JP2000003844A - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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- JP2000003844A JP2000003844A JP16668198A JP16668198A JP2000003844A JP 2000003844 A JP2000003844 A JP 2000003844A JP 16668198 A JP16668198 A JP 16668198A JP 16668198 A JP16668198 A JP 16668198A JP 2000003844 A JP2000003844 A JP 2000003844A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線露光用マスク及びその製造方法に関し、
高応力部分と低応力部分とで構成されるメンブレンを工
程数の増加なしに簡単且つ容易に作成することを可能と
し、マスクの製造歩留りを向上すると共にマスクの性能
を向上する。 【解決手段】 ＳｉＣを材料として引っ張り応力値が２
５０〔ＭＰａ〕の高い引っ張り応力を示す部分と、該高
い引っ張り応力を示す部分と同じＳｉＣからなると共に
該高い引っ張り応力に実質的に影響しない例えば応力値
が０を示し且つ少なくともＸ線吸収体１３をエッチング
した際にオーバ・エッチングされる厚さに相当する厚さ
をもつ部分とが界面で区切られることなく連続一体的に
形成されてメンブレンとして作用するＳｉＣ膜１２を構
成している。
高応力部分と低応力部分とで構成されるメンブレンを工
程数の増加なしに簡単且つ容易に作成することを可能と
し、マスクの製造歩留りを向上すると共にマスクの性能
を向上する。 【解決手段】 ＳｉＣを材料として引っ張り応力値が２
５０〔ＭＰａ〕の高い引っ張り応力を示す部分と、該高
い引っ張り応力を示す部分と同じＳｉＣからなると共に
該高い引っ張り応力に実質的に影響しない例えば応力値
が０を示し且つ少なくともＸ線吸収体１３をエッチング
した際にオーバ・エッチングされる厚さに相当する厚さ
をもつ部分とが界面で区切られることなく連続一体的に
形成されてメンブレンとして作用するＳｉＣ膜１２を構
成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンをも
つ半導体装置を製造するのに有用なＸ線リソグラフィで
使用するＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
つ半導体装置を製造するのに有用なＸ線リソグラフィで
使用するＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】現在、半導体装置は、依然、微細化を指向
しているので、その為のＸ線リソグラフィ技術が製造ラ
インに取り込まれようとする態勢になりつつあるが、Ｘ
線リソグラフィ技術には、未だ解決しなければならない
問題が多く含まれていて、例えば歪みがない高精度のＸ
線露光用マスクの実現もその一つであって、本発明で
は、それに対処する為の一手段を開示する。
しているので、その為のＸ線リソグラフィ技術が製造ラ
インに取り込まれようとする態勢になりつつあるが、Ｘ
線リソグラフィ技術には、未だ解決しなければならない
問題が多く含まれていて、例えば歪みがない高精度のＸ
線露光用マスクの実現もその一つであって、本発明で
は、それに対処する為の一手段を開示する。
【０００３】
【従来の技術】通常、Ｘ線露光用マスクを作成する際、
Ｘ線吸収体をドライ・エッチングすることが必要であ
り、その場合、大きいパターンと小さいパターンとの間
ではエッチング・レートに差を生ずる。
Ｘ線吸収体をドライ・エッチングすることが必要であ
り、その場合、大きいパターンと小さいパターンとの間
ではエッチング・レートに差を生ずる。
【０００４】従って、小さいパターンを完成させる為の
エッチングを行なうと、大きいパターンの部分に於いて
はオーバ・エッチングされることとなり、そのオーバ・
エッチングは、Ｘ線吸収体の下地となっているメンブレ
ンに対して行なわれることになる。
エッチングを行なうと、大きいパターンの部分に於いて
はオーバ・エッチングされることとなり、そのオーバ・
エッチングは、Ｘ線吸収体の下地となっているメンブレ
ンに対して行なわれることになる。
【０００５】図５はＸ線露光用マスクを作成する際の問
題点を説明する為の工程途中にあるＸ線露光用マスクを
表す要部切断側面図である。
題点を説明する為の工程途中にあるＸ線露光用マスクを
表す要部切断側面図である。
【０００６】図５（Ａ）参照 （１）基板（図示せず）上にメンブレン１、Ｘ線吸収体
２、ハード・マスク３を積層形成する。
２、ハード・マスク３を積層形成する。
【０００７】（２）ハード・マスク３上に電子ビーム・
レジスト膜を形成し、電子ビーム描画装置を用いて所要
パターンの描画を行なう。
レジスト膜を形成し、電子ビーム描画装置を用いて所要
パターンの描画を行なう。
【０００８】（３）ハード・マスク３をドライ・エッチ
ングしてパターニングする。
ングしてパターニングする。
【０００９】（４）ハード・マスク３を介してＸ線吸収
体２のドライ・エッチングを行なうが、大きいパターン
のところでＸ線吸収体２が完全にエッチングされて下地
であるメンブレン１が表出されても、小さいパターンの
ところではＸ線吸収体２が残っている。
体２のドライ・エッチングを行なうが、大きいパターン
のところでＸ線吸収体２が完全にエッチングされて下地
であるメンブレン１が表出されても、小さいパターンの
ところではＸ線吸収体２が残っている。
【００１０】図５（Ｂ）参照 （５）小さいパターンのところでＸ線吸収体２が残らな
いようにドライ・エッチングを継続する。
いようにドライ・エッチングを継続する。
【００１１】前記エッチングが終了した時点で、大きい
パターンのところではメンブレン１がエッチングされた
状態にある。
パターンのところではメンブレン１がエッチングされた
状態にある。
【００１２】一般に、メンブレンは、張りを保つ為に２
５０〔ＭＰａ〕程度の大きな引っ張り応力が加わった状
態になっているので、図５に見られるように、大きいパ
ターンのところでオーバ・エッチングされた場合、その
エッチングされた部分でメンブレンの伸びが起こり、マ
スク歪みを生じることとなって、マスクのパターン精度
が低下する。
５０〔ＭＰａ〕程度の大きな引っ張り応力が加わった状
態になっているので、図５に見られるように、大きいパ
ターンのところでオーバ・エッチングされた場合、その
エッチングされた部分でメンブレンの伸びが起こり、マ
スク歪みを生じることとなって、マスクのパターン精度
が低下する。
【００１３】メンブレンがエッチングされないように、
メンブレンとＸ線吸収体との間にエッチング・ストッパ
を形成する試みもなされているが、エッチング・ストッ
パのＸ線照射耐性の問題、マスク洗浄に用いる薬品に対
する耐性の問題、低応力にするのが難しい旨の問題など
解決困難な多くの問題がある。
メンブレンとＸ線吸収体との間にエッチング・ストッパ
を形成する試みもなされているが、エッチング・ストッ
パのＸ線照射耐性の問題、マスク洗浄に用いる薬品に対
する耐性の問題、低応力にするのが難しい旨の問題など
解決困難な多くの問題がある。
【００１４】また、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用することに依
り、高応力のメンブレンに於ける表面側に同じ材質の低
応力膜を成膜して、メンブレンがオーバ・エッチングさ
れても応力の影響でマスクに歪みが入ることを抑止する
方法が提案されている（要すれば、「特開平３−１２４
０１６号公報」、を参照）。
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用することに依
り、高応力のメンブレンに於ける表面側に同じ材質の低
応力膜を成膜して、メンブレンがオーバ・エッチングさ
れても応力の影響でマスクに歪みが入ることを抑止する
方法が提案されている（要すれば、「特開平３−１２４
０１６号公報」、を参照）。
【００１５】この方法は、メンブレンがオーバ・エッチ
ングされることに依って発生するマスクの歪みを抑止す
る点では極めて有効であるが、工程数の増加を回避する
ことができず、従って、当然のことながらパーティクル
が増加し、微細なパターンを実現するには問題である。
ングされることに依って発生するマスクの歪みを抑止す
る点では極めて有効であるが、工程数の増加を回避する
ことができず、従って、当然のことながらパーティクル
が増加し、微細なパターンを実現するには問題である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高応力部分
と低応力部分とで構成されるメンブレンを工程数の増加
なしに簡単且つ容易に作成することを可能とし、マスク
の製造歩留りを向上すると共にマスクの性能を向上す
る。
と低応力部分とで構成されるメンブレンを工程数の増加
なしに簡単且つ容易に作成することを可能とし、マスク
の製造歩留りを向上すると共にマスクの性能を向上す
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明では、メンブレン
に於ける高応力部分と低応力部分とを、成膜装置外に取
り出すことなく、連続して形成することが基本になって
いる。
に於ける高応力部分と低応力部分とを、成膜装置外に取
り出すことなく、連続して形成することが基本になって
いる。
【００１８】本発明を適用してメンブレンの成膜を行な
うには、当初、厚さの大部分、例えば１．９５〔μｍ〕
を２５０〔ＭＰａ〕程度の高応力で成膜し、次いで、例
えば５０〔ｎｍ〕（オーバ・エッチングされる深さに相
当）を±５０〔ＭＰａ〕以内の低応力で成膜するもので
あり、この成膜を実施するには、途中で成膜条件を変え
ることで簡単且つ容易に高応力部分と低応力部分とを作
り分けることが可能である。
うには、当初、厚さの大部分、例えば１．９５〔μｍ〕
を２５０〔ＭＰａ〕程度の高応力で成膜し、次いで、例
えば５０〔ｎｍ〕（オーバ・エッチングされる深さに相
当）を±５０〔ＭＰａ〕以内の低応力で成膜するもので
あり、この成膜を実施するには、途中で成膜条件を変え
ることで簡単且つ容易に高応力部分と低応力部分とを作
り分けることが可能である。
【００１９】尚、メンブレンは、成膜終了後、表面を研
磨して平坦化することが必要であるから、その研磨量を
考慮して予め厚く成膜することが必要である。
磨して平坦化することが必要であるから、その研磨量を
考慮して予め厚く成膜することが必要である。
【００２０】前記したところから、本発明に依るＸ線露
光用マスク及びその製造方法に於いては、（１）高い引
っ張り応力を示す部分（例えばＳｉＣが材料である場合
に引っ張り応力値として２５０〔ＭＰａ〕を示す厚さ
１．９５〔μｍ〕の部分）及び該高い引っ張り応力を示
す部分と同じ材質からなり且つ該高い引っ張り応力に実
質的に影響しない低い応力を示す部分（例えばＳｉＣが
材料である場合に応力値として０を示す厚さ０．４〔μ
ｍ〕（研磨分を含む）の部分）が界面で区切られること
なく連続一体化されているマスク支持基板（例えばメン
ブレンであるＳｉＣ膜１２：図４を参照）を備えてなる
ことを特徴とするか、又は、
光用マスク及びその製造方法に於いては、（１）高い引
っ張り応力を示す部分（例えばＳｉＣが材料である場合
に引っ張り応力値として２５０〔ＭＰａ〕を示す厚さ
１．９５〔μｍ〕の部分）及び該高い引っ張り応力を示
す部分と同じ材質からなり且つ該高い引っ張り応力に実
質的に影響しない低い応力を示す部分（例えばＳｉＣが
材料である場合に応力値として０を示す厚さ０．４〔μ
ｍ〕（研磨分を含む）の部分）が界面で区切られること
なく連続一体化されているマスク支持基板（例えばメン
ブレンであるＳｉＣ膜１２：図４を参照）を備えてなる
ことを特徴とするか、又は、
【００２１】（２）前記（１）に於いて、マスク支持基
板に於ける低い応力を示す部分の厚さはＸ線吸収体をエ
ッチングした際に少なくともオーバ・エッチングされる
厚さに相当することを特徴とするか、又は、
板に於ける低い応力を示す部分の厚さはＸ線吸収体をエ
ッチングした際に少なくともオーバ・エッチングされる
厚さに相当することを特徴とするか、又は、
【００２２】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
マスク支持基板がＳｉＣを材料とするものであることを
特徴とするか、又は、
マスク支持基板がＳｉＣを材料とするものであることを
特徴とするか、又は、
【００２３】（４）成膜装置のチャンバ内にセットした
成膜用基板（例えばＳｉ基板１１：図２〜図４参照、以
下同じ）上に第１のガス（例えばＳｉＨＣｌ3 ）と第２
のガス（例えばＣ3 Ｈ8 ）とを所定混合比（例えばＣ3
Ｈ8 の分圧が３３〔％〕）で混合したガスをソース・ガ
スとしてマスク支持基板（例えばメンブレンであるＳｉ
Ｃ膜１２）の一部をなす高い引っ張り応力を示す部分
（例えばＳｉＣが材料の場合に引っ張り応力値として２
５０〔ＭＰａ〕を示す厚さ１．９５〔μｍ〕の部分）を
成長させ、引き続き、チャンバを開放することなく第１
のガスと第２のガスとの混合比を変えたガス（例えばＣ
3 Ｈ8 の分圧が４７〔％〕）をソース・ガスとして前記
高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示す
部分（例えばＳｉＣが材料の場合に応力値として０を示
す厚さ０．４〔μｍ〕（研磨分を含む）の部分）を連続
一体的に成長させてマスク支持基板に於ける残りの部分
を完成する工程が含まれてなることを特徴とするか、又
は、
成膜用基板（例えばＳｉ基板１１：図２〜図４参照、以
下同じ）上に第１のガス（例えばＳｉＨＣｌ3 ）と第２
のガス（例えばＣ3 Ｈ8 ）とを所定混合比（例えばＣ3
Ｈ8 の分圧が３３〔％〕）で混合したガスをソース・ガ
スとしてマスク支持基板（例えばメンブレンであるＳｉ
Ｃ膜１２）の一部をなす高い引っ張り応力を示す部分
（例えばＳｉＣが材料の場合に引っ張り応力値として２
５０〔ＭＰａ〕を示す厚さ１．９５〔μｍ〕の部分）を
成長させ、引き続き、チャンバを開放することなく第１
のガスと第２のガスとの混合比を変えたガス（例えばＣ
3 Ｈ8 の分圧が４７〔％〕）をソース・ガスとして前記
高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示す
部分（例えばＳｉＣが材料の場合に応力値として０を示
す厚さ０．４〔μｍ〕（研磨分を含む）の部分）を連続
一体的に成長させてマスク支持基板に於ける残りの部分
を完成する工程が含まれてなることを特徴とするか、又
は、
【００２４】（５）前記（４）に於いて、マスク支持基
板がＳｉＣを材料とするものである場合、第１のガスを
Ｓｉ含有ガス（例えばＳｉＨＣｌ3 ）とし且つ第２のガ
スをＣ含有ガス（例えばＣ3 Ｈ8 ）とし、Ｓｉ含有ガス
とＣ含有ガスとの混合比を選択して（例えばＣ3 Ｈ8 の
分圧を３３〔％〕又はＣ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕に選
択）高い引っ張り応力を示す部分（例えばＳｉＣが材料
の場合に引っ張り応力値として２５０〔ＭＰａ〕を示す
厚さ１．９５〔μｍ〕の部分）と低い応力を示す部分
（例えばＳｉＣが材料の場合に応力値として０を示す厚
さ０．４〔μｍ〕（研磨分を含む）の部分）とを連続一
体的に成長させることを特徴とする。
板がＳｉＣを材料とするものである場合、第１のガスを
Ｓｉ含有ガス（例えばＳｉＨＣｌ3 ）とし且つ第２のガ
スをＣ含有ガス（例えばＣ3 Ｈ8 ）とし、Ｓｉ含有ガス
とＣ含有ガスとの混合比を選択して（例えばＣ3 Ｈ8 の
分圧を３３〔％〕又はＣ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕に選
択）高い引っ張り応力を示す部分（例えばＳｉＣが材料
の場合に引っ張り応力値として２５０〔ＭＰａ〕を示す
厚さ１．９５〔μｍ〕の部分）と低い応力を示す部分
（例えばＳｉＣが材料の場合に応力値として０を示す厚
さ０．４〔μｍ〕（研磨分を含む）の部分）とを連続一
体的に成長させることを特徴とする。
【００２５】前記手段を採ることに依って、高応力部分
と低応力部分とからなるメンブレンを実現させることが
でき、しかも、そのメンブレンは成膜装置から取り出さ
ずに作成することができ、従って、工程数の増加がない
のは勿論、工程数が増加した場合に起こるパーティクル
増加の問題も皆無である。
