JPH06216241A - ウェーハ等の切削方法 - Google Patents
ウェーハ等の切削方法Info
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- JPH06216241A JPH06216241A JP5023421A JP2342193A JPH06216241A JP H06216241 A JPH06216241 A JP H06216241A JP 5023421 A JP5023421 A JP 5023421A JP 2342193 A JP2342193 A JP 2342193A JP H06216241 A JPH06216241 A JP H06216241A
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 切削送り速度を比較的高速にしてダイシング
を遂行しても、切断ラインの両側端部に細かなクラック
が発生せず強度の強いチップを生産できるようにした、
半導体ウェーハ等の切削方法を得る。 【構成】 半導体ウェーハ等の被加工物を保持する保持
テーブルと、この保持テーブル上の被加工物を切削する
回転ブレードとの相対的送り速度が２０ｍｍ／秒以上で
あり、この回転ブレードによる切削に先立って面取り用
ブレードで面取り加工を遂行する。切削送り速度を３０
ｍｍ／秒〜１１０ｍｍ／秒とする。面取り用ブレードと
切削用ブレードとを同一の切削装置に装着し、面取り加
工と切削加工とを連続させる。被加工物の表裏に面取り
加工を施す。
を遂行しても、切断ラインの両側端部に細かなクラック
が発生せず強度の強いチップを生産できるようにした、
半導体ウェーハ等の切削方法を得る。 【構成】 半導体ウェーハ等の被加工物を保持する保持
テーブルと、この保持テーブル上の被加工物を切削する
回転ブレードとの相対的送り速度が２０ｍｍ／秒以上で
あり、この回転ブレードによる切削に先立って面取り用
ブレードで面取り加工を遂行する。切削送り速度を３０
ｍｍ／秒〜１１０ｍｍ／秒とする。面取り用ブレードと
切削用ブレードとを同一の切削装置に装着し、面取り加
工と切削加工とを連続させる。被加工物の表裏に面取り
加工を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ等をダ
イシングする切削方法に関するものである。
イシングする切削方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハは、ダイシング装置によ
って切削されＩＣ等のチップに分割される。ダイシング
装置では通常図８に示すように、フレームａの保護テー
プｂ上に貼着した半導体ウェーハｃを保持テーブルｄ上
に保持し、この保持テーブルｄと切断ブレードｅとを切
削送り速度ｔ（ｍｍ／秒）で相対的に移動してダイシン
グするようになっている。
って切削されＩＣ等のチップに分割される。ダイシング
装置では通常図８に示すように、フレームａの保護テー
プｂ上に貼着した半導体ウェーハｃを保持テーブルｄ上
に保持し、この保持テーブルｄと切断ブレードｅとを切
削送り速度ｔ（ｍｍ／秒）で相対的に移動してダイシン
グするようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣ等のチップはダイ
シング後の工程において、ダイボンダー、ワイヤーボン
ダー等の作業を受けるために単独でピックアップされ、
搬送され、圧力が加えられたりする。又、樹脂モールド
の際に熱応力が加えられ、パッケージング後においても
外力が加えられたりするため、分割されたチップはそれ
らに耐えられるように強度を充分備えていなければなら
ない。ところで、強度の強いチップを得るには、従来ダ
イシング装置での切削送り速度ｔを２０ｍｍ／秒未満に
抑えなければならなかった。切削送り速度を比較的高速
にしてダイシングを遂行すると、図９に示すように切削
時に切断ラインの両側端部に細かなクラックｆが発生
し、図１０のようにそのクラックｆがチップｇの周縁部
に残存してチップｇの強度を弱めてしまうからである。
本発明は、このような従来の問題を解決するためになさ
れ、切削送り速度を比較的高速にしてダイシングを遂行
しても細かなクラックが発生せず、強度の強いチップを
生産できると共にその生産性を向上させるようにした、
ウェーハ等の切削方法を提供することを課題としたもの
である。
シング後の工程において、ダイボンダー、ワイヤーボン
ダー等の作業を受けるために単独でピックアップされ、
搬送され、圧力が加えられたりする。又、樹脂モールド
の際に熱応力が加えられ、パッケージング後においても
外力が加えられたりするため、分割されたチップはそれ
らに耐えられるように強度を充分備えていなければなら
ない。ところで、強度の強いチップを得るには、従来ダ
イシング装置での切削送り速度ｔを２０ｍｍ／秒未満に
抑えなければならなかった。切削送り速度を比較的高速
にしてダイシングを遂行すると、図９に示すように切削
時に切断ラインの両側端部に細かなクラックｆが発生
し、図１０のようにそのクラックｆがチップｇの周縁部
に残存してチップｇの強度を弱めてしまうからである。
本発明は、このような従来の問題を解決するためになさ
れ、切削送り速度を比較的高速にしてダイシングを遂行
しても細かなクラックが発生せず、強度の強いチップを
生産できると共にその生産性を向上させるようにした、
ウェーハ等の切削方法を提供することを課題としたもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、ウェーハ等の被加工
物を切削する保持テーブルと、この保持テーブル上の被
加工物を保持する回転ブレードとの相対的送り速度が２
０ｍｍ／秒以上であり、この回転ブレードによる切削に
先立って面取り用ブレードで面取り加工を遂行すること
を要旨とするものである。更に、切削送り速度が３０ｍ
ｍ／秒〜１１０ｍｍ／秒であること、面取り用ブレード
と、切削用ブレードとが同一の切削装置に装着されてお
り、面取り加工と切削加工が連続して遂行されること、
被加工物の表裏に面取り加工が遂行されること、を要旨
とするものである。
するための手段として、本発明は、ウェーハ等の被加工
物を切削する保持テーブルと、この保持テーブル上の被
加工物を保持する回転ブレードとの相対的送り速度が２
０ｍｍ／秒以上であり、この回転ブレードによる切削に
先立って面取り用ブレードで面取り加工を遂行すること
を要旨とするものである。更に、切削送り速度が３０ｍ
ｍ／秒〜１１０ｍｍ／秒であること、面取り用ブレード
と、切削用ブレードとが同一の切削装置に装着されてお
り、面取り加工と切削加工が連続して遂行されること、
被加工物の表裏に面取り加工が遂行されること、を要旨
とするものである。
【０００５】
【作 用】回転ブレードによる切削に先立って面取り用
ブレードで面取り加工を遂行するので、切削送り速度が
比較的高速にしてダイシングを遂行しても切断ラインの
両側端部に細かなクラックが発生せず、このため強度の
強いチップを生産できると共にその生産性の向上が図れ
る。
ブレードで面取り加工を遂行するので、切削送り速度が
比較的高速にしてダイシングを遂行しても切断ラインの
両側端部に細かなクラックが発生せず、このため強度の
強いチップを生産できると共にその生産性の向上が図れ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図１において、１はダイシング装置の保持テ
ーブルであり、フレーム２の保護テープ３上に貼着した
半導体ウェーハ４を、フレーム２ごと載置固定する。
詳説する。図１において、１はダイシング装置の保持テ
ーブルであり、フレーム２の保護テープ３上に貼着した
半導体ウェーハ４を、フレーム２ごと載置固定する。
【０００７】５は面取り用ブレードであり、図２に示す
ように半導体ウェーハ４にＶ溝加工を施せるようにして
あり、その刃先の角度θは例えば６０°に設定してあ
る。
ように半導体ウェーハ４にＶ溝加工を施せるようにして
あり、その刃先の角度θは例えば６０°に設定してあ
る。
【０００８】６は切削用ブレードであり、前記面取り用
ブレード５の後方に近接して配設され、面取り用ブレー
ド５と同時に同速度で切削送りされることにより図３に
示すように半導体ウェーハ４を切削する。この時、切削
用ブレード６は、面取り用ブレード５により形成された
Ｖ溝の丁度真ん中を切削するように位置決めされる。
ブレード５の後方に近接して配設され、面取り用ブレー
ド５と同時に同速度で切削送りされることにより図３に
示すように半導体ウェーハ４を切削する。この時、切削
用ブレード６は、面取り用ブレード５により形成された
Ｖ溝の丁度真ん中を切削するように位置決めされる。
【０００９】この場合、切削送り速度ｔは従来よりも速
くすることが可能となり、即ち相対的送り速度を２０ｍ
ｍ／秒以上でダイシングしても切断ラインの両側端部に
細かなクラックが発生せず、、図４に示すように上面の
周縁部に沿って綺麗に面取り７ａされたチップ７を得る
ことができた。
くすることが可能となり、即ち相対的送り速度を２０ｍ
ｍ／秒以上でダイシングしても切断ラインの両側端部に
細かなクラックが発生せず、、図４に示すように上面の
周縁部に沿って綺麗に面取り７ａされたチップ７を得る
ことができた。
【００１０】切削送り速度を種々変えてダイシングする
ことによりチップを形成し、そのチップの強度を従来の
ものと比較したところ表１のような結果が得られた。図
７はそのデータに基づいて作成したグラフ図である。
ことによりチップを形成し、そのチップの強度を従来の
ものと比較したところ表１のような結果が得られた。図
７はそのデータに基づいて作成したグラフ図である。
【表１】
【００１１】表１の各数値は、半導体ウェーハを１６ｍ
ｍ×８ｍｍのチップにダイシングした後に図５に示す半
導体ウェーハにおけるＮｏ．１〜３４の箇所から採取し
た３４個のチップを試験片とし、即ち各試験片は図６
(イ) に示すようにＬ×Ｍ（１６ｍｍ×８ｍｍ）の長方形
で厚さＮは０．２ｍｍであって、同図(ロ) に示すように
スパンＰを１０ｍｍとし中央部に線荷重Ｆを掛けて抗折
強度を実測し、３４個の試験片について平均値を算出し
たものである。
ｍ×８ｍｍのチップにダイシングした後に図５に示す半
導体ウェーハにおけるＮｏ．１〜３４の箇所から採取し
た３４個のチップを試験片とし、即ち各試験片は図６
(イ) に示すようにＬ×Ｍ（１６ｍｍ×８ｍｍ）の長方形
で厚さＮは０．２ｍｍであって、同図(ロ) に示すように
スパンＰを１０ｍｍとし中央部に線荷重Ｆを掛けて抗折
強度を実測し、３４個の試験片について平均値を算出し
たものである。
【００１２】この試験結果によると、図７に実線で示す
本発明チップは一点鎖線で示す従来チップに比べると抗
折強度は遥かに強く、しかも従来チップの場合は切削送
り速度が２０ｍｍ／秒を超えると著しく抗折強度が低下
するのに対して、本発明チップの場合は切削送り速度が
１１０ｍｍ／秒であってもそれ程抗折強度は低下しなか
った。因に１１０ｍｍ／秒での抗折強度は０．４１Ｋｇ
ｆであり、これは従来チップの２０ｍｍ／秒での抗折強
度０．３９Ｋｇｆより上回っていた。従って、切削送り
速度は従来チップの限界であった２０ｍｍ／秒を遥かに
超えることが可能であり、３０ｍｍ／秒〜１１０ｍｍ／
秒の範囲内で充分な強度が得られることが判明した。
本発明チップは一点鎖線で示す従来チップに比べると抗
折強度は遥かに強く、しかも従来チップの場合は切削送
り速度が２０ｍｍ／秒を超えると著しく抗折強度が低下
するのに対して、本発明チップの場合は切削送り速度が
１１０ｍｍ／秒であってもそれ程抗折強度は低下しなか
った。因に１１０ｍｍ／秒での抗折強度は０．４１Ｋｇ
ｆであり、これは従来チップの２０ｍｍ／秒での抗折強
度０．３９Ｋｇｆより上回っていた。従って、切削送り
速度は従来チップの限界であった２０ｍｍ／秒を遥かに
超えることが可能であり、３０ｍｍ／秒〜１１０ｍｍ／
秒の範囲内で充分な強度が得られることが判明した。
【００１３】尚、実施例では面取り用ブレードと、切削
用ブレードとが同一の切削装置に装着されていて面取り
加工と切削加工とが連続して遂行されたが、これらが別
々に装着されていて工程も別個に行われるようにしても
良い。更に、面取り加工は表面のみであったが、表裏両
方に面取り加工を施こしても良い。
用ブレードとが同一の切削装置に装着されていて面取り
加工と切削加工とが連続して遂行されたが、これらが別
々に装着されていて工程も別個に行われるようにしても
良い。更に、面取り加工は表面のみであったが、表裏両
方に面取り加工を施こしても良い。
【００１４】又、半導体ウェーハの切削ライン（ストリ
ート）に特性パターンが形成されている場合は、パター
ンがアルミ等で形成されているためブレードに目詰まり
が生じ切削抵抗が増大しチップにストレスが生じるとい
う問題があるが、本発明の場合は面取り用ブレードでパ
ターンを切削除去した後に、切削用ブレードでシリコン
のみを切削するので目詰まりが生じ難く、余分なストレ
スをチップに生じさせることがない。
ート）に特性パターンが形成されている場合は、パター
ンがアルミ等で形成されているためブレードに目詰まり
が生じ切削抵抗が増大しチップにストレスが生じるとい
う問題があるが、本発明の場合は面取り用ブレードでパ
ターンを切削除去した後に、切削用ブレードでシリコン
のみを切削するので目詰まりが生じ難く、余分なストレ
スをチップに生じさせることがない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比較的高速の切削送りを条件として先に面取り加工を遂
行して細かなクラックが生じないようにしたので、従来
のものに比して著しく強度の強いチップが得られると共
に、その生産性を向上させることができる等の優れた効
果を奏する。
比較的高速の切削送りを条件として先に面取り加工を遂
行して細かなクラックが生じないようにしたので、従来
のものに比して著しく強度の強いチップが得られると共
に、その生産性を向上させることができる等の優れた効
果を奏する。
【図１】 本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】 図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】 図１のＡ′−Ａ′線断面図である。
【図４】 切削された本発明チップの拡大斜視図であ
る。
る。
【図５】 チップ試験片の採取場所を示す半導体ウェー
ハの平面図である。
ハの平面図である。
【図６】 (イ) は試験片の大きさを示す平面図、(ロ) は
試験方法を示す説明図である。
試験方法を示す説明図である。
【図７】 試験結果データによる切削送り速度と抗折強
度との関係を示すグラフ図である。
度との関係を示すグラフ図である。
【図８】 従来例を示す説明図である。
【図９】 図８のＡ−Ａ線断面図である。
【図１０】従来チップの拡大斜視図である。
１…保持テーブル ２…フレーム ３…保護テープ
４…半導体ウェーハ ５…面取り用ブレード
６…切削用ブレード ７…チップ ７ａ…面取り
４…半導体ウェーハ ５…面取り用ブレード
６…切削用ブレード ７…チップ ７ａ…面取り
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェーハ等の被加工物を保持する保持テ
ーブルと、この保持テーブル上の被加工物を切削する回
転ブレードとの相対的送り速度が２０ｍｍ／秒以上であ
り、この回転ブレードによる切削に先立って面取り用ブ
レードで面取り加工を遂行する、ウェーハ等の切削方
法。 - 【請求項２】 切削送り速度が３０ｍｍ／秒〜１１０ｍ
ｍ／秒である、請求項１記載のウェーハ等の切削方法。 - 【請求項３】 面取り用ブレードと、切削用ブレードと
が同一の切削装置に装着されており、面取り加工と切削
加工が連続して遂行される、請求項１又は２記載のウェ
ーハ切削方法。 - 【請求項４】 被加工物の表裏に面取り加工が遂行され
る、請求項１乃至３記載のウェーハ切削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023421A JPH06216241A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | ウェーハ等の切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023421A JPH06216241A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | ウェーハ等の切削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216241A true JPH06216241A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12110044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023421A Pending JPH06216241A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | ウェーハ等の切削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216241A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026725A3 (en) * | 1999-02-05 | 2003-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a semiconductor device |
| US6657282B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-12-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| CN113733376A (zh) * | 2021-09-03 | 2021-12-03 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384280A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Daiichi Seitoshiyo Kk | Cutting method and cutting device |
| JPS6253804A (ja) * | 1984-12-27 | 1987-03-09 | 株式会社 デイスコ | 半導体ウエ−ハダイシング装置 |
| JPH02187305A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ分割用ブレード |
| JPH0499607A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 精密切削装置におけるブレードの位置調整方法 |
| JPH065702A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Rohm Co Ltd | メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP5023421A patent/JPH06216241A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6657282B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-12-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6784542B2 (en) | 1998-02-27 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7064047B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US7556985B2 (en) | 1998-02-27 | 2009-07-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| EP1026725A3 (en) * | 1999-02-05 | 2003-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a semiconductor device |
| US6730579B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching |
| CN113733376A (zh) * | 2021-09-03 | 2021-12-03 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
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