JPH03289149A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH03289149A
JPH03289149A JP2090850A JP9085090A JPH03289149A JP H03289149 A JPH03289149 A JP H03289149A JP 2090850 A JP2090850 A JP 2090850A JP 9085090 A JP9085090 A JP 9085090A JP H03289149 A JPH03289149 A JP H03289149A
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JP
Japan
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bonding
capillary
wire
substrate
primary
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JP2090850A
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Kiyoshi Arita
潔 有田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はワイヤボンディング方法に関し、詳しくは、キ
ャピラリによりワイヤを基板に押し付けて第２ボンディ
ングする際に、部分的に重なる１次ボンディング部と２
次ボンディング部に、キャピラリにより２度ワイヤを押
し付けてボンディングするようにしたものである。
（従来の技術） 基板と半導体チップを接続するワイヤボンディングは、
キャピラリによりワイヤを半導体チップに押し付けて第
１ボンディングを行い、次いでキャピラリによりワイヤ
を基板に押し付けて第２ボンディングを行うようになっ
ている。
第１ボンディングは、ワイヤの下端部に電気的スパーク
によりボールを形成したうえで、このボールを半導体チ
ップに押し付けてボンディングするようになっているた
め、−ｉにボンディング状態は良好であって、ボンディ
ング部は半導体チップからはがれにくいものである。と
ころが第２ボンディングは、極細のワイヤをそのまま基
板に押し付けてボンディングするため、ボンディング面
積が小さく、基板からはがれやすいものであった。
その改善策として、特開平１−２３９８６１号公報に開
示された手段が提案されている。この手段は、キャピラ
リによりワイヤを基板に押し付けた状態で、キャピラリ
を第１ボンディング点の方向へわずかにずらすことによ
り、ボンディング面積を大きくし、ワイヤが基板からは
がれにくいようにしたものである。
（発明が解決しようとする課題） ところが上記手段は、キャピラリによりワイヤを基板に
押し付けた状態で、そのままキャピラリを第１ボンディ
ング点の方向へずらすことから、キャピラリのエツジに
よりワイヤを傷つけやすく、場合によってはワイヤを切
断してしまう問題があった。
（課題を解決するための手段） このために本発明は、キャピラリによりワイヤを基板に
押し付けて１次ボンディングした後、キャピラリを上昇
させ、次いでこの１次ボンディング部と部分的に重なる
２次ボンディング部に２次ボンディングして、第２ボン
ディングを行うようにしたものである。
（作用） 上記構成によれば、キャピラリはワイヤを基板に押し付
けて１次ボンディングをした後、−旦１次ボンディング
部から上昇し、次いで２次ボンディング部にワイヤを押
し付けるようにしているので、ワイヤがキャピラリのエ
ツジにより傷つけられたり切断されることはなく、また
１次ボンディング部と２次ボンディング部を部分的に重
ねることにより、ボンディング面積を大きくでき、基板
にしっかりボンディングできる。
（実施例） 次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）、　　（ｂ）、（ｃ）はボンディングの作
業順を示すものである。同図（ａ）において、１はリー
ドフレームのような基板、２は基板１上に搭載された半
導体チップ、３はワイヤ４が挿通されたキャピラリであ
る。キャピラ＋Ｊ　３は、電気的スパークによりワイヤ
４の下端部に形成されたボールを、半導体チップ２の上
面の電極部に押し付けて第１ボンディングをした後、基
板１に対する第２ボンディングを行う。
４ａは上記ボールによる第１ボンディング部である。第
１ボンディングは、上記ボールをキャピラリ３により半
導体チップ２に押し付けることにより行われるので、ボ
ンディング面積はかなり大きく、したがって半導体チッ
プ２に良好にボンディングすることができる。
第２ボンディングは、同図（ａ）に示すように、キャピ
ラリ３によりワイヤ４を基板１に押し付けて１次ボンデ
ィングし、次いで同図（ｂ）に示すようにキャピラリ３
をわずかに上昇させるとともに（矢印Ｎ１）、側方の第
１ボンディング部４ａ側へわずかに移動させ（矢印Ｎ２
）、次いでキャピラリ２を下降させて、再度ワイヤ４を
基板１に押し付けて２次ボンディングすることにより行
われる（同図（Ｃ））。４１ｂ。
４２ｂは、第２ボンディングにおける１次ボンディング
部と２次ボンディング部である。
第２図は第２ボンディング部分の平面図であって、１次
ボンディング部４１１）と２次ボンディング部４２ｂは
部分的に重なり合っている（影線部参照）。５は基板１
の電極部である。
このように第２ボンディングを行えば、基板１に対する
ボンディング面積を大きくできることから、基板１にし
っかりとボンディングできる。なお本実施例では、第２
ボンディングは、１次ボンディングと２次ボンディング
の２回行うものであるが、サイクルタイムが長くなるの
が許容されるならば、３次ボンディング以上を行っても
よいものである。また１次ボンディングと２次ボンディ
ングは、それぞれのボンディング部が部分的に重なれば
よいものであり、したがって１次ボンディングを終えた
キャピラリ３は、斜上方に上昇させ、次いで下降させて
２次ボンディングを行うようにしてもよい。
（発明の効果） 以上説明したように本発明は、キャピラリによりワイヤ
を基板に押し付けて１次ボンディングした後、キャピラ
リを上昇させ、次いでこの１次ボンディング部と部分的
に重なる２次ボンディング部に２次ボンディングするよ
うにしているので、ボンディング面積を十分に大きくし
、ワイヤをしっかりと基板にボンディングすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図（ａ）
、　　（ｂ）、　　（ｃ）はボンディング順の側面図、
第２図は平面図である。 １・・・基板 ２・・・半導体チップ ３・・・キャピラリ ４・・・ワイヤ ４１ｂ・・・１次ボンディング部 ４２ｂ・・・２次ボンディング部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　キャピラリに挿通されたワイヤを、基板に搭載された
    半導体チップに第１ボンディングした後、基板に第２ボ
    ンディングするようにしたワイヤボンディング方法にお
    いて、 上記キャピラリによりワイヤを基板に押し付けて１次ボ
    ンディングした後、キャピラリを上昇させ、次いでこの
    １次ボンディング部と部分的に重なる２次ボンディング
    部に２次ボンディングすることにより、上記第２ボンデ
    ィングを行うようにしたことを特徴とするワイヤボンデ
    ィング方法。
JP2090850A 1990-04-05 1990-04-05 ワイヤボンディング方法 Pending JPH03289149A (ja)

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