JPS5887821A - X線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
X線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS5887821A JPS5887821A JP56186396A JP18639681A JPS5887821A JP S5887821 A JPS5887821 A JP S5887821A JP 56186396 A JP56186396 A JP 56186396A JP 18639681 A JP18639681 A JP 18639681A JP S5887821 A JPS5887821 A JP S5887821A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
マスクの製造方法C二関する。
近時、より筒性訃な半簿体果侑回路を製逅するため(二
、1〔μIn)或いはそれ以下の寸法を有する微細パタ
ーン全、半導体ノ1(4ノソ上(二lヒ成する要求が篩
まっている。X線(:I、に波長4〜13八〇の4!K
X線)をイ史用したパターン中I;宥1☆や旨であるX
嵌算光は、塵埃の影響を受け(二くい、軸力されたパタ
ーンの峯I・j見が榛めてSkiい等の多くの特長があ
り、鉤にサブミクロンパターン形成において突力な技術
とされている。
、1〔μIn)或いはそれ以下の寸法を有する微細パタ
ーン全、半導体ノ1(4ノソ上(二lヒ成する要求が篩
まっている。X線(:I、に波長4〜13八〇の4!K
X線)をイ史用したパターン中I;宥1☆や旨であるX
嵌算光は、塵埃の影響を受け(二くい、軸力されたパタ
ーンの峯I・j見が榛めてSkiい等の多くの特長があ
り、鉤にサブミクロンパターン形成において突力な技術
とされている。
弔1図はX蛛蕗光の原理ケボす(り1式図である。
図中1はX蛛飴光用マスクで、このマスク1はX線に対
しd過Φの筐い祠科からなる薄1模基板2ヶ支持環3(
二固定すると共に、薄j挨基槻20)下1111(−X
線吸収部祠、レリえ目、j印さ0.5〜10〔μm〕の
金からなるR1望のマスクパターン4を取看して1ヒ成
されている。マスク1の一ト万にはレジスト5を甲布さ
れた試料6が配h′〜され、またマスク1の上方(二は
X線源7が配b−される。
しd過Φの筐い祠科からなる薄1模基板2ヶ支持環3(
二固定すると共に、薄j挨基槻20)下1111(−X
線吸収部祠、レリえ目、j印さ0.5〜10〔μm〕の
金からなるR1望のマスクパターン4を取看して1ヒ成
されている。マスク1の一ト万にはレジスト5を甲布さ
れた試料6が配h′〜され、またマスク1の上方(二は
X線源7が配b−される。
そして、X嵌′lIM7からマスク1にX 稈をIN’
射すること(二より、マスク1全カ3115 したX
部類が試料6上のレジスト5に照射され、同レジスト5
にパターン4が鉢元されることになる。
射すること(二より、マスク1全カ3115 したX
部類が試料6上のレジスト5に照射され、同レジスト5
にパターン4が鉢元されることになる。
X線動光用マスク(二対する要求として、1脚腔基扱上
(二形成されたX縁牧直し+オ不・トから成るマスクパ
ターンの肋面セ状は矩形でたけれはならない。角11記
弔11図(二示した如くX線源7から発生したX#末は
、薄膜基数3上に形成されたマスクパターン4、レリえ
は厚さ05〔μm〕の曾パターン4a、4bの像を、ウ
ェーハ6上C二留布したレジスト5に彬戚する。そし−
C1マスクパターン4が金パターン4aの如く台形状の
断面ノド状を南する^I合、レジスト5甲に軸力される
イ妹は、δの幅たけ喘部がぼけてしまう。このため、マ
スクパターン4の断面は、慧パターン4bの椋に矩形で
なければlrらない。
(二形成されたX縁牧直し+オ不・トから成るマスクパ
ターンの肋面セ状は矩形でたけれはならない。角11記
弔11図(二示した如くX線源7から発生したX#末は
、薄膜基数3上に形成されたマスクパターン4、レリえ
は厚さ05〔μm〕の曾パターン4a、4bの像を、ウ
ェーハ6上C二留布したレジスト5に彬戚する。そし−
C1マスクパターン4が金パターン4aの如く台形状の
断面ノド状を南する^I合、レジスト5甲に軸力される
イ妹は、δの幅たけ喘部がぼけてしまう。このため、マ
スクパターン4の断面は、慧パターン4bの椋に矩形で
なければlrらない。
このような要求、即ち薄1臣基板上(二、矩形ロノ;面
を18iするX緑吸収H料のパターンを形成するため(
二は、次のような方法が知られている。この方法では、
まず第2図(a)にボ丁如く基板1ノ上に、後述する金
メッキのための岸さ2()o(A0〕程度の金の薄膜1
2及びV・述する反応性イオンエツチングの際の停止膜
としてのJL/さ1. (1(10〔へ〇〕利゛曳のチ
タン層13をそれぞれ蒸崩により形成する。さらに、チ
タン層13上にたとえはポリイミドイ岩・i8旨からな
るJシさ1(μ、r、)′4″i!度の被膜14を回転
塗布により形成し、この被11か14上に′皐子線レジ
スト15を素孔′4−る。次(−1市子線描lI!11
装置を用い、功、像後のレジスト断面形状が第2図(b
)に示す如く逆台形状になる様(〜・画し世僧をおこな
う。号1.稼拶、たとえは膣さ1ooo(八〇)のチタ
ン層16をに′孕蒸岸イで形成すると第2図(C)に示
す状態(二なる。この状態で、弗2図(d)f二不す如
く串r株レジスト15を除去し、さらに敞累ガスを含む
JヌLr−1仁1イオンエツチングでホリイミド蕾膜1
4ケエッチングすると、残されたポリイミド:函1換1
4の(lI11壁は同図(e)(二示す如く垂面(二切
り立ったものとなる。ここで、チタン層13を、たとえ
ば噴1釈した弗酸により除去した佐、蛍の山辺メッキを
おこなう。第2図(f)(すポリイミド被膜14の1!
?さの70〜80〔囁)〕、即ちこの場合Jすさ07〜
08(μIn)外反の金17を中受メッキで形成した状
態である。
を18iするX緑吸収H料のパターンを形成するため(
二は、次のような方法が知られている。この方法では、
まず第2図(a)にボ丁如く基板1ノ上に、後述する金
メッキのための岸さ2()o(A0〕程度の金の薄膜1
2及びV・述する反応性イオンエツチングの際の停止膜
としてのJL/さ1. (1(10〔へ〇〕利゛曳のチ
タン層13をそれぞれ蒸崩により形成する。さらに、チ
タン層13上にたとえはポリイミドイ岩・i8旨からな
るJシさ1(μ、r、)′4″i!度の被膜14を回転
塗布により形成し、この被11か14上に′皐子線レジ
スト15を素孔′4−る。次(−1市子線描lI!11
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う。号1.稼拶、たとえは膣さ1ooo(八〇)のチタ
ン層16をに′孕蒸岸イで形成すると第2図(C)に示
す状態(二なる。この状態で、弗2図(d)f二不す如
く串r株レジスト15を除去し、さらに敞累ガスを含む
JヌLr−1仁1イオンエツチングでホリイミド蕾膜1
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4の(lI11壁は同図(e)(二示す如く垂面(二切
り立ったものとなる。ここで、チタン層13を、たとえ
ば噴1釈した弗酸により除去した佐、蛍の山辺メッキを
おこなう。第2図(f)(すポリイミド被膜14の1!
?さの70〜80〔囁)〕、即ちこの場合Jすさ07〜
08(μIn)外反の金17を中受メッキで形成した状
態である。
細いて、第2図(g)(二示す如くポリイミド伏映14
を、たとえばヒドラジン叫孟二よって除去する。!?#
(二、たとえは希釈した弗酸を用いてチタン層13を除
去し、希釈した王水で金の薄膜12の一部を除去すると
、第2区1(h)ネオ如く垂直な側壁を有する蛍パター
ンが侍られる。
を、たとえばヒドラジン叫孟二よって除去する。!?#
(二、たとえは希釈した弗酸を用いてチタン層13を除
去し、希釈した王水で金の薄膜12の一部を除去すると
、第2区1(h)ネオ如く垂直な側壁を有する蛍パター
ンが侍られる。
しかしながら、この神の装量方法(二あっては次のよう
な問題があった。すなわち、前記第2図(b)に示した
工程で嘔子線レジスト15の断面形状を逆台形状にしな
くてはならないが、レジスト断面形状を逆台形状に形成
Tるには蕗光倉を捧めて多くしなければならず、実用的
でなかった。また、レジスト中に形成される図形の横方
向の寸法と厚さ方間の形状とを同時に制御することば梧
めて鄭しく、このため、マスクパターンを精屋艮く形成
することば困姐であった。
な問題があった。すなわち、前記第2図(b)に示した
工程で嘔子線レジスト15の断面形状を逆台形状にしな
くてはならないが、レジスト断面形状を逆台形状に形成
Tるには蕗光倉を捧めて多くしなければならず、実用的
でなかった。また、レジスト中に形成される図形の横方
向の寸法と厚さ方間の形状とを同時に制御することば梧
めて鄭しく、このため、マスクパターンを精屋艮く形成
することば困姐であった。
本発明は上記事情を堝篇してなされたもので、その目的
とするところは、矩形の1lJT向形状を有するXW牧
収部材からなるマスクパターンを各雰かつi曽、粋tm
−に形成することができろX線赫光坪1マスクの線が方
法を扛′−11Lすること(二ある。
とするところは、矩形の1lJT向形状を有するXW牧
収部材からなるマスクパターンを各雰かつi曽、粋tm
−に形成することができろX線赫光坪1マスクの線が方
法を扛′−11Lすること(二ある。
ます、本発明の他、要を説明する。坏発明は、シリコン
基板上(二plu桝A1ンハφをノヒ成したの′ら該搏
He ヲPar l−1のマスクパターンに応じてバタ
ーニングし、次いでシリコンノ1(板のp fll L
、た部分に気相威張技術等を用いてタンクスプーンやモ
リブデン寺のX線1ぺ収部相をIv択的に形)lν、シ
、シかるのちシリコン基板の−け13を」二i己火11
快會/専116″1か形j戊された曲の反対1■11か
ら該湧1模が融出1−るまで除去するようにした方法で
ある。し左がって本弁明によれは、ル応+1イオン、ゴ
ーツチング7ノ二等を用いて訓楊剤、j弗1會垂1山(
ニエッチングすることができ、このエツチング1H)1
曲(1泊ってX蛛1入IIヌ部材を形成しているので、
X#吸+17バl’ N o)hノF曲形状を矩形状に
形成することができる。また、r1米法のよう(二メッ
キQ)ための重重jv1を1しi戊する工程および該、
!41亀層を吋去するエイ11′等が不要となり、■程
の大幅な1し陥化をはかりイ4)る等の効果命奏する。
基板上(二plu桝A1ンハφをノヒ成したの′ら該搏
He ヲPar l−1のマスクパターンに応じてバタ
ーニングし、次いでシリコンノ1(板のp fll L
、た部分に気相威張技術等を用いてタンクスプーンやモ
リブデン寺のX線1ぺ収部相をIv択的に形)lν、シ
、シかるのちシリコン基板の−け13を」二i己火11
快會/専116″1か形j戊された曲の反対1■11か
ら該湧1模が融出1−るまで除去するようにした方法で
ある。し左がって本弁明によれは、ル応+1イオン、ゴ
ーツチング7ノ二等を用いて訓楊剤、j弗1會垂1山(
ニエッチングすることができ、このエツチング1H)1
曲(1泊ってX蛛1入IIヌ部材を形成しているので、
X#吸+17バl’ N o)hノF曲形状を矩形状に
形成することができる。また、r1米法のよう(二メッ
キQ)ための重重jv1を1しi戊する工程および該、
!41亀層を吋去するエイ11′等が不要となり、■程
の大幅な1し陥化をはかりイ4)る等の効果命奏する。
U下、本発明の詳利1を図示の実施レロによって説明す
る。
る。
弔3図(a)〜(e)は本発明の一実施例に係わるX綴
肺光用マスクの製糸工程をボす模式図である。
肺光用マスクの製糸工程をボす模式図である。
ます、弔3図(a)に示す如くシリコン承叙21上にう
1相成長技体[を用いてシリコン酸化族22(鈍後NL
股)全0.5 [μm]の犀さに形成する。
1相成長技体[を用いてシリコン酸化族22(鈍後NL
股)全0.5 [μm]の犀さに形成する。
そして、シリコン酸化膜22上にレジスト23を回転幸
布し、このレジスト23を絽光視、偉してレジストパタ
ーン24を形成する0次に、弔3図(b)に示す如く欣
応性イオンエッチンク教雨を用い、上記レジスト23を
マスクとしてシリコン酸化族22を選択エツチングする
。これ(二より、シリコン酸化族22のエツチング断曲
形状が矩形状となる。次(二、@ 3 t″X、+ (
c)に示す如く気相成長技術音用いて500じC1〕で
金属タングステア 25 (X昧+Bg部材) ’t=
tlIX!、I早0.1 L μmlたけ選択成長さ
せる。なお、この−、P択成長は、気相戚ン時の条件を
迦尚に〃ビふこと(二より容易(二rrないイ4た。
布し、このレジスト23を絽光視、偉してレジストパタ
ーン24を形成する0次に、弔3図(b)に示す如く欣
応性イオンエッチンク教雨を用い、上記レジスト23を
マスクとしてシリコン酸化族22を選択エツチングする
。これ(二より、シリコン酸化族22のエツチング断曲
形状が矩形状となる。次(二、@ 3 t″X、+ (
c)に示す如く気相成長技術音用いて500じC1〕で
金属タングステア 25 (X昧+Bg部材) ’t=
tlIX!、I早0.1 L μmlたけ選択成長さ
せる。なお、この−、P択成長は、気相戚ン時の条件を
迦尚に〃ビふこと(二より容易(二rrないイ4た。
次C二、第3図(d)にボす如くシリコン酊゛化膿22
およびタングステン25上+” III I”t’l[
ttm 〕のポリイミド膜26(イー1機ン専j模)を
j杉J戊する。
およびタングステン25上+” III I”t’l[
ttm 〕のポリイミド膜26(イー1機ン専j模)を
j杉J戊する。
しかるのち、K OHlx 74+をmい弔:3図(C
)(二示す如くシリコン基板2)の中央部をw曲からエ
ツチングする。かくして形成されたX線絡光用マスクは
、h11記シリコン止化11Li+ 22およびポリイ
ミド胛2 /iがX脈をホ禍し、^]1記タングステン
25がX線を透過しないので、X11!健)Y、に用い
ることがT=IJ削・となる。
)(二示す如くシリコン基板2)の中央部をw曲からエ
ツチングする。かくして形成されたX線絡光用マスクは
、h11記シリコン止化11Li+ 22およびポリイ
ミド胛2 /iがX脈をホ禍し、^]1記タングステン
25がX線を透過しないので、X11!健)Y、に用い
ることがT=IJ削・となる。
このように本% 胛1り11一方法によJ]目、 lL
r、−4’lイオンエツチンクh 9W ’?4全4紮
てエツチングしたシリコン[化膜22の4則曲4[1則
曲(7泊ってタングステン25を成長させているV)で
、タングステン25の的1山1を引コ形1)S(二ハ・
l戊イイ)ことかでさ、マスクパターンの断[111介
・′月シJト状(二;1ト成できる。
r、−4’lイオンエツチンクh 9W ’?4全4紮
てエツチングしたシリコン[化膜22の4則曲4[1則
曲(7泊ってタングステン25を成長させているV)で
、タングステン25の的1山1を引コ形1)S(二ハ・
l戊イイ)ことかでさ、マスクパターンの断[111介
・′月シJト状(二;1ト成できる。
また、レジスト23f逆子j肘状にハメ成する轡の工程
がイ・要となり、さらにメッキのための8P南 47
1 k形1jν、するT稈も不要とl[る。このため、
1作の太’PM fX ijl略1にをはかりイ4.(
る。
がイ・要となり、さらにメッキのための8P南 47
1 k形1jν、するT稈も不要とl[る。このため、
1作の太’PM fX ijl略1にをはかりイ4.(
る。
なお、本発明は上述した実施y11」に1鉋足されるも
のではない、クリえは、前記弔3図(clでボしたX腺
吸収部杓の形成エト・のイ(に、弔4図(a)に示す如
くシリコン酸・化ii$ 22 F、77除去し、その
林・同図(b)にボす如くポリイミド胛26を肪成し、
しかるのち同図(C1に示す如くシリコン基板2)の裏
面エツチングを竹なうようにしてもよい。また、第3図
(C)で示した工程の後にシリコン基板2ノの振出1エ
ツチングを弛し弔5区■二ンFイ浄“(かを伸るように
してもよい。
のではない、クリえは、前記弔3図(clでボしたX腺
吸収部杓の形成エト・のイ(に、弔4図(a)に示す如
くシリコン酸・化ii$ 22 F、77除去し、その
林・同図(b)にボす如くポリイミド胛26を肪成し、
しかるのち同図(C1に示す如くシリコン基板2)の裏
面エツチングを竹なうようにしてもよい。また、第3図
(C)で示した工程の後にシリコン基板2ノの振出1エ
ツチングを弛し弔5区■二ンFイ浄“(かを伸るように
してもよい。
抜た、前記#梯り較としては、シリコン配化I11に限
らす、シ1)コンS聾化llω、シリコン¥酸化膜或い
は窒化ポウ累膜を用いてもよい。さらに、前記X線吸心
部口としてはタングステンの仙にモリブテンを用いるよ
うにしてもよい。その旬ハ本弁明の苛旨を逸脱しない軸
回で、神々度形して実施することができる。
らす、シ1)コンS聾化llω、シリコン¥酸化膜或い
は窒化ポウ累膜を用いてもよい。さらに、前記X線吸心
部口としてはタングステンの仙にモリブテンを用いるよ
うにしてもよい。その旬ハ本弁明の苛旨を逸脱しない軸
回で、神々度形して実施することができる。
弔1図はX線動光の原理を示す模式図、第2図(al〜
(h)は伸来のX蛛蕗光用マスクの製造工程O をボ” ”” rb+ g1式[ス1、弔;う図(a)
〜tel FJ、 、;’j’y’ <le明の一実
1/lI] し1」(二猪オつる製漬]−セl上イ〔示
すll:i +f+1イ1)1式区、 第4図(al〜
(c)および第5図はそれ・4゛Jz変形レリを4くす
に、+[山1オ1.う:rv図である。 21・・・シリコン基夕ヌ、22・・・シリコン+V+
x 化++I^1(蜘’&y #) +:ケ)、23・
・・レジスト、24・・・レジストパターン、25・・
・タンゲスアン(X嵌li 収7<−B月)、26・・
・ポリイミ ド111′戸(十機人911−・)。 +++川1用人心唐人 二11−」ψ十 鈴 11.
riA、 +’x1 第1図 第2図 5 第3図 2423 525 ( 252526 第4図 25’ 、25 525 第5図 113−
(h)は伸来のX蛛蕗光用マスクの製造工程O をボ” ”” rb+ g1式[ス1、弔;う図(a)
〜tel FJ、 、;’j’y’ <le明の一実
1/lI] し1」(二猪オつる製漬]−セl上イ〔示
すll:i +f+1イ1)1式区、 第4図(al〜
(c)および第5図はそれ・4゛Jz変形レリを4くす
に、+[山1オ1.う:rv図である。 21・・・シリコン基夕ヌ、22・・・シリコン+V+
x 化++I^1(蜘’&y #) +:ケ)、23・
・・レジスト、24・・・レジストパターン、25・・
・タンゲスアン(X嵌li 収7<−B月)、26・・
・ポリイミ ド111′戸(十機人911−・)。 +++川1用人心唐人 二11−」ψ十 鈴 11.
riA、 +’x1 第1図 第2図 5 第3図 2423 525 ( 252526 第4図 25’ 、25 525 第5図 113−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) シリコン基板上(二無穫隼呼を彰成下る工程
と、上記無砂薄亭を所望のマスクパターンに応じてパタ
ーニングする工程と、次いで気柘5兄長伝を、中い上ぎ
己P枡−趣l阜(二は成長層がル成されない灸件下でシ
リコン梁板のト出した部分にX緑吸収部材を選択的に形
吸才る工程と、し刀ムるのち上記シリコン基数の一部ケ
前記無〜−pが形成された面の膜対側から該無桝鱗声か
に出するまで断゛云するI3とを具1頭したことを々仮
とするX泡に光用マスクの表遣万沼。 (2) 角、弓己X像牧収部材を形成する工部ののち
、前記f#:機薄摸およびX妹吸収部材上に肩機薄呻7
il−た取下るようにしたことを特徴とする特許請不の
鴨西弗1項記軸のX縁シ尤用マスクの製造15伝。 (3) 削記X排駁11y部材を形成するT和ののち
、hII記無機調)1いを除去し、次いでX緑吸収部材
およびシリコン拭取上に有機薄1模を形成し、しかるの
ち前記シリコンの除去二[−程葡弛すようにしたことを
特徴とする特許誼)l< U)朝囲第1項記載のX線蕗
元用マスクの製造方法。 L4) Fit+記無機麟胛として、X線逍迦都刊を
出いたことを特徴とする特許i^氷の軛叶第1印又は第
2y自台己載のX#f:評元用(マスクθ)県史遣方法
。 (5) 1ifl記畑轡AI IIφとしてシリコン
酢化119、シリコンを化)麟、シリコン酢化;1li
lとシリコンV化眸との幀合膜或、いは輩出ホウ≠、1
1φを出い、前記XfQ吸収部刊としてタングステン或
いはモリフデンを用いたことを有か・とする* f[皓
求の乾囲第1項乃至弔3項市:中+ o)X線−光用マ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56186396A JPS5887821A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56186396A JPS5887821A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5887821A true JPS5887821A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16187662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56186396A Pending JPS5887821A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5887821A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59213131A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | X線露光用マスクの製造方法 |
EP0244246A2 (en) * | 1986-05-02 | 1987-11-04 | Hampshire Instruments, Inc | A method of making a dimensionally stable X-ray mask |
JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186396A patent/JPS5887821A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59213131A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | X線露光用マスクの製造方法 |
JPH0469410B2 (ja) * | 1983-05-19 | 1992-11-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
EP0244246A2 (en) * | 1986-05-02 | 1987-11-04 | Hampshire Instruments, Inc | A method of making a dimensionally stable X-ray mask |
EP0244246A3 (en) * | 1986-05-02 | 1990-03-21 | Hampshire Instruments, Inc | A method of making a dimensionally stable x-ray mask |
JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
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