JPH04182911A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04182911A JPH04182911A JP31221390A JP31221390A JPH04182911A JP H04182911 A JPH04182911 A JP H04182911A JP 31221390 A JP31221390 A JP 31221390A JP 31221390 A JP31221390 A JP 31221390A JP H04182911 A JPH04182911 A JP H04182911A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
この発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様な蒸着、スパ
ッタなとの成膜技術、写真製版、エツチング等のリング
ラフィ技術を用いて製造されるもので、高精度なヘッド
が一括大量に生産できる点に特徴がある。
ッタなとの成膜技術、写真製版、エツチング等のリング
ラフィ技術を用いて製造されるもので、高精度なヘッド
が一括大量に生産できる点に特徴がある。
薄膜磁気ヘッドとしては、従来から磁気ギヤ・ツブを基
板面に垂直方向（膜厚方向）に形成する垂直型と、磁気
ギャップを基板面内に形成する平面型とが知られている
。
板面に垂直方向（膜厚方向）に形成する垂直型と、磁気
ギャップを基板面内に形成する平面型とが知られている
。
現在は、ギャップ形成の容易さや媒体摺動に対する耐性
の点から垂直型が実用化されている。−方、平面型は、
ヘッドの媒体対向面が基板面になるため、基板内で一括
して浮上面加工等が行え、さらに磁気ギャップ深さが膜
厚で決められるので、その制御が容易な点に利点がある
。垂直型ヘッドでは、これらの加工を通常基板から分離
後、個々に行わねばならず、コスト上昇の一因となって
いる。
の点から垂直型が実用化されている。−方、平面型は、
ヘッドの媒体対向面が基板面になるため、基板内で一括
して浮上面加工等が行え、さらに磁気ギャップ深さが膜
厚で決められるので、その制御が容易な点に利点がある
。垂直型ヘッドでは、これらの加工を通常基板から分離
後、個々に行わねばならず、コスト上昇の一因となって
いる。
第５図はＩＥＥＥ ＩＮＴＥＲＭＡＧ“８９におけるＩ
ＢＭ社の文献Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲＯＡＣＨＴｏ ＭＡ
ＫＩＮＧ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＨＥＡＤＳＬＩＤＥＲ
ＤＥＶＩＣＥＳ（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩ−Ｃ３，Ｖｏｌ、 ２５． Ｎ
Ｏ，５，ｐ３６８６．１９８９）に示された平面型薄膜
磁気ヘッドの製造方法を示す断面図であり、この図にお
いて、７はヘッド素子が形成される基板、２は摺動面保
護膜、３は磁気ギャップ、４は下部磁気コア、５は絶縁
層、６はコイル、７は上部磁気コア、８はコイル引出し
導体、９は絶縁保護層、１０は前記コイル引出し導体８
との電気的接続とヘッド素子の支持を兼ねる素子支持基
板、１１はこの素子支持基板１ｏ内に設けられた接続導
体である。
ＢＭ社の文献Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲＯＡＣＨＴｏ ＭＡ
ＫＩＮＧ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＨＥＡＤＳＬＩＤＥＲ
ＤＥＶＩＣＥＳ（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩ−Ｃ３，Ｖｏｌ、 ２５． Ｎ
Ｏ，５，ｐ３６８６．１９８９）に示された平面型薄膜
磁気ヘッドの製造方法を示す断面図であり、この図にお
いて、７はヘッド素子が形成される基板、２は摺動面保
護膜、３は磁気ギャップ、４は下部磁気コア、５は絶縁
層、６はコイル、７は上部磁気コア、８はコイル引出し
導体、９は絶縁保護層、１０は前記コイル引出し導体８
との電気的接続とヘッド素子の支持を兼ねる素子支持基
板、１１はこの素子支持基板１ｏ内に設けられた接続導
体である。
次に、動作について説明する。
基板１上に媒体に対する摺動面保護膜２．メツキ下地用
金属膜（図示せず）、磁気ギャップ３が形成されている
。磁気ギャップ３は電子ビーム露光法によってサブミク
ロン幅に形成されている。
金属膜（図示せず）、磁気ギャップ３が形成されている
。磁気ギャップ３は電子ビーム露光法によってサブミク
ロン幅に形成されている。
磁気ギャップ３はここで形成したレジストをそのまま用
いるか、あるいは予め基板１上にギャップ膜（通常無機
絶縁膜）を成膜しておき、このレジストをマスクにして
エツチングして形成する。この磁気ギャップ幅を小さく
することは、磁気記録の線密度を高くするために重要で
あり、サブミクロンのパターン幅が要求される。次に、
下部磁気コア４がメツキによって形成される。この時、
レジストまたは絶縁膜のある磁気ギャップ３部分には磁
性膜は形成されない。この上に順次、絶縁層５、コイル
６、上部磁気コア７、コイル引出し導体８のそれぞれが
成膜、リソグラフィ技術を用いて形成される。次いで絶
縁保護層９が積層され、コイル引出し導体８の接続部が
露出するまで研磨される。コイル端子の外部接続とヘッ
ド素子の支持をかねた素子支持基板１０が接合され、基
板１をエツチング溶解除去して磁気ギャップ面を露出さ
せる。この面に写真製版を施し、イオンビーム等で一括
表面加工（ハードディスク用ヘッドでは浮動面加工）を
施している。
いるか、あるいは予め基板１上にギャップ膜（通常無機
絶縁膜）を成膜しておき、このレジストをマスクにして
エツチングして形成する。この磁気ギャップ幅を小さく
することは、磁気記録の線密度を高くするために重要で
あり、サブミクロンのパターン幅が要求される。次に、
下部磁気コア４がメツキによって形成される。この時、
レジストまたは絶縁膜のある磁気ギャップ３部分には磁
性膜は形成されない。この上に順次、絶縁層５、コイル
６、上部磁気コア７、コイル引出し導体８のそれぞれが
成膜、リソグラフィ技術を用いて形成される。次いで絶
縁保護層９が積層され、コイル引出し導体８の接続部が
露出するまで研磨される。コイル端子の外部接続とヘッ
ド素子の支持をかねた素子支持基板１０が接合され、基
板１をエツチング溶解除去して磁気ギャップ面を露出さ
せる。この面に写真製版を施し、イオンビーム等で一括
表面加工（ハードディスク用ヘッドでは浮動面加工）を
施している。
この方法によれば、平面型薄膜磁気ヘッドの問題点であ
るサブミクロンギャップの形成が平坦面に対してなされ
るため容易に行え、ギャップ面の平坦化が自ずとなされ
、ヘッド面加工も基板ごとに一括してＣ数百例のヘッド
素子を分離することなく一度に）行える利点がある。
るサブミクロンギャップの形成が平坦面に対してなされ
るため容易に行え、ギャップ面の平坦化が自ずとなされ
、ヘッド面加工も基板ごとに一括してＣ数百例のヘッド
素子を分離することなく一度に）行える利点がある。
〔発明が解決しようとする課題１
しかし、以上の製造方法では、基板１をエッチング溶解
する場合に非常に時間を要するという問題点がある。例
えば、基板１に直径４インチのシリコンウェハを用いた
場合、強度の点から厚さ０．６ｍｍ程度は必要で、これ
を水酸化ナトリウム水溶液で溶解分離するには数時間な
いし十数時間以上を必要とする。
する場合に非常に時間を要するという問題点がある。例
えば、基板１に直径４インチのシリコンウェハを用いた
場合、強度の点から厚さ０．６ｍｍ程度は必要で、これ
を水酸化ナトリウム水溶液で溶解分離するには数時間な
いし十数時間以上を必要とする。
基板厚を薄くすれば、基板１の溶解分離に要する時間は
短縮できるが、基板厚を薄くすると、薄膜磁気ヘッド素
子形成時に膜応力によって基板１が反り、精密な写真製
版に支障をきたし、また、この反りを真空吸引固定等の
方法で強制的に修正しようとすると基板１が割れること
もある。あるいは水酸化ナトリウム以外の強力なエッチ
ャントを用いたり、溶解反応の温度を上げることによっ
て溶解に要する時間を短縮することも考えられるが、こ
の場合、基板１以外のヘッド構成素子そのものや素子支
持基板１０をも溶解してしまうといった問題点がある。
短縮できるが、基板厚を薄くすると、薄膜磁気ヘッド素
子形成時に膜応力によって基板１が反り、精密な写真製
版に支障をきたし、また、この反りを真空吸引固定等の
方法で強制的に修正しようとすると基板１が割れること
もある。あるいは水酸化ナトリウム以外の強力なエッチ
ャントを用いたり、溶解反応の温度を上げることによっ
て溶解に要する時間を短縮することも考えられるが、こ
の場合、基板１以外のヘッド構成素子そのものや素子支
持基板１０をも溶解してしまうといった問題点がある。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、基板厚を基板反りが生じない程度に十分厚
くでき、ヘッド素子と基板を簡単迅速に分離できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、基板厚を基板反りが生じない程度に十分厚
くでき、ヘッド素子と基板を簡単迅速に分離できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る請求項 （１）に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、基板の裏面を磁気ギャップが露出する近
傍まで化学エツチングを行い、その後、前記化学エツチ
ングに用いたエラチャン１よりエツチングレートの小さ
いエッチャントを用い再び化学エツチングを行って、磁
気ギャップ面を露出させるものである。
の製造方法は、基板の裏面を磁気ギャップが露出する近
傍まで化学エツチングを行い、その後、前記化学エツチ
ングに用いたエラチャン１よりエツチングレートの小さ
いエッチャントを用い再び化学エツチングを行って、磁
気ギャップ面を露出させるものである。
また、請求項 （２）に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、予めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成
しておき、基板の裏面を中間層が露出する近傍まで化学
エツチングを行い、その後、前記エッチャントよりエツ
チングレートの小さいエッチャントを用い再び化学エツ
チングを行い、中間層を露出させ、次いで、その中間層
を物理的なエツチングで除去するものである。
法は、予めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成
しておき、基板の裏面を中間層が露出する近傍まで化学
エツチングを行い、その後、前記エッチャントよりエツ
チングレートの小さいエッチャントを用い再び化学エツ
チングを行い、中間層を露出させ、次いで、その中間層
を物理的なエツチングで除去するものである。
また、請求項 （３）に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、予めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成
しておき、基板の裏面を前記中間層が露出するまで化学
エツチングを行い、その後、中間層を前記エッチャント
よりエツチングレートの小さいエッチャントを用い再び
化学エツチングで除去するものである。
法は、予めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成
しておき、基板の裏面を前記中間層が露出するまで化学
エツチングを行い、その後、中間層を前記エッチャント
よりエツチングレートの小さいエッチャントを用い再び
化学エツチングで除去するものである。
さらに、請求項 （４）に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基板の裏面を磁気ギャップが露出する近傍まで
化学エツチングを行い、その後、精密機械研磨によって
磁気ギャップ面を露出させるものである。
方法は、基板の裏面を磁気ギャップが露出する近傍まで
化学エツチングを行い、その後、精密機械研磨によって
磁気ギャップ面を露出させるものである。
［作用１
この発明においては、基板を溶解除去する場合に、基板
溶解に対して強力なエッチャントを用い。
溶解に対して強力なエッチャントを用い。
てギャップ面近傍まで基板を高速に溶解除去し、その後
、基板の溶解速度は遅い、つまりエツチングレートの小
さいヘッド素子に対して影響を与えないエッチャントあ
るいは精密機械研磨を用いてギャップ面までの基板を除
去するようにしたので、素子形成にともなう基板の反り
を防ぐために基板の厚さを厚くしても簡単、かつ迅速に
ヘッド素子ギャップ面を露出させることができる。
、基板の溶解速度は遅い、つまりエツチングレートの小
さいヘッド素子に対して影響を与えないエッチャントあ
るいは精密機械研磨を用いてギャップ面までの基板を除
去するようにしたので、素子形成にともなう基板の反り
を防ぐために基板の厚さを厚くしても簡単、かつ迅速に
ヘッド素子ギャップ面を露出させることができる。
〔実施例１１
以下、この発明による製造方法の７実施例を図面につい
て説明する。
て説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の製造方法の一実施例
を示す断面図である。第１図において、各部の構成は第
５図と同様に形成されており、基板１として、先の引用
文献と同様に厚さ約１ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁気
ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッド素子を形
成するものである。このとき、上、下部磁気コア７．４
としてはＮｉ−Ｆｅ、 磁気ギャップ３．摺動面保護膜
２はダイヤモンドライクカーボン（ＣＬＤ）で形成する
。そのあと、表面を平坦化研磨し接続部を露出させ、素
子支持基板１０を接着する。その後、基板裏面フッ化水
素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ＊ ） ” ７ ： ３の
混合溶液中に浸漬し、ヘッド素子が露出する近傍（５０
−１００μｍ）まで高速に溶解除去する（約１０分程度
必要）。
を示す断面図である。第１図において、各部の構成は第
５図と同様に形成されており、基板１として、先の引用
文献と同様に厚さ約１ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁気
ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッド素子を形
成するものである。このとき、上、下部磁気コア７．４
としてはＮｉ−Ｆｅ、 磁気ギャップ３．摺動面保護膜
２はダイヤモンドライクカーボン（ＣＬＤ）で形成する
。そのあと、表面を平坦化研磨し接続部を露出させ、素
子支持基板１０を接着する。その後、基板裏面フッ化水
素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ＊ ） ” ７ ： ３の
混合溶液中に浸漬し、ヘッド素子が露出する近傍（５０
−１００μｍ）まで高速に溶解除去する（約１０分程度
必要）。
次に、第１図（ｂ）では、続いて基板１の裏面を水酸化
カリウム水溶液（ＫＯＨ）を用いて基板１の残りを溶解
除去する（約１時間必要）。この時、通常ヘッド露出面
の大部分を占める摺動面保護膜２は基板材料よりもエツ
チングされにくいので、エツチングのバラツキを吸収し
、素子のギャップ面を露出させることができる。
カリウム水溶液（ＫＯＨ）を用いて基板１の残りを溶解
除去する（約１時間必要）。この時、通常ヘッド露出面
の大部分を占める摺動面保護膜２は基板材料よりもエツ
チングされにくいので、エツチングのバラツキを吸収し
、素子のギャップ面を露出させることができる。
［実施例２］
第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す断
面図である。第２図において、第１図と同一符号は同じ
ものを示し、１２は前記基板１上に予め形成された中間
層である。
面図である。第２図において、第１図と同一符号は同じ
ものを示し、１２は前記基板１上に予め形成された中間
層である。
この実施例では、まず、第２図（ａ）において、先の引
用文献と同様に厚さ約１ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁
気ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッド素子を
形成するものである。
用文献と同様に厚さ約１ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁
気ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッド素子を
形成するものである。
このとき、上、下部磁気コア７．４としては、Ｎｉ−Ｆ
ｅ、摺動面保護膜２はアルミナ（ＡＩ２２０３）、窒化
シリコン（ＳｉａＮ４）、ダイヤモンドライクカーボン
（ＤＬＣ）を用い、磁気ギャップ３はＤＬＣ，Ｓｉ、Ｎ
、、フォトレジストを用いている。中間層１２としては
ＩＬＪ、ｍ厚の５ｉ３Ｎ−をスパッタ形成している。そ
のあと、表面を平坦化研磨し接続部を露出させ、素子支
持基板１０を接合する。その後、基板１の裏面をフッ化
水素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３）＝７：３の混合溶液
中に浸漬し、中間層１２が露出する近傍（５０−１００
ａｍ）まで高速に溶解除去する（約１０９程度必要）。
ｅ、摺動面保護膜２はアルミナ（ＡＩ２２０３）、窒化
シリコン（ＳｉａＮ４）、ダイヤモンドライクカーボン
（ＤＬＣ）を用い、磁気ギャップ３はＤＬＣ，Ｓｉ、Ｎ
、、フォトレジストを用いている。中間層１２としては
ＩＬＪ、ｍ厚の５ｉ３Ｎ−をスパッタ形成している。そ
のあと、表面を平坦化研磨し接続部を露出させ、素子支
持基板１０を接合する。その後、基板１の裏面をフッ化
水素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３）＝７：３の混合溶液
中に浸漬し、中間層１２が露出する近傍（５０−１００
ａｍ）まで高速に溶解除去する（約１０９程度必要）。
次に、第２図（ｂ）において、続いて基板１の裏面を水
酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）水溶液を用いて基板１の
残りを溶解除去する（約１時間必要）。この時、中間層
１２の５ｉａＮ＋はＫＯＨ水溶液に対するエツチング速
度が非常に遅く、実質上エツチングが中間層１２表面で
ストップする。この後、アルゴンのイオンビームでＳ
１３Ｎ４膜をエツチングして磁気ギャップ３を露出させ
ることができる。この場合、エッチャントとしてＫＯＨ
水溶液の代わりに、水酸化ナトリウム水溶液、ヒドラジ
ンのイソプロピルアルコール溶液等も用いることができ
る。中間層１２としては、Ｓｉ３Ｎ４の代わりにＳｉＯ
２、Ｃｕも用いることができ、中間層１２のエツチング
法として４フツ化メタン（ＣＦ、）のプラズマも用いる
ことができる。
酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）水溶液を用いて基板１の
残りを溶解除去する（約１時間必要）。この時、中間層
１２の５ｉａＮ＋はＫＯＨ水溶液に対するエツチング速
度が非常に遅く、実質上エツチングが中間層１２表面で
ストップする。この後、アルゴンのイオンビームでＳ
１３Ｎ４膜をエツチングして磁気ギャップ３を露出させ
ることができる。この場合、エッチャントとしてＫＯＨ
水溶液の代わりに、水酸化ナトリウム水溶液、ヒドラジ
ンのイソプロピルアルコール溶液等も用いることができ
る。中間層１２としては、Ｓｉ３Ｎ４の代わりにＳｉＯ
２、Ｃｕも用いることができ、中間層１２のエツチング
法として４フツ化メタン（ＣＦ、）のプラズマも用いる
ことができる。
（実施例３１
第３図（ａ）、（ｂ）はこの発明のさらに他の実施例を
示す断面図である。第３図において、第１図、第２図と
同一符号は同一構成部分を示す。
示す断面図である。第３図において、第１図、第２図と
同一符号は同一構成部分を示す。
第３図（ａ）において、約３０ｕｍのＣｕ膜を中間層１
２として表面に形成した厚さ約１ｍｍのシリコン基板上
に薄膜磁気ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッ
ド素子を形成するものである。このとき、上、下部磁気
コア７．４としては、Ｎｉ−Ｆｅ、ｔｉｆ！気ギャップ
３．摺動面保護膜２はダイヤモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）で形成する。そのあと、表面を平坦化研磨し接続
部を露出させ、素子支持基板１０を接合する。その後、
基板１の裏面をフッ化水素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３
）＝７ ： ３の混合溶液中に浸漬し、中間層１２のＣ
ｕが露出するまで高速に溶解除去する（約１０９程度必
要）。
２として表面に形成した厚さ約１ｍｍのシリコン基板上
に薄膜磁気ヘッド形成の一般的な方法で平面型薄膜ヘッ
ド素子を形成するものである。このとき、上、下部磁気
コア７．４としては、Ｎｉ−Ｆｅ、ｔｉｆ！気ギャップ
３．摺動面保護膜２はダイヤモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）で形成する。そのあと、表面を平坦化研磨し接続
部を露出させ、素子支持基板１０を接合する。その後、
基板１の裏面をフッ化水素酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３
）＝７ ： ３の混合溶液中に浸漬し、中間層１２のＣ
ｕが露出するまで高速に溶解除去する（約１０９程度必
要）。
第３図（ｂ）においては、続いて基板１の裏面を水酸化
アンモニウム過硫酸アンモニウムの水溶液を用いて他の
ものを損傷せずＣｕを選択的に溶解除去し、磁気ギャッ
プ面を露出させる。この場合、磁気ギャップ３としてＤ
Ｌ ＣのほかにＳ ｌ ３Ｎ ４．フォトレジスト、
アルミナ等を用いることができ、摺動面保護膜２として
５ｉｓＮ４＋ アルミナ等を用いることができる。
アンモニウム過硫酸アンモニウムの水溶液を用いて他の
ものを損傷せずＣｕを選択的に溶解除去し、磁気ギャッ
プ面を露出させる。この場合、磁気ギャップ３としてＤ
Ｌ ＣのほかにＳ ｌ ３Ｎ ４．フォトレジスト、
アルミナ等を用いることができ、摺動面保護膜２として
５ｉｓＮ４＋ アルミナ等を用いることができる。
また、上記実施例では中間層１２としてＣｕを用いた場
合を示したが、特にこれに限定されるものではない。分
離層としては磁性膜および摺動面保護膜２に対し選択的
にエツチングできるものであれば何でもよい。
合を示したが、特にこれに限定されるものではない。分
離層としては磁性膜および摺動面保護膜２に対し選択的
にエツチングできるものであれば何でもよい。
［実施例４１
第４図（ａ）、（ｂ）はこの発明のさらに他の実施例を
示す断面図である。第４図において、第１図〜第３図と
同一符号は同一の構成部分を示す。
示す断面図である。第４図において、第１図〜第３図と
同一符号は同一の構成部分を示す。
第４図（ａ）において、先の引用文献と同様に厚さ約１
ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁気ヘッド形成の一般的な
方法で平面型薄膜ヘッド素子を形成するものである。こ
のとき、上、下部磁気コア７．４としては、Ｎｉ−Ｆｅ
、摺動面保護膜２はアルミナ、Ｓｉａ Ｎ４ 、ＤＬＣ
を用い、磁気ギャップ３はＤＬＣ，Ｓｉ、Ｎ、、フォト
レジストを用いている。中間層１２としては１μｍ厚の
５ｉｘＮ４をスパッタ形成している。そのあと、表面を
平坦化研磨し接続部を露出させ、素子支持基板１０を接
合する。その後、基板１の裏面なフッ化水素酸（ＨＦ）
：硝酸（ＨＮＯ３） ＝７ ： ３の混合溶液中に浸漬
し、素子ギャップ３が露出する近傍（５０−１００ＬＬ
ｍ）まで高速に溶解除去する（約１０９程度必要）。
ｍｍのシリコン基板上に薄膜磁気ヘッド形成の一般的な
方法で平面型薄膜ヘッド素子を形成するものである。こ
のとき、上、下部磁気コア７．４としては、Ｎｉ−Ｆｅ
、摺動面保護膜２はアルミナ、Ｓｉａ Ｎ４ 、ＤＬＣ
を用い、磁気ギャップ３はＤＬＣ，Ｓｉ、Ｎ、、フォト
レジストを用いている。中間層１２としては１μｍ厚の
５ｉｘＮ４をスパッタ形成している。そのあと、表面を
平坦化研磨し接続部を露出させ、素子支持基板１０を接
合する。その後、基板１の裏面なフッ化水素酸（ＨＦ）
：硝酸（ＨＮＯ３） ＝７ ： ３の混合溶液中に浸漬
し、素子ギャップ３が露出する近傍（５０−１００ＬＬ
ｍ）まで高速に溶解除去する（約１０９程度必要）。
次に、第４図（ｂ）において、続いて基板１の裏面をグ
ラインダを用い、細かい砥粒で精密研削している。この
とき、通常、ヘッド露出面の大部分を占める摺動面保護
膜（アルミナ膜やダイヤモンドライクカーボン膜）２は
基板材料よりも研磨されにくいので、エツチングあるい
は研磨速度のバラツキを吸収し、素子のギャップ面を均
一に露出させることができる。
ラインダを用い、細かい砥粒で精密研削している。この
とき、通常、ヘッド露出面の大部分を占める摺動面保護
膜（アルミナ膜やダイヤモンドライクカーボン膜）２は
基板材料よりも研磨されにくいので、エツチングあるい
は研磨速度のバラツキを吸収し、素子のギャップ面を均
一に露出させることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、基板を裏面。
から高速に化学エツチングし、その後、エツチングレー
トの小さいエッチャントに変えた選択的な化学エツチン
グあるいは精密機械研磨によって先の高速化学エツチン
グのバラツキを自動的に修正し、かつ、磁気ヘッド素子
に悪影響を与えることなく迅速に素子ギャップ面を露出
させるようにしたので、高速エツチングに強力なエッチ
ャントを用いることができ、基板材料９寸法に対する選
択の幅が広がるとともに、高速、かつ安定簡便にヘッド
素子と基板との分離が行える効果がある。
トの小さいエッチャントに変えた選択的な化学エツチン
グあるいは精密機械研磨によって先の高速化学エツチン
グのバラツキを自動的に修正し、かつ、磁気ヘッド素子
に悪影響を与えることなく迅速に素子ギャップ面を露出
させるようにしたので、高速エツチングに強力なエッチ
ャントを用いることができ、基板材料９寸法に対する選
択の幅が広がるとともに、高速、かつ安定簡便にヘッド
素子と基板との分離が行える効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製
造方法を示す断面側面図、第２図はこの発明の他の実施
例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面側面図、
第３図はこの発明のさらに他の実施例による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す断面側面図、第４図はこの発明の
さらに他の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す断面側面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの構造を
示す断面側面図である。 図において、１は基板、２は摺動面保護膜、３は磁気ギ
ャップ、４は下部磁気コア、５は絶縁層、６はコイル、
７は上部磁気コア、８はコイル引出し導体、９は絶縁保
護層、１０は素子支持基板、１１は接続導体、１２は中
間層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ｊ １２、中間層 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） ３．補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の第１０頁１４行のｒ （ＣＬＤ）ｊを、「（Ｄ
ＬＣ）」と補正する。 以 上
造方法を示す断面側面図、第２図はこの発明の他の実施
例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面側面図、
第３図はこの発明のさらに他の実施例による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す断面側面図、第４図はこの発明の
さらに他の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す断面側面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの構造を
示す断面側面図である。 図において、１は基板、２は摺動面保護膜、３は磁気ギ
ャップ、４は下部磁気コア、５は絶縁層、６はコイル、
７は上部磁気コア、８はコイル引出し導体、９は絶縁保
護層、１０は素子支持基板、１１は接続導体、１２は中
間層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ｊ １２、中間層 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） ３．補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の第１０頁１４行のｒ （ＣＬＤ）ｊを、「（Ｄ
ＬＣ）」と補正する。 以 上
Claims (4)
- （１）基板面上に平面型のヘッド素子を形成し、次いで
、電気的接続のためのコイル接続端子取り出しと前記ヘ
ッド素子の支持を兼ねた素子支持基板を接合し、その後
、前記ヘッド素子を形成した基板を除去する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記基板の除去に際して前記
基板の裏面を磁気ギャップが露出する近傍まで化学エッ
チングを行い、その後、前記化学エッチングに用いたエ
ッチャントよりもエッチングレートの小さいエッチャン
トを用いて再び化学エッチングを行って、磁気ギャップ
面を露出させることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - （２）基板面上に平面型のヘッド素子を形成し、次いで
、電気的接続のためのコイル接続端子取り出しと前記ヘ
ッド素子の支持を兼ねた素子支持基板を接合し、その後
、前記ヘッド素子を形成した基板を除去する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記基板の除去に際して、予
めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成しておき
、前記基板の裏面を前記中間層が露出する近傍まで化学
エッチングを行い、その後、前記エッチャントよりもエ
ッチングレートの小さいエッチャントを用いて再び化学
エッチングを行い、前記中間層を露出させ、その中間層
を物理的なエッチングで除去することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - （３）基板面上に平面型のヘッド素子を形成し、次いで
、電気的接続のためのコイル接続端子取り出しと前記ヘ
ッド素子の支持を兼ねた素子支持基板を接合し、その後
、前記ヘッド素子を形成した基板を除去する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記基板の除去に際して、予
めヘッド素子を形成する基板上に中間層を形成しておき
、前記基板の裏面を前記中間層が露出するまで化学エッ
チングを行い、その後、前記中間層を前記エッチャント
よりエッチングレートの小さいエッチャントを用い再び
化学エッチングで除去することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - （４）基板面上に平面型のヘッド素子を形成し、次いで
、電気的接続のためのコイル接続端子取り出しと前記ヘ
ッド素子の支持を兼ねた素子支持基板を接合し、その後
、前記ヘッド素子を形成した基板を除去する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記基板の除去に際して、前
記基板の裏面を磁気ギャップが露出する近傍まで化学エ
ッチングを行い、その後、精密機械研磨によって前記磁
気ギャップ面を露出させることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31221390A JPH04182911A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31221390A JPH04182911A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182911A true JPH04182911A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18026556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31221390A Pending JPH04182911A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04182911A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
| US5748417A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-05 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US5754377A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-19 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an elevated gap structure |
| US5864452A (en) * | 1994-08-03 | 1999-01-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head and method of forming carbon film |
| US6091581A (en) * | 1994-08-26 | 2000-07-18 | Aiwa Co., Ltd. | Thin film magnetic head including a separately deposited diamond-like carbon gap structure and magnetic control wells |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31221390A patent/JPH04182911A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864452A (en) * | 1994-08-03 | 1999-01-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head and method of forming carbon film |
| US5748417A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-05 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US5754377A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-19 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an elevated gap structure |
| US5950301A (en) * | 1994-08-26 | 1999-09-14 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method for fabricating thin flim magnetic head including an elevated gap structure |
| US6091581A (en) * | 1994-08-26 | 2000-07-18 | Aiwa Co., Ltd. | Thin film magnetic head including a separately deposited diamond-like carbon gap structure and magnetic control wells |
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
| EP0775997A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique planaire et tête obtenue par ce procédé |
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