JPH11297759A - 半導体チップの実装構造および液晶表示装置 - Google Patents

半導体チップの実装構造および液晶表示装置

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JPH11297759A
JPH11297759A JP10096484A JP9648498A JPH11297759A JP H11297759 A JPH11297759 A JP H11297759A JP 10096484 A JP10096484 A JP 10096484A JP 9648498 A JP9648498 A JP 9648498A JP H11297759 A JPH11297759 A JP H11297759A
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electrode
electrode terminal
liquid crystal
bump
semiconductor chip
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JP10096484A
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Kinichi Maeda
謹一 前田
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Seiko Epson Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 異方性導電膜を用いたときでも電気的抵抗が
低く、かつ信頼性の高いICの実装構造、およびこの実
装構造を用いた液晶表示装置を提供すること。 【解決手段】 液晶表示装置の透明基板に対して駆動用
IC13を異方性導電膜を用いてCOG実装するにあた
って、駆動用IC13のバンプ電極130をチップの辺
に沿って千鳥状に配列したので、バンプ電極130およ
び基板側の電極端子16を2列に配置することができ
る。従って、バンプ電極130および電極端子16を幅
広に形成できるので、いずれの方向にずれてもそれらの
重なり面積を常に広く確保できる。それ故、バンプ電極
130と電極端子16との間には、異方性導電膜の導電
粒子を多数、介在させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ(以
下、ICという。)の実装構造、およびこの実装構造を
用いた液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】フェイスダウン方式でICを基板上に実
装する構造は、たとえば、図10に示すように、液晶パ
ネルを構成する透明基板などに駆動用IC13を異方性
導電膜(Anisotropic conductti
ve film/ACF)を用いてCOG(Chip
on glass)実装するのに用いられている。この
異方性導電膜を用いた実装方法は、ファインピッチへの
対応が可能であるとともに、多接点を一括して電気的に
接続できるという利点がある。図11(A)に示すよう
に、駆動用IC13の基板との実装面13aには、フェ
イスダウンボンディング用の複数のバンプ電極130が
チップの辺13bに沿って一列に配列されている。従っ
て、バンプ電極130の配列に対応して、図11(B)
に示すように、基板のIC実装領域9には多数の電極端
子16がチップの辺13bに沿うように一列に配列され
ている。
【0003】ここで、電極端子16は、IC実装領域9
に向けて集まってきている各配線パターン6bの端部で
あり、IC実装領域9には多数の配線パターン6bが集
まっている。従って、電極端子16の幅寸法については
大きな制約があるので、電極端子16は、駆動用IC1
3のバンプ電極130よりもわずかに幅広になっている
だけである。なお、図10および図11(B)におい
て、各電極端子16に対してバンプ電極130が重なっ
て接続予定領域130cとなるべき領域を点線で表して
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、1つの駆動用I
C13に形成されるバンプ電極130の数は増す傾向に
あり、それに伴って、バンプ電極130を小さくして高
密度に配置する傾向にある。また、駆動用IC13の小
型化を図った場合もバンプ電極130を小さくして高密
度に配置することになる。それに伴って、基板の側では
電極端子16を小さくして高密度に配置することにな
る。その結果、図12(A)、(B)に示すように、駆
動用IC13のバンプ電極130を正確な位置(点線で
示す接続予定領域130c)に配置しても、バンプ電極
130と電極端子16との重なり面積が狭くなる。ま
た、駆動用IC13の搭載位置が、矢印Aで示す方向あ
るいは矢印Bで示す方向にわずかでもずれると、バンプ
電極130と電極端子16との重なり面積が著しく狭く
なる。従って、バンプ電極130と電極端子16との接
続部分では電気的抵抗の増大や信頼性の低下が発生す
る。特に、駆動用IC13を異方性導電膜を用いて実装
した場合には、バンプ電極130と電極端子16との間
に介在する導電粒子の数が電気的抵抗や信頼性に大きな
影響を及ぼすので、バンプ電極130と電極端子16と
の重なり面積が狭くなるのは好ましくない。
【0005】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
バンプ電極の配列を改良することによって、バンプ電極
と電極端子と重なり面積を拡張し、かつ、ICの搭載位
置がずれてもバンプ電極と電極端子と重なり面積を広く
確保することにより、異方性導電膜を用いたときでも電
気的抵抗が低く、かつ、信頼性の高いICの実装構造、
およびこの実装構造を用いた液晶表示装置を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るICの実装構造では、フェイスダウン
ボンディング用の複数のバンプ電極が基板との実装面に
おいてチップの辺に沿って千鳥状に配列されている半導
体チップが、前記基板側の各電極端子に異方性導電膜を
介して実装されていることを特徴とする。
【0007】本発明では、バンプ電極をチップの辺に沿
って千鳥状に配列したので、バンプ電極を2列に配置し
たことになる。このため、バンプ電極を増加した場合、
あるいはICの小型化を図った場合でも、バンプ電極を
幅広に形成できる。それに伴って、基板の側では電極端
子を2列に配列できるので、電極端子を幅広に形成でき
る。従って、バンプ電極と電極端子と重なり面積を拡張
でき、かつ、ICの搭載位置がずれてもバンプ電極と電
極端子と重なり面積を広く確保することのできる。それ
故、バンプ電極と電極端子と重なり面積を常に広く確保
することができるので、バンプ電極と電極端子との間に
異方性導電膜の導電粒子を多数、介在させることができ
る。よって、異方性導電膜を用いたときでも電気的抵抗
が低く、かつ、信頼性の高いICの実装構造を実現でき
る。
【0008】本発明に係るICによれば、基板側の電極
端子を幅広に構成できることから、電極端子を以下のよ
うに構成することができる。たとえば、前記複数のバン
プ電極のうち、前記半導体チップの前記実装面において
内側で並ぶ第1のバンプ電極に電気的に接続する前記基
板側の第1の電極端子は、前記ICの前記実装面におい
て外周側で並ぶ第2のバンプ電極に電気的に接続する前
記基板側の第2の電極端子同士の電極間距離よりも幅広
に形成する。また、前記電極端子には、当該電極端子に
配線接続された前記基板側の配線パターンよりも幅方向
に張り出す張り出し部分を設けてもよい。さらに、前記
電極端子には、前記バンプ電極との接続予定領域から配
線パターンの延設方向を除く三方の各々に張り出し部分
を設けてもよい。
【0009】本発明に係るICの実装構造は各種の半導
体装置に採用することができる。また、液晶表示装置に
おいて、基板間に液晶が封入された液晶パネルを構成す
る2枚の基板のうちの少なくとも一方の基板に駆動用の
ICを実装するのに用いることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】添付図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。
【0011】(全体構成)図1は、液晶表示装置の外観
を示す斜視図であり、図2は、その分解斜視図である。
図3は、この液晶表示装置における基板への駆動用IC
の実装構造を模式的に示す縦断面図である。なお、図1
および図2には、液晶を駆動するための電極の図示を省
略してあり、この電極については図4および図5を参照
して後述する。
【0012】図1および図2において、液晶表示装置1
0は、たとえば透明なガラスによって形成された第1の
透明基板1と、同じく透明なガラスによって形成された
第2の透明基板2とを有している。これらの基板の一方
にはシール剤3が印刷等によって形成され、このシール
剤3を挟んで第1の透明基板1と第2の透明基板2とが
接着固定されている。また、第1の透明基板1と第2の
透明基板2との間隙(セルギャップ)のうち、シール剤
3で区画形成された液晶封入領域40内には液晶41が
封入されている。第1の透明基板1の外側表面には偏光
板4aが粘着剤などによって貼られ、第2の透明基板2
の外側表面にも偏光板4bが粘着剤などで貼られてい
る。
【0013】第2の透明基板2は第1の透明基板1より
も大きいので、第2の透明基板2に第1の透明基板1を
重ねた状態で、第2の透明基板2はその一部が第1の透
明基板1の下端縁から張り出す。
【0014】この張り出し部分にはIC実装領域9が形
成されており、ここに駆動用IC13がフェイスダウン
ボンディングによりCOG実装される。この部分での実
装構造は詳しくは後述するが、異方性導電膜を第2の透
明基板2と駆動用IC13との間に挟んだ上で、それら
を加熱圧着することによって行われる。従って、この部
分では、図3に示すように、異方性導電膜ACFを介し
て第2の透明基板2のIC実装領域9の電極端子16に
駆動用IC13のバンプ電極130が電気的接続してい
る状態にある。また、第2の透明基板2の外側表面のう
ち、IC実装領域9と重なる領域には、第2の透明基板
2を透過してくる光が原因で駆動用IC13に誤動作が
発生することを防止するための遮光テープ11が貼られ
ている。さらに、駆動用IC13のチップ上面部131
には、チップ上面部131から侵入してくる光が原因で
駆動用IC13に誤動作が発生することを防止するため
の遮光膜DDが形成されている。
【0015】なお、図1および図2からわかるように、
第2の透明基板2において、IC実装領域9より下端側
には入力端子12が形成されており、これらの入力端子
12にはフレキシブルプリント配線基板(図示せず。)
がヒートシールなどの方法で接続される。
【0016】図4および図5はそれぞれ、第1の透明基
板1および第2の透明基板2に形成した透明電極の配置
パターンを示す平面図である。
【0017】図4において、第1の透明基板1の内側表
面には、シール剤3(一点鎖線Lで示す領域付近)で区
画形成された液晶封入領域40の内側で横方向に延びる
複数のストライプ状電極6aと、液晶封入領域40の外
側でストライプ状電極6aを各端子に配線接続するため
の配線パターン6bとからなる電極パターン6(薄膜パ
ターン)が形成されている。この電極パターン6は、透
明なITO膜(Indium Tin Oxide)な
どで形成されている。
【0018】図5において、第2の透明基板2の内側表
面には、シール剤3(一点鎖線Lで示す領域付近)で区
画形成された液晶封入領域40の内側で縦方向に延びる
複数のストライプ状電極7aと、液晶封入領域40の外
側でストライプ状電極7aをIC実装領域9に配線接続
するための配線パターン7bとからなる電極パターン7
(薄膜パターン)が形成されている。この電極パターン
7も、透明なITO膜などで形成されている。
【0019】このように構成した第1の透明基板1と第
2の透明基板2とを所定箇所で電気的な接続を図りなが
ら、図1に示すように接着した状態で、第1の透明基板
1のストライプ状電極6aと第2の透明基板2のストラ
イプ状電極7aとは互いに交差し、各交差部分に画素が
構成される。また、第1の透明基板1と第2の透明基板
2との間隙において、液晶封入領域40には液晶41が
封入される。従って、駆動用IC13に駆動用電力およ
び駆動信号を送ると、駆動用IC13は、駆動信号に基
づいて希望する適宜のストライプ状電極6a、7aに電
圧を印加し、各画素における液晶41の配向状態を制御
し、液晶表示装置10に希望の像を表示する。
【0020】(駆動用ICの実装構造)図6を参照し
て、第2の透明基板2に対して駆動用IC13を異方性
導電膜ACFを用いてCOG実装する方法を説明する。
【0021】まず、図6(A)に示すように、第2の透
明基板2のIC実装領域9に相当する領域を覆うように
所定の大きさの異方性導電膜ACFを残した後、圧着ヘ
ッドTを用いて駆動用IC13を第2の透明基板2に向
けて熱圧着する。その結果、図6(B)に示すように異
方性導電膜ACFの樹脂分が溶融し、図6(C)に示す
ように、駆動用IC13のバンプ電極130は、異方性
導電膜ACFに含まれている導電粒子133を介して第
2の透明基板2の電極端子16に電気的接続することに
なる。
【0022】従って、駆動用IC13のバンプ電極13
0と、第2の透明基板2の電極端子16との重なり面積
が狭いと、その分、駆動用IC13のバンプ電極130
と第2の透明基板2の電極端子16とを電気的接続する
導電粒子133が少なくなってしまう。しかる本形態で
は、図7および図8を参照して以下に説明するように、
駆動用IC13のバンプ電極130と第2の透明基板2
の電極端子16との重なり面積を常に広くなるように構
成してある。
【0023】(バンプ電極130および電極端子16の
構成)図7は、第2の透明基板2に駆動用IC13を実
装する様子を示す説明図である。図8(A)、(B)は
それぞれ、図7に示す駆動用IC13に形成したバンプ
電極130の配置を示す平面図、および第2の透明基板
2に形成した電極端子16の配置を示す平面図である。
【0024】図7に示すように、IC実装領域9には、
図5を参照して説明した配線パターン6bの端部が集ま
っており、その配線パターン6bの先端部分が電極端子
16になっている。
【0025】図8(A)に示すように、駆動用IC13
は、第2の透明基板2との実装面13aに形成されてい
る複数のバンプ電極130がチップの辺13bに沿って
千鳥状に配列されている。従って、駆動用IC13にお
いて、バンプ電極130は、実装面13aにおいて内側
に並ぶ第1のバンプ電極130aと、外周側で並ぶ第2
のバンプ電極130bとからなる2列の電極群として構
成されているので、バンプ電極130を増加した場合、
あるいは駆動用IC13の小型化を図った場合でも、バ
ンプ電極130を幅広あるいは大きめに形成できる。
【0026】それに伴って本形態では、バンプ電極13
0の配列に合わせて、図8(B)に示すように、第2の
透明基板2の側において、電極端子16も千鳥状に配置
されている。従って、電極端子16は、駆動用IC13
の第1のバンプ電極130aに対応する第1の電極端子
16aと、第2のバンプ電極130bに対応する第2の
電極端子16bとからなる2列の端子群として構成され
ている。それ故、第1の電極端子16aおよび第2の電
極端子16bについても幅広に形成できる。
【0027】但し、第1の電極端子16aを幅広に形成
するといっても、第1の電極端子16aに電気的に接続
する配線パターン6bも幅広にすると、この配線パター
ン6bを第2の電極端子16bの間に通せなくなる。従
って、本形態では、配線パターン6bについては従来の
幅寸法L2のままとし、第1の電極端子16aに対し
て、配線パターン6bよりも幅方向に張り出す張り出し
部分161a、161bを形成することにより、その幅
寸法L1を拡大してある。その結果、第1の電極端子1
6aの幅寸法L1は、第2の電極端子16bの離間距離
L3よりも幅広になっている。また、第2の電極端子1
6bを幅広に形成するにあたっても、配線パターン6b
については従来の幅寸法L2のままとし、第2の電極端
子16bに対しても、配線パターン6bよりも幅方向に
張り出す張り出し部分161a、161bを形成するこ
とにより、幅寸法L1を拡大してある。ここで、駆動用
IC13は、バンプ電極130が電極端子16の中央に
位置するように実装されるので、電極端子16において
バンプ電極130が重なって接続予定領域130cとな
るべき領域については点線で表してある。
【0028】また、本形態では、電極端子16(第1お
よび第2の電極端子16a、16b)には、バンプ電極
130との接続予定領域130cから配線パターン6b
の延設方向と反対側(配線パターン6bの先端部)に向
けても張り出し部161cが構成されている。従って、
電極端子16は、バンプ電極130との接続予定領域1
30cから配線パターン6bの延設方向を除く三方の各
々に張り出し部分161a、161b、161cを備え
ている。
【0029】(本形態の効果)このように構成した駆動
用IC13の実装構造では、まず、バンプ電極130を
増加した場合、あるいは駆動用IC13の小型化を図っ
た場合でも、バンプ電極130および電極端子16を幅
広に形成したので、バンプ電極130(第1のバンプ電
極130aおよび第2のバンプ電極130b)と、電極
端子16(第1の電極端子16aおよび第2の電極端子
16b)との重なり面積が広い。
【0030】また、電極端子16には、バンプ電極13
0との接続予定領域130cから三方の各々に張り出し
部分161a、161b、161cが構成されているの
で、図9(A)、(B)に示すように、駆動用IC13
の搭載位置が、矢印Aおよび矢印Bのいずれの方向にず
れても、バンプ電極130(実線で示してある。)は電
極端子16の形成領域上にあり、バンプ電極130と電
極端子16との重なり面積は広いままである。
【0031】それ故、本形態の駆動用IC13の実装構
造によれば、バンプ電極130と電極端子16と重なり
面積が常に広いので、駆動用ICを異方性導電膜ACF
を用いて実装した場合でも、バンプ電極130と電極端
子16との間に多数の導電粒子133を介在させること
ができる。よって、異方性導電膜ACFを用いて駆動用
IC13を実装したときでも、電気的抵抗が小さく、か
つ信頼性の高い実装構造を実現できる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るIC
の実装構造および液晶表示装置では、ICのバンプ電極
をチップの辺に沿って千鳥状に配列したので、バンプ電
極および電極端子を2列に配置することができる。従っ
て、バンプ電極を増加した場合、あるいはICの小型化
を図った場合でも、バンプ電極および電極端子を幅広に
形成できるので、ICの搭載位置がずれてもバンプ電極
は電極端子の形成領域上にあり、バンプ電極と電極端子
と重なり面積が常に広い。それ故、ICを異方性導電膜
を用いて実装した場合でも、バンプ電極と電極端子との
間に多数の導電粒子を介在させることができるので、実
装部分の電気的抵抗を低減でき、かつ信頼性を向上する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、液晶表示装置の外観を示す斜視図であ
る。
【図2】図1に示す液晶表示装置の分解斜視図である。
【図3】図1に示す液晶表示装置の第2の透明基板への
駆動用ICの実装構造を模式的に示す縦断面図である。
【図4】図1に示す液晶表示装置の第1の透明基板に形
成した透明電極の配置パターンを示す平面図である。
【図5】図1に示す液晶表示装置の第2の透明基板に形
成した透明電極の配置パターンを示す平面図である。
【図6】図1に示す液晶表示装置の製造工程のうち、異
方性導電膜を用いて第2の透明基板に駆動用ICを実装
する様子を示す工程断面図である。
【図7】図1に示す液晶表示装置の第2の透明基板に対
する駆動用ICの実装部分の説明図である。
【図8】(A)、(B)はそれぞれ、図7に示す駆動用
ICに形成したバンプ電極の配置を示す平面図、および
第2の透明基板側の電極端子の配置を示す平面図であ
る。
【図9】(A)、(B)はそれぞれ、図8に示す電極端
子に対してバンプ電極がずれた様子を示す平面図であ
る。
【図10】従来のICの実装部分の説明図である。
【図11】(A)、(B)はそれぞれ、図10に示すI
Cに形成したバンプ電極の配置を示す平面図、および基
板側の電極端子の配置を示す平面図である。
【図12】(A)、(B)はそれぞれ、図11に示す電
極端子に対してバンプ電極がずれた様子を示す平面図で
ある。
【符号の説明】
1 第1の透明基板 2 第2の透明基板 3 シール剤 4a、4b 偏光板 6、7 電極パターン(薄膜パターン) 6a、7a ストライプ状電極 6b、7b 配線パターン 9 IC実装領域 10 液晶表示装置 13 駆動用IC 16 電極端子 16a 第1の電極端子 16b 第2の電極端子 40 液晶封入領域 41 液晶 130 バンプ電極 130a 第1のバンプ電極 130b 第2のバンプ電極 130c バンプ電極と電極端子との接続予定領域 133 異方性導電膜の導電粒子 161a、161b、161c 張り出し部分 ACF 異方性導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G09F 9/35 302 G09F 9/35 302

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フェイスダウンボンディング用の複数の
    バンプ電極が基板との実装面においてチップの辺に沿っ
    て千鳥状に配列されている半導体チップが、前記基板側
    の各電極端子に異方性導電膜を介して実装されているこ
    とを特徴とする半導体チップの実装構造。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記複数のバンプ電
    極のうち、前記半導体チップの前記実装面において内側
    で並ぶ第1のバンプ電極に電気的に接続する前記基板側
    の第1の電極端子は、前記半導体チップの前記実装面に
    おいて外周側で並ぶ第2のバンプ電極に電気的に接続す
    る前記基板側の第2の電極端子同士の離間距離よりも幅
    広に形成されていることを特徴とする半導体チップ。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記電極端子は、当
    該電極端子に配線接続された前記基板側の配線パターン
    よりも幅方向に張り出す張り出し部分を備えていること
    を特徴とする半導体チップ。
  4. 【請求項4】 請求項1において、前記電極端子は、前
    記バンプ電極との接続予定領域から配線パターンの延設
    方向を除く三方の各々に張り出し部分を備えていること
    を特徴とする半導体チップの実装構造。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに規定する
    半導体チップの実装構造を用いた液晶表示装置であっ
    て、基板間に液晶が封入された液晶パネルを構成する2
    枚の基板のうちの少なくとも一方の基板に前記半導体チ
    ップが実装されていることを特徴とする液晶表示装置。
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