JP3363639B2 - 集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

集積回路装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP3363639B2
JP3363639B2 JP00940195A JP940195A JP3363639B2 JP 3363639 B2 JP3363639 B2 JP 3363639B2 JP 00940195 A JP00940195 A JP 00940195A JP 940195 A JP940195 A JP 940195A JP 3363639 B2 JP3363639 B2 JP 3363639B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode terminal
bump
electrode
gold wire
capillary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP00940195A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08203903A (ja
Inventor
和司 東
能彦 八木
法人 塚原
隆弘 米澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP00940195A priority Critical patent/JP3363639B2/ja
Priority to US08/576,160 priority patent/US5686353A/en
Priority to EP95120500A priority patent/EP0720226B1/en
Priority to TW084113772A priority patent/TW288194B/zh
Priority to DE69535551T priority patent/DE69535551T2/de
Priority to CN95113148A priority patent/CN1051641C/zh
Priority to KR1019950056321A priority patent/KR100239286B1/ko
Publication of JPH08203903A publication Critical patent/JPH08203903A/ja
Priority to CNB991084586A priority patent/CN1153267C/zh
Application granted granted Critical
Publication of JP3363639B2 publication Critical patent/JP3363639B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電極引き出し用パッド
たる電極端子上に設けたバンプを用いてフェイスダウン
ボンディングするフリップチップ方式の集積回路装置お
よびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、フリップチップ方式の集積回路
装置の製造においては、図6に示すような要領でバンプ
が形成される。すなわち、ボンディングツールのキャピ
ラリ1を通じて支給された金線2と、トーチ電極3との
間に高電圧を与えて金線2の先端部を溶かし、該部に球
状の金ボールを2aを生じさせる。そして、ICチップ
4の表面上に配列された四角形の電極端子5上に金ボー
ル2aを熱圧着または超音波接合してバンプ6を形成す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなバ
ンプ形成方法を適用すると、電極端子5に金ボール2a
を圧着した直後に引き離された金線2の先端部が、一点
鎖線2bで示すようにバンプ6側へ湾曲する。この湾曲
の向きはキャピラリ1の移動方向に依存して決まるが、
トーチ電極3に対する向きは一定でなく、次いで形成す
るバンプの位置や向きによって変化する。このため、金
線2の先端部とトーチ電極3とのスパーク間隔が一定化
せず、スパーク電流に変化をきたし、複数のバンプを所
定位置にばらつきなく形成することが困難になる。ま
た、バンプ6が電極端子5の領域からはみ出すと、電極
間短絡や接続不良を引き起こしやすくなる。
【0004】したがって本発明の目的は、バンプ間の短
絡を軽減させることのできる集積回路装置およびバンプ
の素材たる金線の先端部に湾曲を生じても、バンプをば
らつきなく形成できる集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によると、上述し
た目的を達成するために、ICチップの表面上に設けら
れた電極端子が四角形の平面形状を有し、前記電極端子
上に設けられたバンプが、その突出端を当該電極端子の
コーナ部に向けていることを特徴とする集積回路装置が
提供される。
【0006】また、ICチップの表面上に設けられた電
極端子が四角形の平面形状を有し、キャピラリを通じて
支給された金線を素材にして前記電極端子上にバンプを
形成するさい、前記金線の先端部を溶かして得た金ボー
ルを前記電極端子に圧着し、しかるのち、前記キャピラ
リを当該電極端子の対角線方向に移動させて残余の金線
を切り離すことを特徴とする集積回路装置の製造方法が
提供される。
【0007】
【0008】また、ICチップの表面上に設けられた第
1および第2の電極端子上に、キャピラリを通じて支給
された金線を素材にしてバンプを形成するさい、トーチ