と低応力部分とからなるメンブレンを実現させることが
でき、しかも、そのメンブレンは成膜装置から取り出さ
ずに作成することができ、従って、工程数の増加がない
のは勿論、工程数が増加した場合に起こるパーティクル
増加の問題も皆無である。
【００２６】また、メンブレンの表面側を低応力化した
効果は、従来の高応力膜上にＣＶＤ法を適用して低応力
膜を成長したメンブレンと同様であって、Ｘ線吸収体の
エッチング時にオーバ・エッチングされる部分は低応力
部分であるから、マスクに歪みが発生することはなく、
しかも、応力値が異なるだけで、材質は変わりないか
ら、Ｘ線照射耐性、マスク洗浄薬品耐性などの問題も発
生しない。
効果は、従来の高応力膜上にＣＶＤ法を適用して低応力
膜を成長したメンブレンと同様であって、Ｘ線吸収体の
エッチング時にオーバ・エッチングされる部分は低応力
部分であるから、マスクに歪みが発生することはなく、
しかも、応力値が異なるだけで、材質は変わりないか
ら、Ｘ線照射耐性、マスク洗浄薬品耐性などの問題も発
生しない。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線露光用マスクに用い
るＳｉＣ膜からるメンブレンを製造する場合について説
明する。
るＳｉＣ膜からるメンブレンを製造する場合について説
明する。
【００２８】ＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ
ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法を適用することに依り、Ｓｉ基板上にＳｉＣ膜を
成膜する。
ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法を適用することに依り、Ｓｉ基板上にＳｉＣ膜を
成膜する。
【００２９】この場合の主要なデータを例示すると、 ソース・ガス：ＳｉＨＣｌ3 及びＣ3 Ｈ8 キャリヤ・ガス：Ｈ2 Ｓｉ基板温度：９８０〔℃〕 である。
【００３０】この場合、ＳｉＣ膜の応力値は、ＳｉＨＣ
ｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合比を変えることで制御すること
ができる。
ｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合比を変えることで制御すること
ができる。
【００３１】図１はＣ3 Ｈ8 の分圧とＳｉＣ膜に於ける
応力値との関係を表す線図であり、横軸にはＣ3 Ｈ8 の
分圧〔％〕を、また、縦軸には応力〔ＭＰａ〕をそれぞ
れ採ってある。
応力値との関係を表す線図であり、横軸にはＣ3 Ｈ8 の
分圧〔％〕を、また、縦軸には応力〔ＭＰａ〕をそれぞ
れ採ってある。
【００３２】図から明らかなように、ＳｉＣに於いて
は、ＳｉＨＣｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合比に依って、引っ
張り応力から圧縮応力まで応力値を制御することができ
る。
は、ＳｉＨＣｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合比に依って、引っ
張り応力から圧縮応力まで応力値を制御することができ
る。
【００３３】通常、ＳｉＣ膜をメンブレンに用いる場
合、しわを発生させずに膜を張る為には、２５０〔ＭＰ
ａ〕程度の引っ張り応力となるように成膜することが必
要であり、従って、Ｃ3 Ｈ8 の分圧は３３〔％〕にする
と良く、また、Ｃ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕とすると応
力値はほぼ０にすることができる。
合、しわを発生させずに膜を張る為には、２５０〔ＭＰ
ａ〕程度の引っ張り応力となるように成膜することが必
要であり、従って、Ｃ3 Ｈ8 の分圧は３３〔％〕にする
と良く、また、Ｃ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕とすると応
力値はほぼ０にすることができる。
【００３４】従って、前記の性質を利用すれば、同じＳ
ｉＣでありながら、高応力部分と低応力部分の２層から
なるメンブレンを形成することができる。
ｉＣでありながら、高応力部分と低応力部分の２層から
なるメンブレンを形成することができる。
【００３５】図２乃至図４は本発明に於ける一実施の形
態を説明する為の工程要所に於けるＸ線露光用マスクを
表す要部切断側面図であり、以下、各図を参照しつつ説
明する。
態を説明する為の工程要所に於けるＸ線露光用マスクを
表す要部切断側面図であり、以下、各図を参照しつつ説
明する。
【００３６】図２（Ａ）参照 ２−（１）成膜装置のチャンバ（図示せず）内にＳｉ基
板１１をセットする。
板１１をセットする。
【００３７】図２（Ｂ）参照 ２−（２）Ｃ3 Ｈ8 の分圧を３３〔％〕としたＳｉＨＣ
ｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合ガスをソース・ガスとするＬＰ
ＣＶＤ法を適用することに依り、基板１１上に厚さが例
えば１．８〔μｍ〕のＳｉＣ膜１２を成長させる。
ｌ3 とＣ3 Ｈ8 との混合ガスをソース・ガスとするＬＰ
ＣＶＤ法を適用することに依り、基板１１上に厚さが例
えば１．８〔μｍ〕のＳｉＣ膜１２を成長させる。
【００３８】２−（３）チャンバ内にＳｉ基板１１をセ
ットしたまま、Ｃ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕に変更し、
引き続きＳｉＣ膜１２の成長を行なって、膜厚を０．４
〔μｍ〕増加させる。
ットしたまま、Ｃ3 Ｈ8 の分圧を４７〔％〕に変更し、
引き続きＳｉＣ膜１２の成長を行なって、膜厚を０．４
〔μｍ〕増加させる。
【００３９】２−（４）ＳｉＣ膜１２を形成したＳｉ基
板１１をチャンバ外に出し、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適
用することに依り、ＳｉＣ膜１２の表面を研磨して平坦
化すると共に膜厚を２〔μｍ〕に調整する。尚、これ
で、ＳｉＣ膜１２はメンブレンとして機能することがで
きる。
板１１をチャンバ外に出し、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適
用することに依り、ＳｉＣ膜１２の表面を研磨して平坦
化すると共に膜厚を２〔μｍ〕に調整する。尚、これ
で、ＳｉＣ膜１２はメンブレンとして機能することがで
きる。
【００４０】図２（Ｃ）参照 ２−（５）スパッタリング法を適用することに依り、Ｓ
ｉＣ膜１２上に厚さ４００〔ｎｍ〕である低応力のＴａ
膜からなるＸ線吸収体１３を成膜してからアニールを行
なって応力を更に低減する。
ｉＣ膜１２上に厚さ４００〔ｎｍ〕である低応力のＴａ
膜からなるＸ線吸収体１３を成膜してからアニールを行
なって応力を更に低減する。
【００４１】図３（Ａ）参照 ３−（１）Ｓｉ基板１１をＳｉＣからなるマスク・フレ
ーム１４にエポキシ系接着剤を用いて接着する。
ーム１４にエポキシ系接着剤を用いて接着する。
【００４２】図３（Ｂ）参照 ３−（２）エッチャントをフッ酸：硝酸＝１：３からな
るフッ硝酸とするウエット・エッチング法を適用するこ
とに依り、Ｓｉ基板１１を背面からエッチングし、マス
ク・フレーム１４と接着された部分以外を全て除去す
る。
るフッ硝酸とするウエット・エッチング法を適用するこ
とに依り、Ｓｉ基板１１を背面からエッチングし、マス
ク・フレーム１４と接着された部分以外を全て除去す
る。
【００４３】図３（Ｃ） ３−（３）スピン・コート法などを適用することに依
り、ＺＥＰ−５２０（商品名：日本ゼオン製）からなる
電子ビーム・レジスト膜１５を形成する。
り、ＺＥＰ−５２０（商品名：日本ゼオン製）からなる
電子ビーム・レジスト膜１５を形成する。
【００４４】図４（Ａ）参照 ４−（１）電子ビーム・レジスト膜１５に電子線を用い
てパターンを描画する。
てパターンを描画する。
【００４５】４−（２）現像を行なって電子ビーム・レ
ジスト膜１５にパターンを形成する。
ジスト膜１５にパターンを形成する。
【００４６】図４（Ｂ）参照 ４−（３）エッチング・ガスを塩素ガスとするドライ・
エッチング法を適用することに依り、電子ビーム・レジ
スト膜１５をマスクとしてＴａからなるＸ吸収体１３の
