JPH02122530A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
- Publication number
- JPH02122530A JPH02122530A JP63277056A JP27705688A JPH02122530A JP H02122530 A JPH02122530 A JP H02122530A JP 63277056 A JP63277056 A JP 63277056A JP 27705688 A JP27705688 A JP 27705688A JP H02122530 A JPH02122530 A JP H02122530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- metal ball
- bonding
- diameter
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/494—Connecting portions
- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
- H01L2224/49431—Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に半導体ペレットとり−ド間を金属細線に
て接続して内部配線する際に好適なワイヤボンディング
方法に関するものである。
て接続して内部配線する際に好適なワイヤボンディング
方法に関するものである。
例えばIC等の半導体装置においてリードフレームのベ
レットマウント部にマウントした半導体ペレットとリー
ドとを電気的に接続するに際してはAu線或いはAIl
線等の金属細線(以下ワイヤと称す)を半導体ペレット
表面の電極パッドとリードフレームのリードの遊端部と
に順次押付け、この押付けと同時にボンディング面に平
行に超音波振動を加えて接合させるワイヤボンディング
装置が通常使用されている。
レットマウント部にマウントした半導体ペレットとリー
ドとを電気的に接続するに際してはAu線或いはAIl
線等の金属細線(以下ワイヤと称す)を半導体ペレット
表面の電極パッドとリードフレームのリードの遊端部と
に順次押付け、この押付けと同時にボンディング面に平
行に超音波振動を加えて接合させるワイヤボンディング
装置が通常使用されている。
上記ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング
工程を第5図乃至第10図に基づいて説明する。先ず、
第5図に示すように、超音波ホーン(図示せず)の遊端
部に取付けられたキャピラリ (5)から少し引き出さ
れたワイヤ(4)の先端を水素ガストーチや放電加工等
の加熱手段によって加熱溶融して金属球(4a)を形成
する。次に、第6図に示すように、キャピラリ(5)を
第1の被接合部であってペレットマウント部(1)にマ
ウントされた半導体ペレット(2)の電極パッド上に移
動させた後、第7図に示すように、ワイヤ(4)をキャ
ピラリ(5)に引き込みながらキャピラリ (5)を下
降させ、金属球(4a)をキャピラリ (5)の先端に
よって半導体ペレット(2)の電極パッドに押付け、キ
ャピラリ (5)から超音波振動を加えて金属球(4a
)を半導体ペレット(2)の電極パッドに接合する0次
いで、第8図に示すようにワイヤ(4)をキャピラリ(
5)から引出しながら上昇させ、更にキャピラリ (5
)を平行移動させて第2の被接合部であるリード(3)
の遊端部上に位置させ、この位置で第9図に示すように
キャピラリ (5)を下降させてその先端でワイヤ(4
)をリード(3)の遊端部に押付け、キャピラリ (5
)から超音波振動を加えてワイヤ(4)をリード(3)
に接合する。この後、第10図に示すように、ワイヤ(
4)をキャピラリ (5)から引出しながらキャピラリ
(5)を少しだけ上昇させた後、ワイヤ(4)をキャ
ピラリ (5)に固定させ、更にキャピラリ (5)を
上昇させて超音波ボンディングにより弱くなった部分を
引き切る。
工程を第5図乃至第10図に基づいて説明する。先ず、
第5図に示すように、超音波ホーン(図示せず)の遊端
部に取付けられたキャピラリ (5)から少し引き出さ
れたワイヤ(4)の先端を水素ガストーチや放電加工等
の加熱手段によって加熱溶融して金属球(4a)を形成
する。次に、第6図に示すように、キャピラリ(5)を
第1の被接合部であってペレットマウント部(1)にマ
ウントされた半導体ペレット(2)の電極パッド上に移
動させた後、第7図に示すように、ワイヤ(4)をキャ
ピラリ(5)に引き込みながらキャピラリ (5)を下
降させ、金属球(4a)をキャピラリ (5)の先端に
よって半導体ペレット(2)の電極パッドに押付け、キ
ャピラリ (5)から超音波振動を加えて金属球(4a
)を半導体ペレット(2)の電極パッドに接合する0次
いで、第8図に示すようにワイヤ(4)をキャピラリ(
5)から引出しながら上昇させ、更にキャピラリ (5
)を平行移動させて第2の被接合部であるリード(3)
の遊端部上に位置させ、この位置で第9図に示すように
キャピラリ (5)を下降させてその先端でワイヤ(4
)をリード(3)の遊端部に押付け、キャピラリ (5
)から超音波振動を加えてワイヤ(4)をリード(3)
に接合する。この後、第10図に示すように、ワイヤ(
4)をキャピラリ (5)から引出しながらキャピラリ
(5)を少しだけ上昇させた後、ワイヤ(4)をキャ
ピラリ (5)に固定させ、更にキャピラリ (5)を
上昇させて超音波ボンディングにより弱くなった部分を
引き切る。
以上の動作によって半導体ペレット(2)とリード(3
)とのワイヤ(4)による接続が終了する0次にワイヤ
(4)がその先端から少し引き出されているキャピラリ
(5)は第5図に示すように加熱手段の位置に移動し
、ここでワイヤ(4)の先端に金属球(4a)を形成し
て次のワイヤボンディングに備える。
)とのワイヤ(4)による接続が終了する0次にワイヤ
(4)がその先端から少し引き出されているキャピラリ
(5)は第5図に示すように加熱手段の位置に移動し
、ここでワイヤ(4)の先端に金属球(4a)を形成し
て次のワイヤボンディングに備える。
ここで、第1)図に示すように、半導体ペレット(2)
の表面の電極パッド(6)(6)・・・は、通常、周辺
部に金属球(4a)の断面積に略等しい大きさのものが
所定数だけ配設されており、例えば線径が32μmのワ
イヤ(4)に対し100μm の電極パッド(6)が必
要数だけある。
の表面の電極パッド(6)(6)・・・は、通常、周辺
部に金属球(4a)の断面積に略等しい大きさのものが
所定数だけ配設されており、例えば線径が32μmのワ
イヤ(4)に対し100μm の電極パッド(6)が必
要数だけある。
ところで、上述したワイヤボンディング工程において例
えば高集積度化に伴い電極パッド(6)の数がふえたり
、或いは微細化に伴いペレット表面梼が小さくなった場
合、パッド面積を小さくする必要がある。この時、ワイ
ヤ(4)が元のままであれば、ボンディング後に金属球
(4a)が電極パッド(6)から食み出し、隣の電極パ
ッド(6)やワイヤ(4)と短絡することがあるため、
ワイヤ(4)も同時に細くする必要がある。ところが、
ワイヤ径は電流容量等を考慮して設定されているため、
金属球(4a)を小さくしようとしてワイヤ(4)を細
(すると、電流容量も変わり、細くできない。そのため
、従来、第12図に示すように、半導体ペレット(7)
の表面周辺部に元の面積のままの電極バンド(6)(6
)・・・を2列で千鳥足状に配設し、パッド数の増加や
パレット微細化に対応している。ところが、この時、電
極パッド(6)(6)・・・にワイヤ(4)(4)・・
・をボンディングした際、ワイヤ同士の間隔(1)(1
)・・・が狭くなってワイヤ間で短絡が生じるという不
具合があった。
えば高集積度化に伴い電極パッド(6)の数がふえたり
、或いは微細化に伴いペレット表面梼が小さくなった場
合、パッド面積を小さくする必要がある。この時、ワイ
ヤ(4)が元のままであれば、ボンディング後に金属球
(4a)が電極パッド(6)から食み出し、隣の電極パ
ッド(6)やワイヤ(4)と短絡することがあるため、
ワイヤ(4)も同時に細くする必要がある。ところが、
ワイヤ径は電流容量等を考慮して設定されているため、
金属球(4a)を小さくしようとしてワイヤ(4)を細
(すると、電流容量も変わり、細くできない。そのため
、従来、第12図に示すように、半導体ペレット(7)
の表面周辺部に元の面積のままの電極バンド(6)(6
)・・・を2列で千鳥足状に配設し、パッド数の増加や
パレット微細化に対応している。ところが、この時、電
極パッド(6)(6)・・・にワイヤ(4)(4)・・
・をボンディングした際、ワイヤ同士の間隔(1)(1
)・・・が狭くなってワイヤ間で短絡が生じるという不
具合があった。
本発明は、ボンディングツールがら引き出された金属細
線の先端部に金属球を形成し、その金属球を被ボンディ
ング面に押圧してワイヤボンディングするにあたり、上
記金属細線の先端部のみ縮径して上記金属球を形成し、
ワイヤボンディングする。
線の先端部に金属球を形成し、その金属球を被ボンディ
ング面に押圧してワイヤボンディングするにあたり、上
記金属細線の先端部のみ縮径して上記金属球を形成し、
ワイヤボンディングする。
上記技術的手段によれば、ボンディング用ワイヤの先端
部のみ縮径してワイヤ径が太くても、先端部に小さな金
属球を形成する。
部のみ縮径してワイヤ径が太くても、先端部に小さな金
属球を形成する。
本発明の実施例を第1図乃至第4図を参照して以下説明
する。まず第1図において(5)は従来と同じボンディ
ング装置におけるボンディングツールとしてのキャピラ
リ、(8)はキャピラリ (5)のワイヤ挿・通孔(5
a)に挿通して下端部より引出されたボンディング用ワ
イヤ、(8a)はワイヤ(8)の先端部である。本発明
の特徴は、ボンディング前にワイヤ(8)のボンディン
グに係る先端部(8a)においてのみ径を下方に向かっ
て縮径して加熱熔融し、第2図に示すように、先端部(
8a)に小さな金属球(8b)を形成するようにしたこ
とである。これにより、半導体ペレット表面の電極パッ
ド数が増加したり、ペレットが微細化してパッド面積が
小さ(なっても、元の太さのワイヤ(8)を用いて元の
電流容量を保持しながら、金属球(8b)を小さくする
。そして、第1)図に示すように、ペレット表面の周辺
部にあって面積の小さくなった電極パッド(6)上に小
さな金属球(8b)をボンディングし、パッドからの食
み出しを防止する。
する。まず第1図において(5)は従来と同じボンディ
ング装置におけるボンディングツールとしてのキャピラ
リ、(8)はキャピラリ (5)のワイヤ挿・通孔(5
a)に挿通して下端部より引出されたボンディング用ワ
イヤ、(8a)はワイヤ(8)の先端部である。本発明
の特徴は、ボンディング前にワイヤ(8)のボンディン
グに係る先端部(8a)においてのみ径を下方に向かっ
て縮径して加熱熔融し、第2図に示すように、先端部(
8a)に小さな金属球(8b)を形成するようにしたこ
とである。これにより、半導体ペレット表面の電極パッ
ド数が増加したり、ペレットが微細化してパッド面積が
小さ(なっても、元の太さのワイヤ(8)を用いて元の
電流容量を保持しながら、金属球(8b)を小さくする
。そして、第1)図に示すように、ペレット表面の周辺
部にあって面積の小さくなった電極パッド(6)上に小
さな金属球(8b)をボンディングし、パッドからの食
み出しを防止する。
ここで、上記先端部(8a)を縮径するに際しては、例
えば第3図及び第4図に示すように、一対のブレス治具
(9) (10)の各内側面に、その衝合時に内径が
下方に向かって小さくなっていく貫通孔となる溝部(9
a) (10a )を形成し、ボンディング前に先端
部(8a)を治具(9)(10)の各内側面で挟持して
プレスすればよい。
えば第3図及び第4図に示すように、一対のブレス治具
(9) (10)の各内側面に、その衝合時に内径が
下方に向かって小さくなっていく貫通孔となる溝部(9
a) (10a )を形成し、ボンディング前に先端
部(8a)を治具(9)(10)の各内側面で挟持して
プレスすればよい。
本発明によれば、ワイヤの先端部のみ縮径して金属球を
形成し、被ボンディング面に金属球を押圧してワイヤボ
ンディングするようにしたから、ワイヤ径が太くても小
さな金属球を形成することができ、被ボンディング面が
小さくなっても金属球の食み出しを防止することができ
て、特に半導体ペレットの電極パッド数の増加や、ペレ
ットの微細化に対応できる。
形成し、被ボンディング面に金属球を押圧してワイヤボ
ンディングするようにしたから、ワイヤ径が太くても小
さな金属球を形成することができ、被ボンディング面が
小さくなっても金属球の食み出しを防止することができ
て、特に半導体ペレットの電極パッド数の増加や、ペレ
ットの微細化に対応できる。
第1図と第2図は本発明に係るワイヤボンディング方法
の一通用例を示すボンディング用ワヤ先端部縮径用プレ
ス治具の側断面図と平断面図、第5図乃至第10図は従
来のワイヤボンディング方法を示す各工程の側面図、第
1)図と第12図は従来の半導体ペレット表面の電極バ
ッドの各配設状態を示す各平面図である。 (5)−ボンディングツール、 (8) −全屈細線、 (8a) −先端部、(8
b) −金属球。
の一通用例を示すボンディング用ワヤ先端部縮径用プレ
ス治具の側断面図と平断面図、第5図乃至第10図は従
来のワイヤボンディング方法を示す各工程の側面図、第
1)図と第12図は従来の半導体ペレット表面の電極バ
ッドの各配設状態を示す各平面図である。 (5)−ボンディングツール、 (8) −全屈細線、 (8a) −先端部、(8
b) −金属球。
Claims (1)
- (1)ボンディングツールから引き出された金属細線の
先端部に金属球を形成し、その金属球を被ボンディング
面に押圧してワイヤボンディングするにあたり、 上記金属細線の先端部を縮径して上記金属球を形成し、
ワイヤボンディングすることを特徴とするワイヤボンデ
ィング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277056A JPH02122530A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277056A JPH02122530A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122530A true JPH02122530A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17578171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63277056A Pending JPH02122530A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02122530A (ja) |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63277056A patent/JPH02122530A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5574311A (en) | Device having pins formed of hardened mixture of conductive metal particle and resin | |
JP3935370B2 (ja) | バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
US5960262A (en) | Stitch bond enhancement for hard-to-bond materials | |
JP2953424B2 (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
US7314818B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
US20030162378A1 (en) | Bonding method and bonding apparatus | |
JP4860128B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
US6921016B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
KR950701770A (ko) | 몇몇 집적회로 구성요소를 서로 본드 와이어 접속시키는 방법 및 장치(a method of and arrangement for bond wire connecting together gertain integrated circuit components) | |
US4875618A (en) | Wire stacked bonding method | |
JPH02122530A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3322642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH05267385A (ja) | ワイヤーボンディング装置 | |
JP2004221264A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH0428241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2848344B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3455618B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
JPH08153756A (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング方法及びそのための装置 | |
JPH0225043A (ja) | リード細線の垂下防止構造を有する電子部品 | |
JPH0637132A (ja) | ボンディングワイヤおよびこれを用いた半導体装置ならびにボンディング方法 | |
JP2004311644A (ja) | ウェッジボンディング方法 |