DE102020212097B4 - Waferbearbeitungsverfahren zum teilen eines wafers und waferbearbeitungsvorrichtung - Google Patents

Waferbearbeitungsverfahren zum teilen eines wafers und waferbearbeitungsvorrichtung Download PDF

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Abstract

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (10) entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien (14), um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien (14) an einer Vorderseite (10a) des Wafers (10) ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente (12) einzeln ausgebildet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst:einen Verbindungsschritt eines Positionierens des Wafers (10) in einer Öffnung eines Rahmens (F), wobei die Öffnung zum Unterbringen des Wafers (10) ist, eines Anbringens einer Haftfolie (T) an der Vorderseite (10a) des Wafers (10) und an einer Rückseite des Rahmens (F), um dadurch den Wafer (10) und den Rahmen (F) durch die Haftfolie (T) zu verbinden;einen Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt eines Ausbildens einer Schicht einer Flüssigkeit an einer Tragfläche (24a) eines in einer Trageinheit (20) vorhandenen Wafertischs (24), wobei die Trageinheit (20) einen den Rahmen (F) befestigenden Rahmenbefestigungsabschnitt (22) aufweist und wobei der Wafertisch (24) die den Wafer (10) tragende und aus einer transparenten Platte ausgebildete Tragfläche (24a) aufweist;einen Befestigungsschritt eines Platzierens einer Seite der Haftfolie (T) des Wafers (10) am Wafertisch (24), an dem die Schicht der Flüssigkeit ausgebildet wurde, eines Befestigens des Wafers (10) am Wafertisch (24) durch die Haftfolie (T) und eines Befestigens des Rahmens (F) mit dem Rahmenbefestigungsabschnitt (22);einen Detektionsschritt eines Abbildens des Wafers (10) durch den Wafertisch (24), die Schicht der Flüssigkeit und die Haftfolie (T) mit einer Abbildungseinheit (40), die gegenüber zu der Tragfläche (24a) des Wafertischs (24) positioniert ist, um dadurch die an der Vorderseite (10a) des Wafers (10) ausgebildeten Teilungslinien (14) zu detektieren; undeinen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens eines Abschnitts an einer Rückseite des Wafers (10), wobei der Abschnitt jeder der Teilungslinien (14), die im Detektionsschritt detektiert wurden, entspricht.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an einer Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind. Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Waferbearbeitungsverfahren, das den Wafer bearbeitet.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Mehrere sich kreuzende Teilungslinien werden zunächst an einer Vorderseite eines Wafers festgelegt, wodurch mehrere getrennte Bereiche an der Vorderseite des Wafers definiert werden. In jedem getrennten Bereich wird dann ein Bauelement wird beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC) und ein Large Scale Integration Circuit (LSI) ausgebildet. Der Wafer mit den daran ausgebildeten Bauelementen wird unter Verwendung einer Teilungsvorrichtung, einer Laserbearbeitungsvorrichtung oder dergleichen in einzelne Bauelementchips geteilt und die somit erhaltenen Bauelementchips werden in elektronischer Ausstattung wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs verwendet.
  • Die mehreren Bauelemente könnten auch einen Abbildungssensor wie beispielsweise einen komplementären Metalloxid-Halbleiter (CMOS) und ein ladungsgekoppeltes Bauelement (CCD) beinhalten. Wenn ein Wafer mit den mehreren Bauelementen mit dem an einer Vorderseite davon ausgebildeten oben beschriebenen Abbildungssensor in einzelne Bauelementchips geteilt wird, könnte Bearbeitungsstaub an einer Vorderseite jedes Bauelementchips haften, wodurch die Qualität des Bauelementchips verringert wird. Um dies zu verhindern, ist ein Vorgehen vorgeschlagen worden, bei dem ein Teilungsband an der Vorderseite des Wafers angeordnet wird, die Teilungslinien von einer Rückseite des Wafers unter Verwendung einer Infrarotkamera detektiert werden und der Wafer in einzelne Bauelementchips geteilt wird (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift JP H06- 232 255 A ).
  • Weiterer Stand der Technik kann dem Dokument JP 2014- 229 772 A entnommen werden, das eine Bearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten eines Wafers entlang einer geplanten Teilungslinie betrifft.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Metallfolie könnte in einigen Fällen an einer Rückseite eines Wafers mit den oben beschriebenen an einer Vorderseite davon ausgebildeten Bauelementen ausgebildet werden. In diesem Fall tritt, selbst, wenn der Wafer unter Verwendung einer Infrarotkamera von der Rückseite davon abgebildet wird, ein Infrarotstrahl nicht durch die Metallfolie durch, was ein Problem dahingehend verursacht, dass die an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Teilungslinien nicht detektiert werden können.
  • Es ist deswegen ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren, das ein Bearbeiten zum Teilen eines Wafers von einer Rückseite des Wafers entlang von Teilungslinien ausführen kann, selbst, wenn die Rückseite des Wafers mit einer Metallfolie abgedeckt ist, und eine Waferbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die ein solches Verfahren implementiert.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien bereitgestellt, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an einer Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind. Das Waferbearbeitungsverfahren umfasst einen Verbindungsschritt eines Positionierens des Wafers in einer Öffnung eines Rahmens, wobei die Öffnung zum Unterbringen des Wafers ist, eines Anbringens einer Haftfolie an der Vorderseite des Wafers und an einer Rückseite des Rahmens, um dadurch den Wafer und den Rahmen durch die Haftfolie zu verbinden, einen Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt eines Ausbildens einer Schicht einer Flüssigkeit an einer Tragfläche eines in einer Trageinheit vorhandenen Wafertischs, wobei die Trageinheit einen den Rahmen befestigenden Rahmenbefestigungsabschnitt aufweist und wobei der Wafertisch die den Wafer tragende und aus einer transparenten Platte ausgebildete Tragfläche aufweist, einen Befestigungsschritt eines Platzierens einer Seite der Haftfolie des Wafers am Wafertisch, an dem die Schicht der Flüssigkeit ausgebildet wurde, eines Befestigens des Wafers am Wafertisch durch die Haftfolie und eines Befestigens des Rahmens mit dem Rahmenbefestigungsabschnitt, einen Detektionsschritt eines Abbildens des Wafers durch den Wafertisch, die Schicht der Flüssigkeit und die Haftfolie mit einer Abbildungseinheit, die gegenüber zu Tragfläche des Wafertischs positioniert ist, um dadurch die an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Teilungslinien zu detektieren, und einen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens eines Abschnitts an einer Rückseite des Wafers, wobei der Abschnitt jeder der Teilungslinien entspricht, die im Detektionsschritt detektiert wurden.
  • Im Aspekt der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung ist die im Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt verwendete Flüssigkeit bevorzugt Wasser. Darüber hinaus könnte im Bearbeitungsschritt im Bearbeitungsschritt ein Schneiden an dem Abschnitt der Rückseite des Wafers mit einer drehbar mit einer Schneidklingen versehenen Schneideinheit ausgeführt werden, wobei der Abschnitt jeder der Teilungslinien entspricht.
  • Zusätzlich könnte das Waferbearbeitungsverfahren ferner einen Entladeschritt, nach dem Bearbeitungsschritt, eines Blasens von Luft zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch und der Haftfolie umfassen, um dadurch den mit dem Rahmen verbundenen Wafer von der Trageinheit zu trennen und den Wafer zu entladen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Waferbearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, die einen Wafer entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien teilt, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an einer Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind, wobei der Wafer in einer Öffnung eines Rahmens positioniert ist, wobei die Öffnung zum Unterbringen des Wafers ist, wobei eine Haftfolie an der Vorderseite des Wafers und an einer Rückseite des Rahmens angebracht ist, wodurch der Wafer durch die Haftfolie mit dem Rahmen verbunden wird. Die Waferbearbeitungsvorrichtung weist eine Trageinheit mit einem den Rahmen befestigenden Rahmenbefestigungsabschnitt und einen Wafertisch mit einer Tragfläche, die den Wafer trägt und aus einer transparenten Platte ausgebildet ist, eine Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit, die einen Düsenabschnitt aufweist und eine Schicht einer Flüssigkeit an der Tragfläche des Wafertischs ausbildet, eine Abbildungseinheit mit einer Abbildungskamera, die gegenüber der Tragfläche des Wafertischs positioniert werden kann, und eine Luftblasdüse, die Luft zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch und der Haftfolie bläst, auf.
  • Gemäß dem Waferbearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird der Wafer, selbst, wenn die Rückseite des Wafers mit der Metallfolie abgedeckt ist, genau entlang der Teilungslinien von der Rückseite des Wafers bearbeitet und der Wafer kann in einzelne Bauelementchips geteilt werden. Darüber hinaus ermöglicht es die Schicht der Flüssigkeit, selbst in einem Fall, in dem eine Rückseite der Haftfolie einer Mattierung unterzogen wird, dass das Sichtfeld klar wird, und demgemäß ist es möglich, die an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten durch die Haftfolie gesehenen Teilungslinien positiv zu detektieren.
  • Darüber hinaus wird gemäß der Waferbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung, selbst, wenn die Rückseite des Wafers mit der Metallfolie abgedeckt ist, der Wafer entlang der Teilungslinien von der Rückseite des Wafers genau bearbeitet und der Wafer kann in einzelne Bauelementchips geteilt werden. Darüber hinaus ermöglicht es die Schicht der Flüssigkeit, selbst in einem Fall, in dem eine Rückseite der Haftfolie einer Mattierung unterzogen wird, dass das Sichtfeld klar wird, und demgemäß ist es möglich, die an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten durch die Haftfolie gesehenen Teilungslinien positiv zu detektieren.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und ihre Umsetzungsweise werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • KURZE FIGURENBESCHREIBUNG
    • 1 ist eine schematische Perspektivansicht eines Wafers als ein in einem Waferbearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeitendes Werkstück;
    • 2 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Waferbearbeitungsvorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellt;
    • 3 ist eine schematische Explosionsperspektivansicht, die einen Teil einer in der in 2 dargestellten Waferbearbeitungsvorrichtung angeordneten Trageinheit darstellt;
    • 4 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Weise eines Ausführens eines Flüssigkeitsfilm-Ausbildungsschritts darstellt;
    • 5 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Weise eines Ausführens eines Detektionsschritts darstellt;
    • 6 ist eine Perspektivansicht, die eine Weise eines Bearbeitungsschritts darstellt; und
    • 7 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Weise eines Betätigens einer Luftblaseinheit in einem Entladeschritt darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Waferbearbeitungsverfahren und eine Waferbearbeitungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden nun detailliert unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden.
  • In 1 ist ein Beispiel eines im Waferbearbeitungsverfahren und der Waferbearbeitungsvorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeitenden Werkstücks dargestellt. Das in 1 dargestellte Werkstück 1 ist ein Wafer 10 mit einer Vorderseite 10a und einer Rückseite 10b. Mehrere sich kreuzende Teilungslinien 14 sind an der Vorderseite 10a des Wafers 10 ausgebildet, um dadurch mehrere jeweilige getrennte Bereiche zu definieren, an denen mehrere Bauelemente 12 ausgebildet sind. Eine Metallfolie 16 ist an der Rückseite 10b des Wafers 10 ausgebildet. Wie in 1 dargestellt ist, ist ein ringförmiger Rahmen F mit einer Öffnung, die in der Lage ist, den Wafer 10 unterzubringen, bereitgestellt und der Wafer 10 wird so umgedreht, dass die Rückseite 10b mit der daran ausgebildeten Metallfolie 16 nach oben gerichtet ist und in der Öffnung des Rahmens F positioniert ist. Dann wird in diesem Zustand ein Haftband T an einer Rückseite des Rahmens F und der Vorderseite 10a des Wafers 10 angebracht, um dadurch den Wafer 10 durch das Haftband T zu tragen. Demgemäß wird der Wafer 10 durch die Haftfolie T mit dem Rahmen F verbunden.
  • 2 stellt eine Perspektivansicht einer gesamten Teilungsvorrichtung 1 als ein Beispiel einer zum Implementieren des Waferbearbeitungsverfahrens der vorliegenden Erfindung geeigneten Waferbearbeitungsvorrichtung dar. Die Teilungsvorrichtung 1 weist eine Trageinheit 20, eine Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30, eine Abbildungseinheit 40 und eine Luftblaseinheit 50 auf. Insbesondere weist die Trageinheit 20 mindestens mehrere als ein Rahmenbefestigungsabschnitt dienende Klemmen 22 und einen Wafertisch 24 mit einer den Wafer 10 tragenden Tragfläche 24a, die aus einer transparenten Platte ausgebildet ist, auf. Die Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 bildet eine Flüssigkeitsschicht am in der Trageinheit 20 vorhandenen Wafertisch 24 aus. Die Abbildungseinheit 40 ist so angeordnet, dass sie in der Lage ist, gegenüber der Tragfläche 24a des Wafertischs 24 positioniert zu werden. Die Luftblaseinheit 50 bläst Luft zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch 24 und der Haftfolie T.
  • Ferner weist die Teilungsvorrichtung 1 einen X-Achsenbewegungsmechanismus 60, eine Schneideinheit 70 und einen Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 auf. Insbesondere führt der X-Achsenbewegungsmechanismus 60 die Trageinheit 20 in einer in 2 durch einen Pfeil X dargestellten X-Achsenrichtung zu. Die Schneideinheit 70 schneidet den am Wafertisch 24 gehaltenen Wafer 10 als eine Bearbeitungseinheit, welche die Rückseite 10b des Wafers 10 bearbeitet. Der Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 indiziert die Schneideinheit 70 in einer in 2 durch einen Pfeil Y dargestellten Y-Richtung, wobei die Y-Achsenrichtung senkrecht zur X-Achsenrichtung ist.
  • Wie in 2 dargestellt ist, weist die Trageinheit 20 eine rechteckig geformte in der X-Achsenrichtung bewegbare Platte 21, einen Tragtisch 23 mit einer im Wesentlichen U-Form (C-Form) in einem Querschnitt und eine drehbare Tragsäule 25 mit einer zylindrischen Form auf. Insbesondere ist die in der X-Achsenrichtung bewegbare Platte 21 an einem Basistisch 2 angebracht, um in der X-Achsenrichtung bewegbar zu sein. Der Tragtisch 23 ist an einer oberen Oberfläche der in der X-Achsenrichtung bewegbaren Platte 21 befestigt. Die drehbare Tragsäule 25 ist am Tragtisch 23 angeordnet und weist den Wafertisch 24 daran platziert auf. Die mehreren Klemmen 22, die oben beschrieben sind, sind zwischen der drehbaren Tragsäule 25 und dem Wafertisch 24 in gleichen Abständen in einer Umfangsrichtung angeordnet.
  • Der X-Achsenbewegungsmechanismus 60 wandelt eine Drehbewegung eines Motors 61 durch eine Kugelgewindespindel 62 in eine lineare Bewegung um und überträgt die lineare Bewegung zur in der X-Achsenrichtung bewegbaren Platte 21, um dadurch die in der X-Achsenrichtung bewegbare Platte 21 in der X-Achsenrichtung entlang eines Paares an dem Basistisch 2 angeordneter X-Achsenführungsschienen 2A hin und her zu bewegen.
  • Die Schneideinheit 70 ist in der Y-Achsenrichtung neben einem Bereich angeordnet, in dem sich die Trageinheit 20 in der X-Achsenrichtung bewegt, das heißt, an einer in der Y-Achsenrichtung hinteren Position. Die Schneideinheit 70 weist eine Spindeleinheit 71 auf. Die Spindeleinheit 71 weist eine Schneidklinge 73, die einen Schneidrand an einem äußeren Umfang davon aufweist und an einem Spitzenende einer Drehspindel 72 befestigt ist, und eine die Schneidklinge 73 schützende Klingenabdeckung 74 auf. Die Klingenabdeckung 74 weist ein an einer Position neben der Schneidklinge 73 angeordnetes Schneidwasserzuführmittel 75 auf, wobei das Schneidwasserzuführmittel 75 Schneidwasser, das durch die Klingenabdeckung 74 eingebracht wird, zu einer Schneidposition zuführt. An einer anderen Spitzenendseite der Spindeleinheit 71 ist eine nicht dargestellte Drehantriebsquelle wie beispielsweise ein Motor untergebracht und der Motor dreht die Drehspindel 72 um ihre Achse, wodurch die Schneidklinge 73 gedreht wird.
  • Die oben beschriebene Schneideinheit 70 wird durch einen Schneideinheittragabschnitt 77 getragen. Ein Paar zur Y-Achsenrichtung paralleler Y-Achsenführungsschienen 2B ist am Basistisch 2 angeordnet und der Schneideinheittragabschnitt 77 ist verschiebbar am Paar Y-Achsenführungsschienen 2B angebracht. Der Schneideinheittragabschnitt 77 ist so ausgestaltet, dass er durch den Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 entlang der Y-Achsenrichtung bewegbar ist. Der Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 wandelt eine Drehbewegung eines Motors 81 durch eine Kugelgewindespindel 82 in eine lineare Bewegung um und überträgt die lineare Bewegung zum Schneideinheittragabschnitt 77, wodurch der Schneideinheittragabschnitt 77 in der Y-Achsenrichtung entlang des Paars Y-Achsenführungsschienen 2B am Basistisch 2 hin und her bewegt wird.
  • Ein Paar zu einer durch einen Pfeil Z dargestellten Z-Achsenrichtung (Hoch-und-Runter-Richtung) paralleler Z-Achsenführungsschienen 78 ist an einer Oberfläche einer oberen Seite des Schneideinheittragabschnitts 77 vorgesehen. Ein die Spindeleinheit 71 tragender Z-Achsenbewegungstisch 76 ist verschiebbar am Paar Z-Achsenführungsschienen 78 angebracht. Ein Motor 79 ist im Schneideinheittragabschnitt 77 angeordnet und eine Drehung des Motors 79 wird durch eine nicht dargestellte Kugelgewindespindel in eine lineare Bewegung umgewandelt, sodass die lineare Bewegung zum Z-Achsenbewegungstisch 76 übertragen wird. Ein Drehen des Motors 79 bewirkt, dass sich die Spindeleinheit 71 durch den Z-Achsenbewegungstisch 76 in der Z-Achsenrichtung nach oben und nach unten bewegt.
  • Die Abbildungseinheit 40 weist ein am Schneideinheittragabschnitt 77 vorgesehenes Kameraerstreckungselement 41 und eine an einem Spitzenendabschnitt des Kameraerstreckungselements 41 angeordnete Abbildungskamera 42 auf. Wenn der Tragtisch 23 in der X-Achsenrichtung bewegt wird, um direkt unter der Schneidklinge 74 positioniert zu werden, wird die Abbildungskamera 42 innerhalb des durch die U-förmigen Oberflächen des Tragtischs 23 definierten Raumes positioniert. Dann wird die Abbildungskamera 42 gegenüber der Tragfläche 24a des Wafertischs 24 positioniert. Folglich ist es möglich, die Vorderseite 10a des am Wafertisch 24 getragenen Wafers 10 von einer unteren Seite mit der Abbildungskamera 42 abzubilden. Wenn ein Schneiden des Wafers 10 ausgeführt wird, bildet die Abbildungseinheit 40 den Wafer 10 ab und erhält eine Abbildung des Wafers 10, um eine Ausrichtung auszuführen, sodass eine Position jeder Teilungslinie 14 des zu schneidenden Wafers 10 detektiert wird.
  • Die Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 ist im Schneideinheittragabschnitt 77 vorgesehen und an einer Position in der X-Achsenrichtung neben der die Schneideinheit 70 ausbildenden Spindeleinheit 71 ausgebildet. Ein Düsenabschnitt 32 ist an einem Spitzenende der Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 auf eine solche Weise ausgebildet, dass er direkt über einem Zentrum des Wafertischs 24 positioniert ist, wenn der Wafertisch 24 in der X-Achsenrichtung bewegt wird. Die Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 weist ein nicht dargestelltes Flüssigkeitszuführmittel auf und eine vorgegebene Menge einer Flüssigkeit, die vom Flüssigkeitszuführmittel druckzugeführt wird, wird vom Düsenabschnitt 32 nach unten zugeführt. Die von der Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 zugeführte Flüssigkeit ist eine transparente Flüssigkeit, bevorzugt Wasser.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird die in 2 dargestellte Trageinheit 20 detaillierter beschrieben werden. 3 ist eine Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem Elemente, die in der Trageinheit 20 vorhanden sind und an dem Tragtisch 23 ausgebildet sind, in einer Explosionsansicht dargestellt sind. Ein ringförmiges Verschiebungselement 23b ist an einer oberen Oberfläche 23a des im Querschnitt im Wesentlichen U-förmig ausgebildeten Tragtischs 23 angeordnet und das Verschiebungselement 23b weist eine mit einem Ansaugloch 23c an dessen Boden versehene Ansaugnut 23d auf, wobei das Ansaugloch 23c mit einer nicht dargestellten Ansaugpumpe verbunden ist. Ein zylindrisches Element 23e ist an einer zentralen Seite des Verschiebungselements 23b errichtet. Die drehbare Tragsäule 25 ist ein zylindrisches Element und während das zylindrische Element 23e des Tragtischs 23 in einen hohlen Abschnitt 25a der drehbaren Tragsäule 25 eingeführt wird, wird ein Tragsäulenbodenabschnitt 25b der drehbaren Tragsäule 25 am Verschiebungselement 23b platziert. Ein angetriebenes Zahnrad 25c ist an einer unteren Seite der drehbaren Tragsäule 25 um einen äußeren Umfang der drehbaren Tragsäule 25 ausgebildet und ist auf eine solche Weise eingestellt, dass es mit einem Zahnrad eines Drehübertragungsabschnitts 26, der an der oberen Oberfläche 23a des Tragtischs 23 angeordnet ist, in Eingriff steht, um eine Drehung eines nicht dargestellten Motors zu übertragen. Ein innerer Durchmesser des hohlen Abschnitts 25a der drehbaren Tragsäule 25 ist leicht größer als ein äußerer Durchmesser des zylindrischen Elements 23e ausgebildet und der Tragsäulenbodenabschnitt 25b der drehbaren Tragsäule 25 weist einen darin ausgebildeten kleinen vorstehenden Abschnitt so auf, dass der vorstehende Abschnitt einer Form der Ansaugnut 23d des Verschiebungselements 23d entspricht. Demgemäß wird eine Drehung des Drehübertragungsabschnitts 26 zur drehbaren Tragsäule 25 übertragen, wobei bewirkt wird, dass sich die drehbare Tragsäule 25 auf eine gleichmäßige Weise dreht. Ein in der Hoch- und Runter-Richtung durchtretendes Verbindungsloch 25d ist in der drehbaren Tragsäule 25 ausgebildet. Ein Unterdruck vom Ansaugloch 23c wird auf einen durch die Ansaugnut 23d ausgebildeten Raum und den Bodenabschnitt der drehbaren Tragsäule 25 aufgebracht. Der Unterdruck vom Ansaugloch 23c wird durch das Verbindungsloch 25d auch auf eine obere Oberfläche der drehbaren Tragsäule 25 aufgebracht.
  • Der Wafertisch 24 ist an der oberen Oberfläche der drehbaren Tragsäule 25 platziert. Zumindest die Tragfläche 24a des Wafertischs 24, die einen Wafer trägt, ist aus einer transparenten Platte ausgebildet. Die transparente Platte ist aus Glas ausgebildet, aber die transparente Platte der vorliegenden Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Alternativ könnte die transparente Platte der vorliegenden Erfindung aus einer aus einem Acrylkunststoff hergestellten transparenten Platte ausgebildet sein. Eine ringförmige Ansaugnut 24b ist um einen äußeren Umfang der Tragfläche 24a des Wafertischs 24 ausgebildet. Ein mit dem Verbindungsloch 25d der drehbaren Tragsäule 25 in Verbindung stehendes Ansaugloch 24c ist an einem Bodenabschnitt der Ansaugnut 24b ausgebildet. Ein innerer Durchmesser der Ansaugnut 24b ist geringfügig größer festgelegt als ein äußerer Durchmesser des Wafers 10. Demgemäß wird die Haftfolie T, wenn der Wafer 10 am Wafertisch 24 befestigt ist, entlang des äußeren Umfangs des Wafers 10 angesaugt, sodass der Wafer 10 befestigt ist.
  • Eine Luftblasdüse 52 der Luftblaseinheit 50 ist an der oberen Oberfläche 23a des Tragtischs 23 angeordnet. Die Luftblasdüse 52 ist in der Nähe der drehbaren Tragsäule 25 angeordnet und eine nicht dargestellte Luftpumpe wird betätigt, um zu bewirken, dass die Luftblasdüse 52 Luft von einer lateralen Seite der drehbaren Tragsäule 25 zur Tragfläche 24a des Wafertischs 24 hin abgibt.
  • Die Teilungsvorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist im Wesentlichen die oben beschriebene Ausgestaltung auf und ein durch die Teilungsvorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform implementiertes Bearbeitungsverfahren wird unten beschrieben werden.
  • Zum Zeitpunkt eines Ausführen des Waferbearbeitungsverfahrens gemäß dieser Ausführungsform wird zunächst, wie in 1 dargestellt, ein Verbindungsschritt ausgeführt, in dem der Wafer 10 in der Öffnung des Rahmens F, der Öffnung zum Unterbringen des Wafers 10, positioniert wird und die Haftfolie T an der Vorderseite 10a des Wafers 10 und einer Rückseite des Rahmens F angebracht wird, um den Wafer 10 und den Rahmen F durch die Haftfolie T zu verbinden (Verbindungsschritt). Folglich wird der Wafer 10 durch die Haftfolie T in einem Zustand am Rahmen F gehalten, in dem die Rückseite 10b mit der daran ausgebildeten Metallfolie 16 nach oben ausgerichtet ist, wobei die Rückseite 10b der Vorderseite 10a, an welcher die Teilungslinien 14 ausgebildet sind, gegenüber angeordnet ist.
  • Nachdem der Verbindungsschritt ausgeführt wurde, wird der X-Achsenbewegungsmechanismus 60 betätigt, um den Tragtisch 23 in der X-Achsenrichtung zu bewegen, und das Zentrum des Wafertischs 24 wird direkt unter dem Düsenabschnitt 32 der Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 positioniert. Zu diesem Zeitpunkt könnte der Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 nach Notwendigkeit betätigt werden, um eine Position des Schneideinheittragabschnitts 77, der die Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit 30 trägt, einzustellen. Nachdem die Mitte des Wafertischs 24 wie in 4 dargestellt direkt unter den Düsenabschnitt 32 bewegt wurde, wird eine transparente Flüssigkeit W (in dieser Ausführungsform Wasser) in der vorgegebenen Menge von einem distalen Ende des Düsenabschnitts 32 zugeführt und eine Flüssigkeitsschicht wird am Wafertisch 24 ausgebildet (Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt). Die zuzuführende vorgegebene Menge der transparenten Flüssigkeit W ist eine Menge, die in der Lage ist, den Wafer 10 durch die Haftfolie T am Wafertisch 24 aufgrund einer Oberflächenspannung zu befestigen, wenn die Haftfolie T, an welcher der Wafer 10 angebracht ist, wie später beschrieben am Wafertisch 24 platziert ist.
  • Wie oben beschrieben, wird, nachdem die Schicht der Flüssigkeit W am Wafertisch 24 ausgebildet wurde, die Seite der Haftfolie T des Wafers 10 mit der an der Vorderseite 10a davon angebrachten Haftfolie T am Wafertisch 24 platziert und dann wird der Wafer 10 durch die Haftfolie T aufgrund der Oberflächenspannung der Flüssigkeit W am Wafertisch 24 befestigt, während gleichzeitig ein nicht dargestelltes Ansaugmittel betätigt wird, um einen Unterdruck durch das Ansaugloch 24c auf die Ansaugnut 24b des Wafertischs 24 aufzubringen, wodurch die Haftfolie T entlang des äußeren Umfangs des Wafers 10 angesaugt wird. Zusätzlich wird der Rahmen T der vorliegenden Ausführungsform mit den mehreren den Rahmenbefestigungsabschnitt ausgestaltenden Klemmen befestigt (Befestigungsschritt).
  • Wie oben beschrieben, wird, nachdem der Wafer 10 wie in 5 dargestellt am Wafertisch 24 befestigt wurde, der X-Achsenbewegungsmechanismus 60 betätigt, um den Tragtisch 23 in der X-Achsenrichtung zu bewegen, und das Zentrum des Wafertischs 24 wird direkt über die Abbildungskamera 42 der Abbildungseinheit 40 bewegt. Wie oben beschrieben, ist der Wafertisch 24 aus der transparenten Platte ausgebildet und die Schicht der Flüssigkeit W ist zwischen dem Wafertisch 24 und der Haftfolie T ausgebildet. Demgemäß wird das Sichtfeld klar, selbst, wenn die Rückseite der den Wafer 10 tragenden Haftfolie T in einem solchen Zustand ist, dass sie einer Mattierung unterzogen wird. In diesem oben beschriebenen Zustand wird die Vorderseite 10a des Wafers 10 durch den Wafertisch 24 von der unteren Seite mit der Abbildungskamera 42 abgebildet und wie in 5 dargestellt, wird die erhaltene Abbildung des Wafers 10 zu einer in der Teilungsvorrichtung 1 angeordneten Steuerungseinheit 90 übertragen, um nach Notwendigkeit an einem Anzeigebildschirm M angezeigt zu werden.
  • Die Steuerungseinheit 90 beinhaltet einen Computer mit einer gemäß einem Steuerungsprogramm rechnenden zentralen Verarbeitungseinheit (CPU), einen das Steuerungsprogramm oder dergleichen speichernden Festspeicher (ROM), einen lesbaren/schreibbaren Arbeitsspeicher (RAM) zum vorübergehenden Speichern der durch die Abbildungseinheit 40 aufgenommenen Abbildung, eines berechneten Ergebnisses oder dergleichen, eine Eingabeschnittstelle und eine Ausgabeschnittstelle, auch wenn auf eine detaillierte Darstellung davon verzichtet wird. Die Steuerungseinheit 90 beinhaltet das Steuerungsprogramm, das jede Komponente der Teilungsvorrichtung 1 steuert, nimmt eine geeignete Information beinhaltend eine durch die Abbildungseinheit 40 aufgenommene Abbildung, auf und detektiert eine Position jeder der Teilungslinien 14 durch ein Ausführen eines Mustervergleichs oder dergleichen auf der Basis der von der Abbildungseinheit 40 aufgenommenen erhaltenen Abbildung.
  • Es ist möglich, die Vorderseite 10a des Wafers 10 durch den Wafertisch 24, die Haftfolie T und die Schicht der Flüssigkeit W mit der oben beschriebenen Abbildungseinheit 40 klar abzubilden. Die Steuerungseinheit 90 führt eine Abbildungsbearbeitung wie beispielsweise einen Mustervergleich auf der Abbildung durch, wobei an der Vorderseite 10a des Wafers 10 ausgebildete Merkmalsmarkierungen P1, P2 und P3 aufgenommen werden, wodurch eine Ausrichtung durchgeführt wird, um jede der Teilungslinien 14 zu detektieren, und speichert eine Positionsinformation jeder der Teilungslinien 14 (Detektionsschritt). Insbesondere ermöglicht es die Abbildungseinheit 40, jede der an der Vorderseite 10a des Wafers 10 ausgebildeten Teilungslinien 14 durch ein Durchtreten durch den Wafertisch 24 und die Haftfolie T zu detektieren.
  • Nachdem die Teilungslinien 14 detektiert wurden, positioniert die Steuerungseinheit 90 den Wafer 10, der am Wafertisch 24 befestigt ist, direkt unter der Schneideinheit 70 und betätigt dann die Schneideinheit 70, um die Schneidklinge 73 um ihre eigene Achse gemäß der Positionsinformation jeder der Teilungslinien 14, die im oben beschriebenen Detektionsschritt detektiert wurde, zu drehen, wodurch eine Teilungsnut 100 entlang einer Vorgegebenen der sich in einer ersten Richtung parallel zur X-Achsenrichtung erstreckenden Teilungslinien 14 von der Rückseite 10b des Wafers 10 auszubilden, wie in 6 dargestellt ist. Nachdem die Teilungsnut 100 entlang einer Vorgegebenen der sich in der ersten Richtung erstreckenden Teilungslinien 14 ausgebildet wurde, wird der Y-Achsenbewegungsmechanismus 80 betätigt, um den Wafer 10 um einen Abstand der Teilungslinien 14 in der Y-Achsenrichtung zu indizieren, um mehrere Teilungsnuten 100 entlang aller in der ersten Richtung ausgebildeten Teilungslinien 14 auszubilden. Dann wird der oben beschriebene Drehübertragungsabschnitt 26 betätigt, um den Wafertisch 24 um 90 Grad entlang der drehbaren Tragsäule 25 zu drehen, und mehrere Teilungsnuten 100 werden ähnlich entlang aller sich in einer zur ersten Richtung, in der die Teilungslinien 100 vorher ausgebildet wurden, senkrechten zweiten Richtung erstreckenden Teilungslinien 14 ausgebildet. Auf diese Weise werden die Teilungslinien 100 von der Rückseite 10b des Wafers 10 entlang aller an der Vorderseite 10a des Wafers 10 ausgebildeten Teilungslinien 14 ausgebildet (Bearbeitungsschritt).
  • Wie oben beschrieben wurde, werden bevorzugt die Klemmen 22 der Trageinheit 20, nachdem der Bearbeitungsschritt ausgeführt wurde, gelöst, und die Luftblaseinheit 50 wird betätigt, um, wie in 7 dargestellt, Luft A aus der Luftblasdüse 52 von der lateralen Seite zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch 24 und der Haftfolie T zu blasen. Demgemäß entfernt die Luft A die Oberflächenspannung, die zwischen dem Wafertisch 24 und der Haftfolie T aufgrund der Flüssigkeit W ausgebildet wurde, wodurch die Haftfolie T und der Wafertisch 24 voneinander getrennt werden. Nachdem die Haftfolie T und der Wafertisch 24 voneinander getrennt wurden, wird der Wafer 10 von der Trageinheit 20 zu einer Vorrichtung oder dergleichen, die in einem späteren Schritt zu verwenden ist, oder einer Kassette zum Unterbringen des Wafers 10 entladen (Entladeschritt), auch wenn eine solche Vorrichtung oder Kassette nicht dargestellt ist.
  • In der vorangegangenen Ausführungsform sind als das Waferbearbeitungsverfahren und die Waferbearbeitungsvorrichtung, die einen Wafer bearbeitet, ein Beispiel des Waferbearbeitungsverfahrens und der Waferbearbeitungsvorrichtung dargestellt worden, wobei die Teilungsnuten 100 durch ein Schneiden des Wafers 10 unter Verwendung der Schneidklinge 73 ausgebildet werden, um dadurch den Wafer 10 in einzelne Bauelementchips zu teilen. Allerdings sind das Waferbearbeitungsverfahren und die Waferbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform nicht darauf beschränkt und könnten ein Waferbearbeitungsverfahren, bei dem eine Laserbearbeitungseinheit mit einem Laseroszillator als eine Bearbeitungseinheit verwendet wird, und eine Waferbearbeitungsvorrichtung sein, die mit einer solchen Laserbearbeitungseinheit versehen ist.

Claims (5)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (10) entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien (14), um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien (14) an einer Vorderseite (10a) des Wafers (10) ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente (12) einzeln ausgebildet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Verbindungsschritt eines Positionierens des Wafers (10) in einer Öffnung eines Rahmens (F), wobei die Öffnung zum Unterbringen des Wafers (10) ist, eines Anbringens einer Haftfolie (T) an der Vorderseite (10a) des Wafers (10) und an einer Rückseite des Rahmens (F), um dadurch den Wafer (10) und den Rahmen (F) durch die Haftfolie (T) zu verbinden; einen Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt eines Ausbildens einer Schicht einer Flüssigkeit an einer Tragfläche (24a) eines in einer Trageinheit (20) vorhandenen Wafertischs (24), wobei die Trageinheit (20) einen den Rahmen (F) befestigenden Rahmenbefestigungsabschnitt (22) aufweist und wobei der Wafertisch (24) die den Wafer (10) tragende und aus einer transparenten Platte ausgebildete Tragfläche (24a) aufweist; einen Befestigungsschritt eines Platzierens einer Seite der Haftfolie (T) des Wafers (10) am Wafertisch (24), an dem die Schicht der Flüssigkeit ausgebildet wurde, eines Befestigens des Wafers (10) am Wafertisch (24) durch die Haftfolie (T) und eines Befestigens des Rahmens (F) mit dem Rahmenbefestigungsabschnitt (22); einen Detektionsschritt eines Abbildens des Wafers (10) durch den Wafertisch (24), die Schicht der Flüssigkeit und die Haftfolie (T) mit einer Abbildungseinheit (40), die gegenüber zu der Tragfläche (24a) des Wafertischs (24) positioniert ist, um dadurch die an der Vorderseite (10a) des Wafers (10) ausgebildeten Teilungslinien (14) zu detektieren; und einen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens eines Abschnitts an einer Rückseite des Wafers (10), wobei der Abschnitt jeder der Teilungslinien (14), die im Detektionsschritt detektiert wurden, entspricht.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die im Flüssigkeitsschichtausbildungsschritt verwendete Flüssigkeit Wasser ist.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei im Bearbeitungsschritt ein Schneiden am Abschnitt der Rückseite des Wafers (10) mit einer drehbar mit einer Schneidklinge versehenen Schneideinheit ausgeführt wird, wobei der Abschnitt jeder der Teilungslinien (14) entspricht.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, ferner umfassend: einen Entladeschritt, nach dem Bearbeitungsschritt, eines Blasens von Luft zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch (24) und der Haftfolie (T), um dadurch den mit dem Rahmen (F) verbundenen Wafer (10) von der Trageinheit (20) zu trennen und den Wafer (10) zu entladen.
  5. Waferbearbeitungsvorrichtung, die einen Wafer (10) entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien (14) teilt, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien (14) an einer Vorderseite (10a) des Wafers (10) ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente (12) einzeln ausgebildet sind, wobei der Wafer (10) in einer Öffnung eines Rahmens (F) positioniert ist, wobei die Öffnung zum Unterbringen des Wafers (10) ist, wobei eine Haftfolie (T) an der Vorderseite (10a) des Wafers (10) und an einer Rückseite des Rahmens (F) angebracht ist, wodurch der Wafer (10) durch die Haftfolie (T) mit dem Rahmen (F) verbunden wird, wobei die Waferbearbeitungsvorrichtung aufweist: eine Trageinheit (20) mit einem den Rahmen (F) befestigenden Rahmenbefestigungsabschnitt (22) und einen Wafertisch (24) mit einer Tragfläche (24a), die den Wafer (10) trägt und aus einer transparenten Platte ausgebildet ist; eine Flüssigkeitsschichtausbildungseinheit, die einen Düsenabschnitt (32) aufweist und eine Schicht einer Flüssigkeit an der Tragfläche (24a) des Wafertischs (24) ausbildet; eine Abbildungseinheit (40) mit einer Abbildungskamera (42), die in der Lage ist, gegenüber der Tragfläche (24a) des Wafertischs (24) positioniert zu werden; und eine Luftblasdüse (52), die Luft zu einem Bereich zwischen dem Wafertisch (24) und der Haftfolie (T) bläst.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7325897B2 (ja) * 2019-04-18 2023-08-15 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
JP2023057819A (ja) 2021-10-12 2023-04-24 株式会社ディスコ 加工装置
CN114169675B (zh) * 2021-11-01 2022-12-13 深圳市匠心智汇科技有限公司 划切加工的监测方法、装置、终端设备及存储介质
CN114005785A (zh) * 2021-11-22 2022-02-01 苏州科韵激光科技有限公司 一种旋转平台和晶圆裂片设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232255A (ja) 1993-01-29 1994-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハのダイシング方法
JP2014229772A (ja) 2013-05-23 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3120201B2 (ja) * 1994-02-25 2000-12-25 セイコー精機株式会社 加工装置のチャック装置
JPH10284449A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム
JP5274966B2 (ja) 2008-09-30 2013-08-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP5846470B2 (ja) 2011-02-02 2016-01-20 株式会社東京精密 レーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法
JP6401988B2 (ja) * 2014-09-24 2018-10-10 株式会社ディスコ 加工装置及びウエーハの加工方法
JP6692578B2 (ja) 2016-06-30 2020-05-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6968659B2 (ja) 2017-10-25 2021-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232255A (ja) 1993-01-29 1994-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハのダイシング方法
JP2014229772A (ja) 2013-05-23 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工装置

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US20210098298A1 (en) 2021-04-01

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