JP2526846B2 - 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法Info
- Publication number
- JP2526846B2 JP2526846B2 JP5132668A JP13266893A JP2526846B2 JP 2526846 B2 JP2526846 B2 JP 2526846B2 JP 5132668 A JP5132668 A JP 5132668A JP 13266893 A JP13266893 A JP 13266893A JP 2526846 B2 JP2526846 B2 JP 2526846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- cutting
- resin
- semiconductor device
- mounting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
リード切断方法に関する。
リード切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置をプリント基板の
表面に実装する際に、樹脂封止処理と半田による表面処
理の完了したリードフレームから切り離したリードの先
端部の側面を、プリント基板の表面上の電極パッドに押
し当てて実装し、半田により固着している。このとき、
リードの先端部はリードフレームからの切断時に表面の
半田メッキ層の脱落をできるだけ少なくして半田付け性
能を良くすることが必要である。
表面に実装する際に、樹脂封止処理と半田による表面処
理の完了したリードフレームから切り離したリードの先
端部の側面を、プリント基板の表面上の電極パッドに押
し当てて実装し、半田により固着している。このとき、
リードの先端部はリードフレームからの切断時に表面の
半田メッキ層の脱落をできるだけ少なくして半田付け性
能を良くすることが必要である。
【０００３】図７は従来のリード切断方法を説明する図
で、（ａ）はリードフレームからリードを切断する前の
状態を示し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断
した後の状態を示す。
で、（ａ）はリードフレームからリードを切断する前の
状態を示し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断
した後の状態を示す。
【０００４】図７（ａ）に示す従来のリード切断法は、
リード素材部２の表面に半田メッキ層３を有するリード
フレーム２９が樹脂封止部１の近くで、その上からリー
ド切断用リードクランパ１２で締め付けられ、その下面
を切断ダイ１１で支持されて、切断パンチ１０により切
断線３１においてリード１３が切断される。図は、切断
パンチ１０がリード１３の実装面とは反対側の上方から
下降するときリードフレーム２９を切断する順抜き作業
を示しているが、リード１３の実装面側の下方から切断
する逆抜き作業も行われている。
リード素材部２の表面に半田メッキ層３を有するリード
フレーム２９が樹脂封止部１の近くで、その上からリー
ド切断用リードクランパ１２で締め付けられ、その下面
を切断ダイ１１で支持されて、切断パンチ１０により切
断線３１においてリード１３が切断される。図は、切断
パンチ１０がリード１３の実装面とは反対側の上方から
下降するときリードフレーム２９を切断する順抜き作業
を示しているが、リード１３の実装面側の下方から切断
する逆抜き作業も行われている。
【０００５】図８は特開平２ー１５８１６２に記載され
るような従来のリード切断方法を説明する図で、（ａ）
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
るような従来のリード切断方法を説明する図で、（ａ）
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
【０００６】図８に示す従来のリード切断方法は、リー
ドフレーム２９の製作時に、予めリード１３の切断面に
なりうる部位にリード板厚の１／２に相当する段差２７
を実装面とは反対側の上方に設け、半田処理を行い、リ
ード切断する方法であり、その他の作業手順は図４に示
したものと類似である。段差２７は切断面になりうる部
分を予め一部切除することになり、切除部の側面には半
田メッキが施されているので、切離しの際には切断部の
一部に半田メッキが残存していることになる。よって、
切断のストロークが短くなり、リード切断面の素材露出
が小さくなる。図９は特開平２ー２７０３６０に記載さ
れるような従来のリード切断方法を説明する図で、
（ａ）はリードフレームからリードを切断する前の状態
を示し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した
後の状態を示す。
ドフレーム２９の製作時に、予めリード１３の切断面に
なりうる部位にリード板厚の１／２に相当する段差２７
を実装面とは反対側の上方に設け、半田処理を行い、リ
ード切断する方法であり、その他の作業手順は図４に示
したものと類似である。段差２７は切断面になりうる部
分を予め一部切除することになり、切除部の側面には半
田メッキが施されているので、切離しの際には切断部の
一部に半田メッキが残存していることになる。よって、
切断のストロークが短くなり、リード切断面の素材露出
が小さくなる。図９は特開平２ー２７０３６０に記載さ
れるような従来のリード切断方法を説明する図で、
（ａ）はリードフレームからリードを切断する前の状態
を示し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した
後の状態を示す。
【０００７】図９に示す従来のリード切断方法は、リー
ドフレーム２９の製作時に、予めリード１３の切断面に
なりうる部位にリード板厚の１／３程度の切欠き２８を
実装面側の下方から設け、半田処理を行い、リード切断
する方法であり、このようにして図８に示した方法と同
じ効果を出している。
ドフレーム２９の製作時に、予めリード１３の切断面に
なりうる部位にリード板厚の１／３程度の切欠き２８を
実装面側の下方から設け、半田処理を行い、リード切断
する方法であり、このようにして図８に示した方法と同
じ効果を出している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来の方法では、切断面において、リード板厚の９
０％〜９５％がリード素材露出部６となるため、実装す
る際に、半田濡れ性が悪く、半田がつきにくくなり、半
田付け強度が弱くなるという問題点があった。
示す従来の方法では、切断面において、リード板厚の９
０％〜９５％がリード素材露出部６となるため、実装す
る際に、半田濡れ性が悪く、半田がつきにくくなり、半
田付け強度が弱くなるという問題点があった。
【０００９】また、図８や図９の特開平２ー１５８１６
２や特開平２ー２７０３６０に記載されるような従来の
リード切断方法では、リードフレームの製作時に、予め
リードの切断面になりうる部位に段差２７または切欠き
２８を形成させる必要がある。段差２７または切欠き２
８はリードフレームの強度を著しく低下させ、搬送中に
リードフレームのソリや曲がりが生じ易く、搬送トラブ
ルが発生し易い。搬送トラブルに起因するリードフレー
ムの変形により、リード切断に際し、位置合わせが困難
となり、切断寸法の精度が規格に合格しないという問題
点があった。
２や特開平２ー２７０３６０に記載されるような従来の
リード切断方法では、リードフレームの製作時に、予め
リードの切断面になりうる部位に段差２７または切欠き
２８を形成させる必要がある。段差２７または切欠き２
８はリードフレームの強度を著しく低下させ、搬送中に
リードフレームのソリや曲がりが生じ易く、搬送トラブ
ルが発生し易い。搬送トラブルに起因するリードフレー
ムの変形により、リード切断に際し、位置合わせが困難
となり、切断寸法の精度が規格に合格しないという問題
点があった。
【００１０】また、形成された段差２７または切欠き２
８の内側コーナ部では半田メッキ層の厚さが厚く、半田
量が多くなっているため、半田クズが多く発生し、リー
ドへの半田付着や切断パンチ１０及び切断ダイ１１の摩
耗が多く発生するという問題点があった。
８の内側コーナ部では半田メッキ層の厚さが厚く、半田
量が多くなっているため、半田クズが多く発生し、リー
ドへの半田付着や切断パンチ１０及び切断ダイ１１の摩
耗が多く発生するという問題点があった。
【００１１】図１０は従来の切断方法で生じるリードの
不良半田付け状態を説明する断面図で、（ａ）は図７に
示す従来の切断方法によるリードを示し、（ｂ）は図８
に示す従来の切断方法によるリードを示し、（ｃ）は図
９に示す従来の切断方法によるリードを示す。
不良半田付け状態を説明する断面図で、（ａ）は図７に
示す従来の切断方法によるリードを示し、（ｂ）は図８
に示す従来の切断方法によるリードを示し、（ｃ）は図
９に示す従来の切断方法によるリードを示す。
【００１２】上記従来の切断方法により切断されたリー
ドを曲げ加工し、プリント基板２２の電極パッド２３に
半田付けして実装した状態を示す断面図１０において、
（ａ）（ｂ）（ｃ）いずれの従来の切断方法により切断
されたリード１３もその端面におけるリード素材露出部
６、すなわち表面の半田メッキ層が脱落している部分６
が広く、半田付け性が不良な状態にあることを示してい
る。これにたいし、いずれの場合もフィレット２４は十
分に形成されている。
ドを曲げ加工し、プリント基板２２の電極パッド２３に
半田付けして実装した状態を示す断面図１０において、
（ａ）（ｂ）（ｃ）いずれの従来の切断方法により切断
されたリード１３もその端面におけるリード素材露出部
６、すなわち表面の半田メッキ層が脱落している部分６
が広く、半田付け性が不良な状態にあることを示してい
る。これにたいし、いずれの場合もフィレット２４は十
分に形成されている。
【００１３】図１０（ｃ）の場合はリード端面の上半分
にリード素材露出部６が存在するため、フィレット２４
の形成が不十分であっても、リード１３とプリント基板
２２との接着強度が十分である場合がある。実装後の外
観検査時に使用する検査装置は照明を当て、被測定物か
らの反射光を有効な情報に変換して、判定データとして
いる。リード素材が露出している場合は、反射光量が極
度に変化するため、不良と誤判定してしまう。また、目
視により、半田付けを確認する作業ではリード素材露出
部６を検出し、半田なしの不良品と判定してしまう。不
良品が発生すると再確認の作業が必要となり、作業効率
が上がらないという問題点があった。
にリード素材露出部６が存在するため、フィレット２４
の形成が不十分であっても、リード１３とプリント基板
２２との接着強度が十分である場合がある。実装後の外
観検査時に使用する検査装置は照明を当て、被測定物か
らの反射光を有効な情報に変換して、判定データとして
いる。リード素材が露出している場合は、反射光量が極
度に変化するため、不良と誤判定してしまう。また、目
視により、半田付けを確認する作業ではリード素材露出
部６を検出し、半田なしの不良品と判定してしまう。不
良品が発生すると再確認の作業が必要となり、作業効率
が上がらないという問題点があった。
【００１４】本発明は上述の点にかんがみてなされたも
ので、樹脂封止及び半田による表面処理の終了したリー
ドフレームからリードを切断する際に、切断面における
リード素材の露出部を小さくして半田濡れ性を向上する
ことができる樹脂封止型半導体装置のリード切断方法を
提供することを目的とする。
ので、樹脂封止及び半田による表面処理の終了したリー
ドフレームからリードを切断する際に、切断面における
リード素材の露出部を小さくして半田濡れ性を向上する
ことができる樹脂封止型半導体装置のリード切断方法を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を有
するリードフレームをリードの実装面とは反対側からノ
ッチ成形用リードクランパで押え且つリードの実装面を
ノッチ成形用ダイで支持しノッチ成形用パンチによりリ
ードの実装面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッチ
内に半田メッキ層を延伸させる工程と、前記リードフレ
ームをリードの実装面とは反対側から切断ダイで押え且
つリードの実装面をリード切断用リードクランパで支持
し該リードの実装面側から切断パンチを作用させて半田
メッキ層を延伸させながらリードフレーム枠を切り落と
す工程とを包含することを特徴とする。
め、本発明は樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を有
するリードフレームをリードの実装面とは反対側からノ
ッチ成形用リードクランパで押え且つリードの実装面を
ノッチ成形用ダイで支持しノッチ成形用パンチによりリ
ードの実装面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッチ
内に半田メッキ層を延伸させる工程と、前記リードフレ
ームをリードの実装面とは反対側から切断ダイで押え且
つリードの実装面をリード切断用リードクランパで支持
し該リードの実装面側から切断パンチを作用させて半田
メッキ層を延伸させながらリードフレーム枠を切り落と
す工程とを包含することを特徴とする。
【００１６】
【作用】半田処理を施した半導体装置に、前工程で実装
面とは反対側の上方からノッチ形成パンチを作用させ、
引き続き後工程で実装面側の下方から切断用パンチを作
用させることにより、リードの切断端面に実装面側と反
実装面側から半田メッキ層が延伸してリード素材の露出
部が少なくなり、半田濡れ性が良くなり、半導体装置を
プリント基板へ実装する際の半田付け性能が向上する。
面とは反対側の上方からノッチ形成パンチを作用させ、
引き続き後工程で実装面側の下方から切断用パンチを作
用させることにより、リードの切断端面に実装面側と反
実装面側から半田メッキ層が延伸してリード素材の露出
部が少なくなり、半田濡れ性が良くなり、半導体装置を
プリント基板へ実装する際の半田付け性能が向上する。
【００１７】
【実施例】本発明を図面に基づいて説明する。
【００１８】図１は本発明の樹脂封止型半導体装置のリ
ード切断方法により切断する半導体の概略構成を示す図
で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上断面
矢視図である。
ード切断方法により切断する半導体の概略構成を示す図
で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上断面
矢視図である。
【００１９】図１に示す樹脂封止部１と表面に半田メッ
キ層３を有するリードフレーム２９からなる半導体装置
を、該リードフレーム２９の長手方向の任意の位置で切
断してリードフレーム枠を切り落す場合について説明す
る。
キ層３を有するリードフレーム２９からなる半導体装置
を、該リードフレーム２９の長手方向の任意の位置で切
断してリードフレーム枠を切り落す場合について説明す
る。
【００２０】図２（ａ）〜（ｅ）は本発明の樹脂封止型
半導体装置のリード切断方法を工程順に説明する図であ
る。
半導体装置のリード切断方法を工程順に説明する図であ
る。
【００２１】図２（ａ）〜（ｅ）において、半導体装置
のリードフレーム２９が切断装置のノッチ成形用ダイ８
により下面、すなわちリードの実装面から、且つノッチ
成形用リードクランパ９により上面、すなわちリードの
実装面と反対側の面、から挟持固定されて後、ノッチ成
形用パンチ７が下降することにより、図２（ｃ）に示す
ように、リードフレーム２９の上面にＶノッチ４が加工
される。ノッチ成形用パンチ７には、その先端に微小の
Ｒ加工を施してあり、ノッチの深さはリード厚の１／２
から１／３程度である。下降するノッチ成形用パンチ７
がリードに接触してから下死点に至るまでの時間にリー
ドフレーム２９の半田メッキ層３を上面側からＶノッチ
４の中に延伸させている。
のリードフレーム２９が切断装置のノッチ成形用ダイ８
により下面、すなわちリードの実装面から、且つノッチ
成形用リードクランパ９により上面、すなわちリードの
実装面と反対側の面、から挟持固定されて後、ノッチ成
形用パンチ７が下降することにより、図２（ｃ）に示す
ように、リードフレーム２９の上面にＶノッチ４が加工
される。ノッチ成形用パンチ７には、その先端に微小の
Ｒ加工を施してあり、ノッチの深さはリード厚の１／２
から１／３程度である。下降するノッチ成形用パンチ７
がリードに接触してから下死点に至るまでの時間にリー
ドフレーム２９の半田メッキ層３を上面側からＶノッチ
４の中に延伸させている。
【００２２】図２（ｄ）、（ｅ）において、Ｖノッチ４
を備えた上記リードフレーム２９は、切断装置のリード
切断用リードクランパ１２により下面から、且つ切断ダ
イ１１により上面から挟持固定されて後、切断パンチ１
０がリード１３の下面から上昇することにより切断さ
れ、この時半田メッキ層が下面側から切断面、すなわ
ち、リード１３の端面に延伸される。このようにして、
樹脂封止部１に接続したリード１３からリードフレーム
枠３０が切り落とされる。
を備えた上記リードフレーム２９は、切断装置のリード
切断用リードクランパ１２により下面から、且つ切断ダ
イ１１により上面から挟持固定されて後、切断パンチ１
０がリード１３の下面から上昇することにより切断さ
れ、この時半田メッキ層が下面側から切断面、すなわ
ち、リード１３の端面に延伸される。このようにして、
樹脂封止部１に接続したリード１３からリードフレーム
枠３０が切り落とされる。
【００２３】図３は本発明の樹脂封止型半導体装置のリ
ード切断方法により切断されたリードの先端部の状態を
示す図で、（ａ）はリードの長手方向断面図、（ｂ）は
リードの先端部の正面図である。
ード切断方法により切断されたリードの先端部の状態を
示す図で、（ａ）はリードの長手方向断面図、（ｂ）は
リードの先端部の正面図である。
【００２４】図３に示すように、リード１３の先端部の
端面において半田メッキ層３が延伸してダレ５を形成す
るには、切断パンチ１０と切断ダイ１１のクリアランス
をリード板厚の１０％〜１５％にするのが適当である。
このとき、上下のダレ５の間の素材露出部６が最小とな
る。このように、切断パンチと切断ダイのクリアランス
を大きく設定できるので、切断パンチと切断ダイの耐久
性が向上し、メンテナンス性が良くなる。
端面において半田メッキ層３が延伸してダレ５を形成す
るには、切断パンチ１０と切断ダイ１１のクリアランス
をリード板厚の１０％〜１５％にするのが適当である。
このとき、上下のダレ５の間の素材露出部６が最小とな
る。このように、切断パンチと切断ダイのクリアランス
を大きく設定できるので、切断パンチと切断ダイの耐久
性が向上し、メンテナンス性が良くなる。
【００２５】図４は本発明の樹脂封止型半導体装置のリ
ード切断方法により切断されたリードをプリント基板に
実装した状態を示す断面図である。
ード切断方法により切断されたリードをプリント基板に
実装した状態を示す断面図である。
【００２６】上記方法で切断されたリード１３を曲げ加
工し、それらの側面をプリント基板２２の電極パッド２
３に半田付けして実装した状態を図４に示す。この状態
において、リード素材は外部に露出せず、リード１３と
プリント基板２２の間にフィレット２４が十分に形成さ
れ、良好な半田付けが行われていることがわかる。
工し、それらの側面をプリント基板２２の電極パッド２
３に半田付けして実装した状態を図４に示す。この状態
において、リード素材は外部に露出せず、リード１３と
プリント基板２２の間にフィレット２４が十分に形成さ
れ、良好な半田付けが行われていることがわかる。
【００２７】図５は本発明の樹脂封止型半導体装置のリ
ード切断方法の別の実施例を示す断面図である。
ード切断方法の別の実施例を示す断面図である。
【００２８】図５に示す実施例において、ノッチ形成用
パンチ１４はその先端形状が片刃であり、片刃の先端に
微小なＲ加工を施してあり、該ノッチ形成用パンチ１４
の押し込み量をリード板厚の２／３から１／２と深くす
ることができ、半田メッキ層３をノッチの中に、より長
く延伸することができる。その他の作業工程は図２
（ａ）〜（ｅ）において説明したものと同一である。図
５に示す実施例においても、図３と同様にリード素材の
露出面積をより小さくすることができる。
パンチ１４はその先端形状が片刃であり、片刃の先端に
微小なＲ加工を施してあり、該ノッチ形成用パンチ１４
の押し込み量をリード板厚の２／３から１／２と深くす
ることができ、半田メッキ層３をノッチの中に、より長
く延伸することができる。その他の作業工程は図２
（ａ）〜（ｅ）において説明したものと同一である。図
５に示す実施例においても、図３と同様にリード素材の
露出面積をより小さくすることができる。
【００２９】図６は図５に示す本発明の樹脂封止型半導
体装置のリード切断方法により切断されたリードをプリ
ント基板に実装した状態を示す断面図である。
体装置のリード切断方法により切断されたリードをプリ
ント基板に実装した状態を示す断面図である。
【００３０】図６において、リード１３とプリント基板
２２の間にフィレット２４が十分に形成され、良好な半
田付けが行われ、リード素材が外部に露出していないこ
とが明らかである。
２２の間にフィレット２４が十分に形成され、良好な半
田付けが行われ、リード素材が外部に露出していないこ
とが明らかである。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明によって樹脂封止
及び半田による表面処理済みのリードフレームからリー
ドを個別に切り離す前のノッチ加工工程とリード切断工
程によって、リードの切断面に実装面側と反実装面側の
両方から半田メッキ層が延伸して、切断面におけるリー
ド素材の露出部分が小さくなることで、半田濡れ性が向
上し、基板実装時の半田付け品質が良好となり、さらに
半田付け後の外観検査が容易となる。
及び半田による表面処理済みのリードフレームからリー
ドを個別に切り離す前のノッチ加工工程とリード切断工
程によって、リードの切断面に実装面側と反実装面側の
両方から半田メッキ層が延伸して、切断面におけるリー
ド素材の露出部分が小さくなることで、半田濡れ性が向
上し、基板実装時の半田付け品質が良好となり、さらに
半田付け後の外観検査が容易となる。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法により切断する半導体の概略構成を示す図で、（ａ）
は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上断面矢視図であ
る。
法により切断する半導体の概略構成を示す図で、（ａ）
は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上断面矢視図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の樹脂封止型半導体装
置のリード切断方法を工程順に説明する図である。
置のリード切断方法を工程順に説明する図である。
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法により切断されたリードの先端部の状態を示す図で、
（ａ）はリードの長手方向断面図、（ｂ）はリードの先
端部の正面図である。
法により切断されたリードの先端部の状態を示す図で、
（ａ）はリードの長手方向断面図、（ｂ）はリードの先
端部の正面図である。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法の別の実施例を示す断面図である
法の別の実施例を示す断面図である
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
【図７】従来のリード切断方法を説明する図で、（ａ）
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
【図８】従来のリード切断方法を説明する図で、（ａ）
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
【図９】従来のリード切断方法を説明する図で、（ａ）
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、（ｂ）はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
【図１０】従来の切断方法で生じるリードの不良半田付
け状態を説明する断面図で、（ａ）は図７に示す従来の
切断方法によるリードを示し、（ｂ）は図８に示す従来
の切断方法によるリードを示し、（ｃ）は図９に示す従
来の切断方法によるリードを示す。
け状態を説明する断面図で、（ａ）は図７に示す従来の
切断方法によるリードを示し、（ｂ）は図８に示す従来
の切断方法によるリードを示し、（ｃ）は図９に示す従
来の切断方法によるリードを示す。
３ 半田メッキ層 ４ ノッチ ７ ノッチ成形用パンチ ８ ノッチ成形用ダイ ９ ノッチ成形用リードクランパ １０ 切断パンチ １１ 切断ダイ １２ リード切断用リードクランパ １３ リード ２９ リードフレーム ３０ リードフレーム枠
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を
有するリードフレームをリードの実装面とは反対側から
ノッチ成形用リードクランパで押え且つリードの実装面
をノッチ成形用ダイで支持しノッチ成形用パンチにより
リードの実装面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッ
チ内に半田メッキ層を延伸させる工程と、前記リードフ
レームをリードの実装面とは反対側から切断ダイで押え
且つリードの実装面をリード切断用リードクランパで支
持し該リードの実装面側から切断パンチを作用させて半
田メッキ層を延伸させながらリードフレーム枠を切り落
とす工程とを包含することを特徴とする樹脂封止型半導
体装置のリード切断方法。 - 【請求項２】 前記ノッチ成形用パンチの先端形状が両
刃または片刃であることを特徴とする請求項１に記載の
樹脂封止型半導体装置のリード切断方法。 - 【請求項３】 前記ノッチ成形用パンチの刃型の先端に
微小なＲ加工を施したことを特徴とする請求項２に記載
の樹脂封止型半導体装置のリード切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132668A JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132668A JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745769A JPH0745769A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2526846B2 true JP2526846B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15086709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5132668A Expired - Fee Related JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526846B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697623B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-03-22 | 삼성전자주식회사 | 접착테이프 스트립 및 이를 채용한 칩 스케일형 반도체 패키지 |
| JP2002237560A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-08-23 | Ueno Seiki Kk | 電子部品のリード電極切断装置 |
| DE10063041B4 (de) | 2000-12-18 | 2012-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung |
| JP2002368173A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Ueno Seiki Kk | 電子部品の製造装置及び製造方法 |
| KR20030042745A (ko) * | 2001-11-23 | 2003-06-02 | 주식회사 씨피씨 | 반도체 패키지의 리드 노칭장치 |
| JP4686411B2 (ja) * | 2006-07-04 | 2011-05-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リード切断装置 |
| JP2008218525A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 導電部材の切断方法および回路装置の製造方法 |
| JP5254374B2 (ja) * | 2011-01-11 | 2013-08-07 | ローム株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2015072947A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6340204B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-06-06 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5132668A patent/JP2526846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745769A (ja) | 1995-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3559285A (en) | Method of forming leads for attachment to semi-conductor devices | |
| JP2526846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 | |
| KR960003853B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH11260983A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH11354561A (ja) | バンプ形成方法及びバンプ | |
| US4592131A (en) | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
| JP3008470B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH03296254A (ja) | リードフレーム | |
| JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
| JP2586352B2 (ja) | 半導体装置用リード切断装置 | |
| JPH08306844A (ja) | 面実装部品リード端子の製造法 | |
| JPH05190748A (ja) | 電子部品の実装パッケージ製造方法 | |
| JPH07297335A (ja) | リードフレームの製造方法およびその製造装置 | |
| JPH05144988A (ja) | 半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置及びリードフレーム | |
| JPH02302068A (ja) | トランスファーモールド型混成集積回路 | |
| JPH05326788A (ja) | リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH06334090A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のリード構造およびその製造方法 | |
| JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2808955B2 (ja) | 複合リードフレーム | |
| JPH04103154A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及びその実装方法 | |
| JP2001210775A (ja) | リードフレーム、電子部品パッケージ、及びそれらの作製方法 | |
| JPH01243565A (ja) | 半導体装置のリード切断装置 | |
| JPH09312373A (ja) | リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法 | |
| JPH04333267A (ja) | 表面実装半導体装置の製造方法 | |
| JPH05291456A (ja) | リードフレームおよびその加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960419 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080614 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090614 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 14 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110614 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120614 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |