JPH10107083A - 電気回路素子及びその実装体構造 - Google Patents
電気回路素子及びその実装体構造Info
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- JPH10107083A JPH10107083A JP26280296A JP26280296A JPH10107083A JP H10107083 A JPH10107083 A JP H10107083A JP 26280296 A JP26280296 A JP 26280296A JP 26280296 A JP26280296 A JP 26280296A JP H10107083 A JPH10107083 A JP H10107083A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/141—Disposition
- H01L2224/1412—Layout
- H01L2224/1413—Square or rectangular array
- H01L2224/14133—Square or rectangular array with a staggered arrangement, e.g. depopulated array
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】近接して2列に配列したバンプを有する電気回
路素子をボンディングする実装基板の製造を容易にし,
又ボンディング時の端子間等の短絡を防止する。 【構成】2列に配置された電極にバンプを形成するに際
し、2列のバンプ間隔を2列の電極間隔より広くし、又
前記電極間隔が広がるように電極を延長する。更に、ワ
イヤーバンプの形成で、ワイヤーを含む面と各電極列を
垂直にし、かつワイヤーの先端をワイヤーの根元より2
列の電極の外側の方向に形成する。
路素子をボンディングする実装基板の製造を容易にし,
又ボンディング時の端子間等の短絡を防止する。 【構成】2列に配置された電極にバンプを形成するに際
し、2列のバンプ間隔を2列の電極間隔より広くし、又
前記電極間隔が広がるように電極を延長する。更に、ワ
イヤーバンプの形成で、ワイヤーを含む面と各電極列を
垂直にし、かつワイヤーの先端をワイヤーの根元より2
列の電極の外側の方向に形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ・
ボンディングに適応した電気回路素子及びその実装体構
造に関するものである。
ボンディングに適応した電気回路素子及びその実装体構
造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気回路素子の高密度化、電子機器等の
小型化の進展で、電気回路素子の実装方法の一つである
フリップチップ・ボンディング法の重要性が高まり、そ
の技術も高度化してきた。特に、半導体集積回路(以下
ではチップ形態、パッケージ形態等を総称してICと言
う)においてその技術の進展が著しく、以下にICを例
として説明するが、本発明はIC以外の薄膜回路素子等
の電気回路素子にも適用できるものである。
小型化の進展で、電気回路素子の実装方法の一つである
フリップチップ・ボンディング法の重要性が高まり、そ
の技術も高度化してきた。特に、半導体集積回路(以下
ではチップ形態、パッケージ形態等を総称してICと言
う)においてその技術の進展が著しく、以下にICを例
として説明するが、本発明はIC以外の薄膜回路素子等
の電気回路素子にも適用できるものである。
【0003】従来は、フリップチップ・ボンディングに
関する技術開発はICの電極にバンプを形成する手段に
中心が置かれていた。当初のバンプ形成は、電極上に、
フォトリソ・プロセスとメッキ技術を使用して、Au、半
田等のバンプを形成していた。このように形成されたバ
ンプと実装基板の端子部を対面させ、熱と圧力により接
続した。その後、バンプ形成にワイヤー・ボンディング
技術を応用したワイヤー・バンプ法が開発された。
関する技術開発はICの電極にバンプを形成する手段に
中心が置かれていた。当初のバンプ形成は、電極上に、
フォトリソ・プロセスとメッキ技術を使用して、Au、半
田等のバンプを形成していた。このように形成されたバ
ンプと実装基板の端子部を対面させ、熱と圧力により接
続した。その後、バンプ形成にワイヤー・ボンディング
技術を応用したワイヤー・バンプ法が開発された。
【0004】図4A、B1、B2にワイヤー・バンプの
形成過程の例を示した。B1ではワイヤー1がIC4の
面に垂直で、B2では垂直でない変形例の形成過程を示
した。ワイヤー1は、通常のワイヤー・ボンディングで
用られる20〜30μm径のAu、Al、Cu、 Pd等の線材で
ある。先ず、キャピラリ2の細孔を貫通したワイヤー1
の先端を放電、火炎放射、レーザ照射等の方法で加熱し
ワイヤー径の2〜3倍の球3を作る。次に、球3をIC
4の電極5へ熱圧着等の方法で固着し、台座6を形成す
る。更に、台座6に繋がったワイヤー1をキャピラリ2
の操作によって所定の形状にし、ワイヤー1を切断す
る。IC4上の複数個の電極5にバンプを形成する時、
キャピラリ2だけでなく、他のツール(図示せず)の操
作も伴うが、本説明ではキャピラリ2の操作で代表さ
せ、バンプ形成について記述する。
