置を製造するのに有用なＸ線リソグラフィで
使用するＸ線露光用マスクの製造方法に関する。
つ半導体装置を製造するのに有用なＸ線リソグラフィで
使用するＸ線露光用マスクの製造方法に関する。
【０００２】現在、半導体装置は、依然、微細化を指向
しているので、その為のＸ線リソグラフィ技術が製造ラ
インに取り込まれようとする態勢になりつつあるが、Ｘ
線リソグラフィ技術には、未だ解決しなければならない
問題が多く含まれていて、例えば歪みがない高精度のＸ
線露光用マスクの実現もその一つであって、本発明で
は、それに対処する為の一手段を開示する。
しているので、その為のＸ線リソグラフィ技術が製造ラ
インに取り込まれようとする態勢になりつつあるが、Ｘ
線リソグラフィ技術には、未だ解決しなければならない
問題が多く含まれていて、例えば歪みがない高精度のＸ
線露光用マスクの実現もその一つであって、本発明で
は、それに対処する為の一手段を開示する。
【０００３】一般に、Ｘ線露光用マスクは等倍マスクで
ある為、Ｘ線吸収体の加工は高い精度が必要であり、通
常は、半導体装置に於けるようなレジスト・マスクを用
いて直接加工することはなく、薄い中間層、即ち、ハー
ド・マスクを介して加工される。
ある為、Ｘ線吸収体の加工は高い精度が必要であり、通
常は、半導体装置に於けるようなレジスト・マスクを用
いて直接加工することはなく、薄い中間層、即ち、ハー
ド・マスクを介して加工される。
【０００４】この理由としては、Ｘ線吸収体を加工する
際、ドライ・エッチング法を適用するのであるが、レジ
スト・マスクに於けるドライ・エッチング耐性が低いの
で、直接加工は無理であることに依る。
際、ドライ・エッチング法を適用するのであるが、レジ
スト・マスクに於けるドライ・エッチング耐性が低いの
で、直接加工は無理であることに依る。
【０００５】その場合、レジスト・マスクを厚くするこ
とも考えられるが、厚くすればする程、電子線露光装置
を用いてパターン描画を行なう際の描画精度が低下す
る。
とも考えられるが、厚くすればする程、電子線露光装置
を用いてパターン描画を行なう際の描画精度が低下す
る。
【０００６】そこで、レジスト膜とＸ線吸収体との間に
ドライ・エッチングに対して大きな耐性をもつ中間層を
設け、まず、薄いレジスト膜に電子線でパターン描画し
てレジスト・マスクを形成し、そのレジスト・マスクを
用いて中間層を加工し、その中間層をマスクとしてＸ線
吸収体の加工を行なっている。
ドライ・エッチングに対して大きな耐性をもつ中間層を
設け、まず、薄いレジスト膜に電子線でパターン描画し
てレジスト・マスクを形成し、そのレジスト・マスクを
用いて中間層を加工し、その中間層をマスクとしてＸ線
吸収体の加工を行なっている。
【０００７】この方法を採ることに依り、電子線露光装
置を用いたパターン描画精度は向上するので、余裕があ
るドライ・エッチングを行なうことが可能になる。
置を用いたパターン描画精度は向上するので、余裕があ
るドライ・エッチングを行なうことが可能になる。
【０００８】ところで、ハード・マスクは、Ｘ線吸収体
と同様、応力が大きいとマスク歪みを発生する原因にな
り、また、応力分布もマスク歪みを発生させることにな
る。
と同様、応力が大きいとマスク歪みを発生する原因にな
り、また、応力分布もマスク歪みを発生させることにな
る。
【０００９】一般に、ハード・マスクの材料にはＣｒが
用いられているが、応力が非常に大きい旨の問題があ
り、この為、スパッタリング法でＣｒ膜を成膜する際に
Ｎ2 ガスを混入し、ＣｒＮ膜にすることで応力値を低下
させている。
用いられているが、応力が非常に大きい旨の問題があ
り、この為、スパッタリング法でＣｒ膜を成膜する際に
Ｎ2 ガスを混入し、ＣｒＮ膜にすることで応力値を低下
させている。
【００１０】然しながら、スパッタリング装置内に於け
るＮ2 ガスの流れの分布がＣｒＮ膜内に応力分布を引き
起こすこと、或いは、ＣｒＮ膜は、Ｃｒの１／２程度に
エッチング耐性が低下することから、膜厚を２倍程度に
厚くしなければならない旨の問題が派生する。
るＮ2 ガスの流れの分布がＣｒＮ膜内に応力分布を引き
起こすこと、或いは、ＣｒＮ膜は、Ｃｒの１／２程度に
エッチング耐性が低下することから、膜厚を２倍程度に
