JP2001185671A - 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高集積化に伴う多ピン化にもかかわらず、イ
ンナーリードのワイヤボンディングに接合不具合が生じ
難い半導体装置の製造方法を得る。 【解決手段】 インナーリード３の先端部３ａにおける
ウインドクランパ９にて押圧される側とは反対面側に突
出する突起３ｂを設けて先端部３ａを他の部分よりも厚
く形成し、ダイパッド２に搭載した半導体チップ１とイ
ンナーリード３とをボンディングワイヤ４で接続するに
際し、先端部３ａをプラテン１０にウインドクランパ９
で均等かつ安定に押圧固定する。
ンナーリードのワイヤボンディングに接合不具合が生じ
難い半導体装置の製造方法を得る。 【解決手段】 インナーリード３の先端部３ａにおける
ウインドクランパ９にて押圧される側とは反対面側に突
出する突起３ｂを設けて先端部３ａを他の部分よりも厚
く形成し、ダイパッド２に搭載した半導体チップ１とイ
ンナーリード３とをボンディングワイヤ４で接続するに
際し、先端部３ａをプラテン１０にウインドクランパ９
で均等かつ安定に押圧固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ダイパッド上に
ボンディングされた半導体チップの電極と、インナーリ
ードの先端部とをワイヤボンディング装置でワイヤボン
ディングする半導体装置の製造方法及び該半導体装置の
製造に用いられるリードフレームの製造方法に関するも
のである。
ボンディングされた半導体チップの電極と、インナーリ
ードの先端部とをワイヤボンディング装置でワイヤボン
ディングする半導体装置の製造方法及び該半導体装置の
製造に用いられるリードフレームの製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の製造方法
は、ダイパッド上に半導体チップが載置固定されたリー
ドフレームをワイヤボンド装置のプラテン上に載置し、
前記半導体チップの電極と、前記リードフレームのイン
ナーリードの先端近傍とをワイヤボンドするに際し、前
記インナーリードの前記ワイヤボンドされる領域よりも
外側の所定位置を、ワイヤボンディングツールが出入り
する窓を有するウインドクランパで押え、前記ワイヤボ
ンドを行っていた。即ち、前記インナーリードにおける
前記ワイヤボンディングされる位置よりも後退した位置
をウインドクランパで押圧固定していた。
は、ダイパッド上に半導体チップが載置固定されたリー
ドフレームをワイヤボンド装置のプラテン上に載置し、
前記半導体チップの電極と、前記リードフレームのイン
ナーリードの先端近傍とをワイヤボンドするに際し、前
記インナーリードの前記ワイヤボンドされる領域よりも
外側の所定位置を、ワイヤボンディングツールが出入り
する窓を有するウインドクランパで押え、前記ワイヤボ
ンドを行っていた。即ち、前記インナーリードにおける
前記ワイヤボンディングされる位置よりも後退した位置
をウインドクランパで押圧固定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は以上のような製造工程を有するので、ワイヤボ
ンディング時に、複数のインナーリードの先端部の全て
をワイヤボンド装置のプラテンに対して密着させること
が困難であり、前記インナーリードに対するワイヤボン
ドの接合強度が不足したものが発生する問題があった。
また、半導体装置の高集積化に伴う多ピン化により前記
インナーリードが極細化され、前記インナーリードの先
端部を前記プラテンに密着させることが益々困難とな
り、結果的に、前記インナーリードに対する前記ワイヤ
ボンドの接合強度が益々不足する問題があった。
造方法は以上のような製造工程を有するので、ワイヤボ
ンディング時に、複数のインナーリードの先端部の全て
をワイヤボンド装置のプラテンに対して密着させること
が困難であり、前記インナーリードに対するワイヤボン
ドの接合強度が不足したものが発生する問題があった。
また、半導体装置の高集積化に伴う多ピン化により前記
インナーリードが極細化され、前記インナーリードの先
端部を前記プラテンに密着させることが益々困難とな
り、結果的に、前記インナーリードに対する前記ワイヤ
ボンドの接合強度が益々不足する問題があった。
【０００４】この発明は、以上のような問題を解決する
ためになされたもので、インナーリードの先端の、ワイ
ヤボンド装置のプラテンに対する密着度を高め、前記イ
ンナーリードに対するワイヤボンドの接合強度を高める
半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いら
れるリードフレームの製造方法を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、インナーリードの先端の、ワイ
ヤボンド装置のプラテンに対する密着度を高め、前記イ
ンナーリードに対するワイヤボンドの接合強度を高める
半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いら
れるリードフレームの製造方法を得ることを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
装置の製造方法は、ダイパッド上にボンディングされた
半導体チップの電極と、インナーリードとをワイヤボン
ディング装置でワイヤボンディングする半導体装置の製
造方法において、前記インナーリードの前記ボンディン
グする位置若しくはその近傍の裏面側に突出した突起を
設け、該突起を前記ワイヤボンディング装置のプラテン
に当接させた状態で、前記インナーリードに対する前記
ワイヤボンディングを行う方法である。
装置の製造方法は、ダイパッド上にボンディングされた
半導体チップの電極と、インナーリードとをワイヤボン
ディング装置でワイヤボンディングする半導体装置の製
造方法において、前記インナーリードの前記ボンディン
グする位置若しくはその近傍の裏面側に突出した突起を
設け、該突起を前記ワイヤボンディング装置のプラテン
に当接させた状態で、前記インナーリードに対する前記
ワイヤボンディングを行う方法である。
【０００６】第２の発明に係るリードフレームの製造方
法は、リードフレームを支持すると共に、該リードフレ
ームのインナーリードの裏面と対向する位置に凹所を有
する下金型と対をなす上金型で前記リードフレームを加
圧し、前記凹所を利用して前記リードフレームを塑性変
形させ、前記インナーリードの先端から所定距離後退し
た位置に突起を形成する方法である。
法は、リードフレームを支持すると共に、該リードフレ
ームのインナーリードの裏面と対向する位置に凹所を有
する下金型と対をなす上金型で前記リードフレームを加
圧し、前記凹所を利用して前記リードフレームを塑性変
形させ、前記インナーリードの先端から所定距離後退し
た位置に突起を形成する方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１を図１乃至図３により説明する。図１は半導体装
置の断面図である。図において、１は半導体チップであ
りその表面上に電極１ａが形成されている。２は半導体
チップ１を載置固定するダイパッド、３はインナーリー
ドであり、その先端部３ａに突起３ｂが形成され、突起
３ｂの先端面３ｃには凹凸が形成されている。４はイン
ナーリード３と半導体チップ１の電極１ａとにボンディ
ングされたボンディングワイヤ、５は半導体チップ１、
ダイパッド２、インナーリード３及びボンディングワイ
ヤ４を封止した樹脂パッケージ、６はインナーリード３
と一体をなし、樹脂パッケージ５から露出配設されたア
ウターリードである。なお、ダイパッド２、インナーリ
ード３及びアウターリード６等でリードフレームが構成
されていることは周知の通りである。
形態１を図１乃至図３により説明する。図１は半導体装
置の断面図である。図において、１は半導体チップであ
りその表面上に電極１ａが形成されている。２は半導体
チップ１を載置固定するダイパッド、３はインナーリー
ドであり、その先端部３ａに突起３ｂが形成され、突起
３ｂの先端面３ｃには凹凸が形成されている。４はイン
ナーリード３と半導体チップ１の電極１ａとにボンディ
ングされたボンディングワイヤ、５は半導体チップ１、
ダイパッド２、インナーリード３及びボンディングワイ
ヤ４を封止した樹脂パッケージ、６はインナーリード３
と一体をなし、樹脂パッケージ５から露出配設されたア
ウターリードである。なお、ダイパッド２、インナーリ
ード３及びアウターリード６等でリードフレームが構成
されていることは周知の通りである。
【０００８】次に、図１で説明した半導体装置の製造方
法について、図２、図３に基づいて説明する。まず、イ
ンナーリード３の突起３ｂの形成方法について図２によ
り説明する。図において、７はインナーリード３の突起
３ｂを形成するための凹部７ａが形成された下金型、８
は下金型７と対をなす上金型である。リードフレームが
スタンピングフレームの場合はプレス金型の形状及びプ
レス条件を調整すると共に、前記リードフレームをその
受け冶具である下金型７の上に載置し、下金型７と対を
なす上金型８でリードフレームを押圧して凹部７ａに突
起３ｂが配設されるように前記リードフレームを塑性変
形させることでインナーリード３の先端縁よりも前記所
定距離だけ後退した位置に突起３ｂを形成するものであ
る。
法について、図２、図３に基づいて説明する。まず、イ
ンナーリード３の突起３ｂの形成方法について図２によ
り説明する。図において、７はインナーリード３の突起
３ｂを形成するための凹部７ａが形成された下金型、８
は下金型７と対をなす上金型である。リードフレームが
スタンピングフレームの場合はプレス金型の形状及びプ
レス条件を調整すると共に、前記リードフレームをその
受け冶具である下金型７の上に載置し、下金型７と対を
なす上金型８でリードフレームを押圧して凹部７ａに突
起３ｂが配設されるように前記リードフレームを塑性変
形させることでインナーリード３の先端縁よりも前記所
定距離だけ後退した位置に突起３ｂを形成するものであ
る。
【０００９】上述の如く、プレス加工により突起３ｂを
形成するに際して、インナーリード３における突起３ｂ
の形成位置の両側を下金型７で支持することができるの
で、突起３ｂを塑性変形により突出させる加工が極めて
安定し、容易となる。なお、突起３ｂの先端面３ｃの凹
凸は下金型７の凹部７ａの底面に形成されている凹凸を
転写することにより形成する。
形成するに際して、インナーリード３における突起３ｂ
の形成位置の両側を下金型７で支持することができるの
で、突起３ｂを塑性変形により突出させる加工が極めて
安定し、容易となる。なお、突起３ｂの先端面３ｃの凹
凸は下金型７の凹部７ａの底面に形成されている凹凸を
転写することにより形成する。
【００１０】次に、半導体チップ１の電極１ｂとインナ
ーリード３の先端部３ａとの間をボンディングワイヤ４
により接続するワイヤボンディング方法について図３に
より説明する。図において、９はワイヤボンディングツ
ール（図示せず）が出入りする窓９ａを有するウインド
クランパ、１０はワイヤボンド装置のプラテンで、半導
体チップ１の電極１ｂとインナーリード３の先端部３ａ
とをボンディングワイヤ４でワイヤボンディングにより
接続するのに先立ち、リードフレームを支持すると共
に、インナーリード３の先端より所定寸法後退した位置
をウインドクランパ９でプラテン１０の表面上に押圧す
る。その後、前記ワイヤボンディングツールが窓７ａの
内側でワイヤボンディング動作をすることでワイヤボン
ディングが行われる。
ーリード３の先端部３ａとの間をボンディングワイヤ４
により接続するワイヤボンディング方法について図３に
より説明する。図において、９はワイヤボンディングツ
ール（図示せず）が出入りする窓９ａを有するウインド
クランパ、１０はワイヤボンド装置のプラテンで、半導
体チップ１の電極１ｂとインナーリード３の先端部３ａ
とをボンディングワイヤ４でワイヤボンディングにより
接続するのに先立ち、リードフレームを支持すると共
に、インナーリード３の先端より所定寸法後退した位置
をウインドクランパ９でプラテン１０の表面上に押圧す
る。その後、前記ワイヤボンディングツールが窓７ａの
内側でワイヤボンディング動作をすることでワイヤボン
ディングが行われる。
【００１１】上述の如く、先端部３ａには、ワイヤボン
ディング時にウインドクランパ９にて押圧される側とは
反対の主面側に突出する突起３ｂが形成しているので、
即ち、インナーリード３の先端部３ａを、先端部３ａを
除くその他の部分よりも厚く形成しているので、そし
て、先端面３ｃには滑り難くすべく凹凸を形成している
ので、ウインドクランパ９による押圧により、並列に存
在する複数のインナーリード３の先端部３ａの全てをプ
ラテン１０の表面に確実に接触させることができる。
ディング時にウインドクランパ９にて押圧される側とは
反対の主面側に突出する突起３ｂが形成しているので、
即ち、インナーリード３の先端部３ａを、先端部３ａを
除くその他の部分よりも厚く形成しているので、そし
て、先端面３ｃには滑り難くすべく凹凸を形成している
ので、ウインドクランパ９による押圧により、並列に存
在する複数のインナーリード３の先端部３ａの全てをプ
ラテン１０の表面に確実に接触させることができる。
【００１２】なお、図１乃至図３に示したインナーリー
ド３の先端部３ａの裏面側における突起３ｂの形成はプ
レス加工に限定される必要はなく、エッチングや絞り加
工等によっても形成できる。
ド３の先端部３ａの裏面側における突起３ｂの形成はプ
レス加工に限定される必要はなく、エッチングや絞り加
工等によっても形成できる。
【００１３】また、図４Ａから図４Ｃはインナーリード
３の突起３ｂの変形例を示すもので、実施の形態１に例
示した突起３ｂに限定されるものではない。
３の突起３ｂの変形例を示すもので、実施の形態１に例
示した突起３ｂに限定されるものではない。
【００１４】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に示すような効果を奏する。
るので、以下に示すような効果を奏する。
【００１５】インナーリードにおけるボンディングワイ
ヤのボンディング位置若しくはその近傍の裏面側に突出
した突起を設け、該突起をプラテンに当接させた状態
で、前記インナーリードにワイヤボンディングを行うよ
うにしたので、該ワイヤボンディング時に前記インナー
リードのボンディング位置をプラテンに確実に接触で
き、従来例に比し前記ワイヤボンディングの接合強度の
高い半導体装置の製造方法が得られる効果がある。
ヤのボンディング位置若しくはその近傍の裏面側に突出
した突起を設け、該突起をプラテンに当接させた状態
で、前記インナーリードにワイヤボンディングを行うよ
うにしたので、該ワイヤボンディング時に前記インナー
リードのボンディング位置をプラテンに確実に接触で
き、従来例に比し前記ワイヤボンディングの接合強度の
高い半導体装置の製造方法が得られる効果がある。
【００１６】また、前記突起を前記インナーリードの先
端より所定距離だけ後退した位置に形成するようにした
ので、前記突起を形成するとき、前記インナーリードの
先端部位裏面側を受け冶具で確実に支持することがで
き、前記突起の形成加工を極めて安定した状態で容易に
行え、加工性に優れた半導体装置の製造方法が得られる
効果がある。
端より所定距離だけ後退した位置に形成するようにした
ので、前記突起を形成するとき、前記インナーリードの
先端部位裏面側を受け冶具で確実に支持することがで
き、前記突起の形成加工を極めて安定した状態で容易に
行え、加工性に優れた半導体装置の製造方法が得られる
効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１としての半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】 図１に示した半導体装置のインナーリードに
突起を形成する方法の説明図である。
突起を形成する方法の説明図である。
【図３】 図１に示した半導体装置のワイヤボンディン
グ作業方法の説明図である。
グ作業方法の説明図である。
【図４】 図１に示した半導体装置におけるインナーリ
ードの突起の変形例を示す断面図である。
ードの突起の変形例を示す断面図である。
１ 半導体チップ、２ ダイパッド、３ インナーリー
ド、３ｂ 突起、５ 樹脂パッケージ、７ 下金型、７
ａ 凹部、８ 上金型、９ ウインドクランパ、９ａ
窓、１０ プラテン
ド、３ｂ 突起、５ 樹脂パッケージ、７ 下金型、７
ａ 凹部、８ 上金型、９ ウインドクランパ、９ａ
窓、１０ プラテン
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッド上にボンディングされた半導
体チップの電極と、インナーリードとをワイヤボンディ
ング装置でワイヤボンディングする半導体装置の製造方
法において、前記インナーリードの前記ボンディングす
る位置若しくはその近傍の裏面側に突出した突起を設
け、該突起を前記ワイヤボンディング装置のプラテンに
当接させた状態で、前記インナーリードに対する前記ワ
イヤボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 リードフレームを支持すると共に、該リ
ードフレームのインナーリードの裏面と対向する位置に
凹所を有する下金型と対をなす上金型で前記リードフレ
ームを加圧し、前記凹所を利用して前記リードフレーム
を塑性変形させ、前記インナーリードの先端から所定距
離後退した位置に突起を形成することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36393499A JP2001185671A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36393499A JP2001185671A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185671A true JP2001185671A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18480561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36393499A Pending JP2001185671A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185671A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004605A (ja) * | 2011-10-05 | 2012-01-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびリードフレームの製造方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2011064817A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2013175795A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-09-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
| JP2014033061A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| WO2022209819A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36393499A patent/JP2001185671A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011064817A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| JP5566296B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-08-06 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012004605A (ja) * | 2011-10-05 | 2012-01-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびリードフレームの製造方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2014033061A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
| JP2013175795A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-09-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
| WO2022209819A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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