形成過程の例を示した。B1ではワイヤー1がIC4の
面に垂直で、B2では垂直でない変形例の形成過程を示
した。ワイヤー1は、通常のワイヤー・ボンディングで
用られる20〜30μm径のAu、Al、Cu、 Pd等の線材で
ある。先ず、キャピラリ2の細孔を貫通したワイヤー1
の先端を放電、火炎放射、レーザ照射等の方法で加熱し
ワイヤー径の2〜3倍の球3を作る。次に、球3をIC
4の電極5へ熱圧着等の方法で固着し、台座6を形成す
る。更に、台座6に繋がったワイヤー1をキャピラリ2
の操作によって所定の形状にし、ワイヤー1を切断す
る。IC4上の複数個の電極5にバンプを形成する時、
キャピラリ2だけでなく、他のツール(図示せず)の操
作も伴うが、本説明ではキャピラリ2の操作で代表さ
せ、バンプ形成について記述する。
【0005】図5A〜Cには台座6に残されたワイヤー
1の形状例を示し、図6A〜Cには実装基板10の端子
11へワイヤー・バンプ形成のIC4を固着した例を示
す。台座6に残されたワイヤー1の扱い方は、次の2方
式に大別される。第一の方式は、残ったワイヤー1(図
5Aに類似した状態)を押し潰すように整形し、その後
に、例えば熱圧着等により図6Aに示すようにIC4と
実装基板10を固着するものである。この方式では、残
ったワイヤー1は有効な作用をせず、ワイヤー1が長い
と、ワイヤーの整形過程で、そのワイヤー1が隣接バン
プと接触する等の障害が発生する。この改善の1つに、
実装する以前に、残ったワイヤー1を短く切断しておく
方法が提案されている(特開昭49─52973)。別
の改善法は、図7に示すものが提案されている。即ち、
図7Aに示すように、隣のバンプ側に傾いた長いワイヤ
ーを整形治具15で押し潰すと、ワイヤー1が隣のバン
プに接触していまう。これを防止するために、台座を形
成する時に、キャピラリーの移動制御でワイヤー1の倒
伏方向の癖づけをしておき、後にこのワイヤー1を押し
潰して整形する。この方法で図7Bのように整形された
バンプ群を形成することが提案されている(特開平3─
14235)。
1の形状例を示し、図6A〜Cには実装基板10の端子
11へワイヤー・バンプ形成のIC4を固着した例を示
す。台座6に残されたワイヤー1の扱い方は、次の2方
式に大別される。第一の方式は、残ったワイヤー1(図
5Aに類似した状態)を押し潰すように整形し、その後
に、例えば熱圧着等により図6Aに示すようにIC4と
実装基板10を固着するものである。この方式では、残
ったワイヤー1は有効な作用をせず、ワイヤー1が長い
と、ワイヤーの整形過程で、そのワイヤー1が隣接バン
プと接触する等の障害が発生する。この改善の1つに、
実装する以前に、残ったワイヤー1を短く切断しておく
方法が提案されている(特開昭49─52973)。別
の改善法は、図7に示すものが提案されている。即ち、
図7Aに示すように、隣のバンプ側に傾いた長いワイヤ
ーを整形治具15で押し潰すと、ワイヤー1が隣のバン
プに接触していまう。これを防止するために、台座を形
成する時に、キャピラリーの移動制御でワイヤー1の倒
伏方向の癖づけをしておき、後にこのワイヤー1を押し
潰して整形する。この方法で図7Bのように整形された
バンプ群を形成することが提案されている(特開平3─
14235)。
【0006】一方、第二の方式は、先端に残るワイヤー
を実装基板への接続に積極的に活用するものである。即
ち、この方式は、バンプの突起部を構成するワイヤーの
形状を制御し、実装基板への接続法の一つである導電性
接着材による固着やICと実装基板の面間隔の不均一さ
の吸収等に突起部を活用するものである。図5A〜Cに
突起部の代表的な形状のバンプ例として、AにI字型バ
ンプ7を、BにJ字型バンプ8を、CにO字型バンプ9
を示す(例えば、特公平6─95468等)。I字型バ
ンプ7はIC4の面に垂直にワイヤー1の突起部を有す
る。O字型バンプ9は、ワイヤー1で、又はワイヤー1
とIC4の面で閉じた空間が形成されている突起部を有
するものを総称した。J字型バンプ8は、ワイヤー1が
IC4の面に垂直でなく、またO字型バンプ9のような
閉じた空間も形成しない形状のワイヤー1を突起部とし
て保有するバンプを総称した。図6B、Cに実装基板1
0の端子11へ、ワイヤー・バンプ形成のIC4を固着
した状態の断面図を示した。BはIC4のI字型バンプ
7を導電性接着材13で端子11へ固着した例を示し
た。CはJ字型バンプ8を導電性接着材13で端子11
へ固着した例を示した。J字型の突起形状は、I字型の
ものに比べて導電性接着材13を該突起部へ安定に装填
する作用やIC4と実装基板10の間隙バラツキをJ字
型の突起形状の多少の変形で吸収する作用等がある。I
C4の複数個の電極5へJ字型バンプ8を形成する際に
は、一般にはキャピラリ2の移動距離を出来るだけ小さ
くするようにキャピラリ制御が行われる。Cは電極5が
直線上に配置された例を示し、キャピラリ2はIC4の
表面に垂直な該直線を含む面を移動しながらJ字型バン
プ8を形成するので、J字型をなすワイヤーは図のよう
に隣の電極5に向かって形成される。
を実装基板への接続に積極的に活用するものである。即
ち、この方式は、バンプの突起部を構成するワイヤーの
形状を制御し、実装基板への接続法の一つである導電性
接着材による固着やICと実装基板の面間隔の不均一さ