エッチングを行なってパターン化する。
エッチング法を適用することに依り、電子ビーム・レジ
スト膜１５をマスクとしてＴａからなるＸ吸収体１３の
エッチングを行なってパターン化する。
【００４７】４−（４）レジスト剥離液中に浸漬して電
子ビーム・レジスト膜１５を除去してＸ線露光用マスク
を完成する。
子ビーム・レジスト膜１５を除去してＸ線露光用マスク
を完成する。
【００４８】前記工程に於いて、Ｘ線吸収体１３のエッ
チングを行なった際にＳｉＣ膜１２がオーバ・エッチン
グされた場合にも、ＳｉＣ膜１２に於ける引っ張り応力
は殆ど変化せず、従って、マスクに歪みは発生せず、勿
論、ＳｉＣ膜１２にしわが寄ることもなかった。
チングを行なった際にＳｉＣ膜１２がオーバ・エッチン
グされた場合にも、ＳｉＣ膜１２に於ける引っ張り応力
は殆ど変化せず、従って、マスクに歪みは発生せず、勿
論、ＳｉＣ膜１２にしわが寄ることもなかった。
【００４９】本発明では、前記実施の形態に限られず、
また、特許請求の範囲に記載されたところを外れること
なく、他に多くの改変を実現することができる。
また、特許請求の範囲に記載されたところを外れること
なく、他に多くの改変を実現することができる。
【００５０】例えば、メンブレンとなる膜は、ＳｉＣ膜
の他にＳｉＮ膜やダイヤモンド膜でも同様であり、ま
た、成膜技法は、ＬＰＣＶＤ法だけでなく、プラズマＣ
ＶＤ法やスパッタリング法も有効である。
の他にＳｉＮ膜やダイヤモンド膜でも同様であり、ま
た、成膜技法は、ＬＰＣＶＤ法だけでなく、プラズマＣ
ＶＤ法やスパッタリング法も有効である。
【００５１】
【発明の効果】本発明に依るＸ線露光用マスク及びその
製造方法に於いては、高い引っ張り応力を示す部分及び
該高い引っ張り応力を示す部分と同じ材質からなり且つ
該高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示
す部分を界面で区切られることなく連続一体化してマス
ク支持基板が形成される。
製造方法に於いては、高い引っ張り応力を示す部分及び
該高い引っ張り応力を示す部分と同じ材質からなり且つ
該高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示
す部分を界面で区切られることなく連続一体化してマス
ク支持基板が形成される。
【００５２】前記構成を採ることに依って、高応力部分
と低応力部分とからなるメンブレンを実現させることが
でき、しかも、そのメンブレンは成膜装置から取り出さ
ずに作成することができ、従って、工程数の増加がない
のは勿論、工程数が増加した場合に起こるパーティクル
増加の問題も皆無である。
と低応力部分とからなるメンブレンを実現させることが
でき、しかも、そのメンブレンは成膜装置から取り出さ
ずに作成することができ、従って、工程数の増加がない
のは勿論、工程数が増加した場合に起こるパーティクル
増加の問題も皆無である。
【００５３】また、メンブレンの表面側を低応力化した
効果は、従来の高応力膜上にＣＶＤ法を適用して低応力
膜を成長したメンブレンと同様であって、Ｘ線吸収体の
エッチング時にオーバ・エッチングされる部分は低応力
部分であるから、マスクに歪みが発生することはなく、
しかも、応力値が異なるだけで、材質は変わりないか
ら、Ｘ線照射耐性、マスク洗浄薬品耐性などの問題も発
生しない。
効果は、従来の高応力膜上にＣＶＤ法を適用して低応力
膜を成長したメンブレンと同様であって、Ｘ線吸収体の
エッチング時にオーバ・エッチングされる部分は低応力
部分であるから、マスクに歪みが発生することはなく、
しかも、応力値が異なるだけで、材質は変わりないか
ら、Ｘ線照射耐性、マスク洗浄薬品耐性などの問題も発
生しない。
【図１】Ｃ3 Ｈ8 の分圧とＳｉＣ膜に於ける応力値との
関係を表す線図である。
関係を表す線図である。
【図２】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図３】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図４】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
