JPH10112479A - 基板の接続方法 - Google Patents
基板の接続方法Info
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- JPH10112479A JPH10112479A JP8266305A JP26630596A JPH10112479A JP H10112479 A JPH10112479 A JP H10112479A JP 8266305 A JP8266305 A JP 8266305A JP 26630596 A JP26630596 A JP 26630596A JP H10112479 A JPH10112479 A JP H10112479A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
- H01L2224/1183—Reworking, e.g. shaping
- H01L2224/1184—Reworking, e.g. shaping involving a mechanical process, e.g. planarising the bump connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性接着剤の保持性及び隣接電極とのショ
ートの防止効果を従来より高めると共に、バンプと導電
性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低減を図る
ことができる基板の接続方法を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ１０の端子電極部１１上にバ
ンプ１２Ｅを形成して、バンプ１２Ｅの頭部に対して
（Ａ）に示すように凹凸形成ツール３２を矢印３４方向
に移動させ押圧して（Ｂ）に示すような凹凸部３０をバ
ンプ１２Ｅの頭部に形成し、（Ｃ）に示すように凹凸部
３０を被うようにバンプ１２Ｅの頭部に導電性接着剤１
８を塗布した後、（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｅの頭
部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して回路基
板１４の端子電極部１６上にバンプ１２Ｅを位置決めし
た後、導電性接着剤１８によってバンプ１２Ｅと端子電
極部１６とを接着させる。
ートの防止効果を従来より高めると共に、バンプと導電
性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低減を図る
ことができる基板の接続方法を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ１０の端子電極部１１上にバ
ンプ１２Ｅを形成して、バンプ１２Ｅの頭部に対して
（Ａ）に示すように凹凸形成ツール３２を矢印３４方向
に移動させ押圧して（Ｂ）に示すような凹凸部３０をバ
ンプ１２Ｅの頭部に形成し、（Ｃ）に示すように凹凸部
３０を被うようにバンプ１２Ｅの頭部に導電性接着剤１
８を塗布した後、（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｅの頭
部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して回路基
板１４の端子電極部１６上にバンプ１２Ｅを位置決めし
た後、導電性接着剤１８によってバンプ１２Ｅと端子電
極部１６とを接着させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の接続方法に関
するものであり、特に、導電性接着剤を用いて端子電極
部を有する半導体チップや回路基板等の基板を接続する
基板の接続方法に関するものである。
するものであり、特に、導電性接着剤を用いて端子電極
部を有する半導体チップや回路基板等の基板を接続する
基板の接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップの端子電極部上に形成
したバンプの上部に導電性接着剤を塗布、保持して相対
する基板の端子電極部と接続する技術としては、実開平
１−６７７４７号公報、特開平２−３４９４９号公報、
特開平２−１６３９５０号公報及び特開平５−２１５２
３号公報に記載の技術がある。
したバンプの上部に導電性接着剤を塗布、保持して相対
する基板の端子電極部と接続する技術としては、実開平
１−６７７４７号公報、特開平２−３４９４９号公報、
特開平２−１６３９５０号公報及び特開平５−２１５２
３号公報に記載の技術がある。
【０００３】実開平１−６７７４７号公報に記載の技術
では、図５（Ａ）に示すように、ＩＣチップ１０の端子
電極部１１上のバンプ１２Ａの頭部に１つの凹部２０を
形成し、バンプ１２Ａと回路基板１４上の端子電極部１
６とを導電性接着剤１８により接続している。
では、図５（Ａ）に示すように、ＩＣチップ１０の端子
電極部１１上のバンプ１２Ａの頭部に１つの凹部２０を
形成し、バンプ１２Ａと回路基板１４上の端子電極部１
６とを導電性接着剤１８により接続している。
【０００４】特開平２−３４９４９号公報に記載の技術
では、図５（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０の端子
電極部１１上のバンプ１２Ｂの頭部に１つのＵ字状突起
部２２を形成し、バンプ１２Ｂと回路基板１４上の端子
電極部１６とを導電性接着剤１８により接続している。
では、図５（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０の端子
電極部１１上のバンプ１２Ｂの頭部に１つのＵ字状突起
部２２を形成し、バンプ１２Ｂと回路基板１４上の端子
電極部１６とを導電性接着剤１８により接続している。
【０００５】特開平２−１６３９５０号公報に記載の技
術では、図５（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ１０の端
子電極部１１上のバンプ１２Ｃの頭部に１つの凸部２４
を形成し、バンプ１２Ｃと回路基板１４上の端子電極部
１６とを導電性接着剤１８により接続している。
術では、図５（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ１０の端
子電極部１１上のバンプ１２Ｃの頭部に１つの凸部２４
を形成し、バンプ１２Ｃと回路基板１４上の端子電極部
１６とを導電性接着剤１８により接続している。
【０００６】特開平５−２１５２３号公報に記載の技術
では、図５（Ｄ）に示すように、回路基板１４上の端子
電極部１６Ｂに端子電極凹部２６を形成し、ＩＣチップ
１０の端子電極部１１上のバンプ１２Ｄ頂部におけるバ
ンプ１２Ｄ形成時に発生する突起部分を端子電極凹部２
６に収まるようにバンプ１２Ｄと端子電極部１６Ｂとを
導電性接着剤１８により接続している。
では、図５（Ｄ）に示すように、回路基板１４上の端子
電極部１６Ｂに端子電極凹部２６を形成し、ＩＣチップ
１０の端子電極部１１上のバンプ１２Ｄ頂部におけるバ
ンプ１２Ｄ形成時に発生する突起部分を端子電極凹部２
６に収まるようにバンプ１２Ｄと端子電極部１６Ｂとを
導電性接着剤１８により接続している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実開平
１−６７７４７号公報、特開平２−３４９４９号公報及
び特開平２−１６３９５０号公報に記載の技術はバンプ
の頭部を凹状、Ｕ字状、凸状といった比較的単純な形状
とすることによって導電性接着剤の保持性を向上すると
共に隣接電極とのショートを防止することを主な目的と
しており、バンプと導電性接着剤との接触面積は小さい
ため、密着強度の向上、接続抵抗の低減ということに関
しては効果が小さいという問題点を有する。
１−６７７４７号公報、特開平２−３４９４９号公報及
び特開平２−１６３９５０号公報に記載の技術はバンプ
の頭部を凹状、Ｕ字状、凸状といった比較的単純な形状
とすることによって導電性接着剤の保持性を向上すると
共に隣接電極とのショートを防止することを主な目的と
しており、バンプと導電性接着剤との接触面積は小さい
ため、密着強度の向上、接続抵抗の低減ということに関
しては効果が小さいという問題点を有する。
【０００８】一方、特開平５−２１５２３号公報に記載
の技術は、バンプ頭部の突起部分を収容する凹部を端子
電極部に設けたものであり、やはり、バンプと導電性接
着剤との接触面積は小さいため、密着強度の向上、接続
抵抗の低減ということに関しては効果が小さいという問
題点を有する。
の技術は、バンプ頭部の突起部分を収容する凹部を端子
電極部に設けたものであり、やはり、バンプと導電性接
着剤との接触面積は小さいため、密着強度の向上、接続
抵抗の低減ということに関しては効果が小さいという問
題点を有する。
【０００９】本発明は上記問題点を解消するために成さ
れたもので、導電性接着剤の保持性及び隣接電極とのシ
ョートの防止効果を従来技術以上に高めると共に、バン
プと導電性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低
減を図ることができる基板の接続方法を提供することを
目的としている。
れたもので、導電性接着剤の保持性及び隣接電極とのシ
ョートの防止効果を従来技術以上に高めると共に、バン
プと導電性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低
減を図ることができる基板の接続方法を提供することを
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の基板の接続方法は、第一基板の端子電
極部上にバンプを形成する工程と、前記バンプの頭部に
複数の凹凸を形成する工程と、前記複数の凹凸を被うよ
うに前記バンプの頭部に導電性接着剤を塗布する工程
と、前記バンプと第二基板の端子電極部とを位置合わせ