厚くしなければならない旨の問題が派生する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、応力が低
く、且つ、ドライ・エッチング耐性が高く、従って、薄
膜化が可能なハード・マスクを実現し、マスク歪みの発
生をなくし、高精度のＸ線露光用マスクが得られるよう
にする。
く、且つ、ドライ・エッチング耐性が高く、従って、薄
膜化が可能なハード・マスクを実現し、マスク歪みの発
生をなくし、高精度のＸ線露光用マスクが得られるよう
にする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線露光用マス
クの製造方法で用いるハード・マスクは、Ｃｒを用いる
ことでは従来の技術と変わりないのであるが、Ｃｒ単独
ではなく、Ｃｒと例えばＺｒの化合物であり、しかも、
アモルファスになっている点で大きく相違している。
クの製造方法で用いるハード・マスクは、Ｃｒを用いる
ことでは従来の技術と変わりないのであるが、Ｃｒ単独
ではなく、Ｃｒと例えばＺｒの化合物であり、しかも、
アモルファスになっている点で大きく相違している。
【００１３】本発明に依るアモルファスＣｒＺｒ膜は、
スパッタリングを行なう際のターゲットとして、２０
〔原子％〕の例えばＺｒを混入したＣｒを用いることで
実現され、また、ＺｒはＢ或いはＨｆに代替しても同様
な結果を得ることができる。
スパッタリングを行なう際のターゲットとして、２０
〔原子％〕の例えばＺｒを混入したＣｒを用いることで
実現され、また、ＺｒはＢ或いはＨｆに代替しても同様
な結果を得ることができる。
【００１４】アモルファスＣｒＺｒ膜は、通常のＣｒ膜
に比較し、ドライ・エッチング耐性が５〔％〕程度低下
するだけであり、しかも、応力値を０にすることができ
る。
に比較し、ドライ・エッチング耐性が５〔％〕程度低下
するだけであり、しかも、応力値を０にすることができ
る。
【００１５】図１はスパッタリング圧力と形成膜に於け
る応力との関係を表す線図であり、横軸にはスパッタリ
ング圧力〔ｍＴｏｒｒ〕を、また、縦軸には応力〔ＭＰ
ａ〕をそれぞれ採ってある。
る応力との関係を表す線図であり、横軸にはスパッタリ
ング圧力〔ｍＴｏｒｒ〕を、また、縦軸には応力〔ＭＰ
ａ〕をそれぞれ採ってある。
【００１６】図から明らかなように、スパッタリングで
形成されるハード・マスクが示す応力は、スパッタリン
グ装置に於ける成膜時のチャンバ内圧力、即ち、スパッ
タリング圧力を変えることで制御することが可能であ
る。
形成されるハード・マスクが示す応力は、スパッタリン
グ装置に於ける成膜時のチャンバ内圧力、即ち、スパッ
タリング圧力を変えることで制御することが可能であ
る。
【００１７】Ｃｒ膜に於ける応力は、スパッタリング圧
力で制御しても、０応力になるスパッタリング圧力が低
過ぎて、実際には０応力にすることはできなかったが、
アモルファスＣｒＺｒ膜では、充分に０応力に制御する
ことができる。
力で制御しても、０応力になるスパッタリング圧力が低
過ぎて、実際には０応力にすることはできなかったが、
アモルファスＣｒＺｒ膜では、充分に０応力に制御する
ことができる。
【００１８】前記したところから、本発明に依るＸ線露
光用マスクの製造方法に於いては、（１）Ｘ線吸収体
（例えばＴａからなるＸ線吸収体１３）上にＣｒと他の
金属（例えばＺｒ，Ｂ，Ｈｆなど）との化合物からなる
アモルファスＣｒ化合物膜（例えばアモルファスＣｒＺ
ｒ膜１４）を形成する工程と、次いで、該アモルファス
Ｃｒ化合物膜をパターニングしてハード・マスクを形成
する工程と、次いで、該ハード・マスクの下にあるＸ線
吸収体を同じパターンに加工する工程とが含まれてなる
ことを特徴とするか、或いは、
光用マスクの製造方法に於いては、（１）Ｘ線吸収体
（例えばＴａからなるＸ線吸収体１３）上にＣｒと他の
金属（例えばＺｒ，Ｂ，Ｈｆなど）との化合物からなる
アモルファスＣｒ化合物膜（例えばアモルファスＣｒＺ
ｒ膜１４）を形成する工程と、次いで、該アモルファス
Ｃｒ化合物膜をパターニングしてハード・マスクを形成
する工程と、次いで、該ハード・マスクの下にあるＸ線
吸収体を同じパターンに加工する工程とが含まれてなる
ことを特徴とするか、或いは、
【００１９】（２）前記（１）に於いて、ハード・マス
クの形成後に応力値を０に調整する為のアニールを行な
うことを特徴とするか、或いは、
クの形成後に応力値を０に調整する為のアニールを行な
うことを特徴とするか、或いは、
【００２０】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
Ｃｒと化合物を作る他の金属がＺｒ，Ｂ，Ｈｆの何れか
であることを特徴とする。
Ｃｒと化合物を作る他の金属がＺｒ，Ｂ，Ｈｆの何れか
であることを特徴とする。
【００２１】前記手段を採ることに依り、ハード・マス
クを低応力化することができ、しかも、ドライ・エッチ
ング耐性は従来のＣｒからなるハード・マスクと殆ど変
わらず、また、Ｎ2 ガスは用いないので、応力分布が大
きくなることもなく，ＣｒＮ膜のように膜厚を厚くする
必要がないので、マスク歪みがない高精度のＸ線露光用
マスクを作成することができる。
クを低応力化することができ、しかも、ドライ・エッチ
ング耐性は従来のＣｒからなるハード・マスクと殆ど変
わらず、また、Ｎ2 ガスは用いないので、応力分布が大
きくなることもなく，ＣｒＮ膜のように膜厚を厚くする
必要がないので、マスク歪みがない高精度のＸ線露光用
マスクを作成することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図２乃至図４は本発明に於ける一
実施の形態を説明する為の工程要所に於けるＸ線露光用
マスクを表す要部切断側面図であり、以下、各図を参照
しつつ説明する。
実施の形態を説明する為の工程要所に於けるＸ線露光用
マスクを表す要部切断側面図であり、以下、各図を参照
しつつ説明する。
【００２３】図２（Ａ）参照 ２−（１）成膜装置のチャンバ（図示せず）内にＳｉ基
板１１をセットする。
板１１をセットする。
【００２４】図２（Ｂ）参照 ２−（２）ＳｉＨＣｌ3 （トリクロロシラン）＋Ｃ3 Ｈ
8 （プロパン）をソース・ガスとするＬＰＣＶＤ（ｌｏ
ｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用することに依り、
Ｓｉ基板１１上にマスク支持基板である厚さが２．３
〔μｍ〕のＳｉＣ膜１２を形成する。
8 （プロパン）をソース・ガスとするＬＰＣＶＤ（ｌｏ
ｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用することに依り、
Ｓｉ基板１１上にマスク支持基板である厚さが２．３
〔μｍ〕のＳｉＣ膜１２を形成する。
【００２５】２−（３）ＳｉＣ膜１２を形成したＳｉ基
板１１をチャンバ外に出し、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：）法を
適用することに依り、ＳｉＣ膜１２の表面を研磨して平
坦化する共に膜厚を２〔μｍ〕に調整する。尚、これ
で、ＳｉＣ膜１２はマスク支持基板、即ち、メンブレン
として機能することができる。
板１１をチャンバ外に出し、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：）法を
適用することに依り、ＳｉＣ膜１２の表面を研磨して平
坦化する共に膜厚を２〔μｍ〕に調整する。尚、これ
で、ＳｉＣ膜１２はマスク支持基板、即ち、メンブレン
として機能することができる。
【００２６】図２（Ｃ） ２−（４）スパッタ法を適用することに依り、ＳｉＣ膜
１２上に厚さが４００〔ｎｍ〕である低応力のＴａ膜か
らなるＸ線吸収体１３を形成する。
１２上に厚さが４００〔ｎｍ〕である低応力のＴａ膜か
らなるＸ線吸収体１３を形成する。
【００２７】２−（５）Ｘ線吸収体１３の成膜後にアニ
ールを行ない、更に低応力にするか、又は、応力が殆ど
０になるようにする。
ールを行ない、更に低応力にするか、又は、応力が殆ど
０になるようにする。
【００２８】図２（Ｄ）参照 ２−（６）Ｃｒ：Ｚｒ＝４：１である組成をもったター
ゲットを用い且つチャンバ内の圧力（成膜圧力）を５
〔ｍＴｏｒｒ〕とするスパッタリング法を適用すること
に依り、厚さが３０〔ｎｍ〕のアモルファスＣｒＺｒ膜
１４を形成する。
ゲットを用い且つチャンバ内の圧力（成膜圧力）を５
〔ｍＴｏｒｒ〕とするスパッタリング法を適用すること
に依り、厚さが３０〔ｎｍ〕のアモルファスＣｒＺｒ膜
１４を形成する。
【００２９】アモルファスＣｒＺｒ膜１４は、勿論、ハ
ード・マスクの役割を果たすものであって、前記したよ
うに成膜圧力を５〔ｍＴｏｒｒ〕にすることで応力は殆
ど０にすることができる。
ード・マスクの役割を果たすものであって、前記したよ
うに成膜圧力を５〔ｍＴｏｒｒ〕にすることで応力は殆
ど０にすることができる。
【００３０】図３（Ａ）参照 ３−（１）エポキシ系接着剤を用い、接着温度を２００
〔℃〕、高圧を加えてＳｉ基板１１をＳｉＣからなるマ
スク・フレーム１５に接着する。
〔℃〕、高圧を加えてＳｉ基板１１をＳｉＣからなるマ
スク・フレーム１５に接着する。
【００３１】図３（Ｂ）参照 ３−（２）エッチャントをフッ酸：硝酸＝１：３からな
るフッ硝酸とするウエット・エッチング法を適用するこ
とに依り、Ｓｉ基板１１を背面からエッチングし、マス
ク・フレーム１５と接着された部分以外を全て除去す
る。
るフッ硝酸とするウエット・エッチング法を適用するこ
とに依り、Ｓｉ基板１１を背面からエッチングし、マス
ク・フレーム１５と接着された部分以外を全て除去す
る。
【００３２】図３（Ｃ）参照 ３−（３）スピン・コート法などを適用することに依
り、ＺＥＰ−５２０（商品名：日本ゼオン）からなる電
子ビーム・レジスト膜１６を形成する。
り、ＺＥＰ−５２０（商品名：日本ゼオン）からなる電
子ビーム・レジスト膜１６を形成する。
【００３３】３−（４）電子ビーム・レジスト膜１６に
電子線を用いてパターンを描画する。
電子線を用いてパターンを描画する。
【００３４】現像を行なって電子ビーム・レジスト膜１
６にパターンを形成する。
６にパターンを形成する。
【００３５】図４（Ａ）参照 ４−（１）エッチング・ガスを塩素と酸素の混合ガスと
するドライ・エッチング法を適用することに依り、アモ
ルファスＣｒＺｒ膜１４のエッチングを行なってパター
ン化する。
するドライ・エッチング法を適用することに依り、アモ
ルファスＣｒＺｒ膜１４のエッチングを行なってパター
ン化する。
【００３６】４−（２）レジスト剥離液中に浸漬して電
子ビーム・レジスト膜１６を除去する。
子ビーム・レジスト膜１６を除去する。
【００３７】図４（Ｂ）参照 ４−（３）エッチング・ガスを塩素ガスとするドライ・
エッチング法を適用することに依り、アモルファスＣｒ
Ｚｒ膜１４をマスクとしてＴａからなるＸ吸収体１３の
エッチングを行なってパターン化する。
エッチング法を適用することに依り、アモルファスＣｒ
Ｚｒ膜１４をマスクとしてＴａからなるＸ吸収体１３の
エッチングを行なってパターン化する。
【００３８】図４（Ｃ）参照 ４−（４）塩素＋酸素からなる混合ガスを用いたドライ
・エッチング法を適用することに依ってアモルファスＣ
ｒＺｒ膜１４をエッチングして除去するか、或いは、ド
ライ・エッチングに代えて熱硫酸に浸漬して除去し、Ｘ
線露光用マスクを完成する。
・エッチング法を適用することに依ってアモルファスＣ
ｒＺｒ膜１４をエッチングして除去するか、或いは、ド
ライ・エッチングに代えて熱硫酸に浸漬して除去し、Ｘ
線露光用マスクを完成する。
【００３９】この工程で用いたハード・マスクであるア
モルファスＣｒＺｒ膜１４は応力が殆ど０であり、そし
て、ドライ・エッチング耐性が大きいので、ハード・マ
スクとしては厚さが例えば３０〔ｎｍ〕の超薄膜であり
ながら有効に作用し、その結果、完成されたＸ線露光用
マスクにマスク歪みは発生しない。
モルファスＣｒＺｒ膜１４は応力が殆ど０であり、そし
て、ドライ・エッチング耐性が大きいので、ハード・マ
スクとしては厚さが例えば３０〔ｎｍ〕の超薄膜であり
ながら有効に作用し、その結果、完成されたＸ線露光用
マスクにマスク歪みは発生しない。
【００４０】ところで、アモルファスＣｒ膜１４は、前
記工程２−（６）で説明したように成膜したのである
が、その成膜後に於ける工程中でアニールされた場合、
応力が引っ張り側に変動して一定値に落ち着く性質があ
り、その変動量はアニール温度に依存し、温度が高いほ
ど変動量は大きい。
記工程２−（６）で説明したように成膜したのである
が、その成膜後に於ける工程中でアニールされた場合、
応力が引っ張り側に変動して一定値に落ち着く性質があ
り、その変動量はアニール温度に依存し、温度が高いほ
ど変動量は大きい。
【００４１】図５はアニール温度と応力変化の関係を表
す線図であり、横軸にアニール温度〔℃〕を、また、縦
軸に応力変化〔ＭＰａ〕をそれぞれ採ってある。
す線図であり、横軸にアニール温度〔℃〕を、また、縦
軸に応力変化〔ＭＰａ〕をそれぞれ採ってある。
【００４２】図から明らかなように、応力の変化はアニ
ール温度に依って決まり、温度が高いほど応力変化は大
きくなるのであるから、０応力に調整する為には、スパ
ッタリングを行なう際のチャンバ内圧力は、後に加わる
アニールの温度を想定し、予め、圧縮応力側にコントロ
ールして成膜を行なうと良い。
ール温度に依って決まり、温度が高いほど応力変化は大
きくなるのであるから、０応力に調整する為には、スパ
ッタリングを行なう際のチャンバ内圧力は、後に加わる
アニールの温度を想定し、予め、圧縮応力側にコントロ
ールして成膜を行なうと良い。
【００４３】一般に、成膜後、Ｓｉ基板１１はマスク・
フレーム１５と接着され、その際、２００〔℃〕の温度
が加わるから、それに対処する為には２００〔℃〕以
上、例えば３００〔℃〕の温度が加わるものとして、ア
モルファスＣｒＺｒ膜１４を予め圧縮応力側にコントロ
ールして成膜してからアニールを行なって０応力に制御
する。
フレーム１５と接着され、その際、２００〔℃〕の温度
が加わるから、それに対処する為には２００〔℃〕以
上、例えば３００〔℃〕の温度が加わるものとして、ア
モルファスＣｒＺｒ膜１４を予め圧縮応力側にコントロ
ールして成膜してからアニールを行なって０応力に制御
する。
【００４４】図から明らかなように、アニール温度を３
００〔℃〕とした場合の応力変化は１５０〔ＭＰａ〕な
ので、成膜圧力は４．５〔ｍＴｏｒｒ〕としてアモルフ
ァスＣｒＺｒ膜１４の成膜を行ない、これを３０〔分〕
のアニールで０応力とすることができる。
００〔℃〕とした場合の応力変化は１５０〔ＭＰａ〕な
ので、成膜圧力は４．５〔ｍＴｏｒｒ〕としてアモルフ
ァスＣｒＺｒ膜１４の成膜を行ない、これを３０〔分〕
のアニールで０応力とすることができる。
【００４５】本発明では、前記実施の形態に限られず、
また、特許請求の範囲に記載されたところを外れること
なく、他に多くの改変を実現することができる。
また、特許請求の範囲に記載されたところを外れること
なく、他に多くの改変を実現することができる。
【００４６】例えば、アモルファスＣｒＺｒ膜１４は、
ＣｒとＺｒの化合物の他、ＣｒとＢの化合物、ＣｒとＨ
ｆの化合物でも有効である。
ＣｒとＺｒの化合物の他、ＣｒとＢの化合物、ＣｒとＨ
ｆの化合物でも有効である。
【００４７】
【発明の効果】本発明に依るＸ線露光用マスクの製造方
法に於いては、Ｘ線吸収体上にＣｒと他の金属との化合
物からなるアモルファスＣｒ化合物膜を形成し、アモル
ファスＣｒ化合物膜をパターニングしてハード・マスク
を形成し、ハード・マスクの下にあるＸ線吸収体を同じ
パターンに加工する。
法に於いては、Ｘ線吸収体上にＣｒと他の金属との化合
物からなるアモルファスＣｒ化合物膜を形成し、アモル
ファスＣｒ化合物膜をパターニングしてハード・マスク
を形成し、ハード・マスクの下にあるＸ線吸収体を同じ
パターンに加工する。
【００４８】前記構成を採ることに依り、ハード・マス
クを低応力化することができ、しかも、ドライ・エッチ
ング耐性は従来のＣｒからなるハード・マスクと殆ど変
わらず、また、Ｎ2 ガスは用いないので、応力分布が大
きくなることもなく，ＣｒＮ膜のように膜厚を厚くする
必要がないので、マスク歪みがない高精度のＸ線露光用
マスクを作成することができる。
クを低応力化することができ、しかも、ドライ・エッチ
ング耐性は従来のＣｒからなるハード・マスクと殆ど変
わらず、また、Ｎ2 ガスは用いないので、応力分布が大
きくなることもなく，ＣｒＮ膜のように膜厚を厚くする
必要がないので、マスク歪みがない高精度のＸ線露光用
マスクを作成することができる。
【図１】スパッタリング圧力と形成膜に於ける応力との
関係を表す線図である。
関係を表す線図である。
【図２】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図３】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図４】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図５】アニール温度と応力変化の関係を表す線図であ
る。
る。
１１ Ｓｉ基板 １２ ＳｉＣ膜 １３ Ｘ線吸収体 １４ アモルファスＣｒＺｒ膜 １５ マスク・フレーム １６ 電子ビーム・レジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線吸収体上にＣｒと他の金属との化合物
からなるアモルファスＣｒ化合物膜を形成する工程と、 次いで、該アモルファスＣｒ化合物膜をパターニングし
てハード・マスクを形成する工程と、 次いで、該ハード・マスクの下にあるＸ線吸収体を同じ
パターンに加工する工程とが含まれてなることを特徴と
するＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項２】ハード・マスクの形成後に応力値を０に調
整する為のアニールを行なうことを特徴とする請求項１
記載のＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項３】Ｃｒと化合物を作る他の金属がＺｒ，Ｂ，
Ｈｆの何れかであることを特徴とする請求項１乃至３の
何れか１記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668298A JP2000003845A (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668298A JP2000003845A (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
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ID=15835788
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007069417A1 (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
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| JPWO2008084680A1 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-04-30 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
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| JP2011003898A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置のためのセンサ |
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-
1998
- 1998-06-15 JP JP16668298A patent/JP2000003845A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007069417A1 (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
| US7736821B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-06-15 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography and substrate with a conductive film for the mask blank |
| JP2007273514A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
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