程要所に於けるＸ線露光用マスクを表す要部切断側面図
である。
【図５】Ｘ線露光用マスクを作成する際の問題点を説明
する為の工程途中にあるＸ線露光用マスクを表す要部切
断側面図である。
する為の工程途中にあるＸ線露光用マスクを表す要部切
断側面図である。
１１ Ｓｉ基板 １２ ＳｉＣ膜 １３ Ｘ線吸収体 １４ マスク・フレーム １５ 電子ビーム・レジスト膜
Claims (5)
- 【請求項１】高い引っ張り応力を示す部分及び該高い引
っ張り応力を示す部分と同じ材質からなり且つ該高い引
っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を示す部分が
界面で区切られることなく連続一体化されているマスク
支持基板を備えてなることを特徴とするＸ線露光用マス
ク。 - 【請求項２】マスク支持基板に於ける低い応力を示す部
分の厚さはＸ線吸収体をエッチングした際に少なくとも
オーバ・エッチングされる厚さに相当することを特徴と
する請求項１記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項３】マスク支持基板がＳｉＣを材料とするもの
であることを特徴とする請求項１或いは２記載のＸ線露
光用マスク。 - 【請求項４】成膜装置のチャンバ内にセットした成膜用
基板上に第１のガスと第２のガスとを所定混合比で混合
したガスをソース・ガスとしてマスク支持基板の一部を
なす高い引っ張り応力を示す部分を成長させ、 引き続き、チャンバを開放することなく第１のガスと第
２のガスとの混合比を変えたガスをソース・ガスとして
前記高い引っ張り応力に実質的に影響しない低い応力を
示す部分を連続一体的に成長させてマスク支持基板に於
ける残りの部分を完成する工程が含まれてなることを特
徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項５】マスク支持基板がＳｉＣを材料とするもの
である場合、 第１のガスをＳｉ含有ガスとし且つ第２のガスをＣ含有
ガスとし、 Ｓｉ含有ガスとＣ含有ガスとの混合比を選択して高い引
っ張り応力を示す部分と低い応力を示す部分とを連続一
体的に成長させることを特徴とする請求項４記載のＸ線
露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668198A JP2000003844A (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668198A JP2000003844A (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003844A true JP2000003844A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15835768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16668198A Withdrawn JP2000003844A (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
| CN111986990A (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 东京毅力科创株式会社 | 硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置 |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16668198A patent/JP2000003844A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
| CN111986990A (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 东京毅力科创株式会社 | 硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |