JPH0637132A - ボンディングワイヤおよびこれを用いた半導体装置ならびにボンディング方法 - Google Patents

ボンディングワイヤおよびこれを用いた半導体装置ならびにボンディング方法

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JPH0637132A
JPH0637132A JP4187872A JP18787292A JPH0637132A JP H0637132 A JPH0637132 A JP H0637132A JP 4187872 A JP4187872 A JP 4187872A JP 18787292 A JP18787292 A JP 18787292A JP H0637132 A JPH0637132 A JP H0637132A
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bonding
bonding wire
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Keiji Sasaki
圭治 佐々木
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングワイヤに変形が生じても再打ち
込みなどの再生処理を行うことなく形状を修復すること
ができるようにする。 【構成】 ベース２上のメタライズドパターン３と半導
体ペレット４のパッドとを電気的に接続するボンディン
グワイヤ１に形状記憶合金を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はボンディング技術、特
に、高密度実装の半導体装置のワイヤボンディングに用
いて効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ペレットとベース側のパターンと
を電気的に接続する手段として、ワイヤボンディングが
用いられる。このワイヤボンディングは、超音波ボンデ
ィング装置のツール（キャピラリ）の内部（中空孔）を
通して先端から引き出されたボンディングワイヤを一方
の接続点に圧着し、ついでツールを上昇ならびに平行移
動させて他の接続点へ移動させ、他方のワイヤ端を他の
接続点に圧着することにより行われる。なお、ボンディ
ングワイヤには、通常、微細径の金線またはアルミ線が
用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、近年の高密度実装化に伴ってボンディング数が多く
なると共にワイヤ相互の間隔が極めて狭くなっており、
以後の工程（検査工程、組立工程など）で治具に触れて
曲がるなどし、ワイヤ間の接触事故を招き易いという問
題がある。このような事故は、特に、多段ボンディング
で生じ易い。
【０００４】そこで、本発明の目的は、ボンディングワ
イヤに変形が生じても再打ち直しを行うことなく原形へ
の再生処理を可能にする技術を提供することにある。
【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００７】すなわち、半導体チップのパッドとその周
辺の導体パターンなどとを電気的に接続するためのボン
ディングワイヤであって、その材料に形状記憶合金を用
いるようにしている。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、ボンディングワイヤに
外部から付与された力によって変形が生じた場合でも、
ボンディングワイヤが形状を記憶しているため、加熱を
施すことにより原状に復元し、ワイヤ接触などを生じる
ことがない。したがって、再打ち直し（再ボンディン
グ）などを行うことなく修正が行え、接触事故を防止す
ることが可能になる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明によるボンディングワイヤを用
いた半導体装置を示す断面図である。
【００１０】本発明においては、ボンディングワイヤに
形状記憶合金を用いている。この形状記憶合金によるボ
ンディングワイヤ１は、図１に示すように、半導体装置
のワイヤボンディングに用いられる。ここでは、ベース
２（例えば、基板）上に形成されたメタライズドパター
ン３と、ベース２上に搭載された半導体ペレット４との
間にボンディングされる。
【００１１】この場合、まず、ボンディング装置のキャ
ピラリを半導体ペレット４のボンディング対象のパッド
（不図示）上に移動させ、ついで、キャピラリを降下さ
せ、ボンディングワイヤ１の先端をパッドに圧接し超音
波振動によりボンディングワイヤ１をパッドに接続す
る。こののちキャピラリを所定の高さにまで上昇させ、
ついでメタライズドパターン３上へキャピラリを移動さ
せ、さらにキャピラリを降下させ、ボンディングワイヤ
１をメタライズドパターン３の表面に圧接し、この状態
で超音波振動によりボンディングワイヤ１をメタライズ
ドパターン３に接続する。こののち、ボンディングワイ
ヤ１の送り出しを停止したままキャピラリを上昇させる
と、圧着位置の近傍からツール側のボンディングワイヤ
が切断され、図１のように２点間にボンディングワイヤ
１が介在した状態になる。なお、上記の説明では半導体
ペレット４側からボンディングを開始するものとした
が、メタライズドパターン３側から開始してもよい。
【００１２】ここまでは、従来のボンディング方法と同
一であるが、本発明では、ボンディング終了後、次の工
程へ搬送する前に図１の状態の半導体装置を加熱雰囲気
に置いて形状記憶を行う。これにより、ボンディングワ
イヤ１は正常位置の形状を記憶する。この形状記憶によ
り、仮にボンディングワイヤ１が外部からの力によって
変形を受けても、再度加熱することにより、先に形状記
憶を行ったときの形状に戻される。従来においては、ボ
ンディングワイヤの変形が発見された場合、再生処理
（例えば、再ボンディング）を行っていたが、本発明で
は再生処理を行う必要がない。しかも、樹脂封止を行う
半導体装置にあっては、その過程で加熱が行われるた
め、ボンディングワイヤのための専用の加熱装置は、特
に設ける必要が無い。
【００１３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００１４】例えば、上記実施例では、ボンディングワ
イヤに形状記憶合金を用いるものとしたが、形状記憶合
金に限らず、金線やアルミ線に比べて変形に強い材料で
あれば、これらに代えて用いることができる。
【００１５】また、上記実施例では、半導体チップのパ
ッドと周辺の回路パターンとを接続するボンディングワ
イヤについて説明したが、パッドとパッドとを接続する
場合であっても同様に本発明を適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００１７】すなわち、半導体チップのパッドとその周
辺の導体パターンなどとを電気的に接続するためのボン
ディングワイヤであって、その材料に形状記憶合金を用
いるようにしたので、再打ち直しなどを行うことなくワ
イヤ形状の修正が行え、接触事故を防止することが可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるボンディングワイヤを用いた半導
体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ボンディングワイヤ ２ ベース ３ メタライズドパターン ４ 半導体ペレット

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップのパッドとその周辺の導体
    パターンなどとを電気的に接続するためのボンディング
    ワイヤであって、その材料に形状記憶合金を用いたこと
    を特徴とするボンディングワイヤ。
  2. 【請求項２】 半導体チップのパッドとその周辺の導体
    パターンなどとのワイヤボンディングを、形状記憶合金
    によるボンディングワイヤを用いて行うことを特徴とす
    る半導体装置。
  3. 【請求項３】 半導体チップのパッドとその周辺の導体
    パターンなどとを形状記憶合金によるボンディングワイ
    ヤでボンディングした後、これらに対し形状記憶のため
    の加熱処理を行うことを特徴とするボンディング方法。
JP4187872A 1992-07-15 1992-07-15 ボンディングワイヤおよびこれを用いた半導体装置ならびにボンディング方法 Pending JPH0637132A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012071003A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 Senseair Ab Method for the wafer-level integration of shape memory alloy wires

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012071003A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 Senseair Ab Method for the wafer-level integration of shape memory alloy wires
AU2011332334B2 (en) * 2010-11-22 2015-05-21 Senseair Ab Method for the wafer-level integration of shape memory alloy wires
US9054224B2 (en) 2010-11-22 2015-06-09 Senseair Ab Method for the wafer-level integration of shape memory alloy wires

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