JPH06232255A - ウェーハのダイシング方法 - Google Patents
ウェーハのダイシング方法Info
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- JPH06232255A JPH06232255A JP3246693A JP3246693A JPH06232255A JP H06232255 A JPH06232255 A JP H06232255A JP 3246693 A JP3246693 A JP 3246693A JP 3246693 A JP3246693 A JP 3246693A JP H06232255 A JPH06232255 A JP H06232255A
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- wafer
- dicing
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブル
に保持しても、下になった表面のストリートに対応させ
て裏面からダイシングし又は溝入れ加工すべき裏面箇所
をアライメントできるようにした、ウェーハのダイシン
グ方法を得る。 【構成】 ウェーハ１の裏面１ｂを上にしてチャックテ
ーブル２に保持する工程と、このウェーハの裏面にウェ
ーハの内部まで透過する光を照射してアライメント３を
行う工程と、このアライメント結果に基づいてウェーハ
の裏面１ｂにブレード４を作用させる工程とを少なくと
も含む。ウェーハの内部まで透過する光は赤外線であ
る。
に保持しても、下になった表面のストリートに対応させ
て裏面からダイシングし又は溝入れ加工すべき裏面箇所
をアライメントできるようにした、ウェーハのダイシン
グ方法を得る。 【構成】 ウェーハ１の裏面１ｂを上にしてチャックテ
ーブル２に保持する工程と、このウェーハの裏面にウェ
ーハの内部まで透過する光を照射してアライメント３を
行う工程と、このアライメント結果に基づいてウェーハ
の裏面１ｂにブレード４を作用させる工程とを少なくと
も含む。ウェーハの内部まで透過する光は赤外線であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハのダイ
シング方法に関するものである。
シング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のダイシング方法は、通常図８に示
すように半導体ウェーハ１をその表面１ａ（回路パター
ンが形成されている）を上にしてダイシング装置のチャ
ックテーブル２に保持し、アライメント手段３例えば顕
微鏡による目視若しくはＴＶカメラ等によって切断すべ
きストリートの位置合わせを行い、そのストリートに沿
ってブレード４により正確にダイシングするようになっ
ている。この場合、ウェーハ表面に切削屑（コンタミ）
が付着してボンディングパット等が汚染するという問題
があり、裏面からのダイシング（表面はコンタミによっ
て汚染されない）が望まれている。又、他の観点から半
導体ウェーハ１の裏面１ｂ側にチッピングと称する細か
い欠けが生じ易く、即ち図９に示すように切断されたチ
ップ５の裏面５ｂの周縁部にチッピング６が生じる欠点
があった。このような欠点を防止するには、例えばスト
リートの真下に当たるウェーハの裏面箇所に予めベベル
カット等の溝入れ加工を施しておけば、表面側のストリ
ートをダイシングした際の裏面側に加わる切削負荷が溝
により吸収若しくは緩和されるためチッピングの発生を
防止することができる。
すように半導体ウェーハ１をその表面１ａ（回路パター
ンが形成されている）を上にしてダイシング装置のチャ
ックテーブル２に保持し、アライメント手段３例えば顕
微鏡による目視若しくはＴＶカメラ等によって切断すべ
きストリートの位置合わせを行い、そのストリートに沿
ってブレード４により正確にダイシングするようになっ
ている。この場合、ウェーハ表面に切削屑（コンタミ）
が付着してボンディングパット等が汚染するという問題
があり、裏面からのダイシング（表面はコンタミによっ
て汚染されない）が望まれている。又、他の観点から半
導体ウェーハ１の裏面１ｂ側にチッピングと称する細か
い欠けが生じ易く、即ち図９に示すように切断されたチ
ップ５の裏面５ｂの周縁部にチッピング６が生じる欠点
があった。このような欠点を防止するには、例えばスト
リートの真下に当たるウェーハの裏面箇所に予めベベル
カット等の溝入れ加工を施しておけば、表面側のストリ
ートをダイシングした際の裏面側に加わる切削負荷が溝
により吸収若しくは緩和されるためチッピングの発生を
防止することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウェーハ１
の裏面１ｂからのダイシング又は予め溝入れ加工（溝入
れダイシング）を施すには、その裏面１ｂを上にしてチ
ャックテーブル２に保持しなければならないため、スト
リートの形成された表面１ａは下になって見えなくな
り、そのストリートに対応してダイシング又は溝入れ加
工をすべき裏面箇所のアライメントができず、実際には
実施できないということになる。本発明は、このような
従来の不都合を解消するためになされ、ウェーハの裏面
を上にしてチャックテーブルに保持しても、下になった
表面側のストリートに対応させて裏側からダイシングで
き又は溝入れ加工すべき裏面箇所をアライメントできる
ようにした、ウェーハのダイシング方法を得ることを課
題とする。
の裏面１ｂからのダイシング又は予め溝入れ加工（溝入
れダイシング）を施すには、その裏面１ｂを上にしてチ
ャックテーブル２に保持しなければならないため、スト
リートの形成された表面１ａは下になって見えなくな
り、そのストリートに対応してダイシング又は溝入れ加
工をすべき裏面箇所のアライメントができず、実際には
実施できないということになる。本発明は、このような
従来の不都合を解消するためになされ、ウェーハの裏面
を上にしてチャックテーブルに保持しても、下になった
表面側のストリートに対応させて裏側からダイシングで
き又は溝入れ加工すべき裏面箇所をアライメントできる
ようにした、ウェーハのダイシング方法を得ることを課
題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、ウェーハの裏面を上
にしてチャックテーブルに保持する工程と、このウェー
ハの裏面にウェーハの内部まで透過する光を照射してア
ライメントを行う工程と、このアライメント結果に基づ
いてウェーハの裏面にブレードを作用させる工程と、を
少なくとも含むウェーハのダイシング方法を要旨とする
ものである。更に、本発明は、ウェーハの内部まで透過
する光は赤外線であること、裏面溝入れダイシングの前
に又は後にウェーハの表面のダイシング工程が含まれる
こと、ウェーハはテープによってフレームと一体になっ
ていること、を要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、ウェーハの裏面を上
にしてチャックテーブルに保持する工程と、このウェー
ハの裏面にウェーハの内部まで透過する光を照射してア
ライメントを行う工程と、このアライメント結果に基づ
いてウェーハの裏面にブレードを作用させる工程と、を
少なくとも含むウェーハのダイシング方法を要旨とする
ものである。更に、本発明は、ウェーハの内部まで透過
する光は赤外線であること、裏面溝入れダイシングの前
に又は後にウェーハの表面のダイシング工程が含まれる
こと、ウェーハはテープによってフレームと一体になっ
ていること、を要旨とするものである。
【０００５】
【作 用】ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブル
に保持し、このウェーハの裏面にウェーハの内部まで透
過する光を照射して、下になった表面側のストリートに
対応させて裏側からダイシングでき又は溝入れ加工すべ
き裏面箇所をアライメントすることができる。
に保持し、このウェーハの裏面にウェーハの内部まで透
過する光を照射して、下になった表面側のストリートに
対応させて裏側からダイシングでき又は溝入れ加工すべ
き裏面箇所をアライメントすることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に（従来例と同一部材は前記と同一符号で）説明す
る。図１において、１は半導体ウェーハであり、(1) の
ように裏面１ｂを上にしてチャックテーブル２に保持
し、下になった表面１ａ側には回路パターンが形成され
ている。
詳細に（従来例と同一部材は前記と同一符号で）説明す
る。図１において、１は半導体ウェーハであり、(1) の
ように裏面１ｂを上にしてチャックテーブル２に保持
し、下になった表面１ａ側には回路パターンが形成され
ている。
【０００７】前記チャックテーブル２によるウェーハ１
の保持工程がなされた後、図１(2)のように赤外線アラ
イメントユニット７を用いてアライメント工程がなされ
る。即ち、赤外線アライメントユニット７は赤外線ラン
プ７ａを有し、この赤外線ランプ７ａから前記ウェーハ
１の内部まで透過する赤外線が照射され、ウェーハ１の
表面１ａでの反射光を赤外線用テレビカメラ（図略）で
検出することにより、表面のストリートに対応する裏面
箇所をアライメントできるようにしてある。
の保持工程がなされた後、図１(2)のように赤外線アラ
イメントユニット７を用いてアライメント工程がなされ
る。即ち、赤外線アライメントユニット７は赤外線ラン
プ７ａを有し、この赤外線ランプ７ａから前記ウェーハ
１の内部まで透過する赤外線が照射され、ウェーハ１の
表面１ａでの反射光を赤外線用テレビカメラ（図略）で
検出することにより、表面のストリートに対応する裏面
箇所をアライメントできるようにしてある。
【０００８】このアライメント結果に基づいて、図１
(3) のようにウェーハ１の裏面１ｂにブレードを作用さ
せる工程つまりダイシング又は溝入れ加工が遂行され
る。溝入れ加工の場合は、例えば図２に示すようにベベ
ルカット用ブレード４′を用いてＶ溝型の裏面溝入れダ
イシング８を施すことによりなされる。ダイシングの場
合は、裏面側にＶ溝を形成した後又はＶ溝を形成しない
でフルカット若しくはハーフカットが表面側のストリー
トに対応して遂行される。
(3) のようにウェーハ１の裏面１ｂにブレードを作用さ
せる工程つまりダイシング又は溝入れ加工が遂行され
る。溝入れ加工の場合は、例えば図２に示すようにベベ
ルカット用ブレード４′を用いてＶ溝型の裏面溝入れダ
イシング８を施すことによりなされる。ダイシングの場
合は、裏面側にＶ溝を形成した後又はＶ溝を形成しない
でフルカット若しくはハーフカットが表面側のストリー
トに対応して遂行される。
【０００９】図１(3) で溝入れ加工を施した場合には、
次に図１(4) に示すようにウェーハ１をひっくり返して
表面１ａを上にして再度チャックテーブル２に保持し、
図１(5) のように表面１ａのストリートをアライメント
手段３によりアライメントし、図１(6) に示すように通
常のブレード４でストリートに沿ってダイシングが遂行
される。
次に図１(4) に示すようにウェーハ１をひっくり返して
表面１ａを上にして再度チャックテーブル２に保持し、
図１(5) のように表面１ａのストリートをアライメント
手段３によりアライメントし、図１(6) に示すように通
常のブレード４でストリートに沿ってダイシングが遂行
される。
【００１０】このようにして、ウェーハ１の表面１ａを
ストリートに沿ってダイシングすると、図３(2) に示す
ようにウェーハ１の表面１ａから裏面１ｂのＶ溝型の裏
面溝入れダイシング８の真ん中を抜ける切断となる。そ
の切断されたチップ９は、図４に示すように裏面の周縁
部に沿ってあたかも面取り９ａが施されたような形状と
なり、表面のダイシング時にウェーハ１のＶ溝型の裏面
溝入れダイシング８が切削負荷を吸収し又は緩和するの
で、ウェーハ１の裏面１ｂ側にチッピングが生じること
はない。
ストリートに沿ってダイシングすると、図３(2) に示す
ようにウェーハ１の表面１ａから裏面１ｂのＶ溝型の裏
面溝入れダイシング８の真ん中を抜ける切断となる。そ
の切断されたチップ９は、図４に示すように裏面の周縁
部に沿ってあたかも面取り９ａが施されたような形状と
なり、表面のダイシング時にウェーハ１のＶ溝型の裏面
溝入れダイシング８が切削負荷を吸収し又は緩和するの
で、ウェーハ１の裏面１ｂ側にチッピングが生じること
はない。
【００１１】図５に示すのは本発明の他の実施例であ
り、(1) ウェーハ１１の裏面１１ｂに予めＶ溝型の裏面
溝入れダイシング１８を施し、(2) これをひっくり返し
てウェーハ１１の表面１１ａのストリートに沿って同じ
くＶ溝型の表面溝入れダイシング１８′を施すと共に、
(3) そのＶ溝型の表面溝入れダイシング１８′の真ん中
をダイシングして切断するものである。このようにして
切断されたチップ１９は、図６に示すように表裏面いず
れの周縁部にも面取り１９ａを施したような形状とな
る。
り、(1) ウェーハ１１の裏面１１ｂに予めＶ溝型の裏面
溝入れダイシング１８を施し、(2) これをひっくり返し
てウェーハ１１の表面１１ａのストリートに沿って同じ
くＶ溝型の表面溝入れダイシング１８′を施すと共に、
(3) そのＶ溝型の表面溝入れダイシング１８′の真ん中
をダイシングして切断するものである。このようにして
切断されたチップ１９は、図６に示すように表裏面いず
れの周縁部にも面取り１９ａを施したような形状とな
る。
【００１２】これはダイシング時に、ウェーハの表面側
にチッピングが生じないようにとの配慮からなされたも
のであり、この場合図５(2) の工程と、(3) の工程とは
二工程に分けても或は同時に一工程で行ってもどちらで
も良く、同時に一工程で行うには前記ベベルカット用ブ
レード４′と通常のブレード４とを前後に配設し、これ
らを同時に同方向に移動させることによってＶ溝型の表
面ダイシング１８′に連続させて通常のダイシングをす
るように構成すれば良い。
にチッピングが生じないようにとの配慮からなされたも
のであり、この場合図５(2) の工程と、(3) の工程とは
二工程に分けても或は同時に一工程で行ってもどちらで
も良く、同時に一工程で行うには前記ベベルカット用ブ
レード４′と通常のブレード４とを前後に配設し、これ
らを同時に同方向に移動させることによってＶ溝型の表
面ダイシング１８′に連続させて通常のダイシングをす
るように構成すれば良い。
【００１３】図７はウェーハ１を裏面を上にしてテープ
１０に貼着しフレーム１２と一体にした例であり、この
フレーム１２を介して各工程を遂行すれば、ウェーハ１
の取り扱いがし易く且つ各工程の作業能率を向上させる
ことができる。従って、例えば図７で示す状態でウェー
ハ１の裏面を研磨する装置に搬送して所定の裏面研磨を
遂行し、その後フレーム１２をもってダイシング装置の
チャックテーブルまで搬送して裏面からのダイシングを
遂行するようにもできる。
１０に貼着しフレーム１２と一体にした例であり、この
フレーム１２を介して各工程を遂行すれば、ウェーハ１
の取り扱いがし易く且つ各工程の作業能率を向上させる
ことができる。従って、例えば図７で示す状態でウェー
ハ１の裏面を研磨する装置に搬送して所定の裏面研磨を
遂行し、その後フレーム１２をもってダイシング装置の
チャックテーブルまで搬送して裏面からのダイシングを
遂行するようにもできる。
【００１４】尚、裏面の溝入れダイシングの実施例では
ウェーハの裏面にＶ溝型の裏面溝入れダイシングを施
し、その後表面側から通常のダイシングをする方法であ
ったが、ウェーハの表面ストリートに沿ってＶ溝型の表
面ダイシングを施し、その後裏面側から通常のダイシン
グをするようにしても良く、つまり裏面溝入れダイシン
グの前に又は後にウェーハの表面のダイシング工程を遂
行する。又、Ｖ溝型の裏面溝入れダイシングの代わりに
凹溝型の裏面溝入れダイシングを施すようにしても良
い。
ウェーハの裏面にＶ溝型の裏面溝入れダイシングを施
し、その後表面側から通常のダイシングをする方法であ
ったが、ウェーハの表面ストリートに沿ってＶ溝型の表
面ダイシングを施し、その後裏面側から通常のダイシン
グをするようにしても良く、つまり裏面溝入れダイシン
グの前に又は後にウェーハの表面のダイシング工程を遂
行する。又、Ｖ溝型の裏面溝入れダイシングの代わりに
凹溝型の裏面溝入れダイシングを施すようにしても良
い。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブルに保持し、
このウェーハの裏面にウェーハの内部まで透過する光を
照射して下になった表面側のストリートに対応させてダ
イシング又は溝入れ加工すべき裏面箇所をアライメント
することができるので、ウェーハの表面のストリートに
対応させてダイシング又はウェーハの裏面箇所に予め溝
入れ加工を施すことができる。従って、裏面からフルカ
ット又はハーフカットのダイシングを遂行する場合は、
ウェーハ表面を切削屑で汚染することがなく、ボンディ
ングパット等にコンタミが付着することがない。又、他
の観点から裏面溝入れダイシングを施しておけば表面か
ら切断するダイシング時に切削負荷が裏面の溝によって
吸収若しくは緩和され、ウェーハの裏面側に生じるチッ
ピングを未然に防止する効果を奏する。
ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブルに保持し、
このウェーハの裏面にウェーハの内部まで透過する光を
照射して下になった表面側のストリートに対応させてダ
イシング又は溝入れ加工すべき裏面箇所をアライメント
することができるので、ウェーハの表面のストリートに
対応させてダイシング又はウェーハの裏面箇所に予め溝
入れ加工を施すことができる。従って、裏面からフルカ
ット又はハーフカットのダイシングを遂行する場合は、
ウェーハ表面を切削屑で汚染することがなく、ボンディ
ングパット等にコンタミが付着することがない。又、他
の観点から裏面溝入れダイシングを施しておけば表面か
ら切断するダイシング時に切削負荷が裏面の溝によって
吸収若しくは緩和され、ウェーハの裏面側に生じるチッ
ピングを未然に防止する効果を奏する。
【図１】 本発明の実施例を工程順に示す説明図であ
る。
る。
【図２】 ウェーハの裏面溝入れダイシングの一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】 (1) 〜(2) は裏面溝入れダイシングの後に表
面のダイシングを遂行した状態を示すウェーハの部分断
面図である。
面のダイシングを遂行した状態を示すウェーハの部分断
面図である。
【図４】 切断されたチップの斜視図である。
【図５】 本発明の他の実施例を示すもので、(1) 〜
(3) はダイシングを遂行したウェーハの部分断面図であ
る。
(3) はダイシングを遂行したウェーハの部分断面図であ
る。
【図６】 切断されたチップの斜視図である。
【図７】 テープを介してフレームと一体にされたウェ
ーハの平面図である。
ーハの平面図である。
【図８】 従来例の説明図である。
【図９】 従来のチップの断面図である。
１…半導体ウェーハ １ａ…表面 １ｂ…裏面
２…チャックテーブル ３…アライメント手段 ４…ブレード ４′…ベベ
ルカット用ブレード ５…チップ ５ｂ…裏面 ６…チッピング ７…
赤外線アライメントユニット ７ａ…赤外線ランプ
８…裏面溝入れダイシング ９…チップ １０…テープ １１…ウェーハ １１ａ…表面
１１ｂ…裏面 １２…フレーム １８…裏面溝入れ
ダイシング １８′…Ｖ溝型の表面溝入れダイシング
１９…チップ １９ａ…面取り
２…チャックテーブル ３…アライメント手段 ４…ブレード ４′…ベベ
ルカット用ブレード ５…チップ ５ｂ…裏面 ６…チッピング ７…
赤外線アライメントユニット ７ａ…赤外線ランプ
８…裏面溝入れダイシング ９…チップ １０…テープ １１…ウェーハ １１ａ…表面
１１ｂ…裏面 １２…フレーム １８…裏面溝入れ
ダイシング １８′…Ｖ溝型の表面溝入れダイシング
１９…チップ １９ａ…面取り
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェーハの裏面を上にしてチャックテー
ブルに保持する工程と、このウェーハの裏面にウェーハ
の内部まで透過する光を照射してアライメントを行う工
程と、このアライメント結果に基づいてウェーハの裏面
にブレードを作用させる工程と、を少なくとも含むウェ
ーハのダイシング方法。 - 【請求項２】 ウェーハの内部まで透過する光は赤外線
である、請求項１記載のウェーハのダイシング方法。 - 【請求項３】 裏面溝入れダイシングの前に又は後にウ
ェーハの表面のダイシング工程が含まれる、請求項１又
は２記載のウェーハのダイシング方法。 - 【請求項４】 ウェーハはテープによってフレームと一
体になっている、請求項１乃至３記載のウェーハのダイ
シング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246693A JPH06232255A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ウェーハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246693A JPH06232255A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ウェーハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232255A true JPH06232255A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12359753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3246693A Pending JPH06232255A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ウェーハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232255A (ja) |
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| KR20210036805A (ko) | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법, 및 웨이퍼의 가공 장치 |
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-
1993
- 1993-01-29 JP JP3246693A patent/JPH06232255A/ja active Pending
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