JPH03233946A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH03233946A
JPH03233946A JP2030464A JP3046490A JPH03233946A JP H03233946 A JPH03233946 A JP H03233946A JP 2030464 A JP2030464 A JP 2030464A JP 3046490 A JP3046490 A JP 3046490A JP H03233946 A JPH03233946 A JP H03233946A
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JP
Japan
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wire
bonding
chip
substrate
bonded
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English (en)
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Tatsuya Sakano
坂野　達哉
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ワイヤボールを用いたワイヤボンディング方
法に関する。
（従来の技術） 従来から、ワイヤボンディングループ高さを抑えるワイ
ヤボンディング方法として、基板上のボンディング位置
とこの基板上に搭載されたＩＣチップ上のボンディング
位置との間のワイヤボンディングは、たとえば第２図（
ａ）〜（ｅ）に示すように行われていた。同図において
、１は基板、２はこの基板１上に搭載されたＩＣチップ
を示している。
まず、キャピラリ治具３の先端から導出されるワイヤ４
の先端に形成されたワイヤボール５とともにワイヤ４の
先端を（同図（ａ））　、基板１上のたとえば電極であ
るボンディング位置７にポンデイグする（同図（ｂ））
。このボンディングは、キャピラリ治具３によりワイヤ
ボール５をボンディング位置７に押し付けつつ、超音波
や熱または超音波と熱との併用により接合することによ
り行つ０ 次に、ワイヤ４を送り出しつつキャピラリ治具３を上昇
させＩＣチップ２上のたとえば電極であるボンディング
位置６側に移動させる（同図（ｃ））。その後、ワイヤ
４をＩＣチップ２上のボンディング位置６に上述と同様
の方法によりボンディングする（同図（ｄ））。
そして、キャピラリ治具３の先端からワイヤ４を一定量
導出して、キャピラリ治具３を上昇させ、ワイヤ４の先
端に電気トーチ８によりワイヤポル５を形成する（同図
（ｅ））ことにより一連の動作が終了し、−膜内には上
記一連の動作が繰り返される。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このようなワイヤボンディング方法では
、基板１上に搭載されたＩＣチップ２の損傷を招来るこ
とがしばしば認められるばかりでなく、ワイヤボールの
高さがバラツキ、ボンディング強度が安定しない。すな
わち、基板１上に搭載されたＩＣチップ２上のボンディ
ング位置６、たとえば電極面にワイヤ４の先端をンデイ
グする際、ボンデインクに要する押圧力がそのまま（直
接的に）ＩＣチップ２面に印加されることになる。
つまり、キャピラリ治具３の先端部が、ある押圧力をも
ってＩＣチップ２の上面に直接接触する形ないし状態と
なる。このため、ＩＣチップ２面に不所望な傷など生じ
てＩＣチップ２自体の性能ないし機能が損われるという
問題がある。また、基板１側に、まずワイヤボンディン
グし、引続いてＩＣチップ２を損わないようにＩＣチッ
プ２側にワイヤボンディングするため、キャピラリ先端
から一定量のワイヤを導出する際、ワイヤボンディング
強度不足のため、一定量のワイヤを導出しえない。した
がって、一定の大きさのワイヤボールが形成されずボン
ディングにバラツキが生し易い。
本発明はこのような問題を解決するためのもので、基板
上に搭載されたＩＣチップに損傷などの悪影響を及ぼす
ことなく、確実にワイヤボンディングを行い得るワイヤ
ボンディング方法の提供を目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上のボンディング位置と、この基板上に
搭載されたＩＣチップ上のボンデインク゛位置との間で
ワイヤボンディングを行う方法において、 前記ＩＣチップ上のボンディング位置にワイヤボールの
みをボンディングした後、前記基板上のボンディング位
置にワイヤボールとともにワイヤの先端をボンディング
し、次いで前記ワイヤを前記ＩＣチップ上のボンディン
グ位置にボンディングされたワイヤボールにボンディン
グすることを特徴とする。
（作　用） 本発明では、ワイヤをＩＣチップ面上のボンディング位
置にボンディングする際、予めボンディングされたワイ
ヤボールにワイヤがボンディングされる。つまり、ＩＣ
チップ面に対するボンディングは、基板側のボンディン
グを行った後、キャピラリ治具による直接の押圧力の加
わらない状態で被着形成されたワイヤボールを介在させ
て（ワイヤとワイヤボールとが最初に接触する）なされ
るため、ワイヤ側からの圧力ないしキャピラリ治具先端
が直接ＩＣチップ面に加わることはななり、よってＩＣ
チップ面に損傷など起すことがないため、十分の押圧力
を加えることができ、所要のボンディング強度でワイヤ
ボンディングを確実に行うことができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例に係るワイヤ
ボンディング方法の実施態様を模式的に示す説明図であ
る。
同図において、１は基板、２はこの基板１上に搭載され
たＩＣチップを示している。
まず、キャピラリ治具３の先端から導出されるワイヤ４
の先端に形成されたワイヤボール５′を（同図（ａ））
、基板１上に搭載されたＩＣチップ２のたとえば電極で
あるボンディング位置６にボンディングする（同図（ｂ
））。このボンディングは、キャピラリ治具３によりワ
イヤボール５′をボンディング位置６に超音波や熱また
は超音波と熱との併用により行う。ここで重要なことは
、ワイヤボール５′のみをボンディングし、ワイヤ４は
ボンディングしないことである。
次に、キャピラリ治具３の先端からワイヤ４を一定量導
出し、キャピラリ治具３を上昇させ、ワイヤ４の先端に
電気トーチ８によりワイヤボール５を形成する（同図（
Ｃ））。そして、キャピラリ治具３を基板１上のたとえ
ば電極であるボンディング位置７側に移動させ、ワイヤ
４の先端に形成されたワイヤボール５を、基板１上のボ
ンディング位置７に押えつけつつ、超音波や熱または超
音波と熱との併用によりボンディングするとともに、ワ
イヤ４の先端をボンディングする。
しかる後、ワイヤ４を送り出しつつキャピラリ治具３を
上昇させ再びＩＣチップ２上のボンディング位置６側に
移動させる（同図（ｄ））。次いで、ワイヤ４をＩＣチ
ップ２上のボンディング位置６にボンディングされてい
る前記ワイヤボール５′上に上述と同様の方法によりボ
ンディングしてから（同図（ｅ））、キャピラリ治具３
の先端からワイヤ４を一定量導出して、キャピラリ治具
３を上昇させ、ワイヤ４の先端に電気トーチ８によりワ
イヤボール５を形成する（同図（ｆ））ことにより一連
の動作が終了し、この一連の動作が順次繰り返される。
本実施例のワイヤボンディング方法によれば、ワイヤ４
を基板１上に搭載されたＩＣチップ２のボンディング位
置６にボンディングする際、先に（予め）ボンディング
されたワイヤボール５′にワイヤ４がボンディングされ
る。したがって、キャピラリ治具３によるワイヤ４側か
らの圧力はワイヤボール５−に最も強くかかり、かつキ
ャピラリ治具３がＩＣチップ２のボンディング位置６に
接触することもなくなる。つまり、ＩＣチップ２面のボ
ンディング位置６に対して、前記ワイヤポル５′がクッ
ションテキな作用を呈する形で最終的にワイヤ４がボン
ディングされるため、ＩＣチップ２面などに損傷など生
じる恐れも全面的に回避し得るし、一定のワイヤボンデ
ィング強度も維持できる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、ワイヤを基板上に
搭載されたＩＣチップ面のボンディング位置にボンディ
ングする際、先にボンディングされたワイヤボールにワ
イヤがボンディングされるので、ＩＣチップに何等損傷
などの悪影響を及ぼすことなく、ワイヤボンディングを
確実に行うことができる。また所望のボンディング強度
も得られるので、確実、簡単に高さの低いワイヤループ
を形成し得ることになり、薄型化を要求されている実装
回路の製造手段として好適するワイヤボンディング方法
といえる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係るワイヤボンディン
グ方法の一実施例の態様を模式的に示す説明図、第２図
（ａ）〜（ｅ）は従来のワイヤボンディング方法の態様
を模式的に示す説明図である。 １・・・・・基板 ２・・・・・・ＩＣチップ ３・・・・・・キャピラリ治具 ４・・・・・・ワイヤ ５．５−・・・ワイヤボール ６・・・・・・ＩＣチップ上のボンディング位置７・・
・・・・基板上のボンディング位置８・・・・・・電気
トーチ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上のボンディング位置と、この基板上に搭載された
    ＩＣチップ上のボンディング位置との間でワイヤボンデ
    ィングを行う方法において、前記ＩＣチップ上のボンデ
    ィング位置にワイヤボールのみをボンディングした後、
    前記基板上のボンディング位置にワイヤボールとともに
    ワイヤの先端をボンディングし、次いで前記ワイヤを前
    記ＩＣチップ上のボンディング位置にボンディングされ
    たワイヤボールにボンディングすることを特徴とするワ
    イヤボンディング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

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US7176570B2 (en) 2002-02-19 2007-02-13 Seiko Epson Corporation Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment

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