JPH06275583A - 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法 - Google Patents
面取り半導体チップ及びその面取り加工方法Info
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- JPH06275583A JPH06275583A JP8776593A JP8776593A JPH06275583A JP H06275583 A JPH06275583 A JP H06275583A JP 8776593 A JP8776593 A JP 8776593A JP 8776593 A JP8776593 A JP 8776593A JP H06275583 A JPH06275583 A JP H06275583A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 表面及び裏面の各辺にクラックやチッピング
のない強度の強い半導体チップを提供し、且つその加工
方法を得る。 【構成】 半導体チップの表面及び裏面の全辺に、ダイ
シング８に先立ち又はダイシングの後に面取り加工５，
７を施す。好ましくは、表面から裏面に至る辺にも面取
り加工を施す。被加工物の表面に形成されたＩＣ等の回
路を個々のチップに分割するに先立ち、被加工物の裏面
に面取り加工を施す面取り加工方法において、少なくと
も表面から裏面に至る機械加工を施す工程と、この機械
加工によって形成された形状を基準にして面取り加工を
施す工程とからなる。
のない強度の強い半導体チップを提供し、且つその加工
方法を得る。 【構成】 半導体チップの表面及び裏面の全辺に、ダイ
シング８に先立ち又はダイシングの後に面取り加工５，
７を施す。好ましくは、表面から裏面に至る辺にも面取
り加工を施す。被加工物の表面に形成されたＩＣ等の回
路を個々のチップに分割するに先立ち、被加工物の裏面
に面取り加工を施す面取り加工方法において、少なくと
も表面から裏面に至る機械加工を施す工程と、この機械
加工によって形成された形状を基準にして面取り加工を
施す工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面取り半導体チップ及
びその面取り加工方法に関するものである。
びその面取り加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハはダイシングによって個
々のチップに分割され、その後ダイボンダー、ワイヤー
ボンダー、樹脂モールド、パッケージング等の加工工程
を経て製品となり出荷される。このような各種加工工程
において、半導体チップは種々の外力や熱応力を受ける
ため、これらの外力や熱応力に耐え得る強度を充分備え
ていなければならない。
々のチップに分割され、その後ダイボンダー、ワイヤー
ボンダー、樹脂モールド、パッケージング等の加工工程
を経て製品となり出荷される。このような各種加工工程
において、半導体チップは種々の外力や熱応力を受ける
ため、これらの外力や熱応力に耐え得る強度を充分備え
ていなければならない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のダイシ
ングによると図１０に示すように、ブレードｂによる切
断に伴ってウェーハａの表面及び裏面にクラックやチッ
ピングｃが生じ、図１１、図１２に示すようにダイシン
グされたチップｄの周縁部に細かい欠けやひび割れ等が
残ってチップの外観を損なうだけでなく、チップの強度
を弱めてしまう。従って、そのようなチップｄは、前記
ダイシング後に行われる各種加工工程において強度的に
耐えられないものとなる。そこで、本発明は表面及び裏
面の各辺に細かい欠けやひび割れのない、強度の強いチ
ップを提供し且つその加工方法を得る目的でなされたも
のである。
ングによると図１０に示すように、ブレードｂによる切
断に伴ってウェーハａの表面及び裏面にクラックやチッ
ピングｃが生じ、図１１、図１２に示すようにダイシン
グされたチップｄの周縁部に細かい欠けやひび割れ等が
残ってチップの外観を損なうだけでなく、チップの強度
を弱めてしまう。従って、そのようなチップｄは、前記
ダイシング後に行われる各種加工工程において強度的に
耐えられないものとなる。そこで、本発明は表面及び裏
面の各辺に細かい欠けやひび割れのない、強度の強いチ
ップを提供し且つその加工方法を得る目的でなされたも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を技術的に達
成するための手段として、本発明は、半導体チップの表
面及び裏面の全辺に、ダイシングに先立ち又はダイシン
グの後に面取り加工を施したことを要旨とするものであ
る。又、表面から裏面に至る辺にも面取り加工を施すこ
と、更に被加工物の表面に形成されたＩＣ等の回路を個
々のチップに分割するに先立ち、被加工物の裏面に面取
り加工を施す面取り加工方法において、少なくとも表面
から裏面に至る機械加工を施す工程と、この機械加工に
よって形成された形状を基準にして面取り加工を施す工
程と、からなる面取り加工方法を要旨とするものであ
る。
成するための手段として、本発明は、半導体チップの表
面及び裏面の全辺に、ダイシングに先立ち又はダイシン
グの後に面取り加工を施したことを要旨とするものであ
る。又、表面から裏面に至る辺にも面取り加工を施すこ
と、更に被加工物の表面に形成されたＩＣ等の回路を個
々のチップに分割するに先立ち、被加工物の裏面に面取
り加工を施す面取り加工方法において、少なくとも表面
から裏面に至る機械加工を施す工程と、この機械加工に
よって形成された形状を基準にして面取り加工を施す工
程と、からなる面取り加工方法を要旨とするものであ
る。
【０００５】
【作 用】半導体チップの表面及び裏面の全辺に相当す
る箇所即ちウェーハ表面のストリートとこのストリート
に対応する裏面箇所に、ダイシングに先立って溝付け用
ブレード等で面取り加工を施しておけばダイシング時に
クラックやチッピングの発生を未然に防止することがで
き、表面及び裏面の各辺に細かい欠けやひび割れのない
面取りチップが得られる。又、ダイシング後にチップの
表裏面の全辺に面取り加工を施せばダイシング時に生じ
たクラックやチッピングを除去できるので、この場合も
表面及び裏面の各辺に細かい欠けやひび割れのない面取
りチップを得ることが可能である。更に、少なくともウ
ェーハの表面から裏面に至る機械加工を施し、この機械
加工によって形成された形状を基準にすれば裏面の面取
り加工を施すべき箇所を裏面から容易にアライメントす
ることができる。
る箇所即ちウェーハ表面のストリートとこのストリート
に対応する裏面箇所に、ダイシングに先立って溝付け用
ブレード等で面取り加工を施しておけばダイシング時に
クラックやチッピングの発生を未然に防止することがで
き、表面及び裏面の各辺に細かい欠けやひび割れのない
面取りチップが得られる。又、ダイシング後にチップの
表裏面の全辺に面取り加工を施せばダイシング時に生じ
たクラックやチッピングを除去できるので、この場合も
表面及び裏面の各辺に細かい欠けやひび割れのない面取
りチップを得ることが可能である。更に、少なくともウ
ェーハの表面から裏面に至る機械加工を施し、この機械
加工によって形成された形状を基準にすれば裏面の面取
り加工を施すべき箇所を裏面から容易にアライメントす
ることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図１において、１は半導体ウェーハであり、
その裏面１ｂを上にしてチャックテーブル２に保持し、
下になった表面１ａには回路パターン及びストリートが
形成されている。
詳説する。図１において、１は半導体ウェーハであり、
その裏面１ｂを上にしてチャックテーブル２に保持し、
下になった表面１ａには回路パターン及びストリートが
形成されている。
【０００７】前記チャックテーブル２にはアライメント
用窓２ａとそのアライメント用窓２ａに通ずる覗き孔２
ｂが複数箇所形成され、これらを介してアライメントユ
ニット３等により表面１ａの例えばストリートを検出
し、そのストリートに対応する裏面１ｂの面取り箇所を
チャックテーブル２の裏面側からアライメント出来るよ
うにしてある。
用窓２ａとそのアライメント用窓２ａに通ずる覗き孔２
ｂが複数箇所形成され、これらを介してアライメントユ
ニット３等により表面１ａの例えばストリートを検出
し、そのストリートに対応する裏面１ｂの面取り箇所を
チャックテーブル２の裏面側からアライメント出来るよ
うにしてある。
【０００８】先ず裏面１ｂの面取り箇所をアライメント
した後、例えば図２に示すようにＶ溝用ブレード４で裏
面１ｂの面取り箇所にＶ溝状の面取り加工５を施す。
した後、例えば図２に示すようにＶ溝用ブレード４で裏
面１ｂの面取り箇所にＶ溝状の面取り加工５を施す。
【０００９】次に、図３に示すようにウェーハ１をひっ
くり返して表面１ａを上にしてチャックテーブル２′に
保持し、アライメントユニット３′等により表面１ａを
アライメントし、Ｖ溝用ブレード４′及び切断用ブレー
ド６にて図４及び図５に示すようにストリートに面取り
加工７とダイシング８とを連続的に遂行する。
くり返して表面１ａを上にしてチャックテーブル２′に
保持し、アライメントユニット３′等により表面１ａを
アライメントし、Ｖ溝用ブレード４′及び切断用ブレー
ド６にて図４及び図５に示すようにストリートに面取り
加工７とダイシング８とを連続的に遂行する。
【００１０】このようにしてダイシングすると、ウェー
ハ１の表面側及び裏面側にはいずれも面取り加工７、５
が前以て施されているので、ダイシング時にクラックや
チッピングか発生することがなく、従って分割されたチ
ップ９は図６、図７に示すように、表面及び裏面の周囲
に全て面取り９ａが施された形状のものとなり、強度の
強いチップとなる。
ハ１の表面側及び裏面側にはいずれも面取り加工７、５
が前以て施されているので、ダイシング時にクラックや
チッピングか発生することがなく、従って分割されたチ
ップ９は図６、図７に示すように、表面及び裏面の周囲
に全て面取り９ａが施された形状のものとなり、強度の
強いチップとなる。
【００１１】図８に示すのは本発明の面取り加工方法の
他の例を示すもので、少なくともウェーハの表面から裏
面に至る機械加工を施す工程と、この機械加工によって
形成された形状を基準にして裏面の面取り加工を施す工
程とからなり、ウェーハの裏面の面取り箇所のアライメ
ントをチャックテーブルの上面側から即ち裏面から容易
に出来るようにした点に特徴を有する。例えば、ウェー
ハ１１の表面１１ａを上にしてチャックテーブル上に保
持し、その裏面をアライメントユニットによってアライ
メントしてストリートＸと平行であって且つオリフラ１
１ｃに近い箇所に基準となる平行線Ｑを切断する。そし
て、ストリートＹと平行であって且つ端部の回路パター
ン部１１ｄに近い箇所に基準となる平行線Ｐをアライメ
ントして切断することにより、２本の互いに直交する基
準平行線Ｐ、Ｑを形成する。
他の例を示すもので、少なくともウェーハの表面から裏
面に至る機械加工を施す工程と、この機械加工によって
形成された形状を基準にして裏面の面取り加工を施す工
程とからなり、ウェーハの裏面の面取り箇所のアライメ
ントをチャックテーブルの上面側から即ち裏面から容易
に出来るようにした点に特徴を有する。例えば、ウェー
ハ１１の表面１１ａを上にしてチャックテーブル上に保
持し、その裏面をアライメントユニットによってアライ
メントしてストリートＸと平行であって且つオリフラ１
１ｃに近い箇所に基準となる平行線Ｑを切断する。そし
て、ストリートＹと平行であって且つ端部の回路パター
ン部１１ｄに近い箇所に基準となる平行線Ｐをアライメ
ントして切断することにより、２本の互いに直交する基
準平行線Ｐ、Ｑを形成する。
【００１２】このウェーハ１１をひっくり返して裏面１
１ｂを上にしてチャックテーブル（図略）に保持し、前
記実施例と同様に表面１１ａのストリートに対応する裏
面箇所に面取り加工を施すが、この場合は前記基準平行
線Ｑを利用してアライメントを行い、前記ストリートＸ
のピッチに基づいて面取り加工を施すべき裏面箇所を容
易に知ることができ、同様に基準平行線Ｐを利用してア
ライメントすればストリートＹと平行な各ストリートに
対応する裏面箇所を容易に知ることができる。アライメ
ントは公知の直線検出等によって遂行される。又、必要
とあればモニターによりマニュアルで行っても良い。
１ｂを上にしてチャックテーブル（図略）に保持し、前
記実施例と同様に表面１１ａのストリートに対応する裏
面箇所に面取り加工を施すが、この場合は前記基準平行
線Ｑを利用してアライメントを行い、前記ストリートＸ
のピッチに基づいて面取り加工を施すべき裏面箇所を容
易に知ることができ、同様に基準平行線Ｐを利用してア
ライメントすればストリートＹと平行な各ストリートに
対応する裏面箇所を容易に知ることができる。アライメ
ントは公知の直線検出等によって遂行される。又、必要
とあればモニターによりマニュアルで行っても良い。
【００１３】面取り加工方法のその他の実施例として
は、図９に示すようにウェーハ２１の表面２１ａをアラ
イメントしてウェーハ２１の適宜のストリートＸを選ん
でその延長両端部に基準切り欠き（Ｑ）、（Ｑ′）を形
成し、且つ適宜のストリートＹを選んでその延長両端部
に基準切り欠き（Ｐ）、（Ｐ′）を形成する。又、可能
ならば（Ｐ）、（Ｐ′）、（Ｑ）、（Ｑ′）は基準ピン
ホールでも良く、つまり目印となるようなものであれば
良い。
は、図９に示すようにウェーハ２１の表面２１ａをアラ
イメントしてウェーハ２１の適宜のストリートＸを選ん
でその延長両端部に基準切り欠き（Ｑ）、（Ｑ′）を形
成し、且つ適宜のストリートＹを選んでその延長両端部
に基準切り欠き（Ｐ）、（Ｐ′）を形成する。又、可能
ならば（Ｐ）、（Ｐ′）、（Ｑ）、（Ｑ′）は基準ピン
ホールでも良く、つまり目印となるようなものであれば
良い。
【００１４】この場合も、ウェーハ２１の裏面２１ｂを
上にしてチャックテーブル（図略）に保持し、前記基準
切り欠き（Ｐ）、（Ｐ′）又は（Ｑ）、（Ｑ′）を利用
してアライメントを行い各ストリートに対応する裏面２
１ｂの箇所を認知し、必要な面取り加工をそれぞれ施す
ことができる。
上にしてチャックテーブル（図略）に保持し、前記基準
切り欠き（Ｐ）、（Ｐ′）又は（Ｑ）、（Ｑ′）を利用
してアライメントを行い各ストリートに対応する裏面２
１ｂの箇所を認知し、必要な面取り加工をそれぞれ施す
ことができる。
【００１５】尚、前記実施例ではいずれもウェーハの面
取り加工はダイシングに先立ち、面取りブレード（又は
エッチングでも可能）で面取り加工を行ったが、必要に
応じては先にダイシングしチップに分割した後にチップ
ごとに面取り加工を行っても良い。ダイシング時にチッ
プの周縁部にクラックやチッピングが生じたとしても、
その後の面取り加工によってクラックやチッピングを除
去することが出来るからである。又、図示は省略したが
面取り加工はチップの表裏面の全辺に限らず、表面から
裏面に至る辺にも面取り加工を施すようにしても良い。
取り加工はダイシングに先立ち、面取りブレード（又は
エッチングでも可能）で面取り加工を行ったが、必要に
応じては先にダイシングしチップに分割した後にチップ
ごとに面取り加工を行っても良い。ダイシング時にチッ
プの周縁部にクラックやチッピングが生じたとしても、
その後の面取り加工によってクラックやチッピングを除
去することが出来るからである。又、図示は省略したが
面取り加工はチップの表裏面の全辺に限らず、表面から
裏面に至る辺にも面取り加工を施すようにしても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングに先立ち又はダイシング後にチップの周辺に
面取り加工を施すので、チップの周縁部にクラックやチ
ッピングのない面取りチップを形成することができ、後
になされる加工工程での外力や熱応力に充分耐え得る強
度の強いチップを提供することができる効果を奏する。
又、少なくともウェーハの表面から裏面に至る機械加工
を施し、この機械加工によって形成された形状を基準に
すれば表面のストリートに対応する裏面の面取り箇所を
上から容易にアライメントでき、面取り作業をし易くす
ると共にその作業能率を向上させる効果を奏する。
ダイシングに先立ち又はダイシング後にチップの周辺に
面取り加工を施すので、チップの周縁部にクラックやチ
ッピングのない面取りチップを形成することができ、後
になされる加工工程での外力や熱応力に充分耐え得る強
度の強いチップを提供することができる効果を奏する。
又、少なくともウェーハの表面から裏面に至る機械加工
を施し、この機械加工によって形成された形状を基準に
すれば表面のストリートに対応する裏面の面取り箇所を
上から容易にアライメントでき、面取り作業をし易くす
ると共にその作業能率を向上させる効果を奏する。
【図１】 本発明の一実施例を示すもので、ウェーハ裏
面の面取り加工状態を示す説明図である。
面の面取り加工状態を示す説明図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線一部拡大断面図である。
【図３】 ウェーハ表面の面取り加工及びダイシングを
行う状態を示す説明図である。
行う状態を示す説明図である。
【図４】 図３のＡ′−Ａ′線一部拡大断面図である。
【図５】 図３のＢ−Ｂ線一部拡大断面図である。
【図６】 チップの斜視図である。
【図７】 図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【図８】 本発明の面取り加工方法を示す説明図であ
る。
る。
【図９】 面取り加工方法の他の実施例を示す説明図で
ある。
ある。
【図１０】従来例を示す説明図である。
【図１１】従来のチップの斜視図である。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ線断面図である。
１…ウェーハ １ａ…表面 １ｂ…裏面 ２…チ
ャックテーブル ２ａ…アライメント用窓 ２ｂ…
覗き窓 ３…アライメントユニット ４…Ｖ溝用ブ
レード ５…面取り加工 ６…切断用ブレード
７…面取り加工 ８…ダイシング ９…チップ ９ａ…面取り １
１…ウェーハ １１ａ…表面 １１ｂ…裏面 １
１ｃ…オリフラ １１ｄ…回路パターン部 ２１…ウェーハ ２１ａ…表面 ２１ｂ…裏面 Ｐ、Ｑ…基準平行線 （Ｐ）、（Ｐ′）、（Ｑ）、（Ｑ′）…基準切り欠き ｘ、ｚ、Ｘ、Ｚ…ストリート
ャックテーブル ２ａ…アライメント用窓 ２ｂ…
覗き窓 ３…アライメントユニット ４…Ｖ溝用ブ
レード ５…面取り加工 ６…切断用ブレード
７…面取り加工 ８…ダイシング ９…チップ ９ａ…面取り １
１…ウェーハ １１ａ…表面 １１ｂ…裏面 １
１ｃ…オリフラ １１ｄ…回路パターン部 ２１…ウェーハ ２１ａ…表面 ２１ｂ…裏面 Ｐ、Ｑ…基準平行線 （Ｐ）、（Ｐ′）、（Ｑ）、（Ｑ′）…基準切り欠き ｘ、ｚ、Ｘ、Ｚ…ストリート
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップの表面及び裏面の全辺に、
ダイシングに先立ち又はダイシングの後に面取り加工を
施したことを特徴とする面取り半導体チップ。 - 【請求項２】 表面から裏面に至る辺にも面取り加工を
施す、請求項１記載の面取り半導体チップ。 - 【請求項３】 被加工物の表面に形成されたＩＣ等の回
路を個々のチップに分割するに先立ち、被加工物の裏面
に面取り加工を施す面取り加工方法において、少なくと
も表面から裏面に至る機械加工を施す工程と、この機械
加工によって形成された形状を基準にして面取り加工を
施す工程と、からなる面取り加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8776593A JPH06275583A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8776593A JPH06275583A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275583A true JPH06275583A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13924064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8776593A Pending JPH06275583A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275583A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340530A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007042810A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ワーク切断方法 |
| CN100355030C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-12 | 新光电气工业株式会社 | 半导体芯片及其制造方法 |
| US7347347B2 (en) | 1999-05-28 | 2008-03-25 | Fujitsu Limited | Head assembly, disk unit, and bonding method and apparatus |
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| CN110323182A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 株式会社迪思科 | 板状物的加工方法 |
| CN112542382A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-23 | 株式会社东芝 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
| EP4254471A1 (en) | 2022-03-23 | 2023-10-04 | Disco Corporation | Processing method for workpiece |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP8776593A patent/JPH06275583A/ja active Pending
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