JP2655543B2 - Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 - Google Patents
Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造装置、特にＸ線による露光を行う
為の露光装置で使用するＸ線マスクブランクス及びＸ線
マスク構造体に関する。
為の露光装置で使用するＸ線マスクブランクス及びＸ線
マスク構造体に関する。
（従来の技術） 近年、半導体集積回路の高密度化及び高速化に伴い、
集積回路のパターン線幅が約３年間で70％に縮小される
傾向にある。
集積回路のパターン線幅が約３年間で70％に縮小される
傾向にある。
大容量メモリ素子（例えば4MDRAM）の更なる集積化に
より、16Mbit容量のもの等では0.5μｍルールのデバイ
ス設計が行われる様になってきた。この為焼付装置も一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が0.5μ
ｍ以下という高性能が要求され始めて来ている。その為
露光光源波長としてＸ線領域（７乃至14Å）の光を利用
したステッパが開発されつつある。
より、16Mbit容量のもの等では0.5μｍルールのデバイ
ス設計が行われる様になってきた。この為焼付装置も一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が0.5μ
ｍ以下という高性能が要求され始めて来ている。その為
露光光源波長としてＸ線領域（７乃至14Å）の光を利用
したステッパが開発されつつある。
Ｘ線露光装置は、Ｘ線源、Ｘ線マスク及びステップア
ンドリピート型ウエハチャックよりなっている。Ｘ線マ
スクはＸ線透過膜（メンブレン）と称される有機又は無
機薄膜と、その膜を保持する保持枠とからなっている。
Ｘ線透過膜上には転写すべき所望の回路パターンがＸ線
を吸収する材料で形成されており、Ｘ線透過膜は露光に
必要なＸ線の透過率の高い、即ち吸収の小さい材料を用
いた薄膜で構成されている。
ンドリピート型ウエハチャックよりなっている。Ｘ線マ
スクはＸ線透過膜（メンブレン）と称される有機又は無
機薄膜と、その膜を保持する保持枠とからなっている。
Ｘ線透過膜上には転写すべき所望の回路パターンがＸ線
を吸収する材料で形成されており、Ｘ線透過膜は露光に
必要なＸ線の透過率の高い、即ち吸収の小さい材料を用
いた薄膜で構成されている。
無機質のＸ線透過膜としては、シリコン又はシリコン
化合物が半導体プロセスからの作製法の転用という形で
多用されている。これらのＸ線透過膜はシリコンウエハ
上に気相重合法やスパッタリング等により１乃至３μｍ
の厚さに堆積され、Ｘ線の透過が必要な部分の下にある
シリコンウエハを、裏面からのエッチングにより除去す
ることにより窓状の開口を有する基板に薄膜を緊張して
張った状態のマスクブランクスとなる。
化合物が半導体プロセスからの作製法の転用という形で
多用されている。これらのＸ線透過膜はシリコンウエハ
上に気相重合法やスパッタリング等により１乃至３μｍ
の厚さに堆積され、Ｘ線の透過が必要な部分の下にある
シリコンウエハを、裏面からのエッチングにより除去す
ることにより窓状の開口を有する基板に薄膜を緊張して
張った状態のマスクブランクスとなる。
この様に作製された無機薄膜は熱膨張係数が３乃至５
×10-6K-1、ヤング率200乃至300GPa程度であり、変形位
置歪み等の点からも好ましい材料とされている。
×10-6K-1、ヤング率200乃至300GPa程度であり、変形位
置歪み等の点からも好ましい材料とされている。
ところが、シリコン基板のバックエッチングに要する
時間が長く、一枚のブランクスを完成する為に時間と経
費を要する為、強度を犠牲にしても薄いシリコン基板
（0.3乃至2mm）を用いている。その為吸収体パターンの
形成時、完成したマスクの搬送、収納等の取扱い時等に
基板の破損や変形が生じ、Ｘ線リソグラフィーを用いた
高精度且つ超微細パターンの転写の特徴を生かすには好
ましくない状態であった。
時間が長く、一枚のブランクスを完成する為に時間と経
費を要する為、強度を犠牲にしても薄いシリコン基板
（0.3乃至2mm）を用いている。その為吸収体パターンの
形成時、完成したマスクの搬送、収納等の取扱い時等に
基板の破損や変形が生じ、Ｘ線リソグラフィーを用いた
高精度且つ超微細パターンの転写の特徴を生かすには好
ましくない状態であった。
これを改める為にシリコンウエハのＸ線透過膜のない
側に環状若しくは開口を有する補強体がエポキシ等の接
着剤を用いて接着されていた。
側に環状若しくは開口を有する補強体がエポキシ等の接
着剤を用いて接着されていた。
補強体として厚さが５乃至10mmのパイレックスガラス
等を用いることによりシリコン基板の見かけの強度は十
分に大きくなり、露光装置への装着搬送、収納に際して
もほぼ満足する特性を有するものが出来る様になった。
等を用いることによりシリコン基板の見かけの強度は十
分に大きくなり、露光装置への装着搬送、収納に際して
もほぼ満足する特性を有するものが出来る様になった。
（発明が解決しようとしている問題点） しかしながら、上記従来例では、Ｘ線透過膜保持枠と
してのシリコンウエハとその補強体としてのガラス材の
熱膨張係数が異なる為、作製時と異なる環境温度下にあ
っては、常に接着面及び接着層に剪断力が掛っており、
焼付時のマスク−ウエハ間のギャップを10乃至100μｍ
の間に保持することが必要である為、基板を歪ませる等
の問題があった。
してのシリコンウエハとその補強体としてのガラス材の
熱膨張係数が異なる為、作製時と異なる環境温度下にあ
っては、常に接着面及び接着層に剪断力が掛っており、
焼付時のマスク−ウエハ間のギャップを10乃至100μｍ
の間に保持することが必要である為、基板を歪ませる等
の問題があった。
これを解決する為に基板と同物質の補強体を接着する
ことも考えられたが、前述の場合も含めて接着剤を均一
な厚さに塗布し接着層の厚さを均一に保って多数のブラ
ンクスを作製することは困難であった。特にＸ線マスク
では厚み方向の寸法精度の厳しいのが通常で、接着層の
厚さがロット毎にばらつき、補強体と保持枠基板とが平
行にならずに傾くこと等、マスクブランクスの分留りを
著しく低下させているという欠点があった。
ことも考えられたが、前述の場合も含めて接着剤を均一
な厚さに塗布し接着層の厚さを均一に保って多数のブラ
ンクスを作製することは困難であった。特にＸ線マスク
では厚み方向の寸法精度の厳しいのが通常で、接着層の
厚さがロット毎にばらつき、補強体と保持枠基板とが平
行にならずに傾くこと等、マスクブランクスの分留りを
著しく低下させているという欠点があった。
従って本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決
し、平面度等に優れたＸ線マスクブランクス及びＸ線マ
スク構造体を提供することである。
し、平面度等に優れたＸ線マスクブランクス及びＸ線マ
スク構造体を提供することである。
（問題点を解決する為の手段） 上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、Ｘ線透過膜を保持しているシリコン
製保持枠とシリコン製補強体とからなるＸ線マスクブラ
ンクスにおいて、上記保持枠と補強体とが接着剤を介す
ることなく直接接合していることを特徴とするＸ線マス
クブランクス及び該マスクブランクスが所望パターンの
Ｘ線吸収体を有していることを特徴とするＸ線マスク構
造体である。
製保持枠とシリコン製補強体とからなるＸ線マスクブラ
ンクスにおいて、上記保持枠と補強体とが接着剤を介す
ることなく直接接合していることを特徴とするＸ線マス
クブランクス及び該マスクブランクスが所望パターンの
Ｘ線吸収体を有していることを特徴とするＸ線マスク構
造体である。
（作用） 本発明によれば、保持枠と同一物質であるシリコン製
補強体とを接着剤によらない方法で直接接合する為、接
着層の厚さが極めて薄く接合しており、力学的特性や機
械的精度においても十分に制御されたマスクブランクス
及びマスク構造体が提供される。
補強体とを接着剤によらない方法で直接接合する為、接
着層の厚さが極めて薄く接合しており、力学的特性や機
械的精度においても十分に制御されたマスクブランクス
及びマスク構造体が提供される。
（好ましい実施態様） 次に好ましい実施態様を挙げて本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
本発明のＸ線マスク構造体の構成において使用するＸ
線透過膜は、ベリリウム（Be）、チタン（Ti）、硅素
（Si）、硼素（Ｂ）等の単体又はそれらの化合物等、従
来Ｘ線透過膜として使用されているものはいずれも本発
明で使用することが出来、これらのＸ線透過膜はＸ線透
過量を可能な限り大きくする為に0.5乃至５μｍの厚み
であるのが好ましい。
線透過膜は、ベリリウム（Be）、チタン（Ti）、硅素
（Si）、硼素（Ｂ）等の単体又はそれらの化合物等、従
来Ｘ線透過膜として使用されているものはいずれも本発
明で使用することが出来、これらのＸ線透過膜はＸ線透
過量を可能な限り大きくする為に0.5乃至５μｍの厚み
であるのが好ましい。
これらのＸ線透過膜の形成方法自体はいずれも従来公
知の方法でよく、例えば、第１図示の如くシリコンウエ
ハ（保持枠）２上にＸ線透過膜１を成膜し、次いでその
裏面にエッチング保護膜（図示無し）（ポリイミドや窒
化硅素膜等）を設け、30％苛性カリ水溶液でバックエッ
チングすることにより、ウエハ２上に支持された無機Ｘ
線透過膜１を形成することが出来る。この場合にはシリ
コンウエハ２の強度が不足するのでシリコン製の補強体
３を付設する。
知の方法でよく、例えば、第１図示の如くシリコンウエ
ハ（保持枠）２上にＸ線透過膜１を成膜し、次いでその
裏面にエッチング保護膜（図示無し）（ポリイミドや窒
化硅素膜等）を設け、30％苛性カリ水溶液でバックエッ
チングすることにより、ウエハ２上に支持された無機Ｘ
線透過膜１を形成することが出来る。この場合にはシリ
コンウエハ２の強度が不足するのでシリコン製の補強体
３を付設する。
上記Ｘ線透過膜１上に形成するＸ線吸収体４として
は、一般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タング
ステン、タンタル、銅、ニッケル及びそれらを含む化合
物の薄膜（例えば、0.5乃至１μｍ程度の厚み）の如
く、従来のＸ線マスク構造体に使用されているＸ線吸収
体はいずれも本発明において使用出来、特に限定されな
い。
は、一般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タング
ステン、タンタル、銅、ニッケル及びそれらを含む化合
物の薄膜（例えば、0.5乃至１μｍ程度の厚み）の如
く、従来のＸ線マスク構造体に使用されているＸ線吸収
体はいずれも本発明において使用出来、特に限定されな
い。
この様なＸ線吸収体４は、例えば、上記Ｘ線透過膜１
上にメッキ電極層を設け、その上に単層又は多層のレジ
ストをエレクトロンビーム描画によりパターニングし、
例えば、金をメッキしてＸ線吸収体である金パターンを
形成する。又、Ｘ線透過膜上にＷやTa等を成膜し、単層
又は多層のレジストをエレクトロンビーム描画により形
成し、次いでＷやTa層をプラズマエッチングしてＸ線吸
収体を形成することが出来る。又、Ｘ線吸収体はシリコ
ンウエハのバックエッチング前に形成してもよい。
上にメッキ電極層を設け、その上に単層又は多層のレジ
ストをエレクトロンビーム描画によりパターニングし、
例えば、金をメッキしてＸ線吸収体である金パターンを
形成する。又、Ｘ線透過膜上にＷやTa等を成膜し、単層
又は多層のレジストをエレクトロンビーム描画により形
成し、次いでＷやTa層をプラズマエッチングしてＸ線吸
収体を形成することが出来る。又、Ｘ線吸収体はシリコ
ンウエハのバックエッチング前に形成してもよい。
シリコンウエハ２と補強体３との接着は、従来は、固
化時に収縮の少ない接着剤、例えば、エポキシ系、ゴム
系、アクリル系、ポリイミド系等の熱硬化型、光硬化
型、溶剤型等の接着剤が使用されてきた。
化時に収縮の少ない接着剤、例えば、エポキシ系、ゴム
系、アクリル系、ポリイミド系等の熱硬化型、光硬化
型、溶剤型等の接着剤が使用されてきた。
一方、補強体の材料としては、シリコンとほぼ熱膨張
係数の等しい硼硅酸ガラス（商品名 パイレックス）が
多く用いられてきた。これは無機薄膜の基板として、シ
リコンウエハが通常用いられている為に接着後、使用時
に熱的応力等による接着面の剥離を防ぐ為である。
係数の等しい硼硅酸ガラス（商品名 パイレックス）が
多く用いられてきた。これは無機薄膜の基板として、シ
リコンウエハが通常用いられている為に接着後、使用時
に熱的応力等による接着面の剥離を防ぐ為である。
しかしながら、硼硅酸ガラスはヤング率が66GPaの程
度であり、これは比較的軟らかい金属（金等）と同等に
荷重で容易に変形するという欠点があり、高精度を保持
するマスク補強体としては必ずしも適当ではない（第１
表参照）。 第 １ 表 材 質 熱膨張係数 ヤング率 硼硅酸ガラス ３〜3.6×10-6 66GPa 石英ガラス 0.4×10-6 73GPa ステンレス鋼 16 ×10-6 200GPa Si 単結晶 2.4×10-6 113GPa 又、石英ガラスもヤング率が小さく適当ではない。一
方、ステンレス鋼は変形の少ない点では好ましいが、熱
膨張係数がシリコンに比べ大きい為使用環境の温度と作
製時の温度が異なると熱膨張による歪みを生ずる。
度であり、これは比較的軟らかい金属（金等）と同等に
荷重で容易に変形するという欠点があり、高精度を保持
するマスク補強体としては必ずしも適当ではない（第１
表参照）。 第 １ 表 材 質 熱膨張係数 ヤング率 硼硅酸ガラス ３〜3.6×10-6 66GPa 石英ガラス 0.4×10-6 73GPa ステンレス鋼 16 ×10-6 200GPa Si 単結晶 2.4×10-6 113GPa 又、石英ガラスもヤング率が小さく適当ではない。一
方、ステンレス鋼は変形の少ない点では好ましいが、熱
膨張係数がシリコンに比べ大きい為使用環境の温度と作
製時の温度が異なると熱膨張による歪みを生ずる。
これらの材料のどれを用いても共通に問題となるのは
接着層の強度不足であり、枠が変形しない強固なもので
あっても、接着剤層の変形は免れない。
接着層の強度不足であり、枠が変形しない強固なもので
あっても、接着剤層の変形は免れない。
本発明ではこれらの接着剤を使用することなく保持枠
２と補強体とを接合させることを特徴としている。
２と補強体とを接合させることを特徴としている。
本発明で使用するシリコン製補強体は、シリコンイン
ゴットを必要な厚さに切断し研磨したものである。
ゴットを必要な厚さに切断し研磨したものである。
本発明におけるシリコンウエハ２とシリコン補強体３
との接合は、シリコン−シリコン直接接着法と呼ばれ、
２枚のシリコンウエハを常温で接触させた後、熱処理に
より一枚のシリコンウエハに張り合せる技術（M.Shimbo
et al.,Journal of Applied Physics誌、第60巻８号、
2987頁、1986参照）を利用して行うことが出来る。
との接合は、シリコン−シリコン直接接着法と呼ばれ、
２枚のシリコンウエハを常温で接触させた後、熱処理に
より一枚のシリコンウエハに張り合せる技術（M.Shimbo
et al.,Journal of Applied Physics誌、第60巻８号、
2987頁、1986参照）を利用して行うことが出来る。
本発明ではＸ線透過膜を形成し、バックエッチングに
より開口部を形成した保持枠と上記の如きシリコン製補
強体とを位置決め固定し、例えば、約400乃至1200℃で
約0.5乃至1.5時間熱処理することにより、両者を直接接
合させることが出来る。
より開口部を形成した保持枠と上記の如きシリコン製補
強体とを位置決め固定し、例えば、約400乃至1200℃で
約0.5乃至1.5時間熱処理することにより、両者を直接接
合させることが出来る。
この方法により接合したシリコンウエハと補強体と
は、シリコンウエハがその接合界面部分に僅かながら酸
素が残存し、アモルファス層が形成されており、補強体
との接合の機構はシリコン表面に付着した水酸基による
水素結合により先ず物理的に接着され、これを熱処理す
ると熱処理中にシリコン原子或いは自然酸化膜がウエハ
