JPH0512855B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0512855B2 JPH0512855B2 JP63095876A JP9587688A JPH0512855B2 JP H0512855 B2 JPH0512855 B2 JP H0512855B2 JP 63095876 A JP63095876 A JP 63095876A JP 9587688 A JP9587688 A JP 9587688A JP H0512855 B2 JPH0512855 B2 JP H0512855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- tool
- pads
- bonding tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 16
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48455—Details of wedge bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78315—Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78317—Shape of other portions
- H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は電気的に等しい複数個のボンデイング
パツドを具備する半導体ペレツトの組立工程に供
するワイヤボンデイング方法とボンデイングツー
ル及びそれによつて形成した半導体装置に関す
る。
パツドを具備する半導体ペレツトの組立工程に供
するワイヤボンデイング方法とボンデイングツー
ル及びそれによつて形成した半導体装置に関す
る。
(ロ) 従来の技術
トランジスタ、IC等の半導体装置の製造にお
いては、第4図に示すように半導体ペレツト1の
ボンデイングパツド2とリードフレーム3のリー
ド4とをワイヤ5で接続する為に超音波ワイヤボ
ンデイング方式が用いられている(特開昭56−
81948、H01L21/607)。
いては、第4図に示すように半導体ペレツト1の
ボンデイングパツド2とリードフレーム3のリー
ド4とをワイヤ5で接続する為に超音波ワイヤボ
ンデイング方式が用いられている(特開昭56−
81948、H01L21/607)。
従来の超音波ボンデイング方法は、先ず第4図
Aに示すように、先端に圧接部6が設けられたボ
ンデイングツール7を下降させることによりツー
ル7の案内孔8に挿入され圧接部6まで導かれた
ワイヤ5を半導体ペレツト1のボンデイングパツ
ド2に圧着(第1ボンド)し、次に第4図Bに示
すように、、ボンデイングツール7を外部接続用
リード4の上に移動し、ボンデイングツール7を
下降させることによりリード4表面にワイヤ5を
圧着し(第2ボンド)、それから第4図Cに示す
ように、ボンデイングツール7を第2ボンドエリ
アから遠ざけると共に圧着点近傍でワイヤ5を切
断することにより一対の相互に接続される2つの
ボンド点をワイヤ5で接続する。
Aに示すように、先端に圧接部6が設けられたボ
ンデイングツール7を下降させることによりツー
ル7の案内孔8に挿入され圧接部6まで導かれた
ワイヤ5を半導体ペレツト1のボンデイングパツ
ド2に圧着(第1ボンド)し、次に第4図Bに示
すように、、ボンデイングツール7を外部接続用
リード4の上に移動し、ボンデイングツール7を
下降させることによりリード4表面にワイヤ5を
圧着し(第2ボンド)、それから第4図Cに示す
ように、ボンデイングツール7を第2ボンドエリ
アから遠ざけると共に圧着点近傍でワイヤ5を切
断することにより一対の相互に接続される2つの
ボンド点をワイヤ5で接続する。
斯るボンデイング方法に用いられるボンデイン
グツール7は、一般的に圧接部6が1個所だけ設
けられたものであり、このツール7は使用するワ
イヤ5の径に応じて交換が可能な様にボンデイン
グ装置の取付部材に保持されている。
グツール7は、一般的に圧接部6が1個所だけ設
けられたものであり、このツール7は使用するワ
イヤ5の径に応じて交換が可能な様にボンデイン
グ装置の取付部材に保持されている。
ところで、半導体装置の電極構造として櫛歯状
電極が公知である。この櫛歯状電極は例えばデイ
スクリート・トランジスタのベース電極とエミツ
タ電極のパターンに応用され、単位トランジスタ
を多数個並列接続した構造を採ることができるの
で、電流集中の少ない、効率的に優れたトランジ
スタとすることができる。しかしながら、櫛歯状
電極はボンデイングパツドからトランジスタ動作
部までの距離が不均一になり易く、電極材料が持
つ抵抗成分によつてやはりトランジスタ動作が不
均一になる欠点があつた。
