JP2771301B2 - Ｔａｂリード型半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂリード型半導体装置Info
- Publication number
- JP2771301B2 JP2771301B2 JP2031097A JP3109790A JP2771301B2 JP 2771301 B2 JP2771301 B2 JP 2771301B2 JP 2031097 A JP2031097 A JP 2031097A JP 3109790 A JP3109790 A JP 3109790A JP 2771301 B2 JP2771301 B2 JP 2771301B2
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- Japan
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- semiconductor device
- lead
- type semiconductor
- insulating tape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はTABリード型半導体装置に関するものであ
り、詳細には、絶縁性テープの透孔に半導体ペレットを
収納配置し、絶縁性テープ上に形成されたリードに半導
体ペレットのバンプ電極を圧着してなるTABリード型半
導体装置において、バンプ電極の個数増加に対応するた
めのリードの配設パターンの改良に関するものである。
り、詳細には、絶縁性テープの透孔に半導体ペレットを
収納配置し、絶縁性テープ上に形成されたリードに半導
体ペレットのバンプ電極を圧着してなるTABリード型半
導体装置において、バンプ電極の個数増加に対応するた
めのリードの配設パターンの改良に関するものである。
TAB〔テープ・オートメイテッド・ボンディング〕リ
ード型半導体装置は、ICの高密度実装の手法として賞用
されており、その用途としては、例えばフレキシブルな
フィルム状プリント基板等に組付けられるカメラ用IC等
がある。
ード型半導体装置は、ICの高密度実装の手法として賞用
されており、その用途としては、例えばフレキシブルな
フィルム状プリント基板等に組付けられるカメラ用IC等
がある。
このTABリード型半導体装置（１）は、例えば第３図
および第４図に示すような形状と構造を具えている。同
図において、（２）は絶縁性テープ、例えばポリイミド
テープから成形された枠状フィルム、（３）（３）…は
Cu箔等の上にAuメッキやSnメッキ等を施すことによって
形成された金属箔リードで、枠状フィルム（２）の本体
部分に向かって延びると共に、その中間部分を枠状フィ
ルム（２）に接着することによって長さの等しい複数本
のリードを形成している。（４）はAuの盛上げメッキに
よって表面に複数個のバンプ電極（５）（５）…を突出
形成した半導体ペレットで、上記リード（３）（３）…
の内端部とバンプ電極（５）（５）…とを熱圧着するこ
とによって、枠状フィルム（２）の内側にリード（３）
（３）…を介して接着支持されている。
および第４図に示すような形状と構造を具えている。同
図において、（２）は絶縁性テープ、例えばポリイミド
テープから成形された枠状フィルム、（３）（３）…は
Cu箔等の上にAuメッキやSnメッキ等を施すことによって
形成された金属箔リードで、枠状フィルム（２）の本体
部分に向かって延びると共に、その中間部分を枠状フィ
ルム（２）に接着することによって長さの等しい複数本
のリードを形成している。（４）はAuの盛上げメッキに
よって表面に複数個のバンプ電極（５）（５）…を突出
形成した半導体ペレットで、上記リード（３）（３）…
の内端部とバンプ電極（５）（５）…とを熱圧着するこ
とによって、枠状フィルム（２）の内側にリード（３）
（３）…を介して接着支持されている。
ところで、最近ICの高密度実装を実現するため、半導
体ペレット１個当たりのバンプ電極（５）（５）…の配
設個数が益々増加しつつある。バンプ電極（５）（５）
…は、通常、半導体ペレット（４）の周縁部に１列だけ
整列配置されていたが、半導体ペレット（４）１個当た
りのバンプ電極（５）の数が400個程度となるTABリード
型半導体装置（１）では、半導体ペレット（４）の周縁
部にバンプ電極（５）（５）…を１列だけで整列配置す
ると、隣接するバンプ電極（５）（５）間の間隔が狭く
なり、短絡やリード（３）（３）…のパターンニング不
良等の製品欠陥が発生し易くなる。
体ペレット１個当たりのバンプ電極（５）（５）…の配
設個数が益々増加しつつある。バンプ電極（５）（５）
…は、通常、半導体ペレット（４）の周縁部に１列だけ
整列配置されていたが、半導体ペレット（４）１個当た
りのバンプ電極（５）の数が400個程度となるTABリード
型半導体装置（１）では、半導体ペレット（４）の周縁
部にバンプ電極（５）（５）…を１列だけで整列配置す
ると、隣接するバンプ電極（５）（５）間の間隔が狭く
なり、短絡やリード（３）（３）…のパターンニング不
良等の製品欠陥が発生し易くなる。
上記課題の解決手段として本発明は、絶縁性テープに
穿設された透光内に半導体ペレットを収納配置し、絶縁
性テープ上から透孔に向けて突出したリードに上記半導
体ペレットのバンプ電極を圧着したものにおいて、上記
半導体ペレットは周辺部に多数個のバンプ電極を千鳥状
に整列させて配設し、かつリードは各バンプ電極と対応
させて、突出長さを異ならせ、突出長さの大きいリード
支持枠にて連結するとともにこの支持枠の一部を絶縁テ
ープに連結したことを特徴とするTABリード型半導体装
置を提供するものである。
穿設された透光内に半導体ペレットを収納配置し、絶縁
性テープ上から透孔に向けて突出したリードに上記半導
体ペレットのバンプ電極を圧着したものにおいて、上記
半導体ペレットは周辺部に多数個のバンプ電極を千鳥状
に整列させて配設し、かつリードは各バンプ電極と対応
させて、突出長さを異ならせ、突出長さの大きいリード
支持枠にて連結するとともにこの支持枠の一部を絶縁テ
ープに連結したことを特徴とするTABリード型半導体装
置を提供するものである。
千鳥状に配置されたバンプ電極に対応して、リードの
突出長さを長短交互となるように設定し、突出長さの大
きいリードの先端部分を絶縁性テープの透孔の内側に設
けられた支持枠で支持し、リードのふらつきを防止す
る。
突出長さを長短交互となるように設定し、突出長さの大
きいリードの先端部分を絶縁性テープの透孔の内側に設
けられた支持枠で支持し、リードのふらつきを防止す
る。
第１図は本発明に係るTABリード型半導体装置の概略
平面図、第２図はその要部拡大縦断面図である。尚、以
下の記述において、従来技術を示す第３図および第４図
と同一の構成部材は、原則として同一の参照番号で表示
し、重複する事項に関しては説明を省略する。
平面図、第２図はその要部拡大縦断面図である。尚、以
下の記述において、従来技術を示す第３図および第４図
と同一の構成部材は、原則として同一の参照番号で表示
し、重複する事項に関しては説明を省略する。
第１図はおよび第２図に例示するように、半導体ペレ
ット（４）の上面周縁部には、多数個のバンプ電極（5
a）（5a）…および（5b）（5b）…が、それぞれ略一定
の間隔で２列に、かつ、千鳥配列状態で整列配置されて
いる。そして、このバンプ電極（5a）（5a）…、（5b）
（5b）…の千鳥状の配設パターンに対応して、絶縁性テ
ープ（２）の中央部に穿設された透孔（６）の外周縁か
らは、バンプ電極（5a）（5a）…および（5b）（5b）…
の上方に向かって１本置きに長さを異にしたリード（3
a）（3b）（3a）（3b）…がバンプ電極（5a）（5a）…
および（5b）（5b）…と同数だけ延びている。
ット（４）の上面周縁部には、多数個のバンプ電極（5
a）（5a）…および（5b）（5b）…が、それぞれ略一定
の間隔で２列に、かつ、千鳥配列状態で整列配置されて
いる。そして、このバンプ電極（5a）（5a）…、（5b）
（5b）…の千鳥状の配設パターンに対応して、絶縁性テ
ープ（２）の中央部に穿設された透孔（６）の外周縁か
らは、バンプ電極（5a）（5a）…および（5b）（5b）…
の上方に向かって１本置きに長さを異にしたリード（3
a）（3b）（3a）（3b）…がバンプ電極（5a）（5a）…
および（5b）（5b）…と同数だけ延びている。
短い方のリード（3a）の先端部分は、半導体ペレット
（４）の中心寄りに位置するバンプ電極（5b）の圧着点
の近傍で透孔（６）の内側に絶縁性テープ（２）の一部
として連設された支持枠（2b）の上に位置決め固定状態
で圧着されている。この絶縁性テープ製の支持枠（2b）
（2b）…は、透孔（６）の外周縁に対して略平行に延設
されると共に、それぞれの基端部と終端部を、透孔
（６）の角隅部分から内側に向かって延びる接続部位
（2a）（2a）に接続することによって、絶縁性テープ
（２）の本体と一体化されている。これに対して、絶縁
性テープ（２）の本体から透孔（６）内に向かって延び
る長い方のリード（3b）の先端部分は、上記支持枠（2
b）の外側で、半導体ペレット（４）の外周縁寄りに位
置するバンプ電極（5a）に圧着されている。
（４）の中心寄りに位置するバンプ電極（5b）の圧着点
の近傍で透孔（６）の内側に絶縁性テープ（２）の一部
として連設された支持枠（2b）の上に位置決め固定状態
で圧着されている。この絶縁性テープ製の支持枠（2b）
（2b）…は、透孔（６）の外周縁に対して略平行に延設
されると共に、それぞれの基端部と終端部を、透孔
（６）の角隅部分から内側に向かって延びる接続部位
（2a）（2a）に接続することによって、絶縁性テープ
（２）の本体と一体化されている。これに対して、絶縁
性テープ（２）の本体から透孔（６）内に向かって延び
る長い方のリード（3b）の先端部分は、上記支持枠（2
b）の外側で、半導体ペレット（４）の外周縁寄りに位
置するバンプ電極（5a）に圧着されている。
リード（3a）とバンプ電極（5a）、リード（3b）とバ
ンプ電極（5b）との熱圧着手段としては、ヒータブロッ
ク（７）を利用する。このリードとバンプ電極との熱圧
着は、インデックスを高めるため一括方式で実施するこ
とが望ましいが、リード（3a）（3a）…、（3b）（3b）
…の本数が特に多い場合には、所望の位置決め精度を確
保するため、短手のリード（3a）（3a）…と、長手のリ
ード（3b）（3b）…とに分けて２段階で熱圧着する方
式、あるいはリード（3a）（3a）…および（3b）（3b）
…を１本ずつ個別に熱圧着する方式を採用することも可
能である。
ンプ電極（5b）との熱圧着手段としては、ヒータブロッ
ク（７）を利用する。このリードとバンプ電極との熱圧
着は、インデックスを高めるため一括方式で実施するこ
とが望ましいが、リード（3a）（3a）…、（3b）（3b）
…の本数が特に多い場合には、所望の位置決め精度を確
保するため、短手のリード（3a）（3a）…と、長手のリ
ード（3b）（3b）…とに分けて２段階で熱圧着する方
式、あるいはリード（3a）（3a）…および（3b）（3b）
…を１本ずつ個別に熱圧着する方式を採用することも可
能である。
本発明によれば、半導体ペレット１個当たりのバンプ
電極の数、即ち、リードの本数が多い場合にも、リード
が正確に位置決め固定される。この結果、短絡やリード
のパターンニング不良等の製品欠陥が大幅に減少する。
電極の数、即ち、リードの本数が多い場合にも、リード
が正確に位置決め固定される。この結果、短絡やリード
のパターンニング不良等の製品欠陥が大幅に減少する。
第１図は本発明に係るTABリード型半導体装置の概略平
面図、第２図はその要部拡大縦断面図である。第３図は
従来のTABリード型半導体装置の概略平面図、第４図は
その縦断面図である。 （１）……TABリード型半導体装置、 （２）……絶縁性テープ、 （2a）（2b）……支持枠、 （3a）（3b）……リード、 （４）……半導体ペレット、 （5a）（5b）……バンプ電極、 （６）……透孔。
面図、第２図はその要部拡大縦断面図である。第３図は
従来のTABリード型半導体装置の概略平面図、第４図は
その縦断面図である。 （１）……TABリード型半導体装置、 （２）……絶縁性テープ、 （2a）（2b）……支持枠、 （3a）（3b）……リード、 （４）……半導体ペレット、 （5a）（5b）……バンプ電極、 （６）……透孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性テープに穿設された透光内に半導体
ペレットを収納配置し、絶縁性テープ上から透孔に向け
て突出したリードに上記半導体ペレットのバンプ電極を
圧着したものにおいて、 上記半導体ペレットは周辺部に多数個のバンプ電極を千
鳥状に整列させて配設し、かつリードは各バンプ電極と
対応させて、突出長さを異ならせ、突出長さの大きいリ
ード支持枠にて連結するとともにこの支持枠の一部を絶
縁テープに連結したことを特徴とするTABリード型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031097A JP2771301B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | Ｔａｂリード型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031097A JP2771301B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | Ｔａｂリード型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235343A JPH03235343A (ja) | 1991-10-21 |
| JP2771301B2 true JP2771301B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12321899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031097A Expired - Fee Related JP2771301B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | Ｔａｂリード型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771301B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-10 JP JP2031097A patent/JP2771301B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03235343A (ja) | 1991-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |