JPH05275428A - バンプの形成方法 - Google Patents
バンプの形成方法Info
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- JPH05275428A JPH05275428A JP3056428A JP5642891A JPH05275428A JP H05275428 A JPH05275428 A JP H05275428A JP 3056428 A JP3056428 A JP 3056428A JP 5642891 A JP5642891 A JP 5642891A JP H05275428 A JPH05275428 A JP H05275428A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプの形成方法、特にワイヤボンダを利用
したバンプの形成方法に関し、バンプの生産性向上，バ
ンプからワイヤの切断残部が突出しないようにすること
を目的とする。 【構成】 キャピラリ１を貫通するワイヤ２の先端に球
形５を形成し、球体５を基板３に接合し、キャピラリ１
を引き上げてワイヤ２を切断したのち、球体５より延在
するワイヤ残部2aを押圧具６の平坦面で押し潰す。また
は、キャピラリ１で球体５を基板３に接合したのち横方
向に移動させたキャピラリ１の先端で球体５を押し、し
かるのちワイヤ２を切断し構成する。
したバンプの形成方法に関し、バンプの生産性向上，バ
ンプからワイヤの切断残部が突出しないようにすること
を目的とする。 【構成】 キャピラリ１を貫通するワイヤ２の先端に球
形５を形成し、球体５を基板３に接合し、キャピラリ１
を引き上げてワイヤ２を切断したのち、球体５より延在
するワイヤ残部2aを押圧具６の平坦面で押し潰す。また
は、キャピラリ１で球体５を基板３に接合したのち横方
向に移動させたキャピラリ１の先端で球体５を押し、し
かるのちワイヤ２を切断し構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップにバンプを
形成させる方法、特にワイヤボンダを利用してバンプを
形成させる方法に関する。
形成させる方法、特にワイヤボンダを利用してバンプを
形成させる方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の需要は多品種少量生
産, 短納期のものが増えており、その対応策の一つとし
てＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式を適用したと
き、チップ（またはリード）には多数の接続用バンプを
効率的に形成する必要がある。
産, 短納期のものが増えており、その対応策の一つとし
てＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式を適用したと
き、チップ（またはリード）には多数の接続用バンプを
効率的に形成する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図４はワイヤボンダを利用した従来のバ
ンプ形成方法の説明図であり、１は通常のワイヤボンデ
ィングに使用するキヤピラリ、２はキヤピラリ１を貫通
し適当量ずつ順次繰り出されるワイヤ、３は半導体チッ
プ（基板）、４は半導体チップ３に形成したバンプであ
る。バンプ４の形成工程は、ワイヤ２の先端に球体５を
形成させたのち、キヤピラリ１で球体５をチップ３に押
圧し熱圧着させ、キヤピラリ１を引き上げるとワイヤ２
は球体５に近い中間部で切断される。
ンプ形成方法の説明図であり、１は通常のワイヤボンデ
ィングに使用するキヤピラリ、２はキヤピラリ１を貫通
し適当量ずつ順次繰り出されるワイヤ、３は半導体チッ
プ（基板）、４は半導体チップ３に形成したバンプであ
る。バンプ４の形成工程は、ワイヤ２の先端に球体５を
形成させたのち、キヤピラリ１で球体５をチップ３に押
圧し熱圧着させ、キヤピラリ１を引き上げるとワイヤ２
は球体５に近い中間部で切断される。
【０００４】以下、前記動作の繰り返しによってチップ
３の上面には、多数個のバンプ４が形成されることにな
る。
３の上面には、多数個のバンプ４が形成されることにな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤ２より形成した
従来のバンプ４は、図４に示す如くワイヤ２の残部２ａ
が突出し、かつ、残部２ａの長さにばらつきが生じる。
かかる残部２ａは多数個のバンプ４を同時に接続するＴ
ＡＢに際し、バンプ４とその接続相手との押圧力が不均
等になり易くなると共に、バンプ４に対しその接続相手
（またはその逆）が横方向にずれ易く、その結果、接続
不良が生じ易いという問題点があった。そこで、かかる
接続不良をなくすため残部２ａの対応策が必要になっ
た。
従来のバンプ４は、図４に示す如くワイヤ２の残部２ａ
が突出し、かつ、残部２ａの長さにばらつきが生じる。
かかる残部２ａは多数個のバンプ４を同時に接続するＴ
ＡＢに際し、バンプ４とその接続相手との押圧力が不均
等になり易くなると共に、バンプ４に対しその接続相手
（またはその逆）が横方向にずれ易く、その結果、接続
不良が生じ易いという問題点があった。そこで、かかる
接続不良をなくすため残部２ａの対応策が必要になっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ワイヤボンダを使用して
バンプを形成する本発明方法は、キャピラリを貫通する
ワイヤの先端に球体を形成せしめ、該キャピラリを用い
て該球体を該基板に接合し、該キャピラリを引き上げて
該球体に近い該ワイヤの中間部を切断したのち、該球体
より延在する該ワイヤの残部を押圧具の平坦面で押し潰
す第１の方法とキャピラリを貫通するワイヤの先端に球
体を形成せしめ、該キャピラリを用いて該球体を該基板
に接合し、該キャピラリを横方向に移動させその先端を
該球体に押し付けたのち、該キャピラリを引き上げて該
ワイヤを切断させる第２の方法と、さらに、前記第１ま
たは第２の方法において、ワイヤの切断に先立ってキャ
ピラリにスクラブ動作を与える、前記第２の方法におい
て、キャピラリの先端を基板に対し平行な平坦面にする
または、バンプを押圧具の平坦面で叩くことである。
バンプを形成する本発明方法は、キャピラリを貫通する
ワイヤの先端に球体を形成せしめ、該キャピラリを用い
て該球体を該基板に接合し、該キャピラリを引き上げて
該球体に近い該ワイヤの中間部を切断したのち、該球体
より延在する該ワイヤの残部を押圧具の平坦面で押し潰
す第１の方法とキャピラリを貫通するワイヤの先端に球
体を形成せしめ、該キャピラリを用いて該球体を該基板
に接合し、該キャピラリを横方向に移動させその先端を
該球体に押し付けたのち、該キャピラリを引き上げて該
ワイヤを切断させる第２の方法と、さらに、前記第１ま
たは第２の方法において、ワイヤの切断に先立ってキャ
ピラリにスクラブ動作を与える、前記第２の方法におい
て、キャピラリの先端を基板に対し平行な平坦面にする
または、バンプを押圧具の平坦面で叩くことである。
【０００７】
【作用】上記第１の方法によれば、ワイヤを切断したと
きバンプより延在するワイヤの切断残部を押圧具で押し
潰し、上記第２の方法によれば、ワイヤの切断に先立っ
て横に移動させたキャピラリの先端でバンプを押すこと
によってワイヤの切断残部が生成されないようになる。
その結果、バンプ高さが揃うようになり、バンプを使用
するＴＡＢ接続の確実性，信頼性が向上する。
きバンプより延在するワイヤの切断残部を押圧具で押し
潰し、上記第２の方法によれば、ワイヤの切断に先立っ
て横に移動させたキャピラリの先端でバンプを押すこと
によってワイヤの切断残部が生成されないようになる。
その結果、バンプ高さが揃うようになり、バンプを使用
するＴＡＢ接続の確実性，信頼性が向上する。
【０００８】さらに、キャピラリの先端を平坦面にす
る，前記第２の方法により形成したバンプを押圧具で叩
くことで、バンプ上面は一層平坦化され本発明の効果が
顕著になり、キャピラリにスクラブ動作を与えることで
ワイヤが切断され易くなる。
る，前記第２の方法により形成したバンプを押圧具で叩
くことで、バンプ上面は一層平坦化され本発明の効果が
顕著になり、キャピラリにスクラブ動作を与えることで
ワイヤが切断され易くなる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明方法の第１の実施例の説明図、
図２は本発明方法の第２の実施例の説明図、図３は本発
明方法の第３の実施例の説明図である。
図２は本発明方法の第２の実施例の説明図、図３は本発
明方法の第３の実施例の説明図である。
【００１０】ワイヤボンダに使用する通常のキヤピラリ
１を利用した第１の実施例を示す図１において、キヤピ
ラリ１より導出するワイヤ２の先端に、図１(イ) に示す
如き球体５を形成させる。球体５はワイヤ２の先端をト
ーチで加熱溶融し形成される。
１を利用した第１の実施例を示す図１において、キヤピ
ラリ１より導出するワイヤ２の先端に、図１(イ) に示す
如き球体５を形成させる。球体５はワイヤ２の先端をト
ーチで加熱溶融し形成される。
【００１１】次いで、図１(ロ) に示す如くキヤピラリ１
を下降させ、適当な押圧力で球体５を半導体チップ（基
板）３に接合（熱圧着）したのち、図１(ハ) に示す如く
押し潰された球体５からキヤピラリ１を引き離し、さら
に図１(ニ) に示す如くキヤピラリ１を引き上げると、ワ
イヤ残部２ａが突出するバンプ４がチップ３に形成され
る。
を下降させ、適当な押圧力で球体５を半導体チップ（基
板）３に接合（熱圧着）したのち、図１(ハ) に示す如く
押し潰された球体５からキヤピラリ１を引き離し、さら
に図１(ニ) に示す如くキヤピラリ１を引き上げると、ワ
イヤ残部２ａが突出するバンプ４がチップ３に形成され
る。
【００１２】次いで、図１(ホ) に示す如く下面が平坦で
ある押圧具６でバンプ４を叩くと、ワイヤ残部２ａは潰
されて消滅し、図１(ホ) および図１(ヘ) に示すバンプ10
が完成する。
ある押圧具６でバンプ４を叩くと、ワイヤ残部２ａは潰
されて消滅し、図１(ホ) および図１(ヘ) に示すバンプ10
が完成する。
【００１３】ワイヤボンダに使用する通常のキヤピラリ
１を利用した第２の実施例を示す図２において、キヤピ
ラリ１より導出するワイヤ２の先端に、図２(イ) に示す
如き球体５を形成させる。
１を利用した第２の実施例を示す図２において、キヤピ
ラリ１より導出するワイヤ２の先端に、図２(イ) に示す
如き球体５を形成させる。
【００１４】次いで、図２(ロ) に示す如くキヤピラリ１
を下降させ、適当な押圧力で球体５を半導体チップ３に
接合したのち、図２(ハ) に示す如くキヤピラリ１を押し
潰された球体５から例えばワイヤ２の直径と同じ程度引
き上げ、図２(ニ) に示す如くキヤピラリ１を横方向にワ
イヤ２の直径〜ワイヤ２の直径の２倍程度移動させ、キ
ヤピラリ１の先端で球体５を押すようにする。
を下降させ、適当な押圧力で球体５を半導体チップ３に
接合したのち、図２(ハ) に示す如くキヤピラリ１を押し
潰された球体５から例えばワイヤ２の直径と同じ程度引
き上げ、図２(ニ) に示す如くキヤピラリ１を横方向にワ
イヤ２の直径〜ワイヤ２の直径の２倍程度移動させ、キ
ヤピラリ１の先端で球体５を押すようにする。
【００１５】次いで、図２(ホ) に示す如くキヤピラリ１
を引き上げるとバンプ10が形成される。その際、ワイヤ
２はバンプ10との境界部分で切断されるため、バンプ10
にはワイヤ残部２ａが殆ど形成されないようになる。
を引き上げるとバンプ10が形成される。その際、ワイヤ
２はバンプ10との境界部分で切断されるため、バンプ10
にはワイヤ残部２ａが殆ど形成されないようになる。
【００１６】キヤピラリ１を使用する通常のワイヤボン
ディングは、１stボンディングによってワイヤ先端の球
体を接合し、２ndボンディングでワイヤの中間部を接合
したのち、キヤピラリ１を引き上げてワイヤを切断す
る。かかるキヤピラリ１は、２ndボンディングを容易か
つ確実にするため、先端（下端）面を適当な曲面に形成
する。従って、キヤピラリ１を使用し形成したバンプ10
の上面は図２(ホ) に示す如く、キヤピラリ１の先端面を
写すためやや平坦性に欠けた形状になる。
ディングは、１stボンディングによってワイヤ先端の球
体を接合し、２ndボンディングでワイヤの中間部を接合
したのち、キヤピラリ１を引き上げてワイヤを切断す
る。かかるキヤピラリ１は、２ndボンディングを容易か
つ確実にするため、先端（下端）面を適当な曲面に形成
する。従って、キヤピラリ１を使用し形成したバンプ10
の上面は図２(ホ) に示す如く、キヤピラリ１の先端面を
写すためやや平坦性に欠けた形状になる。
【００１７】第３の実施例は前記平坦性欠如の欠点をな
くす一手段を具えた方法である。本発明方法の第３の実
施例を説明するための図３において、ワイヤ２が貫通す
るキヤピラリ11は通常のキヤピラリ１と異なり、図３
(イ) に示す如く先端面12がチップ３に対し平行な平坦面
である。そこで、キヤピラリ１に替えてキヤピラリ11を
ワイヤボンダに装着し、前記第１の実施例と同一工程で
バンプを形成すれば、図１(ホ) に示す押圧具６および押
圧具６による叩き工程が不要となり、第２の実施例と同
一工程でバンプ13を形成すれば、図３(ロ) および(ハ) に
示す如く、バンプ10と比較し上面が平らなバンプ13が得
られる。
くす一手段を具えた方法である。本発明方法の第３の実
施例を説明するための図３において、ワイヤ２が貫通す
るキヤピラリ11は通常のキヤピラリ１と異なり、図３
(イ) に示す如く先端面12がチップ３に対し平行な平坦面
である。そこで、キヤピラリ１に替えてキヤピラリ11を
ワイヤボンダに装着し、前記第１の実施例と同一工程で
バンプを形成すれば、図１(ホ) に示す押圧具６および押
圧具６による叩き工程が不要となり、第２の実施例と同
一工程でバンプ13を形成すれば、図３(ロ) および(ハ) に
示す如く、バンプ10と比較し上面が平らなバンプ13が得
られる。
【００１８】本発明方法の第４の実施例につき前出図を
用いて説明すると、キヤピラリ１または11を下降し球体
５をチップ３に接合し、その状態でキヤピラリ１または
11を横方向に動かすスクラブ動作を、前記第１，第２，
第３の実施例に追加させることであり、該スクラブ動作
によってワイヤ２は切断され易くなる。
用いて説明すると、キヤピラリ１または11を下降し球体
５をチップ３に接合し、その状態でキヤピラリ１または
11を横方向に動かすスクラブ動作を、前記第１，第２，
第３の実施例に追加させることであり、該スクラブ動作
によってワイヤ２は切断され易くなる。
【００１９】本発明方法の第５の実施例は、前記第２の
実施例で形成したバンプ10または13から延在する僅かな
ワイヤ引き千切残をなくすための方法であり、該ワイヤ
引き千切残を特に嫌うまたは比較的大きいとき、バンプ
10または13の上面を図１に示す押圧具６で叩くようにす
る。
実施例で形成したバンプ10または13から延在する僅かな
ワイヤ引き千切残をなくすための方法であり、該ワイヤ
引き千切残を特に嫌うまたは比較的大きいとき、バンプ
10または13の上面を図１に示す押圧具６で叩くようにす
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明方法によれ
ば、バンプの形成に要する時間が短縮して生産性が向上
し、基板に接合したワイヤ球体からワイヤの残部をなく
すことが可能となり、ワイヤ残部をなくすことに隣接す
るバンプ間の短絡を皆無になし得た効果がある。
ば、バンプの形成に要する時間が短縮して生産性が向上
し、基板に接合したワイヤ球体からワイヤの残部をなく
すことが可能となり、ワイヤ残部をなくすことに隣接す
るバンプ間の短絡を皆無になし得た効果がある。
【図１】 本発明方法の第１の実施例の説明図である。
【図２】 本発明方法の第２の実施例の説明図である。
【図３】 本発明方法の第３の実施例の説明図である。
【図４】 ワイヤボンタを利用した従来のバンプ形成方
法の説明図である。
法の説明図である。
1,11はキャピラリ ２はワイヤ 2aは接合した球体より延在するワイヤ残部 ３は半導体チップ（基板） ５はワイヤ先端の球体 ６は押圧具 10,13 はバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川島 豊茂 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 元田 弘幸 長野県長野市小島田町80番地 新光電気工 業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ワイヤボンダを利用して基板(3) 上にバ
ンプ(10,13) を形成するのに際し、キャピラリ(1) を貫
通するワイヤ(2) の先端に球体(5) を形成せしめ、該キ
ャピラリ(1) を用いて該球体(5) を該基板(3) に接合
し、該キャピラリ(1) を引き上げて該球体(5) と該キャ
ピラリ(1) の先端との間で該ワイヤ(2)を切断したの
ち、該球体(5) より延在する該ワイヤ(2) の残部(2a)を
押圧具(6)の平坦面で押し潰すことを特徴とするバンプ
の形成方法。 - 【請求項２】 ワイヤボンダを利用して基板(3) 上にバ
ンプ(10,13) を形成するのに際し、キャピラリ(1,11)を
貫通するワイヤ(2) の先端に球体(5) を形成せしめ、該
キャピラリ(1,11)を用いて該球体(5) を該基板(3) に接
合し、該キャピラリ(1,11)を横方向に移動させその先端
で該球体(5) を押し付けたのち、該キャピラリ (1,11)
を引き上げて該ワイヤ(2) を切断させることを特徴とす
るバンプの形成方法。 - 【請求項３】 前記請求項２記載のキャピラリ(11)の先
端が前記基板(3) に対し平行な平坦面であることを特徴
とする前記請求項２記載のバンプの形成方法。 - 【請求項４】 前記請求項２で形成したバンプ(10,13)
を押圧具(6) の平坦面で叩くことを特徴とする前記請求
項２記載のバンプの形成方法。 - 【請求項５】 前記請求項１，２記載のワイヤ(2) 切断
に先立って、キャピラリ(1,11)にスクラブ動作を与える
ことを特徴とする請求項１または２または３記載のバン
プの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056428A JPH05275428A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056428A JPH05275428A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275428A true JPH05275428A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13026821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056428A Pending JPH05275428A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275428A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5559054A (en) * | 1994-12-23 | 1996-09-24 | Motorola, Inc. | Method for ball bumping a semiconductor device |
| US6260753B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-07-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex |
| US6581816B2 (en) * | 2000-04-11 | 2003-06-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Capillary for bonding copper wires between a semiconductor circuit chip and a corresponding terminal connector of a semiconductor device |
| US6815338B2 (en) | 1997-07-11 | 2004-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer wiring structure of semiconductor device, method of producing said multilayer wiring structure and semiconductor device to be used for reliability evaluation |
| KR100459970B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2004-12-04 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과, 회로기판 및 전자기기 |
| US6946380B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-09-20 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056428A patent/JPH05275428A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6946380B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-09-20 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
| US7176570B2 (en) | 2002-02-19 | 2007-02-13 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
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