電極が公知である。この櫛歯状電極は例えばデイ
スクリート・トランジスタのベース電極とエミツ
タ電極のパターンに応用され、単位トランジスタ
を多数個並列接続した構造を採ることができるの
で、電流集中の少ない、効率的に優れたトランジ
スタとすることができる。しかしながら、櫛歯状
電極はボンデイングパツドからトランジスタ動作
部までの距離が不均一になり易く、電極材料が持
つ抵抗成分によつてやはりトランジスタ動作が不
均一になる欠点があつた。
上記欠点を解決する為、本願発明者は先ず第5
図に示すようにボンデイングパツド構造を考案し
た。即ち同図に示す如く、半導体ペレツト1のエ
ミツタ電極9とベース電極10を夫々櫛歯状に対
応して互い違いとなるように配設すると共に、エ
ミツタ電極9とベース電極10の両方に複数個の
ボンデイングパツド2a,2bと2c,2dを設
けたものである。この様にボンデイングパツド2
を複数個に分割すれば、ボンデイングパツド2か
らトランジスタ動作部までの距離を縮めることが
でき、トランジスタの不均一動作を緩和できる。
また、櫛歯状電極の根元部分を太くしてボンデイ
ングパツドとする構造よりは余分な配線容量を作
らずに済むので、高周波用トランジスタ等の特性
向上に有効である。
図に示すようにボンデイングパツド構造を考案し
た。即ち同図に示す如く、半導体ペレツト1のエ
ミツタ電極9とベース電極10を夫々櫛歯状に対
応して互い違いとなるように配設すると共に、エ
ミツタ電極9とベース電極10の両方に複数個の
ボンデイングパツド2a,2bと2c,2dを設
けたものである。この様にボンデイングパツド2
を複数個に分割すれば、ボンデイングパツド2か
らトランジスタ動作部までの距離を縮めることが
でき、トランジスタの不均一動作を緩和できる。
また、櫛歯状電極の根元部分を太くしてボンデイ
ングパツドとする構造よりは余分な配線容量を作
らずに済むので、高周波用トランジスタ等の特性
向上に有効である。
(ハ) 発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記分割したボンデイングパツ
ド2構造を採用した半導体ペレツト1は、第1ボ
ンド点が複数個所になる為、製造工程においてワ
イヤボンデイングが煩雑になる欠点があつた。つ
まり、従来のワイヤボンデイング方法では1回の
昇降で1個所の圧着しかできないので、第6図に
示すように第1エミツタパツド2a−第2エミツ
タパツド2b−リード端子4の順でワイヤボンド
を行うステツチボンド方式や、第7図に示すよう
にワイヤ5を4本使用する方式を採るしかなく、
その為ワイヤ5の使用量が多くなつたりワイヤボ
ンドに要する時間が長くなるという欠点があつ
た。
ド2構造を採用した半導体ペレツト1は、第1ボ
ンド点が複数個所になる為、製造工程においてワ
イヤボンデイングが煩雑になる欠点があつた。つ
まり、従来のワイヤボンデイング方法では1回の
昇降で1個所の圧着しかできないので、第6図に
示すように第1エミツタパツド2a−第2エミツ
タパツド2b−リード端子4の順でワイヤボンド
を行うステツチボンド方式や、第7図に示すよう
にワイヤ5を4本使用する方式を採るしかなく、
その為ワイヤ5の使用量が多くなつたりワイヤボ
ンドに要する時間が長くなるという欠点があつ
た。
(ニ) 課題を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑み成されたもので、
ボンデイングツール21の先端に圧接部22を複
数個設け、第1ボンド工程において、1本のワイ
ヤ30を半導体ペレツト26のボンデイングパツ
ド25,25に対応する複数個所でワイヤボンド
すると共に、第2ボンド工程においても、1本の
ワイヤ30を複数個所で圧着してワイヤボンドす
ることにより、ボンデイングパツド25を分割し
た半導体ペレツト26に対応可な超音波ワイヤボ
ンデイング方法とボンデイングツール及び半導体
装置を提供するものである。
ボンデイングツール21の先端に圧接部22を複
数個設け、第1ボンド工程において、1本のワイ
ヤ30を半導体ペレツト26のボンデイングパツ
ド25,25に対応する複数個所でワイヤボンド
すると共に、第2ボンド工程においても、1本の
ワイヤ30を複数個所で圧着してワイヤボンドす
ることにより、ボンデイングパツド25を分割し
た半導体ペレツト26に対応可な超音波ワイヤボ
ンデイング方法とボンデイングツール及び半導体
装置を提供するものである。
(ホ) 作用
本発明によれば、第1ボンド工程において複数
個のボンデイングパツド25の同時にワイヤボン
ドすることが可能なので、ボンデイングツール2
1の昇降回数を減らすことができる。また、対と
なるボンデイングパツド25の離間距離を一定と
することにより、共通のボンデイングツール21
で対応させることができるので、優れた特性を有
する半導体ペレツト26を本願のワイヤボンデイ
ング方法によつ組立てることができる。
個のボンデイングパツド25の同時にワイヤボン
ドすることが可能なので、ボンデイングツール2
1の昇降回数を減らすことができる。また、対と
なるボンデイングパツド25の離間距離を一定と
することにより、共通のボンデイングツール21
で対応させることができるので、優れた特性を有
する半導体ペレツト26を本願のワイヤボンデイ
ング方法によつ組立てることができる。
(ヘ) 実施例
以下、本発明の超音波ワイヤボンデイング方法
を図面を参照しながら詳細に説明する。
を図面を参照しながら詳細に説明する。
先に本願のワイヤボンデイング方法を供する為
のボンデイングツール21を第2図を用いて説明
する。第2図はボンデイングツール21の先端を
拡大したものを示し、第2図Aは正面図、第2図
Bは側面図である。同図において21はボンデイ
ングツールであり、その先端には突起状の圧接部
22が離間して2個所に設けられている。またこ
のボンデイングツール21の先端には超音波振動
の振動方向に沿つてワイヤが挿入される傾斜した
案内孔23が、圧接部22の先端にはワイヤの径
に対応するガイド溝24が夫々設けられており、
ワイヤはこれらを通じて図示せぬワイヤツールか
らボンデイングツール21先端へ導かれると共
に、離間した圧接部22により1本のワイヤを離
間した2個所で同時に圧着できるように構成され
ている。尚、圧接部22は半導体ペレツトに設け
たボンデイングパツドの離間距離だけ間隔をあけ
る。
のボンデイングツール21を第2図を用いて説明
する。第2図はボンデイングツール21の先端を
拡大したものを示し、第2図Aは正面図、第2図
Bは側面図である。同図において21はボンデイ
ングツールであり、その先端には突起状の圧接部
22が離間して2個所に設けられている。またこ
のボンデイングツール21の先端には超音波振動
の振動方向に沿つてワイヤが挿入される傾斜した
案内孔23が、圧接部22の先端にはワイヤの径
に対応するガイド溝24が夫々設けられており、
ワイヤはこれらを通じて図示せぬワイヤツールか
らボンデイングツール21先端へ導かれると共
に、離間した圧接部22により1本のワイヤを離
間した2個所で同時に圧着できるように構成され
ている。尚、圧接部22は半導体ペレツトに設け
たボンデイングパツドの離間距離だけ間隔をあけ
る。
上記ボンデイングツール21を使用し、本願の
ワイヤボンデイング方法は以下の如くになる。
ワイヤボンデイング方法は以下の如くになる。
まず第1図Aに示す如く、表面に半導体素子と
ボンデイングパツド25の形成が終了した半導体
ペレツト26をリードフレーム27のタブ部28
に固着し、そのリードフレーム27をワイヤボン
ド装置の作業台上に載置してボンデイングパツド
25の位置認識を行い、このデータに基きX方向
及びY方向に進退自在な取付部材に着脱自在に取
り付けられボンデイングツール21を半導体ペレ
ツト26上空に移動し、さらにボンデイングツー
ル21の圧接部22にアルミニウム材料等から成
るワイヤ30が導かれ且つ図示せぬクランパによ
つてワイヤ30をクランブした状態でボンデイン
グツール21を下降させ、2個所の圧接部22に
よつてこれを対応する1本のワイヤ30の2個所
を夫々対応するボンデイングパツド25に同時に
圧接し、且つボンデイングツール21全体に図示
せぬ振動装置によつて超音波振動を与えることに
より分割されたボンデイングパツド25に同時に
第1ボンドを行う。
ボンデイングパツド25の形成が終了した半導体
ペレツト26をリードフレーム27のタブ部28
に固着し、そのリードフレーム27をワイヤボン
ド装置の作業台上に載置してボンデイングパツド
25の位置認識を行い、このデータに基きX方向
及びY方向に進退自在な取付部材に着脱自在に取
り付けられボンデイングツール21を半導体ペレ
ツト26上空に移動し、さらにボンデイングツー
ル21の圧接部22にアルミニウム材料等から成
るワイヤ30が導かれ且つ図示せぬクランパによ
つてワイヤ30をクランブした状態でボンデイン
グツール21を下降させ、2個所の圧接部22に
よつてこれを対応する1本のワイヤ30の2個所
を夫々対応するボンデイングパツド25に同時に
圧接し、且つボンデイングツール21全体に図示
せぬ振動装置によつて超音波振動を与えることに
より分割されたボンデイングパツド25に同時に
第1ボンドを行う。
次に第1図Bに示す如く、前記クランパを開放
してワイヤ30を自由にすると共に、ボンデイン
グツール21をボンデイングツール21の案内孔
23の傾斜角に沿うように斜め上方に移動させ、
ワイヤ30が弧を描くような軌道でボンデイング
ツール21を第2ボンドエリアとなるリードフレ
ーム27のリード端子32上空まで移動させる。
してワイヤ30を自由にすると共に、ボンデイン
グツール21をボンデイングツール21の案内孔
23の傾斜角に沿うように斜め上方に移動させ、
ワイヤ30が弧を描くような軌道でボンデイング
ツール21を第2ボンドエリアとなるリードフレ
ーム27のリード端子32上空まで移動させる。
続いて第1図Cに示すように、再度ボンデイン
グツール21を下降させてボンデイングツール2
1の圧接部22によりワイヤ30の2個所をリー
ド端子32表面に圧接し、ボンデイングツール2
1全体に超音波揺動を与えることによつてワイヤ
30の第2ボンドを行う。
グツール21を下降させてボンデイングツール2
1の圧接部22によりワイヤ30の2個所をリー
ド端子32表面に圧接し、ボンデイングツール2
1全体に超音波揺動を与えることによつてワイヤ
30の第2ボンドを行う。
然る後第1図Dに示すように、前記クランパが
ワイヤ30を挾持してこれを引張ることによりワ
イヤ30をボンデイングツール21の先端近傍で
切断し、ボンデイングツール21を作業台上から
遠ざけることにより一対の相互に接続される2つ
のボンド点がワイヤ30で接続される。
ワイヤ30を挾持してこれを引張ることによりワ
イヤ30をボンデイングツール21の先端近傍で
切断し、ボンデイングツール21を作業台上から
遠ざけることにより一対の相互に接続される2つ
のボンド点がワイヤ30で接続される。
以上説明した本願のワイヤボンデイング方法に
よれば、複数個の圧接部22によりワイヤ30の
複数個所で同時に圧着を行うので、分割されたボ
ンデイングパツド25でも1回の昇降によりワイ
ヤボンドを行うことができる。
よれば、複数個の圧接部22によりワイヤ30の
複数個所で同時に圧着を行うので、分割されたボ
ンデイングパツド25でも1回の昇降によりワイ
ヤボンドを行うことができる。
斯る本願のワイヤボンデイング方法を利用し、
製造した半導体装置を第3図に示す、同図におい
て、リードフレーム27のタブ部28に固定され
た半導体ペレツト26の表面には、そのウエハー
製造工程において櫛歯状のエミツタ電極33と櫛
歯状のベース電極34が作り込まれ、且つエミツ
タ電極33とベース電極34の夫々には分割され
たエミツタ用ボンデイングパツド25a,25b
とベース用ボンデイングパツド25c,25dが
櫛歯状パターンの根元部分に設けられている。そ
して、第1と第2のエミツタパツド25a,25
bの間隔と、第1と第2のベースパツド25c,
25dの間隔を等しい距離に設定することによ
り、第1図のワイヤボンデイング方法に適用でき
るようなボンデイングパツド25構造としてお
く。そして、第1図のワイヤボンデイング方法に
よつて分割されたボンデイングパツド25とこれ
に対応する外部接続用リード端子32とをワイヤ
30で接続し、半導体ペレツト26を含むリード
フレーム27の主要部を熱硬化性樹脂35によつ
てモールドすることにより図示した半導体装置を
製造する。結果、リード端子32の第2ボンドエ
リアにもワイヤ30が2個所で圧着された構造と
なる。
製造した半導体装置を第3図に示す、同図におい
て、リードフレーム27のタブ部28に固定され
た半導体ペレツト26の表面には、そのウエハー
製造工程において櫛歯状のエミツタ電極33と櫛
歯状のベース電極34が作り込まれ、且つエミツ
タ電極33とベース電極34の夫々には分割され
たエミツタ用ボンデイングパツド25a,25b
とベース用ボンデイングパツド25c,25dが
櫛歯状パターンの根元部分に設けられている。そ
して、第1と第2のエミツタパツド25a,25
bの間隔と、第1と第2のベースパツド25c,
25dの間隔を等しい距離に設定することによ
り、第1図のワイヤボンデイング方法に適用でき
るようなボンデイングパツド25構造としてお
く。そして、第1図のワイヤボンデイング方法に
よつて分割されたボンデイングパツド25とこれ
に対応する外部接続用リード端子32とをワイヤ
30で接続し、半導体ペレツト26を含むリード
フレーム27の主要部を熱硬化性樹脂35によつ
てモールドすることにより図示した半導体装置を
製造する。結果、リード端子32の第2ボンドエ
リアにもワイヤ30が2個所で圧着された構造と
なる。
このような本願の半導体装置によれば、櫛歯状
の電極パターンを採ると共に、ボンデイングパツ
ド25を複数個に分割するので、ボンデイングパ
ツド25からトランジスタ動作部までの距離を均
一化でき、それによつてトランジスタ動作を均一
化した、電流効率に優れた半導体装置にすること
ができる。また、パツド部分による無駄な配線容
量を増大せずに済むので、高周波用トランジスタ
に適合した場合、高周波特性に優れた素子とする
ことができる。そして、この様な素子を工程を煩
雑にすること無く組立てることができるものであ
る。
の電極パターンを採ると共に、ボンデイングパツ
ド25を複数個に分割するので、ボンデイングパ
ツド25からトランジスタ動作部までの距離を均
一化でき、それによつてトランジスタ動作を均一
化した、電流効率に優れた半導体装置にすること
ができる。また、パツド部分による無駄な配線容
量を増大せずに済むので、高周波用トランジスタ
に適合した場合、高周波特性に優れた素子とする
ことができる。そして、この様な素子を工程を煩
雑にすること無く組立てることができるものであ
る。
(ト) 発明の効果
以上説明した如く、本発明によれば、トランジ
スタ動作を均一化し、高周波特性に優れた半導体
装置を、ワイヤボンデイング工程においてその工
程を煩雑にすること無く、従つて容易に且つ安価
に製造することができる利点を有する。
スタ動作を均一化し、高周波特性に優れた半導体
装置を、ワイヤボンデイング工程においてその工
程を煩雑にすること無く、従つて容易に且つ安価
に製造することができる利点を有する。
第1図A乃至第1図Dは本発明のワイヤボンデ
イング方法を工程順に説明する為の正面図、第2
図A及び第2図Bは夫々本発明のボンデイングツ
ールを示す正面図及び側面図、第3図は半導体装
置を示す正面図、第4図A乃至第4図Cは従来の
ワイヤボンデイング方法を工程順に説明する為の
正面図、第5図は半導体ペレツトを示す平面図、
第6図及び第7図は従来の技術を説明する為の平
面図である。 21はボンデイングツール、22は圧接部、2
5はボンデイングパツド、26は半導体ペレツ
ト、30はワイヤ、27はリードフレーム、32
は外部接続用リード端子である。
イング方法を工程順に説明する為の正面図、第2
図A及び第2図Bは夫々本発明のボンデイングツ
ールを示す正面図及び側面図、第3図は半導体装
置を示す正面図、第4図A乃至第4図Cは従来の
ワイヤボンデイング方法を工程順に説明する為の
正面図、第5図は半導体ペレツトを示す平面図、
第6図及び第7図は従来の技術を説明する為の平
面図である。 21はボンデイングツール、22は圧接部、2
5はボンデイングパツド、26は半導体ペレツ
ト、30はワイヤ、27はリードフレーム、32
は外部接続用リード端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電気的に等電位で且つ位置的に離間した少な
くとも2個所のボンデイングパツドと、このボン
デイングパツドに対応する外部導出用リードとを
ワイヤで接続するワイヤボンデイング方法におい
て、ボンデイングツールの先端に前記ボンデイン
グパツドの個数に対応する数の圧接部を有するボ
ンデイングツールを準備し、第1ボンド工程にお
いて、前記ボンデイングツールを下降することに
より1本のワイヤを前記ボンデイングパツドに対
して同時にワイヤボンドすると共に、第2ボンド
工程においても、前記リードに対して前記圧接部
の数に対応する個所で圧着してワイヤボンドする
ことを特徴とするワイヤボンデイング方法。 2 1本のワイヤに対して圧接部を複数個所設け
たことを特徴とするボンデイング用ボンデイング
ツール。 3 半導体ペレツト表面に電気的に等電位で且つ
位置的に一定間隔で離間した少なくとも2個所の
ボンデイングパツドとから成るパツド群を複数個
設け、この半導体ペレツトをリードフレームのタ
ブ部に固着し、1本のワイヤに対して前記ボンデ
イングパツドの数に対応する圧接部を有するボン
デイングツールにより前記1本のワイヤを前記複
数個所のボンデイングパツドに同時に第1ボンド
し、且つ外部導出用リードのボンデイングエリア
にも前記圧接部に対応する複数個所で圧着して第
2ボンドとし、前記半導体ペレツトを含む前記リ
ードフレームの主要部をモールドしたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095876A JPH01268038A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ワイヤボンディング方法とボンディングツール及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095876A JPH01268038A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ワイヤボンディング方法とボンディングツール及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01268038A JPH01268038A (ja) | 1989-10-25 |
JPH0512855B2 true JPH0512855B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=14149542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63095876A Granted JPH01268038A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ワイヤボンディング方法とボンディングツール及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01268038A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5231792B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-07-10 | ローム株式会社 | 電子装置の製造方法 |