の吸収等に突起部を活用するものである。図5A〜Cに
突起部の代表的な形状のバンプ例として、AにI字型バ
ンプ7を、BにJ字型バンプ8を、CにO字型バンプ9
を示す(例えば、特公平6─95468等)。I字型バ
ンプ7はIC4の面に垂直にワイヤー1の突起部を有す
る。O字型バンプ9は、ワイヤー1で、又はワイヤー1
とIC4の面で閉じた空間が形成されている突起部を有
するものを総称した。J字型バンプ8は、ワイヤー1が
IC4の面に垂直でなく、またO字型バンプ9のような
閉じた空間も形成しない形状のワイヤー1を突起部とし
て保有するバンプを総称した。図6B、Cに実装基板1
0の端子11へ、ワイヤー・バンプ形成のIC4を固着
した状態の断面図を示した。BはIC4のI字型バンプ
7を導電性接着材13で端子11へ固着した例を示し
た。CはJ字型バンプ8を導電性接着材13で端子11
へ固着した例を示した。J字型の突起形状は、I字型の
ものに比べて導電性接着材13を該突起部へ安定に装填
する作用やIC4と実装基板10の間隙バラツキをJ字
型の突起形状の多少の変形で吸収する作用等がある。I
C4の複数個の電極5へJ字型バンプ8を形成する際に
は、一般にはキャピラリ2の移動距離を出来るだけ小さ
くするようにキャピラリ制御が行われる。Cは電極5が
直線上に配置された例を示し、キャピラリ2はIC4の
表面に垂直な該直線を含む面を移動しながらJ字型バン
プ8を形成するので、J字型をなすワイヤーは図のよう
に隣の電極5に向かって形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の課題
は、実装基板10の端子11の高密度化を安価に実現す
ることの困難さに起因する問題である。例えば図8A、
Bに示した、千鳥状等に近接した2列で配置された電極
5に対応して、実装基板10に端子11を形成する際の
課題である。図8のAは電極5、バンプ7、端子11の
平面配置を示し、Bはバンプ7を導電性接着材13で端
子11へ固着した状態でのa−a線断面を示している。
実装基板10には、安価であることの要請から、セラミ
ック基板に厚膜印刷で配線や端子11等を形成する方法
が多く採用されている。厚膜印刷機の性能やセラミック
基板の表面粗度にも依存するが、端子11の間隔は高々
50μm程度のものが製造の限界となる。IC4では、
電極5は90μm□であり、この形状は、バンプ形成や
ボンディング時の電極5の非破壊条件や固着材の広がり
条件、電気特性条件等によって決まる。電極5が最も接
近する間隔は千鳥の一列目と二列目の間隔S1であり、
IC4の設計条件等からは、30μm程度までは接近さ
せたい。従来のバンプ7は、電極5の中心に形成され、
例えば25μm径ワイヤーでワイヤ・バンプを形成する
と65μm径程度のバンプ7が電極5の中心に形成され
る。これに対応する実装基板10の端子11の一列目と
二列目の間隔S2は40μm程度が必要となり、前記の
ように実装基板10の製造自体に困難が生ずる。このた
め、電極5の配置を実装基板の端子11の条件、即ち電
極5の間隔S1が40〜50μm程度、に合わせざるを
得ない状況が生じる。この問題はワイヤー・バンプに限
らず、フリップチップ・ボンディング法に共通した課題
である。
は、実装基板10の端子11の高密度化を安価に実現す
ることの困難さに起因する問題である。例えば図8A、
Bに示した、千鳥状等に近接した2列で配置された電極
5に対応して、実装基板10に端子11を形成する際の
課題である。図8のAは電極5、バンプ7、端子11の
平面配置を示し、Bはバンプ7を導電性接着材13で端
子11へ固着した状態でのa−a線断面を示している。
実装基板10には、安価であることの要請から、セラミ
ック基板に厚膜印刷で配線や端子11等を形成する方法
が多く採用されている。厚膜印刷機の性能やセラミック
基板の表面粗度にも依存するが、端子11の間隔は高々
50μm程度のものが製造の限界となる。IC4では、
電極5は90μm□であり、この形状は、バンプ形成や
ボンディング時の電極5の非破壊条件や固着材の広がり
条件、電気特性条件等によって決まる。電極5が最も接
近する間隔は千鳥の一列目と二列目の間隔S1であり、
IC4の設計条件等からは、30μm程度までは接近さ
せたい。従来のバンプ7は、電極5の中心に形成され、
例えば25μm径ワイヤーでワイヤ・バンプを形成する
と65μm径程度のバンプ7が電極5の中心に形成され
る。これに対応する実装基板10の端子11の一列目と
二列目の間隔S2は40μm程度が必要となり、前記の
ように実装基板10の製造自体に困難が生ずる。このた
め、電極5の配置を実装基板の端子11の条件、即ち電
極5の間隔S1が40〜50μm程度、に合わせざるを
得ない状況が生じる。この問題はワイヤー・バンプに限
らず、フリップチップ・ボンディング法に共通した課題
である。
【0008】第二の課題は、台座6の先端のワイヤー1
をIC4と実装基板10の固着に有効に活用させるJ字
型やO字型のバンプに関するものである。即ち、実装基
板10の反り等によりIC4と実装基板10の間隙が局
部的に非常に狭い箇所がある場合は、実装過程で、一部
のJ字型やO字型のワイヤー1に圧力が集中し、そのワ
イヤー1の字型が完全に崩れ、ワイヤー1が延伸して近
接の端子11間の短絡の原因になることがある。図9
A、B1、B2にはその一例として、IC4で千鳥状に
近接して配置された電極5に前述のキャピラリ制御によ
りJ字型バンプ8を形成した場合を示した。AはIC4
の電極5、バンプ8とそれに対応する実装基板10の端
子11の平面配置図を示した。バンプ8の台座6は電極
5の中心に固着される。バンプ8のワイヤー1は、2列
の各電極5上への交互のバンプ形成でキャピラリ2の移
動距離の短縮のために、一般には図示したように相互に
斜めで2列の内側の方向に形成される。B1、B2はI
C4のバンプ8と実装基板10の端子11を導電性接着
材で固着した場合で、B1には通常の状態を示すa−a
線断面図を、B2には一部のバンプ突起部が延伸した状
態を示すb−b線断面図を示した。実装基板10の反り
等が原因で、IC4と実装基板10の面平行度が不十分
なために両者の間隙が局部的に非常に狭い場合には、圧
着の際に局部のバンプ8に圧力が集中してバンプ8のJ
字型をなすワイヤー14は延伸して、ワイヤー14の延
伸に誘導された導電性接着材が隣接端子11等に接続さ
れたり、ワイヤー14自体が隣接端子11等に接したり
する端子間等での短絡の問題が発生する。この様な実装
過程での問題はO字型バンプ9でも起こる。
をIC4と実装基板10の固着に有効に活用させるJ字
型やO字型のバンプに関するものである。即ち、実装基
板10の反り等によりIC4と実装基板10の間隙が局
部的に非常に狭い箇所がある場合は、実装過程で、一部
のJ字型やO字型のワイヤー1に圧力が集中し、そのワ
イヤー1の字型が完全に崩れ、ワイヤー1が延伸して近
接の端子11間の短絡の原因になることがある。図9
A、B1、B2にはその一例として、IC4で千鳥状に
近接して配置された電極5に前述のキャピラリ制御によ
りJ字型バンプ8を形成した場合を示した。AはIC4
の電極5、バンプ8とそれに対応する実装基板10の端
子11の平面配置図を示した。バンプ8の台座6は電極
5の中心に固着される。バンプ8のワイヤー1は、2列
の各電極5上への交互のバンプ形成でキャピラリ2の移
動距離の短縮のために、一般には図示したように相互に
斜めで2列の内側の方向に形成される。B1、B2はI
C4のバンプ8と実装基板10の端子11を導電性接着
材で固着した場合で、B1には通常の状態を示すa−a
線断面図を、B2には一部のバンプ突起部が延伸した状
態を示すb−b線断面図を示した。実装基板10の反り
等が原因で、IC4と実装基板10の面平行度が不十分
なために両者の間隙が局部的に非常に狭い場合には、圧
着の際に局部のバンプ8に圧力が集中してバンプ8のJ
字型をなすワイヤー14は延伸して、ワイヤー14の延
伸に誘導された導電性接着材が隣接端子11等に接続さ
れたり、ワイヤー14自体が隣接端子11等に接したり
する端子間等での短絡の問題が発生する。この様な実装
過程での問題はO字型バンプ9でも起こる。
【0009】上記の2つの課題は、既述の公知例では着
眼されておらず、本発明で初めて認識された課題であ
り、高密度実装の進展とともに益々重要になってくる。
眼されておらず、本発明で初めて認識された課題であ
り、高密度実装の進展とともに益々重要になってくる。
【0010】
【課題を解決するための手段】第一の課題について、請
求項1では、電極上のバンプ(又は台座、以下同じ)を
形成する位置を、電極の中心でなく、バンプの一列目と
二列目の間隔が広がるような位置にした。即ち、各列の
電極の中心を結んだ一列目の中央線と二列目の中央線の
間隔より、各列のバンプの中心を結んだ一列目の中央線
と二列目の中央線の間隔が広くなるように、この電極上
でのバンプの形成位置を構成した。更に請求項2では、
この電極を2列の外側に延長することで、2列のバンプ
の中央線の間隔を広げるようにした。これら手段によ
り、ICのバンプ位置に対応した実装基板の2列の端子
の間隔を広げることが可能になり、この基板を安価で容
易に製造できるようになった。また、結果としてフリッ
プチップ・ボンディングでの該端子間の短絡の確率も減
少する。
求項1では、電極上のバンプ(又は台座、以下同じ)を
形成する位置を、電極の中心でなく、バンプの一列目と
二列目の間隔が広がるような位置にした。即ち、各列の
電極の中心を結んだ一列目の中央線と二列目の中央線の
間隔より、各列のバンプの中心を結んだ一列目の中央線
と二列目の中央線の間隔が広くなるように、この電極上
でのバンプの形成位置を構成した。更に請求項2では、
この電極を2列の外側に延長することで、2列のバンプ
の中央線の間隔を広げるようにした。これら手段によ
り、ICのバンプ位置に対応した実装基板の2列の端子
の間隔を広げることが可能になり、この基板を安価で容
易に製造できるようになった。また、結果としてフリッ
プチップ・ボンディングでの該端子間の短絡の確率も減
少する。
【0011】第二の課題を解決するために、請求項3で
は、バンプ突起部のJ字型やO字型を構成するワイヤー
を含む面及びそのワイヤーの先端が電極列に対して特定
の角度及び位置になるように、この突起部を形成した。
即ち、2列の電極にバンプの台座を接続し、この台座に
連続したワイヤーの一端より他端(先端)を2列の電極
の外側の方向に位置させるようにし、しかも電極の列と
垂直な平面内にワイヤーの突起部を形成した。この手段
により、実装過程で特定バンプのワイヤーに圧力が集中
し、ワイヤーが延伸しても、延伸方向が2列の外側方向
となり、列間での端子等間での短絡が回避される。又こ