の凹凸によって形成された空間を埋める様に移動して両
者が完全に接着すると考えられている。
は、シリコンウエハがその接合界面部分に僅かながら酸
素が残存し、アモルファス層が形成されており、補強体
との接合の機構はシリコン表面に付着した水酸基による
水素結合により先ず物理的に接着され、これを熱処理す
ると熱処理中にシリコン原子或いは自然酸化膜がウエハ
の凹凸によって形成された空間を埋める様に移動して両
者が完全に接着すると考えられている。
この様にして得られたウエハ−補強体接合物は、その
接合面においても良好な電気的特性を示し、電気的特性
ばかりでなく、力学的特性にも優れ、引き剥し耐力は10
0kg/cmを上まわるところ迄強固に接合されている。
接合面においても良好な電気的特性を示し、電気的特性
ばかりでなく、力学的特性にも優れ、引き剥し耐力は10
0kg/cmを上まわるところ迄強固に接合されている。
後の実施例で更に詳細に説明するが、本発明において
は、シリコンウエハとシリコン製補強体を接着剤を用い
ることなく直接接合させる為に、Ｘ線透過膜保護枠であ
るシリコンウエハと補強体とが一体化している。従っ
て、両者は本質的に熱的特性及び弾性的特性ともに差異
がない為に、熱による歪も発生することがなく極めて安
定したマスク構造体を構成することが可能となる。
は、シリコンウエハとシリコン製補強体を接着剤を用い
ることなく直接接合させる為に、Ｘ線透過膜保護枠であ
るシリコンウエハと補強体とが一体化している。従っ
て、両者は本質的に熱的特性及び弾性的特性ともに差異
がない為に、熱による歪も発生することがなく極めて安
定したマスク構造体を構成することが可能となる。
（実施例） 次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ 第１図は本実施例のＸ線マスク構造体の断面を図解的
に示す図である。
に示す図である。
第１図は本発明のマスク構造体を図解的に説明する図
であり、１はシリコンウエハ上に形成された無機Ｘ線透
過膜層、２は無機Ｘ線透過膜層を形成後、所望の領域を
Ｘ線透過膜層のない側からバックエッチにより除去し窓
を設けたシリコンウエハ、３は補強体の形状に加工成形
後両面を研磨したシリコン製の環状補強体、５は直接接
着法によりシリコンウエハ及びシリコン環状体を接合し
たときの境界面である。
であり、１はシリコンウエハ上に形成された無機Ｘ線透
過膜層、２は無機Ｘ線透過膜層を形成後、所望の領域を
Ｘ線透過膜層のない側からバックエッチにより除去し窓
を設けたシリコンウエハ、３は補強体の形状に加工成形
後両面を研磨したシリコン製の環状補強体、５は直接接
着法によりシリコンウエハ及びシリコン環状体を接合し
たときの境界面である。
第２図に本実施例のフローチャートを示し、流れに従
って製法を説明する。
って製法を説明する。
先ず、Ｘ線透過膜を保持する為のシリコンウエハを用
意する。後にバックエッチして枠構造とする為に厚さは
厚めの方が好ましいが、バックエッチプロセスに要する
時間を考えると薄い方が効率的である。プロセスとの係
わりで厚みを決定すればよいが、本例では2mmのシリコ
ンウエハを用いた。バックエッチの際、異方性エッチン
グを行う為に面方位が（100）ものを選択した。ウエハ
は両面を平面度λ/4（λ＝632.8nm）以下に研磨し（行
程21）且つ平行度は２μｍとした。次に上記シリコンウ
エハ上にRFマグネトロンスパッタリングにより炭化硅素
（SiC）を2.1μｍの厚さに堆積した。スパッタリングの
条件は基板温度は200℃、アルゴンガス圧力0.1Pa、印加
RF電力は200Wとした（行程22）。この際膜の均一性を図
る為シリコン基板をターゲット材SiCに対し自公転させ
た。
意する。後にバックエッチして枠構造とする為に厚さは
厚めの方が好ましいが、バックエッチプロセスに要する
時間を考えると薄い方が効率的である。プロセスとの係
わりで厚みを決定すればよいが、本例では2mmのシリコ
ンウエハを用いた。バックエッチの際、異方性エッチン
グを行う為に面方位が（100）ものを選択した。ウエハ
は両面を平面度λ/4（λ＝632.8nm）以下に研磨し（行
程21）且つ平行度は２μｍとした。次に上記シリコンウ
エハ上にRFマグネトロンスパッタリングにより炭化硅素
（SiC）を2.1μｍの厚さに堆積した。スパッタリングの
条件は基板温度は200℃、アルゴンガス圧力0.1Pa、印加
RF電力は200Wとした（行程22）。この際膜の均一性を図
る為シリコン基板をターゲット材SiCに対し自公転させ
た。
成膜後十分冷却した後、シリコン基板のSiC膜の堆積
してない面にゴム系フォトレジスト（商品名 OMR−8
3、東京応化社製）により30mm×30mmの正方形を残して
エッチング保護膜を形成した。フォトレジストにより覆
われていない30mm×30mmの領域を40％KOH水溶液にて85
℃の液温のもとでバックエッチを行い、SiCメンブレン
１を有するウエハ２を得た（行程23）。
してない面にゴム系フォトレジスト（商品名 OMR−8
3、東京応化社製）により30mm×30mmの正方形を残して
エッチング保護膜を形成した。フォトレジストにより覆
われていない30mm×30mmの領域を40％KOH水溶液にて85
℃の液温のもとでバックエッチを行い、SiCメンブレン
１を有するウエハ２を得た（行程23）。
その後、フォトレジストを過酸化水素−濃硫酸2:1混
合液により剥離し洗浄した。
合液により剥離し洗浄した。
一方、補強対となる枠材３を次のように作製した。4m
m厚さの（100）方位シリコン円板（直径４インチ）の中
央部に、直径60mmの穴を開け、シリコン製のリング状部
材を作製した。これを更に研磨及びラップ加工し、両面
の平行度２μｍ、平面度λ/4（λ＝632.8nm）、平均面
粗さ0.1μｍに仕上げた（工程24）。
m厚さの（100）方位シリコン円板（直径４インチ）の中
央部に、直径60mmの穴を開け、シリコン製のリング状部
材を作製した。これを更に研磨及びラップ加工し、両面
の平行度２μｍ、平面度λ/4（λ＝632.8nm）、平均面
粗さ0.1μｍに仕上げた（工程24）。
次に先に作製したSiCメンブレン付シリコンウエハと
補強体とを同心になるように重ね合わせる（工程25）。
この際、両部材の間にゴミ等の異物が入らぬようグラス
10以下の清浄な環境において、過酸化水素−濃硫酸1:2
混合液にて洗浄後、希硫酸中に１時間浸漬し脱イオン水
により十分洗浄した。両部材を重ね合わせた後、アルゴ
ン雰囲気中にて熱処理を行った（工程26）。処理条件は
1,000℃で1.5時間であった。十分冷却した後熱処理炉に
より取り出したところ、SiC膜を有するシリコンウエハ
とリング補強体とが密着したマスクブランクスが得られ
た。次に常法に従ってメンブレン１上にＸ線吸収体４を
パターニングして本発明のマスク構造体とした。
補強体とを同心になるように重ね合わせる（工程25）。
この際、両部材の間にゴミ等の異物が入らぬようグラス
10以下の清浄な環境において、過酸化水素−濃硫酸1:2
混合液にて洗浄後、希硫酸中に１時間浸漬し脱イオン水
により十分洗浄した。両部材を重ね合わせた後、アルゴ
ン雰囲気中にて熱処理を行った（工程26）。処理条件は
1,000℃で1.5時間であった。十分冷却した後熱処理炉に
より取り出したところ、SiC膜を有するシリコンウエハ
とリング補強体とが密着したマスクブランクスが得られ
た。次に常法に従ってメンブレン１上にＸ線吸収体４を
パターニングして本発明のマスク構造体とした。
又、２つの部材の接着強度を測定したところ120kg/cm
2以上であった。
2以上であった。
（発明の効果） 以上説明した様に、Ｘ線透過膜を有するシリコンウエ
ハとリング状シリコン補強枠とを直接接合法により接着
することにより、接着剤の影響を全く受けない一体化し
たＸ線マスクブランクス及びＸ線マスク構造体が得られ
る。この様にして両部材の材質の違いによる歪の除去、
接着剤による厚さむらの除去、接着剤の変形による相対
位置ずれの除去、接着剤部分からの剥れ防止等の効果が
得られ、精度的に十分満足できるＸ線マスクブランクス
及びＸ線マスク構造体が形成可能となった。
ハとリング状シリコン補強枠とを直接接合法により接着
することにより、接着剤の影響を全く受けない一体化し
たＸ線マスクブランクス及びＸ線マスク構造体が得られ
る。この様にして両部材の材質の違いによる歪の除去、
接着剤による厚さむらの除去、接着剤の変形による相対
位置ずれの除去、接着剤部分からの剥れ防止等の効果が
得られ、精度的に十分満足できるＸ線マスクブランクス
及びＸ線マスク構造体が形成可能となった。
又、本発明によるマスクブランクス及びＸ線マスク構
造体の精度は、各部材の加工精度を十分高くすることに
より品質の安定したものとなり、製造時の歩留りを極め
て高くすることが可能となる。
造体の精度は、各部材の加工精度を十分高くすることに
より品質の安定したものとなり、製造時の歩留りを極め
て高くすることが可能となる。
更に6mmのムク材を用いたと同等な効果が薄いウエハ
によって得られるに拘らずバックエッチに要する時間は
1/10に短縮されるという著しい効果がある。
によって得られるに拘らずバックエッチに要する時間は
1/10に短縮されるという著しい効果がある。
第１図は本発明のＸ線マスク構造体の断面を図解的に示
す図、第２図は本発明を実施する為の工程を示すフロー
チャートである。 1:X線透過膜 2:保持枠 3:補強体 4:X線吸収体 5:接合界面
す図、第２図は本発明を実施する為の工程を示すフロー
チャートである。 1:X線透過膜 2:保持枠 3:補強体 4:X線吸収体 5:接合界面
Claims (2)
- 【請求項１】Ｘ線透過膜を保持しているシリコン製保持
枠とシリコン製補強体とからなるＸ線マスクブランクス
において、上記保持枠と補強体とが接着剤を介すること
なく直接接合していることを特徴とするＸ線マスクブラ
ンクス。 - 【請求項２】所望パターンのＸ線吸収体と該吸収体を保
持するＸ線透過膜とこれらを保持するシリコン製保持枠
とシリコン製補強体とからなるＸ線マスク構造体におい
て、上記保持枠と補強体とが接着剤を介することなく直
接接合していることを特徴とするＸ線マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31632188A JP2655543B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31632188A JP2655543B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162714A JPH02162714A (ja) | 1990-06-22 |
| JP2655543B2 true JP2655543B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=18075830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31632188A Expired - Fee Related JP2655543B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655543B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3133602B2 (ja) * | 1994-03-16 | 2001-02-13 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5011774B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2012-08-29 | 凸版印刷株式会社 | 転写マスクブランク及び転写マスク並びにパターン露光方法 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31632188A patent/JP2655543B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02162714A (ja) | 1990-06-22 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |