JP3363639B2 - 集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
集積回路装置およびその製造方法Info
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Description
たる電極端子上に設けたバンプを用いてフェイスダウン
ボンディングするフリップチップ方式の集積回路装置お
よびその製造方法に関するものである。
装置の製造においては、図6に示すような要領でバンプ
が形成される。すなわち、ボンディングツールのキャピ
ラリ1を通じて支給された金線2と、トーチ電極3との
間に高電圧を与えて金線2の先端部を溶かし、該部に球
状の金ボールを2aを生じさせる。そして、ICチップ
4の表面上に配列された四角形の電極端子5上に金ボー
ル2aを熱圧着または超音波接合してバンプ6を形成す
る。
ンプ形成方法を適用すると、電極端子5に金ボール2a
を圧着した直後に引き離された金線2の先端部が、一点
鎖線2bで示すようにバンプ6側へ湾曲する。この湾曲
の向きはキャピラリ1の移動方向に依存して決まるが、
トーチ電極3に対する向きは一定でなく、次いで形成す
るバンプの位置や向きによって変化する。このため、金
線2の先端部とトーチ電極3とのスパーク間隔が一定化
せず、スパーク電流に変化をきたし、複数のバンプを所
定位置にばらつきなく形成することが困難になる。ま
た、バンプ6が電極端子5の領域からはみ出すと、電極
間短絡や接続不良を引き起こしやすくなる。
絡を軽減させることのできる集積回路装置およびバンプ
の素材たる金線の先端部に湾曲を生じても、バンプをば
らつきなく形成できる集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
た目的を達成するために、ICチップの表面上に設けら
れた電極端子が四角形の平面形状を有し、前記電極端子
上に設けられたバンプが、その突出端を当該電極端子の
コーナ部に向けていることを特徴とする集積回路装置が
提供される。
極端子が四角形の平面形状を有し、キャピラリを通じて
支給された金線を素材にして前記電極端子上にバンプを
形成するさい、前記金線の先端部を溶かして得た金ボー
ルを前記電極端子に圧着し、しかるのち、前記キャピラ
リを当該電極端子の対角線方向に移動させて残余の金線
を切り離すことを特徴とする集積回路装置の製造方法が
提供される。
1および第2の電極端子上に、キャピラリを通じて支給
された金線を素材にしてバンプを形成するさい、トーチ
電極を用いた所定のスパーク条件で前記金線の先端部を
溶かし、得られた金ボールを前記キャピラリの直下に位
置する第1の電極端子に圧着して第1のバンプを形成
し、しかるのち、前記キャピラリを中心にして前記トー
チ電極を移動させ、前記金線の先端部を前記スパーク条
件と同様の条件で溶かし、得られた金ボールを第2の電
極端子に圧着して第2のバンプを形成することを特徴と
する集積回路装置の製造方法が提供される。
形状を有する電極端子上に設けられたバンプが、その突
出端を当該電極端子のコーナ部に向けるので、バンプの
位置ずれ許容量を増やすことができる。つまり、バンプ
に与えられる敷地は当該電極端子の四角形の表面で決ま
り、その中心から半径方向への距離がもっとも長い対角
線上に4つのコーナ部が存在し、該部に突出端を向けて
バンプが形成されるのであるから、バンプが電極端子の
中心から多少位置ずれしても、また、多少過大に形成さ
れても、隣接電極端子に接触する危険は少なくなる。
ル圧着後のキャピラリを当該電極端子の対角線方向に移
動させると、バンプからの金線の引き離しが前記対角線
に沿って行われるので、形成されたバンプの突出端を当
該電極端子のコーナ部に向けることができる。
リを中心にしてトーチ電極を移動させる方法を採るとき
は、金線の先端部が一方向に湾曲しても、湾曲した方向
にトーチ電極を追随移動させることができるので、スパ
ーク電流を揃えて複数のバンプをばらつきなく形成する
ことができる。
ら説明する。
ップ4の表面絶縁層7から複数の電極端子5、5が露出
しており、各電極端子5は四角形の平面形状を有してい
る。
プ8は、その突出端8aを当該電極端子5のコーナ部5
aに向けている。電極端子5の中心から半径方向への距
離は、コーナ部を通る対角線a、b上でもっとも長いの
で、バンプ8の占める位置や形状に多少のばらつきがあ
っても、当該電極端子5からはみ出すことはほとんどな
く、そのために、隣接する電極端子5やバンプ8に接触
する危険は少ない。
材にして形成される。すなわち、ボンディングツールの
キャピラリ1を通じて支給された金線2とトーチ電極3
との間にスパーク電圧を印加して金線2の先端部を溶か
し、該部に生じた金ボールを電極端子5に熱圧着または
超音波接合する。そして、その直後にキャピラリ1を当
該電極端子5の対角線方向aに移動させて残余の金線2
を引き離すので、電極端子5上に形成されたバンプ8
は、その突出端8aをコーナ部5aに向けたものとな
る。
じて支給された金線2の先端部と、トーチ電極3の先端
部とが所定のスパーク間隔cに保持されており、ICチ
ップ4がその保持台9によってX方向、Y方向および回
転方向θに移動できるようになっている。この場合、I
Cチップ4の一辺に沿って配列された電極端子(第1の
電極端子)5に対しバンブ8を形成したのち、ICチッ
プ4自体を回転・移動させ、次いで、他辺に位置する電
極端子(第2の電極端子)5に対しバンプ8を形成する
ことになるが、金線2の湾曲方向や湾曲量を勘案したう
えでスパーク間隔cを一定に固定することができ、それ
によって、金ボール生成時におけるスパーク条件や、得
られるバンプ8の形状・方向性を揃えることができる。
心にして、トーチ電極3を周回移動させ得るように構成
している。この場合、キャピラリ1を通じて支給された
金線2の先端部の湾曲方向に追尾してトーチ電極3を移
動させるので、ICチップを移動させることなくスパー
ク間隔・スパーク条件を揃えることができる。
プに限らず、ボールバンプであってもよい。
位置や形状に多少のばらつきが生じても、バンプ間の短
絡を軽減させることができる。また、バンプの素材たる
金線の先端部に湾曲を生じても、バンプをばらつきなく
形成することができる。
における平面図。
における一部破断側面図。
一部破断側面図。
斜視図。
チ電極との相関を示す図。
Claims (3)
- 【請求項1】 ICチップの表面上に設けられた電極端
子が四角形の平面形状を有し、前記電極端子上に設けら
れたバンプが、その突出端を当該電極端子のコーナ部に
向けていることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項2】 ICチップの表面上に設けられた電極端
子が四角形の平面形状を有し、キャピラリを通じて支給
された金線を素材にして前記電極端子上にバンプを形成
するさい、前記金線の先端部を溶かして得た金ボールを
前記電極端子に圧着し、しかるのち、前記キャピラリを
当該電極端子の対角線方向に移動させて残余の金線を切
り離すことを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 【請求項3】 ICチップの表面上に設けられた第1お
よび第2の電極端子上に、キャピラリを通じて支給され
た金線を素材にしてバンプを形成するさい、トーチ電極
を用いた所定のスパーク条件で前記金線の先端部を溶か
し、得られた金ボールを前記キャピラリの直下に位置す
る第1の電極端子に圧着して第1のバンプを形成し、し
かるのち、前記キャピラリを中心にして前記トーチ電極
を移動させ、前記金線の先端部を前記スパーク条件と同
様の条件で溶かし、得られた金ボールを第2の電極端子
に圧着して第2のバンプを形成することを特徴とする集
積回路装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00940195A JP3363639B2 (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 集積回路装置およびその製造方法 |
US08/576,160 US5686353A (en) | 1994-12-26 | 1995-12-21 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
DE69535551T DE69535551T2 (de) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | Halbleiteranordnung mit Kontaktlöchern |
TW084113772A TW288194B (ja) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | |
EP95120500A EP0720226B1 (en) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | Semiconductor device comprising contact bumps |
CN95113148A CN1051641C (zh) | 1994-12-26 | 1995-12-25 | 制造半导体器件的方法 |
KR1019950056321A KR100239286B1 (ko) | 1994-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치 및 그실장방법 |
CNB991084586A CN1153267C (zh) | 1994-12-26 | 1999-06-11 | 半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00940195A JP3363639B2 (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08203903A JPH08203903A (ja) | 1996-08-09 |
JP3363639B2 true JP3363639B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=11719406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00940195A Expired - Fee Related JP3363639B2 (ja) | 1994-12-26 | 1995-01-25 | 集積回路装置およびその製造方法 |
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JP (1) | JP3363639B2 (ja) |
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1995
- 1995-01-25 JP JP00940195A patent/JP3363639B2/ja not_active Expired - Fee Related
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