電極を用いた所定のスパーク条件で前記金線の先端部を
溶かし、得られた金ボールを前記キャピラリの直下に位
置する第1の電極端子に圧着して第1のバンプを形成
し、しかるのち、前記キャピラリを中心にして前記トー
チ電極を移動させ、前記金線の先端部を前記スパーク条
件と同様の条件で溶かし、得られた金ボールを第2の電
極端子に圧着して第2のバンプを形成することを特徴と
する集積回路装置の製造方法が提供される。
【0009】
【作用】本発明に係る集積回路装置では、四角形の平面
形状を有する電極端子上に設けられたバンプが、その突
出端を当該電極端子のコーナ部に向けるので、バンプの
位置ずれ許容量を増やすことができる。つまり、バンプ
に与えられる敷地は当該電極端子の四角形の表面で決ま
り、その中心から半径方向への距離がもっとも長い対角
線上に4つのコーナ部が存在し、該部に突出端を向けて
バンプが形成されるのであるから、バンプが電極端子の
中心から多少位置ずれしても、また、多少過大に形成さ
れても、隣接電極端子に接触する危険は少なくなる。
【0010】また、本発明の製造方法において、金ボー
ル圧着後のキャピラリを当該電極端子の対角線方向に移
動させると、バンプからの金線の引き離しが前記対角線
に沿って行われるので、形成されたバンプの突出端を当
該電極端子のコーナ部に向けることができる。
【0011】
【0012】また、第1のバンプを形成後に、キャピラ
リを中心にしてトーチ電極を移動させる方法を採るとき
は、金線の先端部が一方向に湾曲しても、湾曲した方向
にトーチ電極を追随移動させることができるので、スパ
ーク電流を揃えて複数のバンプをばらつきなく形成する
ことができる。
【0013】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
【0014】図1および図2に示す実施例では、ICチ
ップ4の表面絶縁層7から複数の電極端子5、5が露出
しており、各電極端子5は四角形の平面形状を有してい
る。
【0015】そして、各電極端子5上に設けられたバン
プ8は、その突出端8aを当該電極端子5のコーナ部5
aに向けている。電極端子5の中心から半径方向への距
離は、コーナ部を通る対角線a、b上でもっとも長いの
で、バンプ8の占める位置や形状に多少のばらつきがあ
っても、当該電極端子5からはみ出すことはほとんどな
く、そのために、隣接する電極端子5やバンプ8に接触
する危険は少ない。
【0016】バンプ8は図3に示すように、金線2を素
材にして形成される。すなわち、ボンディングツールの
キャピラリ1を通じて支給された金線2とトーチ電極3
との間にスパーク電圧を印加して金線2の先端部を溶か
し、該部に生じた金ボールを電極端子5に熱圧着または
超音波接合する。そして、その直後にキャピラリ1を当
該電極端子5の対角線方向aに移動させて残余の金線2
を引き離すので、電極端子5上に形成されたバンプ8
は、その突出端8aをコーナ部5aに向けたものとな
る。
【0017】図4に示す実施例では、キャピラリ1を通
じて支給された金線2の先端部と、トーチ電極3の先端
部とが所定のスパーク間隔cに保持されており、ICチ
ップ4がその保持台9によってX方向、Y方向および回
転方向θに移動できるようになっている。この場合、I
Cチップ4の一辺に沿って配列された電極端子(第1の
電極端子)5に対しバンブ8を形成したのち、ICチッ
プ4自体を回転・移動させ、次いで、他辺に位置する電
極端子(第2の電極端子)5に対しバンプ8を形成する
ことになるが、金線2の湾曲方向や湾曲量を勘案したう
えでスパーク間隔cを一定に固定することができ、それ
によって、金ボール生成時におけるスパーク条件や、得
られるバンプ8の形状・方向性を揃えることができる。
【0018】図5に示す実施例では、キャピラリ1を中
心にして、トーチ電極3を周回移動させ得るように構成
している。この場合、キャピラリ1を通じて支給された
金線2の先端部の湾曲方向に追尾してトーチ電極3を移
動させるので、ICチップを移動させることなくスパー
ク間隔・スパーク条件を揃えることができる。
【0019】なお、形成されるバンプ8はスタッドバン
プに限らず、ボールバンプであってもよい。
【0020】
【発明の効果】以上のように本発明によると、バンプの
位置や形状に多少のばらつきが生じても、バンプ間の短
絡を軽減させることができる。また、バンプの素材たる
金線の先端部に湾曲を生じても、バンプをばらつきなく
形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の集積回路装置のバンプ周辺
における平面図。
【図2】本発明の一実施例の集積回路装置のバンプ周辺
における一部破断側面図。
【図3】本発明の他の実施例におけるバンプ形成工程の
一部破断側面図。
【図4】本発明の他の実施例におけるバンプ形成工程の
斜視図。
【図5】本発明の他の実施例におけるキャピラリとトー
チ電極との相関を示す図。
【図6】従来のバンプ形成工程の説明図。
【符号の説明】
1 キャピラリ 2 金線 3 トーチ電極 4 ICチップ 5 電極端子 8 バンプ 8a 突出端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米澤 隆弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−342797(JP,A) 特開 平5−166813(JP,A) 特開 平4−146625(JP,A) 特開 平7−130747(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 311 H01L 21/60

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップの表面上に設けられた電極端
    子が四角形の平面形状を有し、前記電極端子上に設けら
    れたバンプが、その突出端を当該電極端子のコーナ部に
    向けていることを特徴とする集積回路装置。
  2. 【請求項2】 ICチップの表面上に設けられた電極端
    子が四角形の平面形状を有し、キャピラリを通じて支給
    された金線を素材にして前記電極端子上にバンプを形成
    するさい、前記金線の先端部を溶かして得た金ボールを
    前記電極端子に圧着し、しかるのち、前記キャピラリを
    当該電極端子の対角線方向に移動させて残余の金線を切
    り離すことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 ICチップの表面上に設けられた第1お
    よび第2の電極端子上に、キャピラリを通じて支給され
    た金線を素材にしてバンプを形成するさい、トーチ電極
    を用いた所定のスパーク条件で前記金線の先端部を溶か
    し、得られた金ボールを前記キャピラリの直下に位置す
    る第1の電極端子に圧着して第1のバンプを形成し、し
    かるのち、前記キャピラリを中心にして前記トーチ電極
    を移動させ、前記金線の先端部を前記スパーク条件と同
    様の条件で溶かし、得られた金ボールを第2の電極端子
    に圧着して第2のバンプを形成することを特徴とする集
    積回路装置の製造方法。
JP00940195A 1994-12-26 1995-01-25 集積回路装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3363639B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00940195A JP3363639B2 (ja) 1995-01-25 1995-01-25 集積回路装置およびその製造方法
US08/576,160 US5686353A (en) 1994-12-26 1995-12-21 Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW084113772A TW288194B (ja) 1994-12-26 1995-12-22
DE69535551T DE69535551T2 (de) 1994-12-26 1995-12-22 Halbleiteranordnung mit Kontaktlöchern
EP95120500A EP0720226B1 (en) 1994-12-26 1995-12-22 Semiconductor device comprising contact bumps
CN95113148A CN1051641C (zh) 1994-12-26 1995-12-25 制造半导体器件的方法
KR1019950056321A KR100239286B1 (ko) 1994-12-26 1995-12-26 반도체장치 및 그실장방법
CNB991084586A CN1153267C (zh) 1994-12-26 1999-06-11 半导体器件的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00940195A JP3363639B2 (ja) 1995-01-25 1995-01-25 集積回路装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08203903A JPH08203903A (ja) 1996-08-09
JP3363639B2 true JP3363639B2 (ja) 2003-01-08

Family

ID=11719406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00940195A Expired - Fee Related JP3363639B2 (ja) 1994-12-26 1995-01-25 集積回路装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3363639B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08203903A (ja) 1996-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6462399B1 (en) Multi-chip module employing a carrier substrate with micromachined alignment structures and method of forming
US4875618A (en) Wire stacked bonding method
JP3421548B2 (ja) 半導体ベアチップ、半導体ベアチップの製造方法、及び半導体ベアチップの実装構造
JP3363639B2 (ja) 集積回路装置およびその製造方法
US6424049B1 (en) Semiconductor device having chip-on-chip structure and semiconductor chip used therefor
JPH1056030A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10107083A (ja) 電気回路素子及びその実装体構造
JPH056893A (ja) キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置
JPH10112479A (ja) 基板の接続方法
JPH06333974A (ja) 集積回路のボンディングパッド構造
JP3006957B2 (ja) 半導体装置の実装体
JP2004119550A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2506861B2 (ja) 電気的接続接点の形成方法
US7800237B2 (en) Electronic device including a component stack and connecting elements, and connecting elements, and method for producing the electronic device
JPH1140728A (ja) リードフレーム及びそのリードフレームを用いた電子部品並びにその電子部品の製造方法
JPH02134857A (ja) 半導体装置
JPH05136201A (ja) 半導体装置用電極と実装体
JPH06120290A (ja) 半導体装置
JP3383727B2 (ja) 半導体素子のバンプ形成方法
JP2551243B2 (ja) 半導体装置
JP3389712B2 (ja) Icチップのバンプ形成方法
JP3073101B2 (ja) 集積回路の装着構造
JP2000214216A (ja) 半導体検査装置
JPH04299544A (ja) フィルムキャリヤ半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071025

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees