JP3404735B2 - 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法Info
- Publication number
- JP3404735B2 JP3404735B2 JP07185198A JP7185198A JP3404735B2 JP 3404735 B2 JP3404735 B2 JP 3404735B2 JP 07185198 A JP07185198 A JP 07185198A JP 7185198 A JP7185198 A JP 7185198A JP 3404735 B2 JP3404735 B2 JP 3404735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead frame
- manufacturing
- connecting strip
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム、
特に、突出して形成された支持板又はコネクタ部に半導
体チップ又はワイヤを良好に固着できる半導体装置製造
用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム
組立体の製造方法に関する。
特に、突出して形成された支持板又はコネクタ部に半導
体チップ又はワイヤを良好に固着できる半導体装置製造
用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム
組立体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、種々の半導体装置を製造するた
め、半導体チップを組み立てる種々のリードフレームが
使用されている。例えば、半導体チップを固着する支持
板並びに半導体チップに対して電気的に接続されるダイ
パッド及び外部リードをそれぞれ有する複数個のパター
ンを一列に形成した金属製のリボン状に半導体装置製造
用リードフレームが形成される。
め、半導体チップを組み立てる種々のリードフレームが
使用されている。例えば、半導体チップを固着する支持
板並びに半導体チップに対して電気的に接続されるダイ
パッド及び外部リードをそれぞれ有する複数個のパター
ンを一列に形成した金属製のリボン状に半導体装置製造
用リードフレームが形成される。
【0003】このような半導体装置製造用リードフレー
ムを使用してダイオード装置を製造する場合に、例えば
図7に示す半導体装置製造用リードフレーム(7)が使
用される。半導体装置製造用リードフレーム(7)は、
互いに対向して且つ並行に配置される二対の連結条(3
及び4、5及び6)と、二対の連結条(3及び4、5及
び6)の長さ方向に一定の間隔をあけて互いに並行に配
置され且つ一対の連結条(3及び4、5及び6)を互い
に連結する複数の外側連結条(10)と、二対の連結条
(3及び4、5及び6)の一方の対の連結条(3、4)
から他方の対の連結条(5、6)に向かって突出し且つ
支持板(8b)を有するアイランド(8)と、二対の連
結条(3及び4、5及び6)の他方の対の連結条(5、
6)から一方の連結条(3、4)に向かって突出し且つ
コネクタ部(9b)を有するターミナルパッド(9)
と、アイランド(8)及びターミナルパッド(9)に並
行に配置され且つ一方の対の連結条(3、4)と他方の
対の連結条(5、6)とを連結する内側連結条(21)
とを有する。二対の連結条(3及び4、5及び6)の一
方の対は、第1の連結条(3)と、第1の連結条(3)
の内側に配置された第2の連結条(4)と、第1の連結
条(3)と第2の連結条(4)とを接続する第1の外部
リード(1)とを備えている。二対の連結条(3及び
4、5及び6)の他方の対は、第3の連結条(5)と、
第3の連結条(5)の内側に配置された第4の連結条
(6)と、第3の連結条(5)と第4の連結条(6)と
を接続する第2の外部リード(2)とを備えている。外
側連結条(10)は、第1の連結条(3)と第2の連結
条(4)との間及び第3の連結条(5)と第4の連結条
(6)との間に第1の外部リード(1)及び第2の外部
リード(2)と並行且つ交互に接続される。アイランド
(8)は、一方の対の連結条(3、4)の第2の連結条
(4)に接続された第1のネック部(8a)と、第1の
ネック部(8a)の先端部に形成され且つ半導体素子が
固着される支持板(8b)とを備えている。ターミナル
パッド(9)は他方の対の連結条(5、6)の第4の連
結条(6)に接続された第2のネック部(9a)と、第
2のネック部(9a)の先端部に形成されかつリード細
線(12)が接続されるコネクタ部(9b)とを備えて
いる。支持板(8b)は第1のネック部(8a)より幅
広に形成され、コネクタ部(9b)は第2のネック部
(9a)より幅広に形成される。アイランド(8)とタ
ーミナルパッド(9)は同一直線上に整列して配置され
る。
ムを使用してダイオード装置を製造する場合に、例えば
図7に示す半導体装置製造用リードフレーム(7)が使
用される。半導体装置製造用リードフレーム(7)は、
互いに対向して且つ並行に配置される二対の連結条(3
及び4、5及び6)と、二対の連結条(3及び4、5及
び6)の長さ方向に一定の間隔をあけて互いに並行に配
置され且つ一対の連結条(3及び4、5及び6)を互い
に連結する複数の外側連結条(10)と、二対の連結条
(3及び4、5及び6)の一方の対の連結条(3、4)
から他方の対の連結条(5、6)に向かって突出し且つ
支持板(8b)を有するアイランド(8)と、二対の連
結条(3及び4、5及び6)の他方の対の連結条(5、
6)から一方の連結条(3、4)に向かって突出し且つ
コネクタ部(9b)を有するターミナルパッド(9)
と、アイランド(8)及びターミナルパッド(9)に並
行に配置され且つ一方の対の連結条(3、4)と他方の
対の連結条(5、6)とを連結する内側連結条(21)
とを有する。二対の連結条(3及び4、5及び6)の一
方の対は、第1の連結条(3)と、第1の連結条(3)
の内側に配置された第2の連結条(4)と、第1の連結
条(3)と第2の連結条(4)とを接続する第1の外部
リード(1)とを備えている。二対の連結条(3及び
4、5及び6)の他方の対は、第3の連結条(5)と、
第3の連結条(5)の内側に配置された第4の連結条
(6)と、第3の連結条(5)と第4の連結条(6)と
を接続する第2の外部リード(2)とを備えている。外
側連結条(10)は、第1の連結条(3)と第2の連結
条(4)との間及び第3の連結条(5)と第4の連結条
(6)との間に第1の外部リード(1)及び第2の外部
リード(2)と並行且つ交互に接続される。アイランド
(8)は、一方の対の連結条(3、4)の第2の連結条
(4)に接続された第1のネック部(8a)と、第1の
ネック部(8a)の先端部に形成され且つ半導体素子が
固着される支持板(8b)とを備えている。ターミナル
パッド(9)は他方の対の連結条(5、6)の第4の連
結条(6)に接続された第2のネック部(9a)と、第
2のネック部(9a)の先端部に形成されかつリード細
線(12)が接続されるコネクタ部(9b)とを備えて
いる。支持板(8b)は第1のネック部(8a)より幅
広に形成され、コネクタ部(9b)は第2のネック部
(9a)より幅広に形成される。アイランド(8)とタ
ーミナルパッド(9)は同一直線上に整列して配置され
る。
【0004】従って、第1の外部リード(1)及び連結
部(10)は一対の第1の連結条(3)及び第2の連結
条(4)の間に互いに並行に且つ交互に連結され、同様
に、第2の外部リード(2)及び外側連結条(10)は
一対の第3の連結条(5)及び第4の連結条(6)の間
に互いに並行に且つ交互に連結される。第1の連結条
(3)より内側の第2の連結条(4)と第3の連結条
(5)より内側の第4の連結条(6)との間には、外側
連結条(10)と略同一直線上に内側連結条(21)が
接続される。また、第1の外部リード(1)と略同一直