して接続する工程と、を含んでいる。
に請求項１記載の基板の接続方法は、第一基板の端子電
極部上にバンプを形成する工程と、前記バンプの頭部に
複数の凹凸を形成する工程と、前記複数の凹凸を被うよ
うに前記バンプの頭部に導電性接着剤を塗布する工程
と、前記バンプと第二基板の端子電極部とを位置合わせ
して接続する工程と、を含んでいる。
【００１１】請求項１記載の基板の接続方法によれば、
第一基板の端子電極部上に形成されたバンプの頭部に複
数の凹凸が形成され、この複数の凹凸を有するバンプと
第二基板の端子電極部とが導電性接着剤によって接続さ
れる。この結果、バンプの頭部に形成された複数の凹凸
によってバンプと導電性接着剤との接触面積を増大させ
ることができ、導電性接着剤の保持性及び隣接電極との
ショートの防止効果が高まると共に、バンプと導電性接
着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低減を図ること
ができる。
第一基板の端子電極部上に形成されたバンプの頭部に複
数の凹凸が形成され、この複数の凹凸を有するバンプと
第二基板の端子電極部とが導電性接着剤によって接続さ
れる。この結果、バンプの頭部に形成された複数の凹凸
によってバンプと導電性接着剤との接触面積を増大させ
ることができ、導電性接着剤の保持性及び隣接電極との
ショートの防止効果が高まると共に、バンプと導電性接
着剤との密着強度の向上及び接続抵抗の低減を図ること
ができる。
【００１２】請求項２記載の基板の接続方法は、金属ワ
イヤの先端にボールを形成する工程と、第一基板の端子
電極部に前記ボールをツールにより熱圧着もしくは超音
波併用熱圧着することによりバンプを形成し、前記ツー
ルを螺旋状に回転させながら前記バンプから離れる方向
に移動させた後、前記金属ワイヤを切断することにより
前記バンプの頭部に所定高さの螺旋状部を形成する工程
と、前記螺旋状部を被うように前記バンプの頭部に導電
性接着剤を塗布する工程と、前記バンプと第二基板の端
子電極部とを位置合わせして接続する工程と、を含んで
いる。
イヤの先端にボールを形成する工程と、第一基板の端子
電極部に前記ボールをツールにより熱圧着もしくは超音
波併用熱圧着することによりバンプを形成し、前記ツー
ルを螺旋状に回転させながら前記バンプから離れる方向
に移動させた後、前記金属ワイヤを切断することにより
前記バンプの頭部に所定高さの螺旋状部を形成する工程
と、前記螺旋状部を被うように前記バンプの頭部に導電
性接着剤を塗布する工程と、前記バンプと第二基板の端
子電極部とを位置合わせして接続する工程と、を含んで
いる。
【００１３】請求項２記載の基板の接続方法によれば、
金属ワイヤの先端に形成されたボールがツールにより第
一基板の端子電極部上に熱圧着もしくは超音波熱圧着さ
れ、その後ツールを螺旋状に回転させながらバンプから
離れる方向に移動させた後に金属ワイヤを切断すること
によって頂部に螺旋状部を含むバンプが形成され、この
螺旋状部を被うようにバンプの上部に導電性接着剤が塗
布された後にバンプと第二基板の端子電極部とが導電性
接着剤により接続される。この結果、バンプ頭部に形成
された螺旋状部によりバンプと導電性接着剤との接触面
積を増大させることができ、導電性接着剤の保持性及び
隣接電極とのショートの防止効果がより高まると共に、
バンプと導電性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗
の低減を図ることができる。
金属ワイヤの先端に形成されたボールがツールにより第
一基板の端子電極部上に熱圧着もしくは超音波熱圧着さ
れ、その後ツールを螺旋状に回転させながらバンプから
離れる方向に移動させた後に金属ワイヤを切断すること
によって頂部に螺旋状部を含むバンプが形成され、この
螺旋状部を被うようにバンプの上部に導電性接着剤が塗
布された後にバンプと第二基板の端子電極部とが導電性
接着剤により接続される。この結果、バンプ頭部に形成
された螺旋状部によりバンプと導電性接着剤との接触面
積を増大させることができ、導電性接着剤の保持性及び
隣接電極とのショートの防止効果がより高まると共に、
バンプと導電性接着剤との密着強度の向上及び接続抵抗
の低減を図ることができる。
【００１４】なお、本発明における基板には、プリント
配線基板等の回路基板の他に、回路及び端子電極部を有
する半導体チップ等が含まれる。従って、請求項１及び
請求項２の発明における第一基板及び第二基板は各々回
路基板、半導体チップの何れであってもよく、回路基板
と半導体チップの接続、回路基板同士の接続及び半導体
チップ同士の接続に対して本発明を適用することができ
る。
配線基板等の回路基板の他に、回路及び端子電極部を有
する半導体チップ等が含まれる。従って、請求項１及び
請求項２の発明における第一基板及び第二基板は各々回
路基板、半導体チップの何れであってもよく、回路基板
と半導体チップの接続、回路基板同士の接続及び半導体
チップ同士の接続に対して本発明を適用することができ
る。
【００１５】
［第１実施形態］以下、図面を参照しながら本発明に係
る基板の接続方法の実施形態を詳細に説明する。
る基板の接続方法の実施形態を詳細に説明する。
【００１６】まず、図１（Ａ）〜（Ｄ）に基づいて、本
発明の第１実施形態における基板の接続方法を説明す
る。
発明の第１実施形態における基板の接続方法を説明す
る。
【００１７】まず、第一基板としてのＩＣチップ１０の
端子電極部１１上に金（Ａｕ）、ハンダ等によって構成
されたバンプ１２Ｅを形成して、このバンプ１２Ｅの頭
部に対して図１（Ａ）に示すように凹凸形成ツール３２
を矢印３４方向に移動させ押圧することにより、図１
（Ｂ）に示すような複数の凹凸としての凹凸部３０をバ
ンプ１２Ｅの頭部に形成する。この際、凹凸形成ツール
３２は、ワイヤボンダにおけるキャピラリに置き換えて
取り付けられて移動される。なお、本実施形態で使用す
る凹凸形成ツール３２は、図２に示すように円柱状の下
面に断面三角形状の溝を複数条穿設して断面三角形状の
複数の山を形成して構成されている。
端子電極部１１上に金（Ａｕ）、ハンダ等によって構成
されたバンプ１２Ｅを形成して、このバンプ１２Ｅの頭
部に対して図１（Ａ）に示すように凹凸形成ツール３２
を矢印３４方向に移動させ押圧することにより、図１
（Ｂ）に示すような複数の凹凸としての凹凸部３０をバ
ンプ１２Ｅの頭部に形成する。この際、凹凸形成ツール
３２は、ワイヤボンダにおけるキャピラリに置き換えて
取り付けられて移動される。なお、本実施形態で使用す
る凹凸形成ツール３２は、図２に示すように円柱状の下
面に断面三角形状の溝を複数条穿設して断面三角形状の
複数の山を形成して構成されている。
【００１８】次に、図１（Ｃ）に示すように凹凸部３０
を被うようにバンプ１２Ｅの頭部に導電性接着剤１８を
塗布した後、図１（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｅの頭
部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して第二基
板としての回路基板１４の端子電極部１６上にバンプ１
２Ｅを位置決めした後、導電性接着剤１８によってバン
プ１２Ｅと端子電極部１６とを接着させ、さらに導電性
接着剤１８を硬化させることによってＩＣチップ１０と
回路基板１４とを接続する。
を被うようにバンプ１２Ｅの頭部に導電性接着剤１８を
塗布した後、図１（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｅの頭
部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して第二基
板としての回路基板１４の端子電極部１６上にバンプ１
２Ｅを位置決めした後、導電性接着剤１８によってバン
プ１２Ｅと端子電極部１６とを接着させ、さらに導電性
接着剤１８を硬化させることによってＩＣチップ１０と
回路基板１４とを接続する。
【００１９】以上説明したように、本第１実施形態の基
板の接続方法では、バンプ１２Ｅの頭部に凹凸部３０を
設けることにより、バンプ１２Ｅと導電性接着剤１８と
の接触面積を増大することができるため、導電性接着剤
１８の保持性及び隣接する電極とのショートの防止効果
が高まると同時に、バンプ１２Ｅと導電性接着剤１８と
の密着強度の向上及び接触抵抗の低減を図ることができ
る。
板の接続方法では、バンプ１２Ｅの頭部に凹凸部３０を
設けることにより、バンプ１２Ｅと導電性接着剤１８と
の接触面積を増大することができるため、導電性接着剤
１８の保持性及び隣接する電極とのショートの防止効果
が高まると同時に、バンプ１２Ｅと導電性接着剤１８と
の密着強度の向上及び接触抵抗の低減を図ることができ
る。
【００２０】なお、本第１実施形態では、ＩＣチップ１
０側の端子電極部１１上にバンプ１２Ｅを形成する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、回路基板１４側の端子電極部１６上にバンプを
形成して、このバンプ頭部に複数の凹凸部を設けるよう
にしても同様の効果が得られる。
０側の端子電極部１１上にバンプ１２Ｅを形成する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、回路基板１４側の端子電極部１６上にバンプを
形成して、このバンプ頭部に複数の凹凸部を設けるよう
にしても同様の効果が得られる。
【００２１】また、本第１実施形態では、凹凸形成ツー
ル３２を移動させる手段としてワイヤボンダを利用する
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、プレス機構を有する装置であれば利用する
ことができる。
ル３２を移動させる手段としてワイヤボンダを利用する
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、プレス機構を有する装置であれば利用する
ことができる。
【００２２】さらに、本第１実施形態では、図３に示す
ように円柱体の下面に複数の円錐状の突起を形成した凹
凸形成ツールを用いて複数の凹凸部を設けることもでき
る。
ように円柱体の下面に複数の円錐状の突起を形成した凹
凸形成ツールを用いて複数の凹凸部を設けることもでき
る。
【００２３】［第２実施形態］次に、図４（Ａ）〜
（Ｆ）に基づいて、本発明の第２実施形態における基板
の接続方法を説明する。
（Ｆ）に基づいて、本発明の第２実施形態における基板
の接続方法を説明する。
【００２４】まず、図４（Ａ）に示すように放電を用い
て金属ワイヤ４４の先端部にボール４６を形成し、ツー
ルとしてのキャピラリ４２を矢印４８方向に移動して、
ボール４６を第一基板としてのＩＣチップ１０の端子電
極部１１上に超音波併用熱圧着する。図４（Ｂ）は熱圧
着後の状態を示しており、ＩＣチップ１０の端子電極部
１１上には金属ワイヤ４４が接続されたままの状態であ
るバンプ１２Ｆが形成されている。
て金属ワイヤ４４の先端部にボール４６を形成し、ツー
ルとしてのキャピラリ４２を矢印４８方向に移動して、
ボール４６を第一基板としてのＩＣチップ１０の端子電
極部１１上に超音波併用熱圧着する。図４（Ｂ）は熱圧
着後の状態を示しており、ＩＣチップ１０の端子電極部
１１上には金属ワイヤ４４が接続されたままの状態であ
るバンプ１２Ｆが形成されている。
【００２５】次に、図４（Ｃ）に示すように金属ワイヤ
４４を順次繰り出してキャピラリ４２を矢印５０方向に
回転させながら矢印５２方向に所定距離だけ移動させた
後、金属ワイヤ４４を切断する。これによって、図４
（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｆの頭部には螺旋状部４
０が形成される。
４４を順次繰り出してキャピラリ４２を矢印５０方向に
回転させながら矢印５２方向に所定距離だけ移動させた
後、金属ワイヤ４４を切断する。これによって、図４
（Ｄ）に示すようにバンプ１２Ｆの頭部には螺旋状部４
０が形成される。
【００２６】次に、図４（Ｅ）に示すように螺旋状部４
０を被うようにバンプ１２Ｆの頭部に導電性接着剤１８
を塗布した後、図４（Ｆ）に示すようにバンプ１２Ｆの
頭部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して回路
基板１４の端子電極部１６上にバンプ１２Ｆを位置決め
した後、導電性接着剤１８によってバンプ１２Ｆと端子
電極部１６とを接着させ、さらに導電性接着剤１８を硬
化させることによってＩＣチップ１０と回路基板１４と
を接続する。
０を被うようにバンプ１２Ｆの頭部に導電性接着剤１８
を塗布した後、図４（Ｆ）に示すようにバンプ１２Ｆの
頭部が下方を向くようにＩＣチップ１０を裏返して回路
基板１４の端子電極部１６上にバンプ１２Ｆを位置決め
した後、導電性接着剤１８によってバンプ１２Ｆと端子
電極部１６とを接着させ、さらに導電性接着剤１８を硬
化させることによってＩＣチップ１０と回路基板１４と
を接続する。
【００２７】以上説明したように、本第２実施形態の基
板の接続方法では、バンプ１２Ｆの頭部に螺旋状部４０
を設けることにより、バンプ１２Ｆと導電性接着剤１８
との接触面積を増大することができるため、第１実施形
態と同様に導電性接着剤１８の保持性及び隣接する電極
とのショートの防止効果が高まると同時に、バンプ１２
Ｆと導電性接着剤１８との密着強度の向上及び接触抵抗
の低減を図ることができる。
板の接続方法では、バンプ１２Ｆの頭部に螺旋状部４０
を設けることにより、バンプ１２Ｆと導電性接着剤１８
との接触面積を増大することができるため、第１実施形
態と同様に導電性接着剤１８の保持性及び隣接する電極
とのショートの防止効果が高まると同時に、バンプ１２
Ｆと導電性接着剤１８との密着強度の向上及び接触抵抗
の低減を図ることができる。
【００２８】なお、上記各実施形態では、ＩＣチップ１
０側の端子電極部１１上にバンプ１２Ｆを形成する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、回路基板１４側の端子電極部１６上にバンプ１
２Ｆを形成して、このバンプの頭部に螺旋状部を形成す
るようにしても同様の効果が得られる。
０側の端子電極部１１上にバンプ１２Ｆを形成する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、回路基板１４側の端子電極部１６上にバンプ１
２Ｆを形成して、このバンプの頭部に螺旋状部を形成す
るようにしても同様の効果が得られる。
【００２９】また、上記各実施形態では、ＩＣチップ１
０と回路基板１４との接続を行う場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣチッ
プ同士あるいは回路基板同士の導電性接着剤を用いた接
続においても適用することができる。
０と回路基板１４との接続を行う場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣチッ
プ同士あるいは回路基板同士の導電性接着剤を用いた接
続においても適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように請求項１及び請求項
２の発明に係る基板の接続方法によれば、第一基板の端
子電極部上に形成されたバンプの頭部に複数の凹凸や螺
旋状部を形成し、この複数の凹凸や螺旋状部を有するバ
ンプと第二基板の端子電極部とを導電性接着剤によって
接続したので、バンプ上部の複数の凹凸によってバンプ
と導電性接着剤との接触面積を増大させることができ、
導電性接着剤の保持性及び隣接電極とのショートの防止
効果が高まると共に、バンプと導電性接着剤との密着強
度の向上及び接続抵抗の低減を図ることができる、とい
う効果を有する。
２の発明に係る基板の接続方法によれば、第一基板の端
子電極部上に形成されたバンプの頭部に複数の凹凸や螺
旋状部を形成し、この複数の凹凸や螺旋状部を有するバ
ンプと第二基板の端子電極部とを導電性接着剤によって
接続したので、バンプ上部の複数の凹凸によってバンプ
と導電性接着剤との接触面積を増大させることができ、
導電性接着剤の保持性及び隣接電極とのショートの防止
効果が高まると共に、バンプと導電性接着剤との密着強
度の向上及び接続抵抗の低減を図ることができる、とい
う効果を有する。
【図１】本発明の第１実施形態における基板の接続方法
を示す概略側面図であり、（Ａ）は凹凸形成ツールの移
動方向等を示す図、（Ｂ）は凹凸形成ツールによるバン
プ頭部の凹凸部の形成状態を示す図、（Ｃ）はバンプ頭
部に導電性接着剤を塗布した状態を示す図、（Ｄ）はバ
ンプと回路基板の端子電極部とを接続した状態を示す図
である。
を示す概略側面図であり、（Ａ）は凹凸形成ツールの移
動方向等を示す図、（Ｂ）は凹凸形成ツールによるバン
プ頭部の凹凸部の形成状態を示す図、（Ｃ）はバンプ頭
部に導電性接着剤を塗布した状態を示す図、（Ｄ）はバ
ンプと回路基板の端子電極部とを接続した状態を示す図
である。
【図２】本発明の第１実施形態における凹凸形成ツール
の形状を示す概略斜視図である。
の形状を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態における凹凸形成ツール
の別の形状を示す概略斜視図である。
の別の形状を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の第２実施形態における基板の接続方法
を示す概略側面図であり、（Ａ）は金属ワイヤ先端のボ
ールを示すと共にキャピラリの移動方向を示す図、
（Ｂ）はバンプの圧着状態を示す図、（Ｃ）は螺旋状部
の形成過程を示す図、（Ｄ）は金属ワイヤを切断した後
の頭部に螺旋状部を有するバンプを示す図、（Ｅ）はバ
ンプ頭部に導電性接着剤を塗布した状態を示す図、
（Ｆ）はバンプと回路基板の端子電極部とを接続した状
態を示す図である。
を示す概略側面図であり、（Ａ）は金属ワイヤ先端のボ
ールを示すと共にキャピラリの移動方向を示す図、
（Ｂ）はバンプの圧着状態を示す図、（Ｃ）は螺旋状部
の形成過程を示す図、（Ｄ）は金属ワイヤを切断した後
の頭部に螺旋状部を有するバンプを示す図、（Ｅ）はバ
ンプ頭部に導電性接着剤を塗布した状態を示す図、
（Ｆ）はバンプと回路基板の端子電極部とを接続した状
態を示す図である。
【図５】従来技術の基板の接続方法を示す概略側面図で
ある。
ある。
１０ ＩＣチップ（第一基板） １１ 端子電極部（第一基板の端子電極部） １２ バンプ １４ 回路基板（第二基板） １６ 端子電極部（第二基板の端子電極部） １８ 導電性接着剤 ３０ 凹凸部（複数の凹凸） ３２ 凹凸形成ツール ４０ 螺旋状部 ４２ キャピラリ（ツール） ４４ 金属ワイヤ ４６ ボール
Claims (2)
- 【請求項１】 第一基板の端子電極部上にバンプを形成
する工程と、 前記バンプの頭部に複数の凹凸を形成する工程と、 前記複数の凹凸を被うように前記バンプの頭部に導電性
接着剤を塗布する工程と、 前記バンプと第二基板の端子電極部とを位置合わせして
接続する工程と、 を含む基板の接続方法。 - 【請求項２】 金属ワイヤの先端にボールを形成する工
程と、 第一基板の端子電極部に前記ボールをツールにより熱圧
着もしくは超音波併用熱圧着することによりバンプを形
成し、前記ツールを螺旋状に回転させながら前記バンプ
から離れる方向に移動させた後、前記金属ワイヤを切断
することにより前記バンプの頭部に所定高さの螺旋状部
を形成する工程と、 前記螺旋状部を被うように前記バンプの頭部に導電性接
着剤を塗布する工程と、 前記バンプと第二基板の端子電極部とを位置合わせして
接続する工程と、 を含む基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266305A JPH10112479A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 基板の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266305A JPH10112479A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 基板の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112479A true JPH10112479A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17429093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8266305A Pending JPH10112479A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 基板の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112479A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917191A3 (en) * | 1997-11-18 | 2000-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Electronic component unit, electronic assembly using the unit, and method for manufacturing the electronic component unit |
| WO2001006558A1 (fr) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Emballage de dispositifs a semi-conducteurs et leur procede de fabrication |
| KR100791575B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어형 반도체 장치 |
| JP2008205446A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、配線基板 |
| CN105140203A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-09 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 焊球及其制造方法和包括焊球的球栅阵列封装件 |
-
1996
- 1996-10-07 JP JP8266305A patent/JPH10112479A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6792677B1 (en) | 1997-11-18 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronic component unit |
| WO2001006558A1 (fr) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Emballage de dispositifs a semi-conducteurs et leur procede de fabrication |
| US6780668B1 (en) | 1999-07-16 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Package of semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US7090482B2 (en) | 1999-07-16 | 2006-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device package manufacturing method and semiconductor device package manufactured by the method |
| KR100791575B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어형 반도체 장치 |
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| CN105140203A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-09 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 焊球及其制造方法和包括焊球的球栅阵列封装件 |
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