JP2000099678A - Icカード及びその製造方法 - Google Patents

Icカード及びその製造方法

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JP2000099678A
JP2000099678A JP26430798A JP26430798A JP2000099678A JP 2000099678 A JP2000099678 A JP 2000099678A JP 26430798 A JP26430798 A JP 26430798A JP 26430798 A JP26430798 A JP 26430798A JP 2000099678 A JP2000099678 A JP 2000099678A
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康二 佐々木
Naoto Saito
直人 斉藤
Hideo Miura
英生 三浦
Hiroyuki Ota
裕之 太田
Kunio Matsumoto
邦夫 松本
Ryozo Yoshino
亮三 吉野
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    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
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Abstract

(57)【要約】 【課題】携帯時または使用時の使用者あるいは読み取り
装置等によって与えられる外力に対して破損しにくい高
信頼性ICカード及びその製造方法を提供する。 【解決手段】外部信号受信部と,前記外部信号を処理す
るためのICチップと,処理後の信号送信部とをカード
形状に収納したICカードにおいて,前記ICチップの
回路形成面以外の面をエッチング処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はICカード及びその
製造方法に係り,特に外力による変形に対して信頼性の
高いICカード及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年,電子決裁やプリペイドカード,定
期券や各種個人認証用カードとして,従来の磁気カード
に変わり,ICカードの需要が高まっている。ICカー
ドは従来の磁気カードの記憶容量が約80文字であるの
に対して約500〜16000文字の大容量のメモリ領
域を持っており,また,磁気カードに比較して偽造が困
難である,無線による電磁誘導現象を利用した非接触型
のカードの製造が可能であるなど,多くの優れた特長を
持っている。
【0003】磁気カードやICカードは,通常,財布や
カード入れに収納し,あるいはカード単体で携帯して使
用されている。従来磁気カードが用いられている製品分
野において,ICカードへの移行を使用者に負担をかけ
ることなく行うためには,ICカードは従来の磁気カー
ドと同等か,あるいはそれ以上の小ささや薄さ,軽さを
持っていなければならず,携帯時,あるいは使用時に与
えられる外力によって変形するICカードも従来の磁気
カードと同じく変形に対して柔軟な構造となる。しか
し,ICカードにはICチップが内蔵されており,IC
カードの変形によって内蔵されたICチップが破損し,
ICカードが機能を果たさなくなる恐れがある。このた
め,ICカードの変形に対する信頼性向上のためには,
ICチップがICカードの変形によっても変形しにくい
構造とし,また,ICチップ自身が変形によって破壊し
にくいものとすることが重要である。
【0004】ICカードの変形に対して,ICチップが
変形しにくいICカード構造としては,例えば特開昭6
4−11895号公報に示されているように,ICチッ
プを金属板で挟んで設置することによってICチップを
補強し,ICカードの曲げ変形に対してICチップの曲
げ変形を抑制する構造が提案されている。
【0005】ICチップ自身が変形によって破壊しにく
いものとするためには,ICチップを薄くすることと,
ICチップ表面の欠陥を少なくすることが必要である。
ICチップを薄くする必要があるのは,ICチップに与
えられる曲げ変形に対してチップの表面に発生する曲げ
応力はチップの厚さに比例するためである。また,チッ
プ表面の欠陥を少なくする必要があるのは,ICチップ
の材料として一般的に用いられているSiが脆性材料で
あり,ICチップは表面または内部の微小な欠陥を起点
として脆性破壊するのが一般的であるとの知見による。
ICチップ自身を変形によって破壊しにくいものとする
ための製造方法としては,特開平1−235699号公
報に示されているように,ICチップのミラー面側の機
械研磨によるマイクロクラックをエッチング処理により
除去する製造方法が提案されており,また,特開平4−
62921号公報に示されているように,プラズマエッ
チャを用い,二段階エッチングにより反応二次生成物を
除去し,装置のクリーン化を図る製造方法が提案されて
いる。また,特開平6−232255号公報に示されて
いるように,ウェーハのダイシングをチップのミラー面
側から行い,チップのミラー面に発生するチッピングを
防止する方法が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】近年、IC回路の製造
技術の向上により,ICチップの薄型化,小面積化が進
んでいる。このようなICチップの薄型化,小面積化に
よって,ICカードの変形に対する柔軟性は向上する
が,反面,チップの加工技術にもさらに高い精度が要求
されることになる。
【0007】従来よりもさらに薄くなったICチップに
おいては,上記のように,機械的研磨によるマイクロク
ラックをダイシング前のエッチング処理により取り除く
ことはチップの強度向上の面から効果が不十分である。
また,特開平6−232255号公報に示されているよ
うに,ウェーハのダイシングをチップのミラー面側から
行う方法は,チップのデバイス面に発生するチッピング
を抑止することが出来ないため,チップの曲げ強度を向
上させることが出来ない。また,ダイシング後の薄型で
面積の小さいチップのミラー面のみをプラズマエッチン
グなどにより選択的にエッチングすることは,生産性や
搬送性の問題から困難である。また,ケミカルエッチン
グなどにより等方的にエッチングすると,ICチップの
デバイス面がエッチングにより侵食されるおそれがあ
る。本発明の目的は,曲げ変形等に対しても信頼性の高
いICカード及びその製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】発明者らは,ICチップ
の3点曲げ試験によりICチップのデバイス面側とミラ
ー面側の破断応力を求めた。図3はその試験結果を累積
破壊確率と破断応力で整理したものであり,図3(a)
はICチップのミラー面側破断応力,図3(b)はIC
チップのデバイス面側破断応力をそれぞれ示す。この図
から明らかなように,ICチップのミラー面側の破断応
力はICチップのデバイス面側の破断応力よりも小さ
く,また,ばらつきも大きくなっている。このことか
ら,ICチップ表面の欠陥は,ICチップのミラー面側
に多く存在していることが考えられる。
【0009】また,発明者らは,ICチップ製造時の研
磨条件が同一でダイシング条件の異なる種々のICチッ
プについても同様の3点曲げ試験によるICチップのミ
ラー面側の破断応力測定を行い,その結果を図4に整理
した。図4に示すように,ダイシング条件によっても,
ICチップの破断応力は大きく変化する。このことよ
り,ICチップの製造工程において,ダイシングによっ
て生じる欠陥がICチップの破断強度に大きな影響を与
えていることが分かる。
【0010】図5に,ICチップダイシング後のミラー
面側の模式図を示す。チップの周辺部には多数の傷が発
生しているのが分かる。これはダイシングの工程によっ
てICカードのミラー面側に生じたチッピングである。
このことから,ICチップの破壊強度はICチップの製
造工程のダイシング工程によってミラー面側に生じるチ
ッピングによって低下することが分かる。すなわち,I
Cチップの破壊強度を向上させるためにはICチップの
ミラー面側の周辺部に存在するチッピングを除去するこ
とが有効である。
【0011】ICチップのミラー面側に発生するチッピ
ングを除去するには,ダイシング処理後にICチップの
エッチング処理を行い,これによってチッピングを除去
する方法が有効である。しかし,本願発明の対象である
ICチップは,厚さ60μm以下であり,裏面(ミラー
面)研磨およびダイシング後のICチップは非常に薄く
かつ小さいためハンドリングが困難となり,プラズマエ
ッチャ等によりミラー面のみを選択的にエッチングする
方法では,生産性や搬送性に問題がある。また,ケミカ
ルエッチ等によりICチップのエッチングを行う場合に
は前記の生産性や搬送性の問題は生じないが,エッチン
グを選択的に行うことができないため,ICチップのミ
ラー面だけでなく,デバイス面がエッチングにより侵食
される問題がある。
【0012】上記問題を解決するために本願発明のIC
カードは以下の構成を有する。 (1):ICチップを備えたICカードにおいて,前記
ICチップの回路形成面以外の面がエッチング処理され
ている。 (2):一主面に回路が形成されたICチップと、この
ICチップの外周部に配設されたカード基材とを備えた
ICカードにおいて、前記ICチップの前記一主面とは
反対側の面および前記一主面と交わる面がエッチング処
理されている。
【0013】(3):(1)または(2)のICカード
において,前記ICチップの厚さが0.2mm以下であ
る。また、上記問題を解決するために本願発明のICカ
ードの製造方法は以下の工程を有する。 (4):ウエハの一主面に回路を形成する回路形成工
程。前記回路形成工程終了後に前記ウエハの前記一主面
回路形成面にレジストを塗布するレジスト塗布工程。前
記レジスト塗布工程終了後に前記ウエハの前記一主面と
は反対側の面を研磨する研磨工程。前記研磨工程終了後
に前記ウエハをダイシングして複数のICチップとする
ダイシング工程。前記ダイシング工程終了後に前記IC
チップをエッチングするエッチング工程。前記エッチン
グ工程終了後に前記レジストを除去するレジスト除去工
程。
【0014】(5):ウエハの一主面に回路を形成する
回路形成工程。前記回路形成工程終了後に前記ウエハの
前記一主面とは反対側の面を研磨する研磨工程。前記研
磨工程終了後に前記ウエハの前記一主面回路形成面にレ
ジストを塗布するレジスト塗布工程。前記レジスト塗布
工程終了後に前記ウエハをダイシングして複数のICチ
ップとするダイシング工程。前記ダイシング工程終了後
に前記ICチップをエッチングするエッチング工程。前
記エッチング工程終了後に前記レジストを除去するレジ
スト除去工程。 (6):(4)または(5)において,前記エッチング
工程で用いるエッチング液がフッ酸と硝酸と酢酸の混合
液である。
【0015】本発明によれば,ICカードの携帯時およ
び使用時において,ICカードに加えられる外力による
ICカードの変形に対し,ICチップがチップ割れを起
こしにくい高信頼性のICカード及びその製造方法が提
供できる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下,本発明の一実施例を図を用
いて参照して説明する。図1は本実施例のICカードの
断面図である。本実施例のICカードは厚さは,約0.
46mmであり,カード基材11を接着剤12によって
貼り合わせ,ICチップ9および回路層13を挟み込ん
だ構造となっている。
【0017】ICチップ9は,ミラー面および側面がエ
ッチング処理されており,ダイシングの際にICチップ
に生じるチッピング7の鋭利部が除かれているため,I
Cチップの曲げ強度が大きくなっている。なお,本実施
例のICカードは厚さが約0.46mmであったが,厚
さが0.76mm以下のICカードであれば本実施例と
同等の効果が期待できる。
【0018】次に,ICチップ9の製造工程を図2を用
いて説明する。ICチップの製造工程においては,ま
ず,回路実装工程後のレジスト塗布工程(図2(1))
において,裏面(ミラー面)研磨及びダイシング前のウェ
ハ1のデバイス側表面3にレジスト2としてエポキシ樹
脂を塗布する。なお,レジストはエポキシ樹脂に限るも
のでは無く,後に行うエッチング工程(図2(5))に
おいて侵食されない材料であば良く,熱硬化性または熱
可塑性の樹脂などでも良い。
【0019】レジストを塗布する目的は後に行うエッチ
ング工程(図2(5))によって裏面(ミラー面)研磨時
に発生した研磨傷やダイシング時に発生したチッピング
のICチップの曲げ強度への影響を小さくする際に,エ
ッチング液によってデバイス面が侵食されることを防ぐ
ことにある。本実施例においてはレジスト塗布は回路実
装後で裏面(ミラー面)研磨およびダイシング前の工程と
なっているが,裏面(ミラー面)研磨後にレジスト塗布を
行うことも可能であり,レジスト塗布工程の時期はダイ
シング工程の前であれば特に限定されるものではない。
【0020】次に,裏面(ミラー面)研磨工程(図2
(2))を行う。裏面(ミラー面)研磨はウェハの旧ミラ
ー面4の側から行う。 現在のICカードは厚さが0.7
6〜0.25mm程度であり,この厚さのICカードにI
Cチップを収納するため,ICチップは厚さが0.2mm以
下になるまで研磨を行う必要がある。ICカードに収納
されたICチップには,ICカードの携帯時や使用時に
外部から加えられる力によって,ICカードと同様に曲
げ変形が生じ,ICチップの表面には曲げ応力が発生す
る。ICチップの厚さをt,ヤング率をE,チップの曲率
半径をrとすると,ICチップの曲げ応力σは,σ=E
t/(2r)となり,ICチップが薄ければ,同じ曲率
半径のICチップの曲げ変形に対して,ICチップの曲
げ応力は小さくなるため,ICチップはできるだけ薄く
なるように研磨することが望ましい。
【0021】裏面(ミラー面)研磨の際にはウェハ1のミ
ラー面5に研磨傷6が生じる。従来のICチップ製造方
法によって製造されたICチップでは,裏面(ミラー面)
研磨の際に生じる研磨傷6がICチップの曲げ強度を低
下させる要因になる恐れがあるため,裏面(ミラー面)研
磨の際に研磨傷6を生じにくいように研磨速度を低下さ
せる等の工夫が必要となる。このような工夫はICチッ
プの生産工程における裏面(ミラー面)研磨に要する時間
を増加させる恐れがあるが,本実施例によれば,研磨傷
6は後のエッチング工程(図2(5))において除去さ
れるため,裏面(ミラー面)研磨時に生じる研磨傷6を許
容することができ,生産性の向上が可能である。例え
ば,厚さ0.46mm以上のICカードに用いるICチ
ップの製造方法においては研磨速度を低下させる等の工
夫は必要ない。
【0022】また,厚さ0.46mm以下のICカード
については,従来から行われている研磨傷を小さくする
ための工夫を併せて行うことにより,さらに曲げ強度の
高いICチップを製造することが可能となり,高信頼性
のICカードを製造することが可能となる。
【0023】次に研磨済のICチップのダイシング工程
(図2(3))を行う。ダイシングはここでは20μm
厚さのブレードを用いて行っている。ダイシング工程
(図2(3))の際にはレジストもウェハとともにカッ
トする。ダイシング工程(図2(3))の際にはICチ
ップの周辺部にチッピング7が発生する恐れがある。図
6にチッピング発生メカニズムの模式図を示す。ブレー
ド10がレジスト2とともにウェハ1を切断する途中
で,まだ切断されていないウェハの一部分が,ブレード
によって切断された部分の表面を起点15として破壊す
る。この破壊をチッピングと呼び,これは,ブレード1
0の回転によってウェハ1に与えられる振動が原因だと
考えられる。図5にダイシングによってICチップに発
生したチッピングの模式図を示す。チッピング7はIC
チップの周囲に切欠き状に発生している。また,チッピ
ング7の深さは小さいもので10μm程度,大きいもの
では100μm以上となる。このままではこのチッピン
グ7がICチップの曲げ強度を低下させる原因となる。
従来はこのようなチッピングをできるだけ発生させない
ために,ブレード10の送り速度を遅くする等の方法が
考えられている。しかし,このような方法はダイシング
工程に要する時間を増大させる恐れがある。本発明の実
施例におけるICチップの製造方法においては,チッピ
ング7先端部の鋭い切欠きは後のエッチング工程(図2
(5))において除去されるため,ダイシング工程時に
生じるチッピング7を許容することができ,生産性の向
上が可能である。ダイシング後のチップは図2の(4)
のようになる。ダイシング後のICチップ8にはミラー
面5に研磨傷6やチッピング7を生じている。
【0024】次に,エッチング処理(図2(5))を行
う。エッチング処理はフッ酸,硝酸,酢酸の混合液によ
るケミカルエッチングにより行う。このエッチングによ
りICチップ8はレジストにより保護されたデバイス面
3以外の面(ミラー面5及び側面)がエッチング処理さ
れる。
【0025】エッチング処理の目的はICチップ8のミ
ラー面5に発生したチッピング7や研磨傷6を全て取り
除くことではなく,ICチップの曲げ強度の低下に影響
を与えると考えられるチッピング先端部または研磨傷先
端部の鋭い切欠きを除去することにあるので,エッチン
グ量は10μm以下で十分ICチップの曲げ強度向上に
効果がある。ただし,エッチング量を大きく取ることに
よって,ICチップのミラー面以外の部分が侵食される
などの問題が生じない限りは,エッチング量を大きくす
ればチップの曲げ強度向上の効果も大きくなる。
【0026】エッチング工程(図2(5))の後に,レ
ジスト除去(図2(6))を行う。レジスト除去工程に
おいては,ICチップ8のデバイス面8上に塗布された
レジストを除去する。レジスト除去はレジスト除去液に
ICチップを浸漬することにより化学的に行う。本実施
例ではレジスト除去液としてアセトンを用いたが,レジ
スト除去液はこれに限るものではなく,レジストが除去
でき,ICチップ8のデバイス面5は侵食しないもので
あれば良い。
【0027】図7に本実施例のICチップ9の曲げ強度
測定結果を示す。ICチップの曲げ強度は三点曲げ試験
によって行った。比較のために従来のダイシング時に発
生したチッピングを除去しないICチップの曲げ強度の
測定結果を示す。図7より,本実施例のICチップの曲
げ強度は従来手法によって製造されたICチップの曲げ
強度の二倍以上の値となり,本実施例によるICチップ
の製造方法が曲げ強度の高く破壊しにくいICチップ製
造に有効であることが分かる。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば,ICカードの携帯時お
よび使用時において,ICカードに加えられる外力によ
るICカードの変形に対し,ICチップがチップ割れを
起こしにくい高信頼性のICカード及びその製造方法が
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るICカードの断面図で
ある。
【図2】本発明の一実施例に係るICチップの製造工程
の一部を示す図である。
【図3】従来のICカードに用いられるICチップの累
積破壊確率と破断応力の関係を示す図である。
【図4】従来のICカードに用いられるICチップのダ
イシング条件による累積破壊確率と破断応力の関係を示
す図である。
【図5】従来のICカードに用いられるICチップのダ
イシング工程後のミラー面の状態を表す模式図である。
【図6】ICチップの製造工程におけるチッピングの発
生メカニズムを表す図である。
【図7】本発明の一実施例に係るICチップと従来のI
Cチップとの破壊応力の違いを示す図である。
【符号の説明】
1…ウェハ,2…レジスト,3…デバイス面,4…旧ミ
ラー面,5…ミラー面,6…研磨傷,7…チッピング,
8…ICチップ,9…チッピング除去後のICチップ,
10…ブレード,11…カード基材,12…接着剤,1
3…電子回路,14…エッチング除去層,15…チッピ
ングの起点,16…切断線。
フロントページの続き (72)発明者 三浦 英生 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 太田 裕之 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 松本 邦夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 吉野 亮三 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ICチップを備えたICカードにおいて,
    前記ICチップの回路形成面以外の面がエッチング処理
    されているICカード。
  2. 【請求項2】一主面に回路が形成されたICチップと、
    このICチップの外周部に配設されたカード基材とを備
    えたICカードにおいて、前記ICチップの前記一主面
    とは反対側の面および前記一主面と交わる面がエッチン
    グ処理されているICカード。
  3. 【請求項3】請求項1または2において,前記ICチッ
    プの厚さが0.2mm以下であるICカード。
  4. 【請求項4】以下の工程を有するICカードの製造方
    法。 (1)ウエハの一主面に回路を形成する回路形成工程。 (2)前記回路形成工程終了後に前記ウエハの前記一主
    面回路形成面にレジストを塗布するレジスト塗布工程。 (3)前記レジスト塗布工程終了後に前記ウエハの前記
    一主面とは反対側の面を研磨する研磨工程。 (4)前記研磨工程終了後に前記ウエハをダイシングし
    て複数のICチップとするダイシング工程。 (5)前記ダイシング工程終了後に前記ICチップをエ
    ッチングするエッチング工程。 (6)前記エッチング工程終了後に前記レジストを除去
    するレジスト除去工程。
  5. 【請求項5】以下の工程を有するICカードの製造方
    法。 (1)ウエハの一主面に回路を形成する回路形成工程。 (2)前記回路形成工程終了後に前記ウエハの前記一主
    面とは反対側の面を研磨する研磨工程。 (3)前記研磨工程終了後に前記ウエハの前記一主面回
    路形成面にレジストを塗布するレジスト塗布工程。 (4)前記レジスト塗布工程終了後に前記ウエハをダイ
    シングして複数のICチップとするダイシング工程。 (5)前記ダイシング工程終了後に前記ICチップをエ
    ッチングするエッチング工程。 (6)前記エッチング工程終了後に前記レジストを除去
    するレジスト除去工程。
  6. 【請求項6】請求項4または5において,前記エッチン
    グ工程で用いるエッチング液がフッ酸と硝酸と酢酸の混
    合液であるICカードの製造方法。
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JP2000099678A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Hitachi Ltd Icカード及びその製造方法
JP3883784B2 (ja) * 2000-05-24 2007-02-21 三洋電機株式会社 板状体および半導体装置の製造方法
JP3478281B2 (ja) * 2001-06-07 2003-12-15 ソニー株式会社 Icカード
EP1555691A1 (en) * 2002-10-24 2005-07-20 Toray Engineering Co., Ltd. Non-contact id card and the like and method for manufacturing same
US20060140860A1 (en) * 2004-12-08 2006-06-29 Genstruct, Inc. Computational knowledge model to discover molecular causes and treatment of diabetes mellitus
US7717326B2 (en) * 2006-11-15 2010-05-18 International Business Machines Corporation Method and system for protecting data

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3888708A (en) * 1972-02-17 1975-06-10 Kensall D Wise Method for forming regions of predetermined thickness in silicon
US3984620A (en) * 1975-06-04 1976-10-05 Raytheon Company Integrated circuit chip test and assembly package
FR2527036A1 (fr) * 1982-05-14 1983-11-18 Radiotechnique Compelec Procede pour connecter un semiconducteur a des elements d'un support, notamment d'une carte portative
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS60252992A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Toshiba Corp Icカ−ド
US4727246A (en) * 1984-08-31 1988-02-23 Casio Computer Co., Ltd. IC card
JPS6182285A (ja) * 1984-09-29 1986-04-25 Toshiba Corp Icカ−ド
JPS61123990A (ja) * 1984-11-05 1986-06-11 Casio Comput Co Ltd Icカ−ド
US4845351A (en) * 1985-09-30 1989-07-04 Casio Computer Co., Ltd. IC card
JPH0517270Y2 (ja) * 1986-07-03 1993-05-10
DE3639630A1 (de) * 1986-11-20 1988-06-01 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JP2603952B2 (ja) 1987-07-07 1997-04-23 株式会社東芝 Icカード
JP2639153B2 (ja) * 1990-01-26 1997-08-06 日本電気株式会社 半導体素子の製造方法
JPH0462921A (ja) 1990-06-29 1992-02-27 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体材料の裏面エッチング方法
JPH06232255A (ja) 1993-01-29 1994-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハのダイシング方法
US5689136A (en) * 1993-08-04 1997-11-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and fabrication method
US5326428A (en) * 1993-09-03 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability
US5481102A (en) * 1994-03-31 1996-01-02 Hazelrigg, Jr.; George A. Micromechanical/microelectromechanical identification devices and methods of fabrication and encoding thereof
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
US5733814A (en) * 1995-04-03 1998-03-31 Aptek Industries, Inc. Flexible electronic card and method
JPH08310172A (ja) * 1995-05-23 1996-11-26 Hitachi Ltd 半導体装置
FR2734983B1 (fr) * 1995-05-29 1997-07-04 Sgs Thomson Microelectronics Utilisation d'un micromodule comme boitier de montage en surface et procede correspondant
JPH09270396A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製法
US5786988A (en) * 1996-07-02 1998-07-28 Sandisk Corporation Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture
JP2000099678A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Hitachi Ltd Icカード及びその製造方法
JP3720599B2 (ja) * 1998-10-07 2005-11-30 日本電信電話株式会社 半導体装置
JP3447602B2 (ja) * 1999-02-05 2003-09-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001156028A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Lintec Corp 半導体装置の製造方法

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