JPH03125466A

JPH03125466A - リードフレーム用溝成形加工法

Info

Publication number: JPH03125466A
Application number: JP26373789A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Fujiwara; 健一藤原; Shigeru Yumino; 弓野　茂; Kosuke Sato; 紘介佐藤
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1989-10-09
Filing date: 1989-10-09
Publication date: 1991-05-28
Anticipated expiration: 2010-10-09
Also published as: JPH0793399B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、リードフレーム用溝成形加工法に関し、さら
に詳しくは、封止樹脂とリードフレームとの結合力が高
い樹脂封止型半導体装置を形成するのに好適な、二段溝
な有するリードフレームの溝成形加工法に関する。

〈従来の技術〉半導体装置は、リードフレームへの半導体チップの搭載
、ボンディング、樹脂封止、個々の半導体装置への切断
分割の工程によって製造されるが、製造された半導体装
置における封止樹脂とリードフレームとの結合力は、半
導体装置の品質に大きな影響を与える因子のひとつであ
る。

そこで、従来より、封止樹脂とリードフレームとの結合
力を高めるために、半導体チップ搭載部等に溝または突
起を形成したリートフレームやその製造方法が提案され
ている。

例をあげると、第３図に示すように、半導体チップ搭載
部１に案内溝５を形成したもの（特開昭６３−２３９９
６７号）、第４図に示すように、半導体チップ搭載部１
に、その縦断面形状が第５図に示すような７字型の溝６
を形成したもの、また、第４図において、溝６を複数と
し、溝６の縦断面形状は、例えば第６図に示す形状とし
たもの（実開昭６１−８５１５９号）、あるいは、第４
図において、溝６を２個とし、溝６の縦断面形状は、第
７図に示すように、第一の溝６ａは、第二の溝６ｂ影形
成に生じた変形を有し、第二の溝６ｂは７字型としたも
の（特開昭６０−１６１６４７号）、さらには、第４図
において、構６を複数とし、溝６の縦断面形状は、第８
図に示すように鋭角的に傾斜する平行四辺形とするか、
その縦断面形状が第９図に示すように鋭角的に傾斜する
平行四辺形である複数の突起７を溝６のかわりに設けた
もの（特開昭６３−６４３５１号）等がある。

〈発明が解決しようとする課題〉前記の如く、従来より、封止樹脂とリードフレームとの
結合力を高めるために、半導体チップ搭載部等に溝また
は突起を形成したリードフレームやその製造方法が提案
されている。

これらのうち、特開昭６３−２３９９６７号や特開昭６
ＣＩ−１６１６４７号に開示されたリードフレームは、
封止樹脂との結合力は高いが、溝の加工が困難であるた
めに、品質に安定性がない。　特に、特開昭６０−１６
１６１７号に開示されたり一トフレームては、第二の溝
６ｂを形成するに際し、プレス加工用金型での工具の位
置合わせが非常にむずかしく、かつ、第一の溝６８の変
形状態は、第二の溝６ｂの位置と工具の摩耗等の影響を
受は易いのて、品質のばらつきが非常に大きい。

また、Ｖ字形の溝を有するリードフレームや、実開昭６
１−８５１５９号に開示されたリードフレームでは、溝
の加工は容易であるが、封止樹脂との結合力は未だ不充
分であり、従って、半導体装置の耐湿性、封止樹脂の耐
剥離性に問題がある。

さらに、特開昭６３−６４３５１号に開示されたリード
フレームも、第８図に示された例では、複数の溝６をリ
ードフレームの軸線に対して同一方向に傾斜させて形成
する点に困難さがあり、一方、第９図に示された例では
、突起を溶接またはろう付けしなければならないのて生
産効率が低く、かつ、いずれの場合も品質に安定性がな
い。

このように、従来においてなされた封止樹脂とリードフ
レームとの結合力を高めるための提案は、未だ欠点を有
するものである。

本発明は、上記の事実に鑑みてなされたものであり、充
分な耐湿性を有する半導体装置を形成するのに好適であ
り、封止樹脂の耐剥離性に優れた、換言すると、封止樹
脂との結合力の高いリードフレームを製造するための簡
易な構成彫加工法の提供を目的とする。