の手段は、図7の従来例のワイヤー1を押し潰し整形し
たバンプと異なり、台座上にワイヤーで形づくられた突
起部が構成されているので、ICの基板への実装過程で
ICと基板の間隔にバラツキが有っても、ワイヤーの突
起部の形状が変形することで、全てのバンプを満遍なく
基板へ固着でき、又固着に導電性接着材を使用する場合
にはワイヤーで構成された突起部分に導電性接着材を安
定に装填できる効果も持っている。請求項4では、請求
項3の手段に加えて、台座の各列の中央線の間隔を電極
の各列の中央線の間隔より広くした。この手段により、
請求項3の効果と実装基板の製造を容易にさせる効果を
合わせ持つことができる。
は、バンプ突起部のJ字型やO字型を構成するワイヤー
を含む面及びそのワイヤーの先端が電極列に対して特定
の角度及び位置になるように、この突起部を形成した。
即ち、2列の電極にバンプの台座を接続し、この台座に
連続したワイヤーの一端より他端(先端)を2列の電極
の外側の方向に位置させるようにし、しかも電極の列と
垂直な平面内にワイヤーの突起部を形成した。この手段
により、実装過程で特定バンプのワイヤーに圧力が集中
し、ワイヤーが延伸しても、延伸方向が2列の外側方向
となり、列間での端子等間での短絡が回避される。又こ
の手段は、図7の従来例のワイヤー1を押し潰し整形し
たバンプと異なり、台座上にワイヤーで形づくられた突
起部が構成されているので、ICの基板への実装過程で
ICと基板の間隔にバラツキが有っても、ワイヤーの突
起部の形状が変形することで、全てのバンプを満遍なく
基板へ固着でき、又固着に導電性接着材を使用する場合
にはワイヤーで構成された突起部分に導電性接着材を安
定に装填できる効果も持っている。請求項4では、請求
項3の手段に加えて、台座の各列の中央線の間隔を電極
の各列の中央線の間隔より広くした。この手段により、
請求項3の効果と実装基板の製造を容易にさせる効果を
合わせ持つことができる。
【0012】請求項5は、請求項1〜請求項4の手段に
よるICのバンプを実装基板へ導電性接着材で接続した
実装体構造であり、この手段で請求項1〜請求項4の効
果を高めた実装体を提供できる。
よるICのバンプを実装基板へ導電性接着材で接続した
実装体構造であり、この手段で請求項1〜請求項4の効
果を高めた実装体を提供できる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明による実施例1を図1A、
Bに示した。AはIC4の電極5、バンプ7の平面配置
及び対応する実装基板10の端子11の配置を示した。
電極5の形状、配置は図8の従来例と同一である。バン
プ7の形成法は、図4A、B1の形成過程を基本とし
て、複数の電極5にバンプ7を形成するためにバンプ形
成用装置の記憶部に電極5の位置座標やバンプ形成の位
置座標等のデータを記憶させ、そのデータに基づく制御
部の信号でキャピラリや各種ツールを駆動し、各電極5
に図5AのI字型のバンプ7(高さ40μm)を形成し
た。バンプ7の形成位置は、各列のバンプ7の中心を結
んだ中央線l1、l2が各列の電極5の中心を結んだ中
央線L1、L2の外側10μmに位置するようにした。
この結果、1列目と2列目の端子11の間隔S2は60
μmにすることが可能となり、図6の従来例の間隔S2
の40μmより広いので、IC4を実装する基板の製造
が容易になった。BはIC4を実装基板10へ実装した
例で、端子11へのバンプ7の接続は導電性接着材13
を使用した場合であり、図1Aのa−a線に対応する位
置での断面図を示した。IC4を実装する基板の製造が
容易になる効果と同時に、フリップチップ・ボンディン
グでの列間の隣接端子11の短絡確率が減少することは
容易に理解され得る。
Bに示した。AはIC4の電極5、バンプ7の平面配置
及び対応する実装基板10の端子11の配置を示した。
電極5の形状、配置は図8の従来例と同一である。バン
プ7の形成法は、図4A、B1の形成過程を基本とし
て、複数の電極5にバンプ7を形成するためにバンプ形
成用装置の記憶部に電極5の位置座標やバンプ形成の位
置座標等のデータを記憶させ、そのデータに基づく制御
部の信号でキャピラリや各種ツールを駆動し、各電極5
に図5AのI字型のバンプ7(高さ40μm)を形成し
た。バンプ7の形成位置は、各列のバンプ7の中心を結
んだ中央線l1、l2が各列の電極5の中心を結んだ中
央線L1、L2の外側10μmに位置するようにした。
この結果、1列目と2列目の端子11の間隔S2は60
μmにすることが可能となり、図6の従来例の間隔S2
の40μmより広いので、IC4を実装する基板の製造
が容易になった。BはIC4を実装基板10へ実装した
例で、端子11へのバンプ7の接続は導電性接着材13
を使用した場合であり、図1Aのa−a線に対応する位
置での断面図を示した。IC4を実装する基板の製造が
容易になる効果と同時に、フリップチップ・ボンディン
グでの列間の隣接端子11の短絡確率が減少することは
容易に理解され得る。
【0014】本発明の実施例2として、実施例1の電極
5を2列の外側(図の左右方向)にそれぞれ20μm延
長した場合の例を図2A、Bに示した。図1と同様に、
Aは平面配置図を、Bはa−a線断面図を示した。電極
5の各列の中央線L1とL2の間隔は実施例1より20
μm広がった。バンプ7は、実施例1と同様の過程を経
て、各電極5の中央線L1及びL2のそれぞれの外側の
10μmの位置に形成した。この場合、バンプ7の各列
の中央線l1とl2の間隔は実施例1より更に20μm
だけ広がる。この結果、1列目と2列目の端子11の間
隔S2は80μmにすることが可能で、従来例の間隔S
2の40μmの2倍となり、実装基板10の設計、製造
のマージンが大きくなるという効果が得られる。
5を2列の外側(図の左右方向)にそれぞれ20μm延
長した場合の例を図2A、Bに示した。図1と同様に、
Aは平面配置図を、Bはa−a線断面図を示した。電極
5の各列の中央線L1とL2の間隔は実施例1より20
μm広がった。バンプ7は、実施例1と同様の過程を経
て、各電極5の中央線L1及びL2のそれぞれの外側の
10μmの位置に形成した。この場合、バンプ7の各列
の中央線l1とl2の間隔は実施例1より更に20μm
だけ広がる。この結果、1列目と2列目の端子11の間
隔S2は80μmにすることが可能で、従来例の間隔S
2の40μmの2倍となり、実装基板10の設計、製造
のマージンが大きくなるという効果が得られる。
【0015】本発明の実施例3は、実施例1と同様の電
極5、端子11の構成で、J字型のバンプ8を形成した
場合について、図3A、B1、B2に示した。AはIC
4の電極5、バンプ8の平面配置及び対応する実装基板
10の端子11の配置の図を示した。バンプ8の形成は
実施例1と同様の過程を経るが、特にツールの左右の移
動は右列と左列のバンプ8の形成では対称になる。本実
施例のバンプ8の台座6の形成位置は、各列の台座6の
中心を結んだ中央線l1、l2が各列の電極5の中心を
結んだ中央線L1、L2の各外側10μmに位置するよ
うにした。バンプ8の突起部をなすワイヤー1のJ字型
を構成する面は電極5の各列と垂直であるように、更
に、このワイヤー1の先端がワイヤー1の根元より2列
の電極列に対して外側の方向に位置するように、キャピ
ラリ2の動作を制御してバンプ8(高さ60μm)を形
成した。キャピラリ2の移動は図9の従来例と異なる
が、実用上の問題はない。図3B1、B2は、図1Bと
同様に導電性接着材でバンプ8と端子11を接続した実
装例の断面図である。B1はa−a線での断面図で、通
常の状態を示した。B2はb−b線での断面図で、IC
4と実装基板10の間隔の一部が狭く、特定のJ字型の
ワイヤー14に圧力が集中して、J字型が崩れ延伸した
状態を示した。ワイヤー14の延伸方向は電極5の各列
に直角で、しかも各2列の外側(図の左右方向)に向う
ので、結果として、隣接する電極間やそれに対応する端
子間の短絡が防止される。図示したワイヤー14は、電
極5の列に直角に延伸しているが、延伸方向が多少ずれ
ても前記短絡は防止されることは明白であり、本発明の
主旨が適用できる程度の確度で前記J字型を構成する面
と電極5の列を垂直に構成すればよい。更に実装基板1
0に薄膜等を応用した高精度基板を使用する場合、中央
線のL1とl1及びL2とl2を一致させることがで
き、本発明のより高い効果が発揮される。本実施例では
バンプ8と端子11の接続に導電性接着材13を用いた
が、この材料は特に限定される事はなく、銀ペーストや
異方性導電樹脂等でもよく、更には半田接続や熱圧着等
に応用すれば電極5と端子11の間隙のバラツキ等をJ
字型の突起部の変形で吸収させて全てのバンプ8と端子
11を満遍なく接続させながら本発明の効果も発揮でき
る。
極5、端子11の構成で、J字型のバンプ8を形成した
場合について、図3A、B1、B2に示した。AはIC
4の電極5、バンプ8の平面配置及び対応する実装基板
10の端子11の配置の図を示した。バンプ8の形成は
実施例1と同様の過程を経るが、特にツールの左右の移
動は右列と左列のバンプ8の形成では対称になる。本実
施例のバンプ8の台座6の形成位置は、各列の台座6の
中心を結んだ中央線l1、l2が各列の電極5の中心を
結んだ中央線L1、L2の各外側10μmに位置するよ
うにした。バンプ8の突起部をなすワイヤー1のJ字型
を構成する面は電極5の各列と垂直であるように、更
に、このワイヤー1の先端がワイヤー1の根元より2列
の電極列に対して外側の方向に位置するように、キャピ
ラリ2の動作を制御してバンプ8(高さ60μm)を形
成した。キャピラリ2の移動は図9の従来例と異なる
が、実用上の問題はない。図3B1、B2は、図1Bと
同様に導電性接着材でバンプ8と端子11を接続した実
装例の断面図である。B1はa−a線での断面図で、通
常の状態を示した。B2はb−b線での断面図で、IC
4と実装基板10の間隔の一部が狭く、特定のJ字型の
ワイヤー14に圧力が集中して、J字型が崩れ延伸した
状態を示した。ワイヤー14の延伸方向は電極5の各列
に直角で、しかも各2列の外側(図の左右方向)に向う
ので、結果として、隣接する電極間やそれに対応する端
子間の短絡が防止される。図示したワイヤー14は、電
極5の列に直角に延伸しているが、延伸方向が多少ずれ
ても前記短絡は防止されることは明白であり、本発明の
主旨が適用できる程度の確度で前記J字型を構成する面
と電極5の列を垂直に構成すればよい。更に実装基板1
0に薄膜等を応用した高精度基板を使用する場合、中央
線のL1とl1及びL2とl2を一致させることがで
き、本発明のより高い効果が発揮される。本実施例では
バンプ8と端子11の接続に導電性接着材13を用いた
が、この材料は特に限定される事はなく、銀ペーストや
異方性導電樹脂等でもよく、更には半田接続や熱圧着等
に応用すれば電極5と端子11の間隙のバラツキ等をJ
字型の突起部の変形で吸収させて全てのバンプ8と端子
11を満遍なく接続させながら本発明の効果も発揮でき
る。
【0016】以上の実施例では、近接した2列バンプの
一組をICの周辺部に形成した図をを示したが、複数組
であっても又周辺部に限らずに本発明のバンプの形成が
可能なことは、本発明の作用から明らかである。また、
バンプ列の間隔の拡大や電極の延長を2列の外側へ対称
に実施した例を示したが、非対称等の実施でもよく、又
列内の電極の配置や形状についても、例えば電極間隔や
大きさが同一でなく又千鳥配列でない等でも構わず、本
発明の主旨を適用できるものであればよい。又実施例で
はICを例示したが、本発明は薄膜回路素子やマルチチ
ップモジュール等の各種電気回路素子に適用でき、更に
表示デバイス等の実装体に適用できる。
一組をICの周辺部に形成した図をを示したが、複数組
であっても又周辺部に限らずに本発明のバンプの形成が
可能なことは、本発明の作用から明らかである。また、
バンプ列の間隔の拡大や電極の延長を2列の外側へ対称
に実施した例を示したが、非対称等の実施でもよく、又
列内の電極の配置や形状についても、例えば電極間隔や
大きさが同一でなく又千鳥配列でない等でも構わず、本
発明の主旨を適用できるものであればよい。又実施例で
はICを例示したが、本発明は薄膜回路素子やマルチチ
ップモジュール等の各種電気回路素子に適用でき、更に
表示デバイス等の実装体に適用できる。
【0017】
【発明の効果】請求項1、請求項2は、電気回路素子を
フリップチップ・ボンディングする実装基板の配線、端
子等の設計を容易にし、実装基板を安価に高い歩留りで
製造させるものであり、更に前記ボンディング過程での
端子等間での短絡を抑制させるものである。請求項3の
効果は、前記ボンディングを容易化すること及び前記ボ
ンディング過程での端子等間での短絡を回避することで
ある。請求項4、請求項5の効果は、前記の請求項1〜
3の効果を合わせ持つものである。
フリップチップ・ボンディングする実装基板の配線、端
子等の設計を容易にし、実装基板を安価に高い歩留りで
製造させるものであり、更に前記ボンディング過程での
端子等間での短絡を抑制させるものである。請求項3の
効果は、前記ボンディングを容易化すること及び前記ボ
ンディング過程での端子等間での短絡を回避することで
ある。請求項4、請求項5の効果は、前記の請求項1〜
3の効果を合わせ持つものである。
【図1】A、Bは実施例1の平面配置図とa−a線断面
図である。
図である。
【図2】A、Bは実施例2の平面配置図とa−a線断面
図である。
図である。
【図3】A、B1、B2は実施例3の平面配置 及びa
−a線断面でのバンプ突起部の通常の状態とb−b線断
面でのバンプ突起部が延伸した状態の図である。
−a線断面でのバンプ突起部の通常の状態とb−b線断
面でのバンプ突起部が延伸した状態の図である。
【図4】A、B1、B2はワイヤー・バンプの形成過程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】A〜Cはワイヤー・バンプの例を示す断面図で
ある。
ある。
【図6】A〜Cは従来例で、フリップチップ・ボンディ
ングの例を示す断面図である。
ングの例を示す断面図である。
【図7】A、Bは残されたワイヤーの整形法とバンプ配
列の従来例の図である。
列の従来例の図である。
【図8】A、Bは従来例の平面配置図とa−a線断面図
である。
である。
【図9】A、B1、B2は従来例の、平面配置 及びa
−a線断面でのバンプ突起部の通常の状態とb−b線断
面でのバンプ突起部が延伸した状態を示す図である。
−a線断面でのバンプ突起部の通常の状態とb−b線断
面でのバンプ突起部が延伸した状態を示す図である。
1,ワイヤー、2,キャピラリ、3,球、4,IC、
5,電極、6,台座、7,I字型バンプ、8,J字型バ
ンプ、9,O字型バンプ、10,実装基板、11,端
子、12,バンプ、13,導電性接着材、14,延伸し
たワイヤー、15,整形治具、
5,電極、6,台座、7,I字型バンプ、8,J字型バ
ンプ、9,O字型バンプ、10,実装基板、11,端
子、12,バンプ、13,導電性接着材、14,延伸し
たワイヤー、15,整形治具、
Claims (5)
- 【請求項1】近接した2列の状態で配置され、各列の中
央線の間隔が第1の間隔である電極と、 前記電極上に設けられ、各列の中央線の間隔が第2の間
隔であるバンプとを有し、 前記第2の間隔が前記第1の間隔より広いことを特徴と
する電気回路素子。 - 【請求項2】請求項1において、前記第1の間隔が広が
るように前記電極を延長したことを特徴とする電気回路
素子。 - 【請求項3】近接した2列の状態で配置された電極と、 前記電極に接続された台座と、前記台座の突起をなすよ
うに設けられたワイヤーとで構成されたバンプとを有
し、 前記ワイヤーは、前記台座に連続した一端が他端より前
記2列の電極の外側の方向に位置するように、前記電極
の列に垂直な平面に設けられたことを特徴とする電気回
路素子。 - 【請求項4】請求項3において、前記台座の各列の中央
線の間隔が前記電極の各列の中央線の間隔より広くなる
よう形成された前記バンプを有することを特徴とする電
気回路素子。 - 【請求項5】請求項1又は請求項2又は請求項3又は請
求項4に記載の前記電気回路素子のバンプと前記電気回
路素子を搭載する基板の端子とを導電性接着材で接続す
ることを特徴とする電気回路素子の実装体構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26280296A JPH10107083A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 電気回路素子及びその実装体構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26280296A JPH10107083A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 電気回路素子及びその実装体構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10107083A true JPH10107083A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17380820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26280296A Withdrawn JPH10107083A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 電気回路素子及びその実装体構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10107083A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297759A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの実装構造および液晶表示装置 |
JP2002252249A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-09-06 | Au Optronics Corp | 金属バンプ |
JP2019102803A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ及びカメラモジュール |
CN110194435A (zh) * | 2018-02-26 | 2019-09-03 | Tdk电子股份有限公司 | 电子设备 |
US11411038B2 (en) | 2017-11-28 | 2022-08-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor package and camera module |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP26280296A patent/JPH10107083A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297759A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの実装構造および液晶表示装置 |
JP2002252249A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-09-06 | Au Optronics Corp | 金属バンプ |
JP2019102803A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ及びカメラモジュール |
US11411038B2 (en) | 2017-11-28 | 2022-08-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor package and camera module |
US11862657B2 (en) | 2017-11-28 | 2024-01-02 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor package and camera module |
CN110194435A (zh) * | 2018-02-26 | 2019-09-03 | Tdk电子股份有限公司 | 电子设备 |
JP2019165209A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-26 | Tdk株式会社 | 電子デバイス |
US10903156B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-01-26 | Tdk Corporation | Electronic device with stud bumps |
US11444015B2 (en) | 2018-02-26 | 2022-09-13 | Tdk Corporation | Electronic device with stud bumps |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |