JPH0430441A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子を外部回路基板に設けた接続用
ビームリードに接続してなる半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体素子を外部回路基板へ接続する手段として
は種々の方式が知られているが、その中の一つとして、
Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）と呼ばれる方式がある。この方式は、第５図
に示すように、ポリイミドなどからなる絶縁基板１０１
に、銅箔をホトエツチングして形成したビームリード１
０２を、絶縁基板１０１のキャラクタホール１０３の各
側縁部より４方向に突出して形成し、半導体素子１０４
を、その各側縁部に沿って配置した各パッド１０５が前
記ビームリード１０２の各先端に対応するように位置合
わせを行い、突起電極１０６を介して熱圧着により接続
するものである。なお突起電極１０６は、金１ｗ４．ハ
ンダ等で、半導体素子１０４のパッド１０５上に、ある
いはビームリード１０２の先端部に予め形成し、接続に
用いられるようになっている。なお第５図において、１
０７は樹脂封止部である。

〔発明が解決しようとする課Ｂ］ ところで、上記従来のＴＡＢ方式の接続方式を用いた場
合、キャラクタホール１０３の各側縁部より４方向にビ
ームリード１０２を突出形成しているため、各方向にビ
ームリード１０２を突出支持する基板部分を必要とし、
半導体装置全体として正方形に近い形状になり、電子内
視鏡の先端部のように径小で実装スペースが長方形であ
るような微小部分には実装が困難であるという問題点が
ある。

またＴＡＢ方式の接続方式においては、熱圧着工程など
の理由によりビームリードの長さに制約があり、短くす
ることはできないので、第５図においてして示す長さの
ビームリードのためにスペースが必要となり、半導体装
置をより小型化する場合に問題となる。

本発明は、従来のＴＡＢ方式の外部回路基板との接続手
段を用いた半導体装置における上記問題点を解消するた
めになされたもので、電子内視鏡の先端部のように極め
て限られた微小なスペースに組み込むことの可能な小型
の半導体装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用］上記問題点を解
決するため、本発明は、外部回路基板に設けた接続用ビ
ームリードに半導体素子を突起電極を介して接続してな
る半導体装置において、前記接続用ビームリードを前記
外部回路基板の一端縁部のみより一方同に突出するよう
に配置し、該ビームリード先端と半導体素子のパッドと
を突起電極を介して接続するものである。

このように構成することにより、外部回路基板の幅を半
導体素子の幅とほぼ同じサイズとすることが可能となり
、長方形の微小なスペースに実装できる半導体装置を実
現することができる。またビームリードの下方に半導体
素子を位置するように配置することにより、ビームリー
ドの長さ方向のスペースを有効に利用することが可能と
なり、長さ方向のサイズも低減することができる。

（実施例〕 次に実施例について説明する。第１図＾は、本発明に係
る半導体装置の第１実施例を示す断面図で、第１図旧）
は、その封止樹脂層を除いて示す平面口である。図にお
いて、１はポリイミド等からなる絶縁基板で、該絶縁基
板１上には図示しない配線パターンが形成されると共に
、その一端縁部からのみ、一方向に向けて延びる接続用
ビームリード２が形成されている。３は半導体素子で、
該半導体素子３にはその一側端縁部に沿ってパッド４が
形成され、その上部に金などからなる突起電極５が形成
されている。そして半導体素子３を、その突起電極５が
形成されていない側をビームリード２の下方に位置する
ように配置し、突起電極５がビームリード２の先端に対
応するように位置決めしたのち、熱圧着で突起電極５を
介してビームリード２とパッド４とを接続する。次いで
エポキシ樹脂などで半導体素子３の表面及びそれに対応
するビームリード部分を被覆して樹脂封止部６を形成し
、半導体装置を構成する。なお第１図＾において、７は
半導体素子３の表面に形成されているパッシベーション
膜である。

このように構成した半導体装置おいては、接続用ビーム
リード２は、絶縁基板１の一端縁部からのみ突出形成し
ているので、絶縁基板１の幅は、半導体素子３の幅と同
程度のサイズにすることができ、またビームリード２の
下方に沿って半導体素子３を配置しているため、ビーム
リード２の長さ方向のスペースが有効に利用され、長さ
方向のサイズの低減化を計ることができる。したがって
電子内視鏡の先端部のような長方形状の微小なスペース
にも容易に組み込むことが可能となる。

なお上記実施例では、突起電極５を半導体素子３のパッ
ド４の上面に形成したものを示したが、突起電極はビー
ムリード２の先端に予め設けておいて接続することもで
きる。

第２図は、第２実施例を示す断面図である。この実施例
は、ビームリード２とその下方に配置した半導体素子３
との間に絶縁スペーサ８を介在させたものである。この
絶縁スペーサ８はスクリ−ン印刷法又はディスペンス方
法などにより絶縁層状に形成して構成してもよいし、別
体に形成した絶縁物を挟み込むように配置してもよい。

このように絶縁スペーサ８を介在させることにより半導
体素子３のショート防止や、保護用の樹脂封止部６を形
成する際の樹脂の流れを防止することができる等の効果
が得られる。

第３図へ、　（Ｂ）は、第３実施例を樹脂封止部を除い
て示す側面図及び平面図である。この実施例は、複数（
図示例では２個）の半導体素子３−１．３−２を絶縁基
板１に接続して半導体装置を構成するものである。絶縁
基板１の一端縁部より突出長さの異なるビームリード２
−Ｌ　　２−２を突出形成し、突出長さの短いビームリ
ード２−１に対して、第１及び第２実施例と同様にして
第１の半導体素子３−１を接続し、長いビームリード２
−２に対しては、第１の半導体素子３−１のバッド配置
側縁部と第２の半導体素子３−２のパッド配置側縁部と
を対向させて配置し、長いビームリード２−２と第２の
半導体素子３−２のパッドを同様に突起電極を介して接
続して半導体装置を構成するものである。

この実施例の場合も、絶縁基板の幅をあまり拡大せずに
、しかも長さもあまり大にせずに複数の半導体素子を絶
縁基板に接続することができる。

第４図（Ａ、［Ｅ）は、第４実施例を同様に樹脂封止部
を除いて示す側面図及び平面図である。この実施例は、
２種類の長さのビームリード２−１．　２−２を設け、
半導体素子３には両側端縁部に沿ってパッド４−１．４
−２を形成し、各ビームリード２−１゜２−２とパッド
４−１．４−２を、それぞれ突起電極５を介して接続し
、長短２種類のビームリード２−１゜２−２に１つの半
導体素子３を接続するようにしたものである。

この実施例では、半導体素子を２つの端縁部に沿って配
置したパッドで、ビームリードに接続し、長さ方向にお
いて２個所で支持するようにしているので、半導体素子
に対して安定した接続を行うことができる。

〔発明の効果〕

以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、絶縁基板の一端縁部より一方向に突出配置したビーム
リードに半導体素子を接続して半導体装１を構成してい
るため、絶縁基板の幅サイズを半導体素子の幅とほぼ同
じサイズにすることができ、長方形の微小なスペースに
実装できる半導体装置を容易に得られる。またビームリ
ードの下方に半導体素子を位置するように配置して接続
することにより、ビームリードの長さ方向のスペースを
有効に利用することができ、長さ方向のサイズの低減を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図式は、本発明に係る半導体装置の第１実施例の断
面図で、第１回出）は、その一部を除いて示す平面図、
第２図は、第２実施例を示す断面図、第３図へ、田）は
、第３実施例の一部を除いて示す側面図及び平面図、第
４図＾、田）は、第４実施例の一部を除いて示す側面図
及び平面図、第５図は、従来の半導体装置の一構成例を
示す断面図である。 図において、１は絶縁基板、２．２−１．２−２は接続
用ビームリード、３．３−Ｌ　　３−２は半導体素子、 ２はパッド、 ５は突起電極、 は樹脂封止部、 ７はパッシベーション膜、 ８は絶 縁スペーサを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、外部回路基板に設けた接続用ビームリードに半導体
   素子を突起電極を介して接続してなる半導体装置におい
   て、前記接続用ビームリードを前記外部回路基板の一端
   縁部のみより一方向に突出するように配置し、該ビーム
   リード先端と半導体素子のパッドとを突起電極を介して
   接続したことを特徴とする半導体装置。 ２、前記半導体素子のパッドを一端縁部に沿って配置し
   、該半導体素子をその大部分が前記ビームリードと対向
   するように配置し、該ビームリード先端に半導体素子の
   パッドを突起電極を介して接続すると共に、半導体素子
   のパッドを形成していない他側の表面とビームリードと
   の間に絶縁層を介在させたことを特徴とする請求項１記
   載の半導体装置。