く課題を解決するための手段〉本発明は、リードフレームの半導体チップ搭載部に溝を
成形加工する方法であって、その縦断面図形状が方形、
Ｕ字形またはＶ字形となるように第一の溝加工を行なっ
た後に、第一の溝加工によって形成された溝に重畳させ
て、その縦断面形状が方形またはＵ字形となるように第
の溝加工を行なうことを特徴とするリードフレーム用溝
成形加工法を提供するものである。

以下に、本発明の詳細な説明する。

本発明は、リードフレームの半導体チップ搭載部に溝を
成形加工する方法であって、二工程からなる。

本発明の第一の工程は、その縦断面形状が方形、Ｕ字形
またはＶ字形となるように、第一の溝加工を行なう工程
である。

また、本発明の第二の工程は、第一の溝加工によって形
成された溝に重畳させて、その縦断面形状が方形または
Ｕ字形となるように第二の溝加工を行なう工程である。

第一の工程は、その側面形状が方形、Ｕ字形またはＶ字
形の工具を用い、プレス加工、成形加工、ハンマー加工
等の方法で第一段目の溝を形成するのが好ましい。

第二の工程は、第一の工程で形成された第一段目の溝に
重畳させて第二段目の溝を形成する工程であるが、第二
の工程に相当する好適例を具体的に述べると、 ■その側面形状が方形またはＵ字形の工具であって、そ
の工具の底面の大きさが第一の工程で形成された第一段
目の溝の開口部の大きさよりも大きい工具を用い、第一
段目の溝と同一位置に第二段目の溝を加工する工程、 ■その側面形状が方形またはＵ字形の工具であって、そ
の工具の底面の大きさが任意である工具を用い、第一段
目の溝と一部が同一位置となる位置に第二段目の溝を加
工する工程、■その側面形状がＶ字形の工具であって、
その先端部が第一段目の溝の底部に到達しない大きさ、
形状の工具を用い、第一段目の溝と同一位置に第二段目
の溝を加工する工程、および、■その側面形状がＶ字形
の工具であって、その大きさが任意である工具を用い、
第一段目の溝と一部が同一位置となる位置に第二段目の
溝を加工する工程等かある。　なお、上記■、■では、
Ｖ字形の工具を用いているが、形成される第二段目の溝
の縦断面形状は方形である。　また、加工とは、第一の
工程と同じく、プレス加工、成形加工、ハンマー加工等
をいう。

上記第一の工程および第二の工程において、溝の縦断面
形状のうちの方形とは、台形、正方形、長方形、平行四
辺形等のいわゆる四辺形をいい、台形の場合、上底と下
底の長さは、いずれが大であフてもよい。

また、第一段目の溝の形状と第二段目の溝の形状との組
合せは限定されず、同形であっても異形であってもよい
。

溝の形成される位置は、リードフレームの半導体チップ
搭載部であればどこでもよいが、第４図に示すように、
半導体チップ搭載部１の半導体チップが搭載される部位
８の四周部が特に好ましい。

本発明のリードフレーム用溝成形加工法は、上記の通り
であるが、図面に基づいて、さらに具体的に説明する。

第１図は、リードフレームの半導体チップ搭載部１の溝
形成部分の部分の縦断面図を、溝の成形加工工程に添っ
て順次示したものである。

第１図（ａ）に示すように、第一の工程として、その側
面形状が台形の工具３を用いて半導体チップ搭載部１を
プレス加工すると、第１図（ｂ）に示すように、縦断面
形状が台形の第段目の溝２か形成される。

次に、第二の工程として、第１図（Ｃ）に示すように、
その底辺の大きさｙが第一段目の溝２の開口部の大きさ
Ｘよりも大きく、その側面形状が長方形の工具３を用い
、第一段目の溝２と同一位置をプレス加工すると、第１
図（ｄ）に示すように、第一段目の溝２の上部が変形し
、その上に縦断面形状が長方形の第二段目の溝４が形成
される。　あるいは、第１図（ｅ）に示すように、その
底面の大きさｙが第一段目の溝２の開口部の大きさＸよ
りも大きく、その側面形状が台形の工具３を用い、第一
段目の溝２と同一位置をプレス加工すると、第１図（ｆ
）に示すように、第一段目の溝２の上部が変形し、その
上に縦断面形状が台形の第二段目の溝４が形成される。

また、第２図も、リードフレームの半導体チップ搭載部
１の溝形成部分の縦断面図を、溝の成形加工工程に添っ
て順次示したものである。

第２図（ａ）に示すように、第一の工程として、その側
面形状が長方形の工具３を用いて半導体チップ搭載部１
をプレス加工すると、第２図（ｂ）に示すように、縦断
面形状が長方形の第−段目の溝２が形成される。

次に、第二の工程として、第２図（ｃ）に示すように、
その底面の大きさが任意で、その側面形状が台形の工具
３を用い、第一段目の溝２と同一位置を含む近傍の位置
をプレス加工すると、第２図（ｄ）に示すように、第一
段目の溝２の一方の上部が変形し、その上部近傍に縦断
面形状が台形の第二段目の溝４が形成される。　このよ
うに、本発明法により、例えは第１図（ｄ）、第１図（
ｆ）および第２図（ｄ）にポされる形状を有する二段溝
が形成される。

〈実施例〉以下に、実施例により、本発明を具体的に説明する。

（実施例）台形および長方形の工具を用い、第１図（ｄ）に示す形
状の二段溝を、第４図に示すように、半導体チップ搭載
部１の半導体チップが搭載される部位８の四周部に有す
る銅製リードフレームＡを製造した。

また、■字形の工具を用い、第５図に示す形状の溝をリ
ードフレームＡと同位置に有する銅製リードフレームＢ
を製造した。

これらのリードフレームを用い、公知の方法で半導体装
置を製造し、それらについて、リードフレームと封止樹
脂との接合面の隙間（口あき）の有無を調へるために、
プレッシャークツカー試験を実施した。

結果は第１表に示した。

（不良品発生率）１〈発明の効果〉本発明により、充分な耐湿性を有する半導体装置を形成
するのに好適であり、封止樹脂の耐剥離性に優れたリー
ドフレームを製造するための簡易な溝成形加工法が提供
される。

本発明法は、二工程からなるが、第一工程の工具と第二
工程の工具との間の微妙な位置合せが不要であるので、
本発明法の前段階として行なう工具の組立てが容易とな
る。

また、溝の成形加工に際し、用いる工具の破損や摩耗の
影響を受けにくいので、形成される溝の形状が安定して
おり、よって安定した品質の製品が供給される。

更に、本発明法で得られるリードフレームは、溝が２段
に構成されているので、該リードフレームを用いて半導
体装置を作ると、封止樹脂がアンカー（錨）効果によっ
て強く結合し、よって半導体装置の信頼性が向上する。

　２

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のリードフレーム用溝成形加工法を説
明するための断面図である。第２図は、本発明のリードフレーム用溝成形加工法を説
明するための断面図である。第３図は、リードフレームを示す平面模式図である。第４図は、リードフレームを示す平面模式図である。第５図、第６図、第７図および第８図は、リードフレー
ムに形成された溝を示す断面模式第９図は、リードフレ
ームに形成された突起を示す断面模式図である。符号の説明１・・・半導体チップ搭載部、２・・・第一段目の溝、３・・・工具、４・・・第二段目の溝、５・・・案内溝、６・・・溝、６ａ・・・第一の溝、６ｂ・・・第二の溝、７・・・突起、８・・・半導体チップが搭載される部位ＦＩＧ、４１ＦＩＧ、２

Claims

【特許請求の範囲】

（１）リードフレームの半導体チップ搭載部に溝を成形
加工する方法であって、その縦断面図形状が方形、Ｕ字
形またはＶ字形となるように第一の溝加工を行なった後
に、第一の溝加工によって形成された溝に重畳させて、
その縦断面形状が方形またはＵ字形となるように第二の
溝加工を行なうことを特徴とするリードフレーム用溝成
形加工法。