DE102008001671A1 (de) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Bondverbindungsanordnung |
US20130119117A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-16 | Invensas Corporation | Bonding wedge |
JP6211867B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN112775628A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-11 | 有研科技集团有限公司 | 一种丝材键合用楔形劈刀及其加工方法 |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP63095876A patent/JPH01268038A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01268038A (ja) | 1989-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2953424B2 (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
JPH08255862A (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
KR100721279B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치 | |
JPH0512855B2 (ja) | ||
US5408127A (en) | Method of and arrangement for preventing bonding wire shorts with certain integrated circuit components | |
JP3128718B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP7293155B2 (ja) | 半導体装置、及びワイヤボンディング方法 | |
JPH0754841B2 (ja) | 絶縁物封止型回路装置 | |
JP2823000B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2636776B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
KR970007598B1 (ko) | 와이어 본딩방법 | |
JPH10112479A (ja) | 基板の接続方法 | |
KR100721274B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법 | |
JP2814608B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH05102223A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0982742A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3293757B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JPH02211643A (ja) | 半導体装置 | |
JPH1092858A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3388056B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH07321142A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6178128A (ja) | 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル | |
JPH05343461A (ja) | ワイヤボンディング方法及びその装置 | |
JP3455618B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
JPH02122530A (ja) | ワイヤボンディング方法 |