線上で内側の連結条(4)の内側にアイランド(8)が
突出して形成される。更に、第2の外部リード(2)と
略同一直線上で内側の連結条(6)の内側にターミナル
パッド(ボンディングパッド部)(9)が突出して形成
される。
部(10)は一対の第1の連結条(3)及び第2の連結
条(4)の間に互いに並行に且つ交互に連結され、同様
に、第2の外部リード(2)及び外側連結条(10)は
一対の第3の連結条(5)及び第4の連結条(6)の間
に互いに並行に且つ交互に連結される。第1の連結条
(3)より内側の第2の連結条(4)と第3の連結条
(5)より内側の第4の連結条(6)との間には、外側
連結条(10)と略同一直線上に内側連結条(21)が
接続される。また、第1の外部リード(1)と略同一直
線上で内側の連結条(4)の内側にアイランド(8)が
突出して形成される。更に、第2の外部リード(2)と
略同一直線上で内側の連結条(6)の内側にターミナル
パッド(ボンディングパッド部)(9)が突出して形成
される。
【0005】周知のダイボンディング方法によって、ダ
イオードチップ等の半導体素子(11)が支持板(8
b)に固着され、支持板(8b)の上面に形成された電
極(上面電極)(図示せず)と、コネクタ部(9b)と
の間はリード細線(ワイヤ)(12)により電気的に接
続される。図7では、併置された2対のアイランド
(8)及びターミナルパッド(9)を示すが、実際の半
導体装置製造用リードフレーム(7)には、アイランド
(8)及びターミナルパッド(9)が連結条(3〜6)
の長さ方向に沿って連続的に且つ互いに並行に設けら
れ、半導体装置製造用リードフレーム(7)は金属製の
リボンにより細長く形成される。
イオードチップ等の半導体素子(11)が支持板(8
b)に固着され、支持板(8b)の上面に形成された電
極(上面電極)(図示せず)と、コネクタ部(9b)と
の間はリード細線(ワイヤ)(12)により電気的に接
続される。図7では、併置された2対のアイランド
(8)及びターミナルパッド(9)を示すが、実際の半
導体装置製造用リードフレーム(7)には、アイランド
(8)及びターミナルパッド(9)が連結条(3〜6)
の長さ方向に沿って連続的に且つ互いに並行に設けら
れ、半導体装置製造用リードフレーム(7)は金属製の
リボンにより細長く形成される。
【0006】支持板(8b)に半導体素子(11)を接
着するときに、ダイボンダ(自動半導体素子固着機)の
吸引保持具(コレット)によって半導体素子(11)を
吸引保持し、支持板(8b)と並行な仮想平面内で吸引
保持具に振動を加えつつ、支持板(8b)上の半田に対
して半導体素子(11)を押圧し、半導体素子(11)
を支持板(8b)に擦り合わせて固着して、ダイボンデ
ィングを行う。その後、ワイヤボンダ(自動ワイヤ接続
機)のキャピラリより導出されたワイヤの先端部と共
に、支持板(8b)と並行な仮想平面内でキャピラリに
機械的振動を加えつつ、ワイヤの先端部を半導体素子
(11)の上面電極に押し付けて、ワイヤの先端部を接
続する。次に、キャピラリからワイヤを繰り出しながら
キャピラリを大きく引き回してコネクタ部(9b)上に
移動し、再び、キャピラリにコネクタ部(9b)と並行
な仮想平面内で機械的振動を加えつつ、ワイヤをコネク
タ部(9b)に押圧し、ワイヤの他端をコネクタ部(9
b)に接続する。半導体素子(11)の上面電極とコネ
クタ部(9b)との間に接続されたワイヤはリード細線
(12)となる。このように、周知のワイヤボンディン
グ法により、半導体素子(11)の上面電極とコネクタ
部(9b)とをリード細線(12)を介して接続する。
実際のワイヤボンディングには様々の接続方法があり、
例えばキャピラリに超音波振動又は機械的振動を加える
と共に、ボンディングパッド部(9)を加熱するサーモ
ソニックボンディング法(超音波併用熱圧着ワイヤボン
ディング)でもよい。
着するときに、ダイボンダ(自動半導体素子固着機)の
吸引保持具(コレット)によって半導体素子(11)を
吸引保持し、支持板(8b)と並行な仮想平面内で吸引
保持具に振動を加えつつ、支持板(8b)上の半田に対
して半導体素子(11)を押圧し、半導体素子(11)
を支持板(8b)に擦り合わせて固着して、ダイボンデ
ィングを行う。その後、ワイヤボンダ(自動ワイヤ接続
機)のキャピラリより導出されたワイヤの先端部と共
に、支持板(8b)と並行な仮想平面内でキャピラリに
機械的振動を加えつつ、ワイヤの先端部を半導体素子
(11)の上面電極に押し付けて、ワイヤの先端部を接
続する。次に、キャピラリからワイヤを繰り出しながら
キャピラリを大きく引き回してコネクタ部(9b)上に
移動し、再び、キャピラリにコネクタ部(9b)と並行
な仮想平面内で機械的振動を加えつつ、ワイヤをコネク
タ部(9b)に押圧し、ワイヤの他端をコネクタ部(9
b)に接続する。半導体素子(11)の上面電極とコネ
クタ部(9b)との間に接続されたワイヤはリード細線
(12)となる。このように、周知のワイヤボンディン
グ法により、半導体素子(11)の上面電極とコネクタ
部(9b)とをリード細線(12)を介して接続する。
実際のワイヤボンディングには様々の接続方法があり、
例えばキャピラリに超音波振動又は機械的振動を加える
と共に、ボンディングパッド部(9)を加熱するサーモ
ソニックボンディング法(超音波併用熱圧着ワイヤボン
ディング)でもよい。
【0007】半導体素子(11)を固着し且つリード細
線(12)を接続した半導体装置製造用リードフレーム
(7)には、図7に破線で示すように、周知のトランス
ファーモールド方法によって支持板(8b)等を被覆す
る樹脂封止体(13)が形成され、最後に連結条(3〜
6)及び連結部10を切断除去して、個別化した半導体
装置が完成する。
線(12)を接続した半導体装置製造用リードフレーム
(7)には、図7に破線で示すように、周知のトランス
ファーモールド方法によって支持板(8b)等を被覆す
る樹脂封止体(13)が形成され、最後に連結条(3〜
6)及び連結部10を切断除去して、個別化した半導体
装置が完成する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイボンデ
ィングの際にコレットの振動に伴って支持板(8b)が
同時に振動すると、半導体素子(11)を支持板(8
b)に良好に擦り合わせることができず、半導体素子
(11)を支持板(8b)に十分な機械的強度で固着す
ることができない。同様に、ワイヤボンディングの際に
キャピラリの振動に伴って支持板(8b)又はボンディ
ングパッド(9)が振動すると、ワイヤを半導体素子
(11)上の上面電極及びボンディングパッド(9)に
擦り合わせる摩擦量が不足して、ワイヤの端部を十分な
機械的強度で半導体素子(11)及びボンディングパッ
ド(9)に接続することができない。
ィングの際にコレットの振動に伴って支持板(8b)が
同時に振動すると、半導体素子(11)を支持板(8
b)に良好に擦り合わせることができず、半導体素子
(11)を支持板(8b)に十分な機械的強度で固着す
ることができない。同様に、ワイヤボンディングの際に
キャピラリの振動に伴って支持板(8b)又はボンディ
ングパッド(9)が振動すると、ワイヤを半導体素子
(11)上の上面電極及びボンディングパッド(9)に
擦り合わせる摩擦量が不足して、ワイヤの端部を十分な
機械的強度で半導体素子(11)及びボンディングパッ
ド(9)に接続することができない。
【0009】本発明は、十分な機械的強度で半導体素子
又はワイヤを半導体装置製造用リードフレームに固着で
きる半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製
造用リードフレーム組立体の製造方法を提供することを
目的とする。
又はワイヤを半導体装置製造用リードフレームに固着で
きる半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製
造用リードフレーム組立体の製造方法を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
製造用リードフレーム(14)は、互いに対向して且つ
並行に配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)
と、二対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に
一定の間隔をあけて互いに並行に配置され且つ二対の連
結条(3及び4、5及び6)を構成する各一対の連結条
(3及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連
結条(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の一方の対の連結条(3、4)から他方の対の連結条
(5、6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有す
るアイランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及
び6)の他方の対の連結条(5、6)から一方の対の連
結条(3、4)に向かって突出し且つコネクタ部(9
b)を有するターミナルパッド(9)とを備え、間隙
(24)を介して支持板(8b)とコネクタ部(9b)
とを対向して配置する。この半導体装置製造用リードフ
レーム(14)では、間隙(24)の外部に配置される
第1の補助連結条(15)により隣り合う支持板(8
b)間を連結すると共に、間隙(24)の外部に配置さ
れる第2の補助連結条(16)により隣り合うコネクタ
部(9b)間を連結する。間隙(24)と交差するリー
ド細線(12)により支持板(8b)に接着した半導体
素子(11)とコネクタ部(9b)とを接続するダイボ
ンディング又はワイヤボンディングを行う際に、第1の
補助連結条(15)及び第2の補助連結条(16)は、
固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持できる
幅を有する。
製造用リードフレーム(14)は、互いに対向して且つ
並行に配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)
と、二対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に
一定の間隔をあけて互いに並行に配置され且つ二対の連
結条(3及び4、5及び6)を構成する各一対の連結条
(3及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連
結条(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の一方の対の連結条(3、4)から他方の対の連結条
(5、6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有す
るアイランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及
び6)の他方の対の連結条(5、6)から一方の対の連
結条(3、4)に向かって突出し且つコネクタ部(9
b)を有するターミナルパッド(9)とを備え、間隙
(24)を介して支持板(8b)とコネクタ部(9b)
とを対向して配置する。この半導体装置製造用リードフ
レーム(14)では、間隙(24)の外部に配置される
第1の補助連結条(15)により隣り合う支持板(8
b)間を連結すると共に、間隙(24)の外部に配置さ
れる第2の補助連結条(16)により隣り合うコネクタ
部(9b)間を連結する。間隙(24)と交差するリー
ド細線(12)により支持板(8b)に接着した半導体
素子(11)とコネクタ部(9b)とを接続するダイボ
ンディング又はワイヤボンディングを行う際に、第1の
補助連結条(15)及び第2の補助連結条(16)は、
固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持できる
幅を有する。
【0011】支持板(8b)とコネクタ部(9b)の各
両側で固定用治具(18)と台座(17)との間に第1
の補助連結条(15)及び第2の補助連結条(16)を
挟持して、ダイボンディング又はワイヤボンディングを
行うので、ダイボンディング又はワイヤボンディング時
にコネクタ部(9b)及び支持板(8b)の振動を十分
に抑制することができる。従って、半導体素子(11)
と支持板(8b)との間がろう材(半田)によって良好
に固着され、また、ワイヤ(12)が良好に接続され
る。即ち、十分な機械的強度をもって且つ所定の位置に
支持板(8b)に半導体素子(11)を固着することが
でき、十分な機械的強度をもって且つ所定の位置でコネ
クタ部(9b)にワイヤ(12)を接続することができ
る。
両側で固定用治具(18)と台座(17)との間に第1
の補助連結条(15)及び第2の補助連結条(16)を
挟持して、ダイボンディング又はワイヤボンディングを
行うので、ダイボンディング又はワイヤボンディング時
にコネクタ部(9b)及び支持板(8b)の振動を十分
に抑制することができる。従って、半導体素子(11)
と支持板(8b)との間がろう材(半田)によって良好
に固着され、また、ワイヤ(12)が良好に接続され
る。即ち、十分な機械的強度をもって且つ所定の位置に
支持板(8b)に半導体素子(11)を固着することが
でき、十分な機械的強度をもって且つ所定の位置でコネ
クタ部(9b)にワイヤ(12)を接続することができ
る。
【0012】本発明の実施の形態では、第1の補助連結
条(15)は、隣り合う支持板(8b)に連結された幅
狭部(15a)と、幅狭部(15a)の間に配置された
幅広部(15b)とを有する。第2の補助連結条(1
6)は、隣り合うコネクタ部(9b)に連結された幅狭
部(16a)と、幅狭部(16a)の間に配置された幅
広部(16b)とを有する。第1の補助連結条(15)
の幅広部(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広
部(16b)が第3の連結条(23)で連結される。
条(15)は、隣り合う支持板(8b)に連結された幅
狭部(15a)と、幅狭部(15a)の間に配置された
幅広部(15b)とを有する。第2の補助連結条(1
6)は、隣り合うコネクタ部(9b)に連結された幅狭
部(16a)と、幅狭部(16a)の間に配置された幅
広部(16b)とを有する。第1の補助連結条(15)
の幅広部(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広
部(16b)が第3の連結条(23)で連結される。
【0013】半導体装置製造用リードフレーム(14)
に振動を加えたときに、アイランド(8)及びターミナ
ルパッド(9)の先端部で特に振動が増大しやすいが、
アイランド(8)及びターミナルパッド(9)の両側に
それぞれ接続された第1の補助連結条(15)の幅広部
(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広部(16
b)を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持
するため、挟持面積が大きくなり、アイランド(8)及
びターミナルパッド(9)を確実に且つ強固に固定する
ことができる。
に振動を加えたときに、アイランド(8)及びターミナ
ルパッド(9)の先端部で特に振動が増大しやすいが、
アイランド(8)及びターミナルパッド(9)の両側に
それぞれ接続された第1の補助連結条(15)の幅広部
(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広部(16
b)を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持
するため、挟持面積が大きくなり、アイランド(8)及
びターミナルパッド(9)を確実に且つ強固に固定する
ことができる。
【0014】本発明による半導体装置製造用リードフレ
ームの組立体の製造方法は、互いに対向して且つ並行に
配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)と、二
対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に一定の
間隔をあけて互いに並行に配置され且つ二対の連結条
(3及び4、5及び6)を構成する各一対の連結条(3
及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連結条
(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)の一
方の対の連結条(3、4)から他方の対の連結条(5、
6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有するアイ
ランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の他方の対の連結条(5、6)から一方の対の連結条
(3、4)に向かって突出し且つコネクタ部(9b)を
有するターミナルパッド(9)とを備え、間隙(24)
を介して支持板(8b)とコネクタ部(9b)とを対向
して配置した半導体装置製造用リードフレーム(14)
を準備する工程と、支持板(8b)に半導体素子(1
1)を接着する工程と、半導体素子(11)とコネクタ
部(9b)とをリード細線(12)により接続してダイ
ボンディング又はワイヤボンディングを行う工程とを含
む。半導体装置製造用リードフレーム(14)を準備す
る工程は、間隙(24)の外部に配置される第1の補助
連結条(15)により隣り合う支持板(8b)間を連結
すると共に、間隙(24)の外部に配置される第2の補
助連結条(16)により隣り合うコネクタ部(9b)間
を連結する工程を含む。ダイボンディング又はワイヤボ
ンディングを行う工程は、リードフレーム(14)を台
座(17)上に配置すると共に、第1の補助連結条(1
5)及び第2の補助連結条(16)を固定用治具(1
8)と台座(17)との間に挟持する工程と、その後、
間隙(24)と交差するリード細線(12)により支持
板(8b)に接着した半導体素子(11)とコネクタ部
(9b)とを接続する工程とを含む。
ームの組立体の製造方法は、互いに対向して且つ並行に
配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)と、二
対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に一定の
間隔をあけて互いに並行に配置され且つ二対の連結条
(3及び4、5及び6)を構成する各一対の連結条(3
及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連結条
(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)の一
方の対の連結条(3、4)から他方の対の連結条(5、
6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有するアイ
ランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の他方の対の連結条(5、6)から一方の対の連結条
(3、4)に向かって突出し且つコネクタ部(9b)を
有するターミナルパッド(9)とを備え、間隙(24)
を介して支持板(8b)とコネクタ部(9b)とを対向
して配置した半導体装置製造用リードフレーム(14)
を準備する工程と、支持板(8b)に半導体素子(1
1)を接着する工程と、半導体素子(11)とコネクタ
部(9b)とをリード細線(12)により接続してダイ
ボンディング又はワイヤボンディングを行う工程とを含
む。半導体装置製造用リードフレーム(14)を準備す
る工程は、間隙(24)の外部に配置される第1の補助
連結条(15)により隣り合う支持板(8b)間を連結
すると共に、間隙(24)の外部に配置される第2の補
助連結条(16)により隣り合うコネクタ部(9b)間
を連結する工程を含む。ダイボンディング又はワイヤボ
ンディングを行う工程は、リードフレーム(14)を台
座(17)上に配置すると共に、第1の補助連結条(1
5)及び第2の補助連結条(16)を固定用治具(1
8)と台座(17)との間に挟持する工程と、その後、
間隙(24)と交差するリード細線(12)により支持
板(8b)に接着した半導体素子(11)とコネクタ部
(9b)とを接続する工程とを含む。
【0015】半導体装置製造用リードフレーム(14)
を準備する工程は、第1の補助連結条(15)に隣り合
う支持板(8b)に連結された幅狭部(15a)と、幅
狭部(15a)の間に配置された幅広部(15b)とを
形成する工程と、第2の補助連結条(16)に隣り合う
コネクタ部(9b)に連結された幅狭部(16a)と、
幅狭部(16a)の間に配置された幅広部(16b)と
を形成する工程とを含み、ダイボンディング又はワイヤ
ボンディングを行う工程は、第1の補助連結条(15)
の幅広部(15b)又は第2の補助連結条(16)の幅
広部(16b)を固定用治具(18)と台座(17)と
の間に挟持する工程を含んでもよい。
を準備する工程は、第1の補助連結条(15)に隣り合
う支持板(8b)に連結された幅狭部(15a)と、幅
狭部(15a)の間に配置された幅広部(15b)とを
形成する工程と、第2の補助連結条(16)に隣り合う
コネクタ部(9b)に連結された幅狭部(16a)と、
幅狭部(16a)の間に配置された幅広部(16b)と
を形成する工程とを含み、ダイボンディング又はワイヤ
ボンディングを行う工程は、第1の補助連結条(15)
の幅広部(15b)又は第2の補助連結条(16)の幅
広部(16b)を固定用治具(18)と台座(17)と
の間に挟持する工程を含んでもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体装置製
造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレー
ム組立体の製造方法を図1〜図6について説明する。図
1〜図6では、図7に示す箇所と同一の部分には、同一
の符号を付してその説明を省略する。
造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレー
ム組立体の製造方法を図1〜図6について説明する。図
1〜図6では、図7に示す箇所と同一の部分には、同一
の符号を付してその説明を省略する。
【0017】図1に示すように、本発明による半導体装
置製造用リードフレーム(14)では、支持板(8b)
とコネクタ部(9b)との間に間隙(24)が形成さ
れ、間隙(24)の外部に配置される第1の補助連結条
(15)により隣り合う支持板(8b)間を連結すると
共に、間隙(24)の外部に配置される第2の補助連結
条(16)により隣り合うコネクタ部(9b)間を連結
する点及び一方の対の連結条(3、4)と他方の対の連
結条(5、6)とを連結する内側連結条(21)を有し
ない点において図7に示す従来の半導体装置製造用リー
ドフレームと相違する。第1の補助連結条(15)と第
2の補助連結条(16)は、二対の連結条(3及び4、
5及び6)に対し並行に配置され且つそれぞれ隣り合う
コネクタ部(9b)間及び支持板(8b)間を連結す
る。
置製造用リードフレーム(14)では、支持板(8b)
とコネクタ部(9b)との間に間隙(24)が形成さ
れ、間隙(24)の外部に配置される第1の補助連結条
(15)により隣り合う支持板(8b)間を連結すると
共に、間隙(24)の外部に配置される第2の補助連結
条(16)により隣り合うコネクタ部(9b)間を連結
する点及び一方の対の連結条(3、4)と他方の対の連
結条(5、6)とを連結する内側連結条(21)を有し
ない点において図7に示す従来の半導体装置製造用リー
ドフレームと相違する。第1の補助連結条(15)と第
2の補助連結条(16)は、二対の連結条(3及び4、
5及び6)に対し並行に配置され且つそれぞれ隣り合う
コネクタ部(9b)間及び支持板(8b)間を連結す
る。
【0018】図1に示す半導体装置製造用リードフレー
ム(14)から本発明による半導体装置製造用リードフ
レーム組立体を製造する際に、互いに対向して且つ並行
に配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)と、
二対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に一定
の間隔をあけて互いに並行に配置され且つ一対の連結条
(3及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連
結条(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の一方の対の連結条(3、4)から他方の連結条(5、
6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有するアイ
ランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の他方の対の連結条(5、6)から一方の連結条(3、
4)に向かって突出し且つコネクタ部(9b)を有する
ターミナルパッド(9)と、隣り合うコネクタ部(9
b)間を連結する第1の補助連結条(15)と、隣り合
う支持板(8b)間とを連結する第2の補助連結条(1
6)とを有する半導体装置製造用リードフレーム(1
4)を準備する。その際に、二対の連結条(3及び4、
5及び6)に対し並行に配置され且つそれぞれ隣り合う
支持板(8b)間及びコネクタ部(9b)間とを連結す
る第1の補助連結条(15)と第2の補助連結条(1
6)を設ける。また、第1の連結条(3)と第2の連結
条(4)との間及び第3の連結条(5)と第4の連結条
(6)との間に第1の外部リード(1)及び第2の外部
リード(2)と並行且つ交互に外側連結条(10)を接
続する。
ム(14)から本発明による半導体装置製造用リードフ
レーム組立体を製造する際に、互いに対向して且つ並行
に配置される二対の連結条(3及び4、5及び6)と、
二対の連結条(3及び4、5及び6)の長さ方向に一定
の間隔をあけて互いに並行に配置され且つ一対の連結条
(3及び4、5及び6)を互いに連結する複数の外側連
結条(10)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の一方の対の連結条(3、4)から他方の連結条(5、
6)に向かって突出し且つ支持板(8b)を有するアイ
ランド(8)と、二対の連結条(3及び4、5及び6)
の他方の対の連結条(5、6)から一方の連結条(3、
4)に向かって突出し且つコネクタ部(9b)を有する
ターミナルパッド(9)と、隣り合うコネクタ部(9
b)間を連結する第1の補助連結条(15)と、隣り合
う支持板(8b)間とを連結する第2の補助連結条(1
6)とを有する半導体装置製造用リードフレーム(1
4)を準備する。その際に、二対の連結条(3及び4、
5及び6)に対し並行に配置され且つそれぞれ隣り合う
支持板(8b)間及びコネクタ部(9b)間とを連結す
る第1の補助連結条(15)と第2の補助連結条(1
6)を設ける。また、第1の連結条(3)と第2の連結
条(4)との間及び第3の連結条(5)と第4の連結条
(6)との間に第1の外部リード(1)及び第2の外部
リード(2)と並行且つ交互に外側連結条(10)を接
続する。
【0019】図2に示すように、台座(17)上に半導
体装置製造用リードフレーム(14)を載置し、第1の
補助連結条(15)に固定用治具(18)を押圧して台
座(17)と固定用治具(18)との間に第1の補助連
結条(15)を挟持し、支持板(8b)を台座(17)
の主面に密着させて固定する。このため、第1の補助連
結条(15)は固定用治具(18)と台座(17)との
間に挟持できる幅を有する。次に、半導体素子(11)
をコレット(20)で吸着保持し、支持板(8b)と並
行な仮想平面内でコレット(20)に超音波振動を加え
つつ、半田(22)を介して支持板(8b)に半導体素
子(11)を擦り付けてダイボンディングを行う。図2
に示すように、第1の補助連結条(15)が固定用治具
(18)により押圧されるため、支持板(8b)が台座
(17)に密着して固定され、コレット(20)の振動
の際に支持板(8b)を固定して、支持板(8b)の振
動を十分に抑制することができる。半導体装置製造用リ
ードフレーム(14)に振動を加えたときに、アイラン
ド(8)及びターミナルパッド(9)の先端部では特に
振動が増大するおそれがあるが、アイランド(8)の両
側にそれぞれ接続された第1の補助連結条(15)を固
定用治具(18)により固定するため、アイランド
(8)を確実に且つ強固に固定することができる。これ
により、半田(22)を所望の厚さに形成し、十分な機
械的強度をもって且つ所定の位置で支持板(8b)に半
導体素子(11)を固着することができ、信頼性の高い
良好なダイボンディングが可能である。
体装置製造用リードフレーム(14)を載置し、第1の
補助連結条(15)に固定用治具(18)を押圧して台
座(17)と固定用治具(18)との間に第1の補助連
結条(15)を挟持し、支持板(8b)を台座(17)
の主面に密着させて固定する。このため、第1の補助連
結条(15)は固定用治具(18)と台座(17)との
間に挟持できる幅を有する。次に、半導体素子(11)
をコレット(20)で吸着保持し、支持板(8b)と並
行な仮想平面内でコレット(20)に超音波振動を加え
つつ、半田(22)を介して支持板(8b)に半導体素
子(11)を擦り付けてダイボンディングを行う。図2
に示すように、第1の補助連結条(15)が固定用治具
(18)により押圧されるため、支持板(8b)が台座
(17)に密着して固定され、コレット(20)の振動
の際に支持板(8b)を固定して、支持板(8b)の振
動を十分に抑制することができる。半導体装置製造用リ
ードフレーム(14)に振動を加えたときに、アイラン
ド(8)及びターミナルパッド(9)の先端部では特に
振動が増大するおそれがあるが、アイランド(8)の両
側にそれぞれ接続された第1の補助連結条(15)を固
定用治具(18)により固定するため、アイランド
(8)を確実に且つ強固に固定することができる。これ
により、半田(22)を所望の厚さに形成し、十分な機
械的強度をもって且つ所定の位置で支持板(8b)に半
導体素子(11)を固着することができ、信頼性の高い
良好なダイボンディングが可能である。
【0020】また、図2の半導体装置製造用リードフレ
ーム(14)に間隙(24)と交差するワイヤ(12)
をワイヤボンディングするときは、図3及び図4に示す
ように、半導体装置製造用リードフレーム(14)を台
座(17)に載置し、固定用治具(18)で第1の補助
連結条(15)を押さえて、第1の補助連結条(15)
を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持し
て、支持板(8b)を台座(17)に密着させて固定す
る。次に、キャピラリ(19)からワイヤ(12)を繰
り出し、支持板(8b)と並行な仮想平面内でキャピラ
リ(19)に超音波振動を加えつつ、ワイヤ(12)の
一端を半導体素子(11)の上面電極(図示せず)に押
圧して接続する。このときも、第1の補助連結条(1
5)が固定用治具(18)により押圧されるため、支持
板(8b)が台座(17)に密着して固定され、キャピ
ラリ(19)の振動の際に支持板(8b)を固定して、
支持板(8b)の振動を十分に抑制することができる。
従って、ワイヤ(12)の端部が十分な機械的強度で半
導体素子(11)の上面電極に接続される。
ーム(14)に間隙(24)と交差するワイヤ(12)
をワイヤボンディングするときは、図3及び図4に示す
ように、半導体装置製造用リードフレーム(14)を台
座(17)に載置し、固定用治具(18)で第1の補助
連結条(15)を押さえて、第1の補助連結条(15)
を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持し
て、支持板(8b)を台座(17)に密着させて固定す
る。次に、キャピラリ(19)からワイヤ(12)を繰
り出し、支持板(8b)と並行な仮想平面内でキャピラ
リ(19)に超音波振動を加えつつ、ワイヤ(12)の
一端を半導体素子(11)の上面電極(図示せず)に押
圧して接続する。このときも、第1の補助連結条(1
5)が固定用治具(18)により押圧されるため、支持
板(8b)が台座(17)に密着して固定され、キャピ
ラリ(19)の振動の際に支持板(8b)を固定して、
支持板(8b)の振動を十分に抑制することができる。
従って、ワイヤ(12)の端部が十分な機械的強度で半
導体素子(11)の上面電極に接続される。
【0021】その後、図4に示すように、固定用治具
(18)で第2の補助連結条(16)を押さえ、第2の
補助連結条(16)を固定用治具(18)と台座(1
7)との間に挟持してターミナルパッド(9)を台座
(17)に密着させて固定する。続いて、キャピラリ
(19)をワイヤ(12)を繰り出しながら、ターミナ
ルパッド(9)の上方に移動し、コネクタ部(9b)と
並行な仮想平面内でキャピラリ(19)に超音波振動を
加えつつ、ワイヤ(12)の他端をターミナルパッド
(9)に押圧接続する。
(18)で第2の補助連結条(16)を押さえ、第2の
補助連結条(16)を固定用治具(18)と台座(1
7)との間に挟持してターミナルパッド(9)を台座
(17)に密着させて固定する。続いて、キャピラリ
(19)をワイヤ(12)を繰り出しながら、ターミナ
ルパッド(9)の上方に移動し、コネクタ部(9b)と
並行な仮想平面内でキャピラリ(19)に超音波振動を
加えつつ、ワイヤ(12)の他端をターミナルパッド
(9)に押圧接続する。
【0022】ターミナルパッド(9)のコネクタ部(9
b)の両側に連結された第2の補助連結条(16)が固
定用治具(18)で台座(17)に密着して固定される
ため、キャピラリ(19)を通じてコネクタ部(9b)
に振動が加えられても、コネクタ部(9b)の振動は両
側の第2の補助連結条(16)により十分に抑制され、
ワイヤ(12)の他端をコネクタ部(9b)の所定の位
置に確実且つ強固に固着することができる。このため、
ワイヤ(12)を半導体素子(11)上の電極及びター
ミナルパッド(9)に良好に擦り合わせて接続でき、信
頼性の高い良好なワイヤボンディングが可能である。
b)の両側に連結された第2の補助連結条(16)が固
定用治具(18)で台座(17)に密着して固定される
ため、キャピラリ(19)を通じてコネクタ部(9b)
に振動が加えられても、コネクタ部(9b)の振動は両
側の第2の補助連結条(16)により十分に抑制され、
ワイヤ(12)の他端をコネクタ部(9b)の所定の位
置に確実且つ強固に固着することができる。このため、
ワイヤ(12)を半導体素子(11)上の電極及びター
ミナルパッド(9)に良好に擦り合わせて接続でき、信
頼性の高い良好なワイヤボンディングが可能である。
【0023】その後、樹脂封止体(13)を形成した
後、樹脂封止体(13)から導出した第1の補助連結条
(15)及び第2の補助連結条(16)を第1の連結条
(3)〜第4の連結条(6)及び外側連結条(10)と
共に切断除去する。
後、樹脂封止体(13)から導出した第1の補助連結条
(15)及び第2の補助連結条(16)を第1の連結条
(3)〜第4の連結条(6)及び外側連結条(10)と
共に切断除去する。
【0024】ダイボンディング又はワイヤボンディング
を行ったリードフレーム組立体の半導体素子並びにアイ
ランド(8)及びターミナルパッド(9)の一部を封止
用樹脂により封止する工程と、封止用樹脂による封止の
後に第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結条
(16)とを切断する代わりに、封止用樹脂による封止
の前に第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結条
(16)とを切断してもよい。
を行ったリードフレーム組立体の半導体素子並びにアイ
ランド(8)及びターミナルパッド(9)の一部を封止
用樹脂により封止する工程と、封止用樹脂による封止の
後に第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結条
(16)とを切断する代わりに、封止用樹脂による封止
の前に第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結条
(16)とを切断してもよい。
【0025】本発明による半導体装置製造用リードフレ
ームでは下記の作用効果が得られる。 [1] 第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結
条(16)を固定用治具(18)と台座(17)との間
に挟持して、ダイボンディング、ワイヤボンディングを
行うので、ワイヤボンディング及びワイヤボンディング
時に支持板(8b)又はコネクタ部(9b)が確実に固
定され、半導体素子(11)及びワイヤ(12)を支持
板(8b)及びコネクタ部(9b)に確実に固着するこ
とができる。 [2] ダイボンディング及びワイヤボンディング時の
振動によって支持板(8b)又はコネクタ部(9b)が
移動しないため、ダイボンディング及びワイヤボンディ
ングを所定の位置に行うことができる。 [3] ダイボンディング及びワイヤボンディング後の
支持板(8b)及びコネクタ部(9b)の変形量が小さ
い。 [4] 半田(22)及びワイヤ(12)を所望の厚さ
に形成して、ダイボンディング又はワイヤボンディング
を行うことができる。 [5] 支持板(8b)及びコネクタ部(9b)の振動
を抑制するために補助連結条(15、16)を押さえる
ので、支持板(8b)及びコネクタ部(9b)を大きい
面積で形成する必要がなく、支持板(8b)及びコネク
タ部(9b)の小型化が可能となる。 [6] 信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
ームでは下記の作用効果が得られる。 [1] 第1の補助連結条(15)又は第2の補助連結
条(16)を固定用治具(18)と台座(17)との間
に挟持して、ダイボンディング、ワイヤボンディングを
行うので、ワイヤボンディング及びワイヤボンディング
時に支持板(8b)又はコネクタ部(9b)が確実に固
定され、半導体素子(11)及びワイヤ(12)を支持
板(8b)及びコネクタ部(9b)に確実に固着するこ
とができる。 [2] ダイボンディング及びワイヤボンディング時の
振動によって支持板(8b)又はコネクタ部(9b)が
移動しないため、ダイボンディング及びワイヤボンディ
ングを所定の位置に行うことができる。 [3] ダイボンディング及びワイヤボンディング後の
支持板(8b)及びコネクタ部(9b)の変形量が小さ
い。 [4] 半田(22)及びワイヤ(12)を所望の厚さ
に形成して、ダイボンディング又はワイヤボンディング
を行うことができる。 [5] 支持板(8b)及びコネクタ部(9b)の振動
を抑制するために補助連結条(15、16)を押さえる
ので、支持板(8b)及びコネクタ部(9b)を大きい
面積で形成する必要がなく、支持板(8b)及びコネク
タ部(9b)の小型化が可能となる。 [6] 信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
【0026】本発明の実施の形態は前記の例に限定され
ず、変更が可能である。例えば、図5に示すように、第
1の補助連結条(15)は、隣り合う支持板(8b)に
連結された幅狭部(15a)と、幅狭部(15a)の間
に配置された幅広部(15b)とを有し、第2の補助連
結条(16)は、隣り合うコネクタ部(9b)に連結さ
れた幅狭部(16a)と、幅狭部(16a)の間に配置
された幅広部(16b)とを有してもよい。
ず、変更が可能である。例えば、図5に示すように、第
1の補助連結条(15)は、隣り合う支持板(8b)に
連結された幅狭部(15a)と、幅狭部(15a)の間
に配置された幅広部(15b)とを有し、第2の補助連
結条(16)は、隣り合うコネクタ部(9b)に連結さ
れた幅狭部(16a)と、幅狭部(16a)の間に配置
された幅広部(16b)とを有してもよい。
【0027】図5に示す半導体装置製造用リードフレー
ム(14)は、第1の補助連結条(15)に隣り合う支
持板(8b)に連結された幅狭部(15a)と、幅狭部
(15a)の間に配置された幅広部(15b)とを形成
し、第2の補助連結条(16)に隣り合うコネクタ部
(9b)に連結された幅狭部(16a)と、幅狭部(1
6a)の間に配置された幅広部(16b)とを形成し、
第1の補助連結条(15)の幅広部(15b)又は第2
の補助連結条(16)の幅広部(16b)を固定用治具
(18)と台座(17)との間に挟持してもよい。
ム(14)は、第1の補助連結条(15)に隣り合う支
持板(8b)に連結された幅狭部(15a)と、幅狭部
(15a)の間に配置された幅広部(15b)とを形成
し、第2の補助連結条(16)に隣り合うコネクタ部
(9b)に連結された幅狭部(16a)と、幅狭部(1
6a)の間に配置された幅広部(16b)とを形成し、
第1の補助連結条(15)の幅広部(15b)又は第2
の補助連結条(16)の幅広部(16b)を固定用治具
(18)と台座(17)との間に挟持してもよい。
【0028】半導体装置製造用リードフレーム(14)
に振動を加えたときに、アイランド(8)及びターミナ
ルパッド(9)の先端部で特に振動が増大しやすいが、
アイランド(8)及びターミナルパッド(9)の両側に
それぞれ接続された第1の補助連結条(15)の幅広部
(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広部(16
b)を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持
するため、挟持面積が大きくなり、アイランド(8)及
びターミナルパッド(9)を確実に且つ強固に固定する
ことができる。
に振動を加えたときに、アイランド(8)及びターミナ
ルパッド(9)の先端部で特に振動が増大しやすいが、
アイランド(8)及びターミナルパッド(9)の両側に
それぞれ接続された第1の補助連結条(15)の幅広部
(15b)と第2の補助連結条(16)の幅広部(16
b)を固定用治具(18)と台座(17)との間に挟持
するため、挟持面積が大きくなり、アイランド(8)及
びターミナルパッド(9)を確実に且つ強固に固定する
ことができる。
【0029】また、他の変更例として、図6に示すよう
に、第1の補助連結条(15)の幅広部(15b)と第
2の補助連結条(16)の幅広部(16b)を第3の連
結条(23)で連結してもよい。
に、第1の補助連結条(15)の幅広部(15b)と第
2の補助連結条(16)の幅広部(16b)を第3の連
結条(23)で連結してもよい。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、固定用治具と台座との
間に第1の補助連結条又は第2の補助連結条を挟持し
て、ダイボンディング又はワイヤボンディングを行うの
で、一方の連結条から突出するコネクタ部及び他方の連
結条から突出する支持板が振動(移動)することがな
く、コネクタ部及び支持板に十分な機械的強度をもって
ダイボンディングやワイヤボンディングを行うことがで
き、このため、信頼性の高い半導体装置を製造すること
ができる。
間に第1の補助連結条又は第2の補助連結条を挟持し
て、ダイボンディング又はワイヤボンディングを行うの
で、一方の連結条から突出するコネクタ部及び他方の連
結条から突出する支持板が振動(移動)することがな
く、コネクタ部及び支持板に十分な機械的強度をもって
ダイボンディングやワイヤボンディングを行うことがで
き、このため、信頼性の高い半導体装置を製造すること
ができる。
【図1】 本発明による半導体装置製造用リードフレー
ムの平面図
ムの平面図
【図2】 図1の半導体装置製造用リードフレームにダ
イボンディングを行う状態を示す断面図
イボンディングを行う状態を示す断面図
【図3】 図1の半導体装置製造用リードフレームに固
着した半導体素子にワイヤボンディングを行う状態を示
す断面図
着した半導体素子にワイヤボンディングを行う状態を示
す断面図
【図4】 図1の半導体装置製造用リードフレームにワ
イヤボンディングを行う状態を示す断面図
イヤボンディングを行う状態を示す断面図
【図5】 本発明の他の実施形態による半導体装置製造
用リードフレームの平面図
用リードフレームの平面図
【図6】 本発明の他の実施形態による半導体装置製造
用リードフレームの平面図
用リードフレームの平面図
【図7】 従来の半導体装置製造用リードフレームの平
面図
面図
(1)・・第1の外部リード、 (2)・・第2の外部
リード、 (3)・・第1の連結条、 (4)・・第2
の連結条、 (5)・・第3の連結条、 (6)・・第
4の連結条、 (8)・・アイランド、 (8a)・・
第1のネック部、 (8b)・・支持板、 (9)・・
ターミナルパッド、 (9a)・・第2のネック部、
(9b)・・コネクタ部、 (10)・・連結部、
(11)・・半導体素子、 (12)・・ワイヤ、
(13)・・樹脂封止体、 (14)・・半導体装置製
造用リードフレーム、 (15)・・第1の補助連結
条、 (15a)・・幅狭部、 (15b)・・幅広
部、 (16)・・第2の補助連結条、 (16a)・
・幅狭部、 (16b)・・幅広部、 (17)・・台
座、(18)・・固定用治具、 (19)・・キャピラ
リ、 (20)・・コレット、
リード、 (3)・・第1の連結条、 (4)・・第2
の連結条、 (5)・・第3の連結条、 (6)・・第
4の連結条、 (8)・・アイランド、 (8a)・・
第1のネック部、 (8b)・・支持板、 (9)・・
ターミナルパッド、 (9a)・・第2のネック部、
(9b)・・コネクタ部、 (10)・・連結部、
(11)・・半導体素子、 (12)・・ワイヤ、
(13)・・樹脂封止体、 (14)・・半導体装置製
造用リードフレーム、 (15)・・第1の補助連結
条、 (15a)・・幅狭部、 (15b)・・幅広
部、 (16)・・第2の補助連結条、 (16a)・
・幅狭部、 (16b)・・幅広部、 (17)・・台
座、(18)・・固定用治具、 (19)・・キャピラ
リ、 (20)・・コレット、
Claims (5)
- 【請求項1】 互いに対向して且つ並行に配置される二
対の連結条と、該二対の連結条の長さ方向に一定の間隔
をあけて互いに並行に配置され且つ前記二対の連結条を
構成する各一対の連結条を互いに連結する複数の外側連
結条と、前記二対の連結条の一方の対の連結条から他方
の対の連結条に向かって突出し且つ支持板を有するアイ
ランドと、前記二対の連結条の他方の対の連結条から前
記一方の対の連結条に向かって突出し且つコネクタ部を
有するターミナルパッドとを備え、間隙を介して前記支
持板とコネクタ部とを対向して配置した半導体装置製造
用リードフレームにおいて、 前記間隙の外部に配置される第1の補助連結条により隣
り合う前記支持板間を連結すると共に、前記間隙の外部
に配置される第2の補助連結条により隣り合う前記コネ
クタ部間を連結し、 前記間隙と交差するリード細線により前記支持板に接着
した半導体素子と前記コネクタ部とを接続するダイボン
ディング又はワイヤボンディングを行う際に、前記第1
の補助連結条及び第2の補助連結条は、固定用治具と台
座との間に挟持できる幅を有することを特徴とする半導
体装置製造用リードフレーム。 - 【請求項2】 前記第1の補助連結条は、隣り合う前記
支持板に連結された一対の幅狭部と、該一対の幅狭部の
間に配置された幅広部とを有し、 前記第2の補助連結条は、隣り合う前記コネクタ部に連
結された一対の幅狭部と、該一対の幅狭部間に配置され
た幅広部とを有する請求項1に記載の半導体装置製造用
リードフレーム。 - 【請求項3】 前記第1の補助連結条の前記幅広部と前
記第2の補助連結条の前記幅広部とを第3の連結条によ
り連結した請求項2に記載の半導体装置製造用リードフ
レーム。 - 【請求項4】 互いに対向して且つ並行に配置される二
対の連結条と、該二対の連結条の長さ方向に一定の間隔
をあけて互いに並行に配置され且つ前記二対の連結条を
構成する各一対の連結条を互いに連結する複数の外側連
結条と、前記二対の連結条の一方の対の連結条から他方
の対の連結条に向かって突出し且つ支持板を有するアイ
ランドと、前記二対の連結条の他方の対の連結条から前
記一方の対の連結条に向かって突出し且つコネクタ部を
有するターミナルパッドとを備え、間隙を介して前記支
持板とコネクタ部とを対向して配置した半導体装置製造
用リードフレームを準備する工程と、 前記支持板に半導体素子を接着する工程と、 前記半導体素子と前記コネクタ部とをリード細線により
接続してダイボンディング又はワイヤボンディングを行
う工程とを含む半導体装置製造用リードフレーム組立体
の製造方法において、 前記半導体装置製造用リードフレームを準備する工程
は、前記間隙の外部に配置される第1の補助連結条によ
り隣り合う前記支持板間を連結すると共に、前記間隙の
外部に配置される第2の補助連結条により隣り合う前記
コネクタ部間を連結する工程を含み、 前記ダイボンディング又はワイヤボンディングを行う工
程は、前記リードフレームを台座上に配置すると共に、
前記第1の補助連結条及び第2の補助連結条を固定用治
具と台座との間に挟持する工程と、 その後、前記間隙と交差するリード細線により前記支持
板に接着した半導体素子と前記コネクタ部とを接続する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置製造用リード
フレーム組立体の製造方法。 - 【請求項5】 前記半導体装置製造用リードフレームを
準備する工程は、前記第1の補助連結条に隣り合う前記
支持板に連結された幅狭部と、一対の該幅狭部の間に配
置された幅広部とを形成する工程と、 前記第2の補助連結条に隣り合う前記コネクタ部に連結
された幅狭部と、一対の該幅狭部の間に配置された幅広
部とを形成する工程とを含み、 前記ダイボンディング又はワイヤボンディングを行う工
程は、前記第1の補助連結条の幅広部又は第2の補助連
結条の幅広部を前記固定用治具と前記台座との間に挟持
する工程を含む請求項4に記載の半導体装置製造用リー
ドフレーム組立体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07185198A JP3404735B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07185198A JP3404735B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274385A JPH11274385A (ja) | 1999-10-08 |
JP3404735B2 true JP3404735B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=13472465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07185198A Expired - Fee Related JP3404735B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3404735B2 (ja) |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP07185198A patent/JP3404735B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11274385A (ja) | 1999-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
JP3088193B2 (ja) | Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム | |
JPH10275827A (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
US5611478A (en) | Lead frame clamp for ultrasonic bonding | |
KR100721280B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치 | |
JPH0778932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3404735B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JP3293757B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JPH10229100A (ja) | ワイヤボンディング方法及びプラスティックパッケージの製造方法 | |
JP3548671B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100721274B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2944591B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2001291734A (ja) | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 | |
JP2003007773A (ja) | ボンディングツールおよびボンディング方法 | |
JPH10303350A (ja) | リードフレーム | |
KR0151253B1 (ko) | 조립 프로세스 감축형 반도체소자 | |
JP3445687B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JPH01209733A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6178128A (ja) | 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル | |
JP2002313834A (ja) | ボンディングステージ、ワイヤボンダ及び回路基板実装体の実装方法 | |
JP4004237B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0384941A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0287641A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH03116963A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |