JPH09312373A - リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法 - Google Patents

リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法

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JPH09312373A
JPH09312373A JP12852096A JP12852096A JPH09312373A JP H09312373 A JPH09312373 A JP H09312373A JP 12852096 A JP12852096 A JP 12852096A JP 12852096 A JP12852096 A JP 12852096A JP H09312373 A JPH09312373 A JP H09312373A
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inner lead
lead
lead frame
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tip structure
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Takeshi Aragaki
健 新垣
Kentaro Arai
健太郎 新井
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Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤボンディングの際に、ヒータブロック
とインナーリードとの間にバリにより生じる隙間を無く
そうとする課題があった。 【解決手段】 インナーリード3の先端に存在するバリ
を取り去って、インナーリード3の先端下部に傾斜面1
0を形成した形状とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップ等のチ
ップを樹脂モールドした電子部品の配線端子を構成する
リードフレームのインナーリード上部に金属細線をワイ
ヤボンディングして前記チップの端子に接続するように
したリードフレームのインナーリード先端構造及びその
加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICチップ等のチップ(以下、
チップという)を樹脂モールドで保護した電子部品は、
導電性を有するリードフレームによりチップから配線を
引き出すようにしている。なお、前記リードフレーム
は、樹脂モールドの外部に出た部分をアウターリード、
樹脂モールドの内部に入った部分をインナーリードと呼
んでいる。
【0003】図10は、リードフレームの全体の説明図
である。このリードフレーム1には、その中央にチップ
搭載部2があり、このチップ搭載部の周囲に複数のイン
ナーリード3が配置されるようになっている。そして、
前記チップ搭載部2には、チップ4が接着剤等を介して
搭載され、このチップ4の各端子5と前記インナーリー
ド3とが金属細線6によりワイヤボンディングされて接
続されるようになっている。
【0004】前記リードフレーム1の配線パターンの成
形は、エッチング工程や切断プレス工程により行われ
る。但し、前記インナーリード3は、エッチング工程や
切断プレス工程により、チップ搭載部2と接続された状
態で形成した後に、チップ搭載部2との接続を切断プレ
ス工程により切断して形成していた。即ち、チップ搭載
部2と接続された状態で、図11に示すように、矢印方
向に力を加えて切断し、図12に示すように、インナー
リード3を形成するようにしていた。このように形成し
たインナーリード3の先端構造は、バリ7が生じた形状
になっていた。また、そのインナーリード3の先端の金
属細線6の接続面は、狭ピッチ及び狭平坦幅に形成され
ている。
【0005】一方、ワイヤボンディング工程では、図1
3に示すように、ヒータブロック8上にインナーリード
3をセットし、上からウィンドウクランパ9で押圧し
て、インナーリード3を挟持し、ワイヤボンディングし
てインナーリード3と金属細線6とを接続するようにし
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ワイヤボンデ
ィングの際には、ヒータブロック上にインナーリードを
セットし、上からウィンドウクランパで押圧するように
しているが、正確に金属細線をインナーリードにワイヤ
ボンディングするためには、所定の荷重をかけて金属細
線をインナーリードに接合しなければならない。このた
め、ヒータブロックとインナーリードとの間に隙間があ
るのは好ましくない。
【0007】しかしながら、上記従来のリードフレーム
のインナーリード先端構造では、図13に示すように、
凸形状のバリ7が存在するため、ワイヤボンディングの
際に、ヒータブロック8とインナーリード3との間に隙
間xが生じてしまう問題があった。このため、バリの存
在のためにできる隙間xにより、ヒータブロックからイ
ンナーリードへの熱伝導の安定化が図れない問題があっ
た。また、所定の荷重がインナーリードの先端に加わら
ないため、インナーリード先端に金属細線を接合する接
合エネルギーの効率が悪くなる問題があった。このた
め、正確にワイヤボンディングできない問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のリード
フレームのインナーリード先端構造、リードフレームの
インナーリード先端下部に傾斜面を形成した形状とし
た。なお、その加工方法では、傾斜面を有する段差のあ
る金型台と、この金型台上にセットしたリードフレーム
のインナーリードをプレスする押圧部材とを有するプレ
ス機構を用意し、リードフレームの成形工程の際に切断
加工によりインナーリード先端に生じたバリを前記プレ
ス機構によりプレスして、インナーリード先端下部に傾
斜面を形成するようにした。また、インナーリード先端
のエッジ近傍の所定位置で、エッジに押圧部材が接触し
ないようにプレスしてインナーリード先端を成形するよ
うにしてもよい。この場合には、インナーリード先端を
上方に向けて曲げた形状となる。
【0009】さらに、インナーリード先端上部にバリを
形成してもよい。この場合の加工方法は、リードフレー
ムの切断工程の前工程として、インナーリードの先端近
傍に下側から凹みを成形し、この凹み部分でインナーリ
ードを切断して、バリがインナーリード先端上部になる
ように形成する。尚、凹みの形状は、略V字形の溝、略
コ字形の溝や略U字形の溝等がある。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の実施の形態を説明する。なお、本発明の特徴となる要
素を主として説明するものとし、リードフレームの全体
構造は従来と同様であるので説明を省略し、従来の要素
を使用する場合には同一符号を付して説明するものとす
る。
【0011】第1の実施の形態 図1は第1の実施の形態の要部斜視図、図2はバリの存
在を示す斜視図、図3は第1の実施の形態の成形工程の
説明図である。なお、図2において、バリは強調させて
描いてある。図1に示すように、本実施の形態のインナ
ーリード3の先端は、バリの存在の無い状態で、インナ
ーリード3の先端下部に傾斜面10を形成した形状とし
た。
【0012】次に、上記形状の成形工程を説明する。本
実施の形態では、まず、従来と同様に、リードフレーム
1の配線パターンの成形は、エッチング工程や切断プレ
ス工程により行う。そして、インナーリード3は、エッ
チング工程や切断プレス工程により、チップ搭載部2と
接続された状態で形成した後に、チップ搭載部2との接
続を切断プレス工程により切断して形成する。すると、
図2に示すように、インナーリード3の先端にバリ7が
下方鉛直面方向に伸びた形状になる。そのバリ7をプレ
スして塑性変形させ、上記形状のように、前記傾斜面1
0を形成する。
【0013】即ち、図3に示すように、通常のプレス加
工におけるダイ11とパンチ12と同様なプレス機構を
用意する。なお、前記ダイ11は、リードフレーム1の
全体に合わせた形状であり、リードフレーム1に形成し
たインナーリード3の全てに対してその先端部分が当た
る位置にテーパ状の段差が設けられ、テーパ面13を有
した金型である。また、前記パンチ12は、図示しない
ダイ11方向に荷重をかける機構を備えている。そし
て、前記ダイ11と前記パンチ12との間に、バリ7の
存在するインナーリード3の先端をセットし、前記パン
チ12を前記ダイ11へ移動させ、前記テーパ面13に
バリ7を押しつける。これにより、図1に示すように、
インナーリード3の先端に前記傾斜面10を形成する。
その後、従来と同様に、ワイヤボンディングしてチップ
端子とインナーリード3とを接続する。この接続の際に
は、インナーリード3の先端下部にバリが存在しないた
め、従来のように、ヒータブロックとインナーリードと
の間に隙間があかない。従って、正確にワイヤボンディ
ングすることができるようになる。
【0014】なお、上述のバリのプレス加工のためのダ
イは、前段の工程の切断加工金型の中に実装するように
して同一工程で行うのが好ましい。同一工程で処理する
とコスト的に効率が良いからである。上記第1の実施の
形態よると、ワイヤボンディングの際に、ヒータブロッ
クとインナーリードとの間に隙間があかないため、ヒー
タブロックからインナーリードへの熱伝導の安定化とイ
ンナーリード先端に金属細線を接合する接合エネルギー
の効率を改善することができる効果が得られる。また、
従来のように、バリを支点として回転することもなくな
る効果が得られる。このため、正確にワイヤボンディン
グすることができる効果が得られる。
【0015】第2の実施の形態 図4は第2の実施の形態の要部斜視図、図5は第2の実
施の形態の成形工程の説明図である。なお、以下の説明
では、上記第1の実施の形態と相違する点を主に記載す
るものとする。図4に示すように、本実施の形態のイン
ナーリード3の先端は、バリの存在の無い状態で、イン
ナーリード3の先端下部に傾斜面10を形成すると共
に、金属細線の接続面側で上方に曲げた形状とした。即
ち、インナーリード3の先端には、前記傾斜面10と共
に、金属細線の接続面側にも傾斜面14が形成する。
【0016】次に、上記形状の成形工程を説明する。こ
の成形工程では、バリ7のプレス加工の際に、図5に示
すように、インナーリード3の先端のエッジ近傍の所定
位置を、エッジにパンチ12が接触しないようにプレス
してインナーリード3の先端を成形するようにしたもの
である。即ち、インナーリード3の先端のエッジ近傍の
所定位置であって、エッジに接触しないようにパンチ1
2をインナーリード3に押しつけ、前記テーパ面13に
バリ7を押しつける。この際、エッジにパンチ12が接
触していないため、インナーリード3を押しつける力が
上方に逃げ、テーパ面14が形成される。
【0017】なお、上記成形工程の際に、インナーリー
ド3には、図示しないめっきが施されている。このた
め、上記第1の実施の形態では、そのめっきがプレスの
際にパンチに破片や屑が付着することがある。しかし、
本実施の形態では、その破片や屑の付着や転写を防ぐこ
とができる。上記第2の実施の形態によると、ワイヤボ
ンディングの際に、ヒータブロックとインナーリードと
の間に隙間があかないため、ヒータブロックからインナ
ーリードへの熱伝導の安定化とインナーリード先端に金
属細線を接合する接合エネルギーの効率を改善すること
ができる効果が得られる。また、従来のように、バリを
支点として回転することもなくなる効果が得られる。こ
のため、正確にワイヤボンディングすることができる効
果が得られる。これと共に、めっき破片やめっき屑の付
着や転写を防ぐことができ、めっき表面の品質を改善す
ることができる効果がある。
【0018】第3の実施の形態 図6は第3の実施の形態の要部斜視図、図7は第3の実
施の形態の成形工程の説明図である。図6に示すよう
に、本実施の形態のインナーリード3の先端は、インナ
ーリード3の先端下部に傾斜面10を形成すると共に、
インナーリード3の先端上部にバリ7が存在する形状と
した。
【0019】次に、上記形状の成形工程を説明する。本
実施の形態では、リードフレーム1の配線パターンの成
形は、エッチング工程や切断プレス工程により行う前
に、図7に示すように、インナーリード3の先端近傍に
金属細線の接続面の裏側から略V字形の溝である凹みを
スタンピング加工により成形し、この凹み部分で矢印に
示すようにインナーリード3を切断するようにした。こ
のようにして切断すると、インナーリード3の先端上部
にバリ7が形成される。従って、前記裏面側に段差を生
じさせる原因を取り除くことができる。このため、ワイ
ヤボンディングを正確に行うことが可能となる。
【0020】なお、上記V字形の溝は、スタンピング工
程により成形する場合に限らず、例えば、エッチング工
程により成形するようにしてもよい。但し、スタンピン
グ工程により成形すると、V字形の溝が容易に成形でき
る。上記第3の実施の形態によると、ワイヤボンディン
グの際に、ヒータブロックとインナーリードとの間に隙
間があかないため、ヒータブロックからインナーリード
への熱伝導の安定化とインナーリード先端に金属細線を
接合する接合エネルギーの効率を改善することができる
効果が得られる。また、従来のように、バリを支点とし
て回転することもなくなる効果が得られる。このため、
正確にワイヤボンディングすることができる効果が得ら
れる。
【0021】第4の実施の形態 図8は第4の実施の形態の要部斜視図、図9は第4の実
施の形態の成形工程の説明図である。図8に示すよう
に、本実施の形態のインナーリード3の先端は、インナ
ーリード3の先端上部にバリ7が存在する形状としたも
のである。即ち、インナーリード3の先端下部を略直角
とし、その先端上部にはインナーリード3の全体厚さよ
りも薄い部分を形成し、この部分の先端にバリ7を形成
するようにした。
【0022】次に、上記形状の成形工程を説明する。本
実施の形態では、リードフレーム1の配線パターンの成
形は、エッチング工程や切断プレス工程により行う前
に、図9に示すように、インナーリード3の先端近傍に
金属細線の接続面の裏側から略コ字形の溝である凹みを
エッチング加工により成形し、この凹み部分で矢印に示
すようにインナーリードを切断するようにした。このよ
うにして切断すると、インナーリード3の先端上部にバ
リ7が形成される。従って、前記裏面側に段差を生じさ
せる原因を取り除くことができる。このため、ワイヤボ
ンディングを正確に行うことが可能となる。
【0023】なお、コ字形の溝は、エッチクング工程に
より成形する場合に限らず、例えば、プレス工程により
成形するようにしてもよい。但し、エッチング工程によ
り成形すると、コ字形の溝が容易に成形できる。上記第
4の実施の形態によると、ワイヤボンディングの際に、
ヒータブロックとインナーリードとの間に隙間があかな
いため、ヒータブロックからインナーリードへの熱伝導
の安定化とインナーリード先端に金属細線を接合する接
合エネルギーの効率を改善することができる効果が得ら
れる。また、従来のように、バリを支点として回転する
こともなくなる効果が得られる。このため、正確にワイ
ヤボンディングすることができる効果が得られる。
【0024】なお、上記第3の実施の形態と上記第4の
実施の形態とで説明した凹みは、略V字形と略コ字形の
形状としたが、これに限らず、例えば、略U字形等のよ
うな凹みであってもよい。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明のリードフレ
ームのインナーリード先端構造によると、ワイヤボンデ
ィングの際に、ヒータブロックとインナーリードとの間
に隙間があかないため、ヒータブロックからインナーリ
ードへの熱伝導の安定化とインナーリード先端に金属細
線を接合する接合エネルギーの効率を改善することがで
きる効果が得られる。また、従来のように、バリを支点
として回転することもなくなる効果が得られる。このた
め、正確にワイヤボンディングすることができる効果が
得られる。一方、本発明のリードフレームのインナーリ
ード先端構造の加工方法によると、上記効果を有するイ
ンナーリード先端を成形することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態の要部斜視図
【図2】バリの存在を示す斜視図
【図3】第1の実施の形態の成形工程の説明図
【図4】第2の実施の形態の要部斜視図
【図5】第2の実施の形態の成形工程の説明図
【図6】第3の実施の形態の要部説明図
【図7】第3の実施の形態の切断工程の説明図
【図8】第4の実施の形態の要部説明図
【図9】第4の実施の形態の切断工程の説明図
【図10】リードフレームの全体の説明図
【図11】従来のインナーリード先端構造の説明図
【図12】従来のインナーリード先端構造の説明図
【図13】ワイヤボンディング工程の説明図
【符号の説明】
1 リードフレーム 3 インナーリード 6 金属細線 7 バリ 10 傾斜面

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップ等のチップを樹脂モールドし
    た電子部品の配線端子を構成するリードフレームのイン
    ナーリード上部に金属細線をワイヤボンディングして前
    記チップの端子に接続するようにしたリードフレームの
    インナーリード先端構造において、 リードフレームのインナーリード先端下部に傾斜面を形
    成した形状としたことを特徴とするリードフレームのイ
    ンナーリード先端構造。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のリードフレームのイン
    ナーリード先端構造において、 傾斜面を有する段差のある金型台と、この金型台上にセ
    ットしたリードフレームのインナーリードをプレスする
    押圧部材とを有するプレス機構を用意し、 リードフレームの成形工程の際に切断加工によりインナ
    ーリード先端に生じたバリを前記プレス機構によりプレ
    スして、インナーリード先端下部に傾斜面を形成するよ
    うにしたことを特徴とするリードフレームのインナーリ
    ード先端構造の加工方法。
  3. 【請求項3】 請求項2において、インナーリード先端
    のエッジ近傍の所定位置で、エッジに押圧部材が接触し
    ないようにプレスしてインナーリード先端を成形するよ
    うにしたことを特徴とするリードフレームのインナーリ
    ード先端構造の加工方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のインナーリード先端に
    おいて、インナーリード先端を上方に向けて曲げた形状
    としたことを特徴とするリードフレームのインナーリー
    ド先端構造。
  5. 【請求項5】 ICチップ等のチップを樹脂モールドし
    た電子部品の配線端子を構成するリードフレームのイン
    ナーリード上部に金属細線をワイヤボンディングして前
    記チップの端子に接続するようにしたリードフレームの
    インナーリード先端構造において、 インナーリード先端上部にバリを形成したことを特徴と
    するリードフレームのインナーリード先端構造。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載のインナーリードにおい
    て、リードフレームの切断工程の前工程として、インナ
    ーリードの先端近傍に下側から凹みを成形し、この凹み
    部分でインナーリードを切断して、バリがインナーリー
    ド先端上部に形成されるようにしたことを特徴とするリ
    ードフレームのインナーリード先端構造の加工方法。
  7. 【請求項7】 請求項6において、凹みを略V字形の溝
    に成形するようにしたことを特徴とするリードフレーム
    のインナーリード先端構造の加工方法。
  8. 【請求項8】 請求項6において、凹みを略コ字形の溝
    に成形するようにしたことを特徴とするリードフレーム
    のインナーリード先端構造の加工方法。
  9. 【請求項9】 請求項7において、凹みを略U字形の溝
    に成形するようにしたことを特徴とするリードフレーム
    のインナーリード先端構造の加工方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE112018008098T5 (de) 2018-10-23 2021-07-15 Mitsubishi Electric Corporation Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtung,Leistungsumwandlungsvorrichtung und beweglicher Körper

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