JP3429718B2 - 表面実装用基板及び表面実装構造 - Google Patents
表面実装用基板及び表面実装構造Info
- Publication number
- JP3429718B2 JP3429718B2 JP30757399A JP30757399A JP3429718B2 JP 3429718 B2 JP3429718 B2 JP 3429718B2 JP 30757399 A JP30757399 A JP 30757399A JP 30757399 A JP30757399 A JP 30757399A JP 3429718 B2 JP3429718 B2 JP 3429718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tip
- bonding pad
- pad
- bonding
- surface mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/494—Connecting portions
- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面実装用基板及び
表面実装構造に係り、より詳細には、突起電極が千鳥状
に配列された半導体装置が表面実装される表面実装用基
板及びそのような半導体装置が表面実装された表面実装
構造に関する。近年、半導体チップの高密度化及び小型
化が急速に進んでいる。これに伴い、半導体チップに設
けられる接続端子数は増加し、したがって、端子間の距
離は小さくなっている。接続端子数の増加に対応するた
めに、接続端子を二列の千鳥状に配列して、接続端子間
の距離をなるべく大きくとることが行われている。
表面実装構造に係り、より詳細には、突起電極が千鳥状
に配列された半導体装置が表面実装される表面実装用基
板及びそのような半導体装置が表面実装された表面実装
構造に関する。近年、半導体チップの高密度化及び小型
化が急速に進んでいる。これに伴い、半導体チップに設
けられる接続端子数は増加し、したがって、端子間の距
離は小さくなっている。接続端子数の増加に対応するた
めに、接続端子を二列の千鳥状に配列して、接続端子間
の距離をなるべく大きくとることが行われている。
【０００２】また、半導体チップが搭載される電子機器
の小型化を図るためには、半導体チップを実装用基板に
実装する際の実装スペースを小さくすることが必要とな
る。このため、半導体チップの接続端子として突起電極
（バンプ）を用い、半導体チップを実装用基板にフリッ
プチップ実装することが行われている。また、大電力化
や良好な高周波数特性を図ったパッケージやマルチチッ
プモジュール（ＭＣＭ）を実現するには、フリップチッ
プ実装といった表面実装工法は必要不可欠な実装技術で
ある。
の小型化を図るためには、半導体チップを実装用基板に
実装する際の実装スペースを小さくすることが必要とな
る。このため、半導体チップの接続端子として突起電極
（バンプ）を用い、半導体チップを実装用基板にフリッ
プチップ実装することが行われている。また、大電力化
や良好な高周波数特性を図ったパッケージやマルチチッ
プモジュール（ＭＣＭ）を実現するには、フリップチッ
プ実装といった表面実装工法は必要不可欠な実装技術で
ある。
【０００３】また、半導体チップの接続端子数をさらに
増加するために、接続端子の配列は、周辺一列配置から
周辺二列、さらにはエリアバンプへと移行しつつある。
しかし、エリアバンプのような配列はボンディングパッ
ド部の再配線およびチップメーカーによるハンダバンプ
形成といういうようなチップ製造プロセスの変更が必要
となる。すなわち、エリアバンプによるフリップチップ
実装を導入するには、半導体チップの設計変更だけでな
く、製造設備の大幅な変更が必要となる。このため、エ
リアバンプへの移行は短期間で行うことはできない。
増加するために、接続端子の配列は、周辺一列配置から
周辺二列、さらにはエリアバンプへと移行しつつある。
しかし、エリアバンプのような配列はボンディングパッ
ド部の再配線およびチップメーカーによるハンダバンプ
形成といういうようなチップ製造プロセスの変更が必要
となる。すなわち、エリアバンプによるフリップチップ
実装を導入するには、半導体チップの設計変更だけでな
く、製造設備の大幅な変更が必要となる。このため、エ
リアバンプへの移行は短期間で行うことはできない。
【０００４】一方、接続端子が周辺二列配置とされた半
導体チップの実装工程は、周辺一列配置の半導体チップ
の実装工程と大きく変わることはなく、半導体チップの
設計変更程度で対応できる。したがって、現状の半導体
チップの接続端子数の増加に対処するために、周辺二列
配置構造を採用した半導体チップの使用が増加してい
る。
導体チップの実装工程は、周辺一列配置の半導体チップ
の実装工程と大きく変わることはなく、半導体チップの
設計変更程度で対応できる。したがって、現状の半導体
チップの接続端子数の増加に対処するために、周辺二列
配置構造を採用した半導体チップの使用が増加してい
る。
【０００５】
【従来の技術】図１は周辺二列配置された突起電極を有
する半導体チップ１を示す。半導体チップ１はフリップ
チップ実装により実装用基板に搭載されるものであり、
突起電極は金バンプ２（金製のスタッドバンプ）として
形成されている。また、金バンプ２は半導体チップ１の
実装面の周囲に二列の千鳥状に配置されている。
する半導体チップ１を示す。半導体チップ１はフリップ
チップ実装により実装用基板に搭載されるものであり、
突起電極は金バンプ２（金製のスタッドバンプ）として
形成されている。また、金バンプ２は半導体チップ１の
実装面の周囲に二列の千鳥状に配置されている。
【０００６】図２は図１に示した半導体チップ１を実装
するための実装用基板３の平面図である。実装用基板３
の導体配線面には、半導体チップ１の金バンプ２の配列
に対応した位置にボンディングパッド４が配置されてい
る。ボンディングパッド４の各々からは導体配線部５が
延在しており、この導体配線部５によりボンディングパ
ッド４の各々は対応する層間接続用パッド６に接続され
る。図２において、半導体チップ１は一点鎖線で示され
る位置に搭載され、金バンプ２は対応するボンディング
パッド４にハンダ付けされる。
するための実装用基板３の平面図である。実装用基板３
の導体配線面には、半導体チップ１の金バンプ２の配列
に対応した位置にボンディングパッド４が配置されてい
る。ボンディングパッド４の各々からは導体配線部５が
延在しており、この導体配線部５によりボンディングパ
ッド４の各々は対応する層間接続用パッド６に接続され
る。図２において、半導体チップ１は一点鎖線で示され
る位置に搭載され、金バンプ２は対応するボンディング
パッド４にハンダ付けされる。
【０００７】なお、図２中で斜線を引いた部分は、ハン
ダをボンディングパッド４に供給する工程においてハン
ダが付着しないようにマスキングするためのソルダレジ
ストが設けられる部分を示している。ボンディングパッ
ド４及び導体配線部５の一部はソルダレジストが設けら
れない部分（ソルダレジスト開口）に配置され、ハンダ
供給工程においてハンダが供給される。
ダをボンディングパッド４に供給する工程においてハン
ダが付着しないようにマスキングするためのソルダレジ
ストが設けられる部分を示している。ボンディングパッ
ド４及び導体配線部５の一部はソルダレジストが設けら
れない部分（ソルダレジスト開口）に配置され、ハンダ
供給工程においてハンダが供給される。
【０００８】また、特開平１１−１４５３２８号公報
は、半導体チップ上に形成されたバンプを導電性接着剤
により基板の導体配線のパッド部に接続する技術を開示
している。半導体チップのバンプは二列千鳥状に配列さ
れており、したがって基板上のパッドも二列千鳥状に配
列されている。各々のパッドの先端からは、パッドの幅
よりも小さい幅を有する導体配線部が、二列のパッドの
うち隣の列における隣接するパッドの間に延在してい
る。
は、半導体チップ上に形成されたバンプを導電性接着剤
により基板の導体配線のパッド部に接続する技術を開示
している。半導体チップのバンプは二列千鳥状に配列さ
れており、したがって基板上のパッドも二列千鳥状に配
列されている。各々のパッドの先端からは、パッドの幅
よりも小さい幅を有する導体配線部が、二列のパッドの
うち隣の列における隣接するパッドの間に延在してい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のような突起電極
が周辺二列配置された半導体チップは、元来ワイヤボン
ディング用に設計されたものであり、突起電極の列の間
隔は１００μｍから１５０μｍと非常に狭くなってい
る。このため、半導体チップをフリップチップ実装によ
り基板に搭載するには、半導体チップの突起電極は対応
するパッドの先端部分に接続されることとなる。
が周辺二列配置された半導体チップは、元来ワイヤボン
ディング用に設計されたものであり、突起電極の列の間
隔は１００μｍから１５０μｍと非常に狭くなってい
る。このため、半導体チップをフリップチップ実装によ
り基板に搭載するには、半導体チップの突起電極は対応
するパッドの先端部分に接続されることとなる。
【００１０】図３は図２に示された実装用基板３のボン
ディングパッド４を含む一部分を拡大した図である。図
３において、半導体チップ１の金バンプ２が接合される
部分は点線で示されている。実装用基板３上の隣接する
導電配線パターンは一般的に銅板をエッチングすること
により形成されるが、現状において、隣接する導電配線
パターンの間隔は最小で約４０μｍである。また、金バ
ンプの直径は８０μｍ程度必要である。したがって、二
列のボンディングパッドの対向する辺の間隔を約４０μ
ｍと最小の値としても、図３に示すように金バンプ２の
一部はボンディングパッド４からはみ出ることとなる。
したがって、位置決め誤差等により金バンプ２の位置が
ボンディングパッド４の長手方向にずれた場合、金バン
プ２がボンディングパッド４から大きくはずれてしまう
おそれがある。
ディングパッド４を含む一部分を拡大した図である。図
３において、半導体チップ１の金バンプ２が接合される
部分は点線で示されている。実装用基板３上の隣接する
導電配線パターンは一般的に銅板をエッチングすること
により形成されるが、現状において、隣接する導電配線
パターンの間隔は最小で約４０μｍである。また、金バ
ンプの直径は８０μｍ程度必要である。したがって、二
列のボンディングパッドの対向する辺の間隔を約４０μ
ｍと最小の値としても、図３に示すように金バンプ２の
一部はボンディングパッド４からはみ出ることとなる。
したがって、位置決め誤差等により金バンプ２の位置が
ボンディングパッド４の長手方向にずれた場合、金バン
プ２がボンディングパッド４から大きくはずれてしまう
おそれがある。
【００１１】また、図３に示されるようにボンディング
パッド４が短冊形状である場合、金バンプ２とボンディ
ングパッド４とのハンダ付けが不充分となるおそれがあ
る。以下、図４を参照しながらハンダ付けが不充分とな
る場合について説明する。図４（ａ）は金バンプ２がボ
ンディングパッド４の正確な位置に配置されてハンダ付
けされた状態を示す断面図であり、図４（ｂ）は金バン
プ２がずれてハンダ接合された状態を示す断面図であ
る。なお、図４（ａ）及び４（ｂ）は、図３の一点鎖線
IV−IVに沿った断面図である。
パッド４が短冊形状である場合、金バンプ２とボンディ
ングパッド４とのハンダ付けが不充分となるおそれがあ
る。以下、図４を参照しながらハンダ付けが不充分とな
る場合について説明する。図４（ａ）は金バンプ２がボ
ンディングパッド４の正確な位置に配置されてハンダ付
けされた状態を示す断面図であり、図４（ｂ）は金バン
プ２がずれてハンダ接合された状態を示す断面図であ
る。なお、図４（ａ）及び４（ｂ）は、図３の一点鎖線
IV−IVに沿った断面図である。
【００１２】半導体チップ１を実装用基板３にフリップ
チップ実装する場合、あらかじめボンディングパッド４
にハンダ７が供給される。ボンディングパッド４に供給
されたハンダ７は、表面張力によりボンディングパッド
４の中央付近で厚く、端部に近づくほど薄くなった形状
となり、そのような形状で個化する。図４（ａ）に示す
ように、金バンプ２が通常の位置にあるときには、金バ
ンプ２はハンダ７の厚い部分に接合される。したがっ
て、金バンプ２はボンディングパッド４に正常にハンダ
付けされる。しかし、図４（ｂ）に示すように、金バン
プ２がボンディングパッド４の長手方向上外側にずれた
場合、金バンプ２はハンダの薄い部分に位置することと
なり、ハンダ付けが不充分となるおそれがある。したが
って、図４（ｂ）のような場合は、フリップチップ実装
の信頼性が低下してしまう。なお、図４中、符号８で示
される部分は半導体チップ１と実装用基板３との接続を
補強するために設けられた接続補強用樹脂である。
チップ実装する場合、あらかじめボンディングパッド４
にハンダ７が供給される。ボンディングパッド４に供給
されたハンダ７は、表面張力によりボンディングパッド
４の中央付近で厚く、端部に近づくほど薄くなった形状
となり、そのような形状で個化する。図４（ａ）に示す
ように、金バンプ２が通常の位置にあるときには、金バ
ンプ２はハンダ７の厚い部分に接合される。したがっ
て、金バンプ２はボンディングパッド４に正常にハンダ
付けされる。しかし、図４（ｂ）に示すように、金バン
プ２がボンディングパッド４の長手方向上外側にずれた
場合、金バンプ２はハンダの薄い部分に位置することと
なり、ハンダ付けが不充分となるおそれがある。したが
って、図４（ｂ）のような場合は、フリップチップ実装
の信頼性が低下してしまう。なお、図４中、符号８で示
される部分は半導体チップ１と実装用基板３との接続を
補強するために設けられた接続補強用樹脂である。
【００１３】また、上述の特開平１１−１４５３２８号
公報に開示されたボンディングパッドを含む導電配線の
構造では、ボンディングパッドの先端から導電配線が延
在しているため、導電配線がない場合と比べて、ボンデ
ィングパッドの先端におけるハンダの厚さをある程度厚
く維持できる。しかし、導電配線が隣の列内で隣接する
２つのボンディングパッドの間まで延在しているため、
隣接するボンディングパッドの間隔を大きくとらなけれ
ばならず、現状の半導体チップの電極ピッチ（約１００
μｍ）に適合したボンディングパッドの配置を達成する
ことはできない。
公報に開示されたボンディングパッドを含む導電配線の
構造では、ボンディングパッドの先端から導電配線が延
在しているため、導電配線がない場合と比べて、ボンデ
ィングパッドの先端におけるハンダの厚さをある程度厚
く維持できる。しかし、導電配線が隣の列内で隣接する
２つのボンディングパッドの間まで延在しているため、
隣接するボンディングパッドの間隔を大きくとらなけれ
ばならず、現状の半導体チップの電極ピッチ（約１００
μｍ）に適合したボンディングパッドの配置を達成する
ことはできない。
【００１４】本発明は、上述の従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、周辺二列千鳥配列の突起電極を有す
る被実装素子を実装用基板に実装する際に、突起電極と
ボンディングパッドとの位置がずれても信頼性の高い表
面実装が実現できる表面実装用基板及び表面実装構造を
提供することを目的とする。
てなされたもので、周辺二列千鳥配列の突起電極を有す
る被実装素子を実装用基板に実装する際に、突起電極と
ボンディングパッドとの位置がずれても信頼性の高い表
面実装が実現できる表面実装用基板及び表面実装構造を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、以下の手段を講じたことを特徴とする
ものである。請求項１記載の発明は、千鳥状に配設され
た複数の突起電極を有する被実装素子が、前記突起電極
に対応するよう基板本体に形成された複数のボンディン
グパッドに表面実装される表面実装基板であって、前記
ボンディングパッドの各々は、所定の一様な幅を有する
パッド部と、該パッド部からボンディングパッドの隣の
列に向かって延在する先端部とを有し、該先端部の各々
は、先端に近づくほど幅が狭くなり、且つ隣の列におけ
る隣接したボンディングパッドの前記先端部とは逆向き
で先端部同士が互いに対向した状態で前記先端部の間ま
で延在するが、隣の列における隣接したボンディングパ
ッドの前記先端部の間まで延在するが、隣の列における
ボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を越え
て延在しないことを特徴とするものである。
に、本発明では、以下の手段を講じたことを特徴とする
ものである。請求項１記載の発明は、千鳥状に配設され
た複数の突起電極を有する被実装素子が、前記突起電極
に対応するよう基板本体に形成された複数のボンディン
グパッドに表面実装される表面実装基板であって、前記
ボンディングパッドの各々は、所定の一様な幅を有する
パッド部と、該パッド部からボンディングパッドの隣の
列に向かって延在する先端部とを有し、該先端部の各々
は、先端に近づくほど幅が狭くなり、且つ隣の列におけ
る隣接したボンディングパッドの前記先端部とは逆向き
で先端部同士が互いに対向した状態で前記先端部の間ま
で延在するが、隣の列における隣接したボンディングパ
ッドの前記先端部の間まで延在するが、隣の列における
ボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を越え
て延在しないことを特徴とするものである。
【００１６】請求項２記載の発明は 請求項１記載の表
面実装用基板であって、前記ボンディングパッドの前記
先端部は、先端に向かって幅が減少する三角形状である
ことを特徴とするものである。
面実装用基板であって、前記ボンディングパッドの前記
先端部は、先端に向かって幅が減少する三角形状である
ことを特徴とするものである。
【００１７】請求項３記載の発明は請求項１又は２記載
の表面実装用基板であって、前記突起電極はスタッドバ
ンプにより形成され、対応する前記ボンディングパッド
にあらかじめ設けられたハンダにより接続されることを
特徴とするものである。
の表面実装用基板であって、前記突起電極はスタッドバ
ンプにより形成され、対応する前記ボンディングパッド
にあらかじめ設けられたハンダにより接続されることを
特徴とするものである。
【００１８】請求項４記載の発明は、周辺二列千鳥状に
配設された複数の突起電極を有する被実装素子と、前記
突起電極に対応するよう基板本体に形成された複数のボ
ンディングパッドを有する表面実装基板とよりなる表面
実装構造であって、前記ボンディングパッドの各々は、
所定の一様な幅を有するパッド部と、該パッド部からボ
ンディングパッドの隣の列に向かって延在する先端部と
を有し、該先端部の各々は、先端に近づくほど幅が狭く
なり、且つ隣の列における隣接したボンディングパッド
の前記先端部とは逆向きで先端部同士が互いに対向した
状態で前記先端部の間まで延在するが、隣の列における
ボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を越え
て延在しておらず、前記突起電極の各々は、前記ボンデ
ィングパッドの各々に設けられたハンダにより接続され
ていることを特徴とするものである。
配設された複数の突起電極を有する被実装素子と、前記
突起電極に対応するよう基板本体に形成された複数のボ
ンディングパッドを有する表面実装基板とよりなる表面
実装構造であって、前記ボンディングパッドの各々は、
所定の一様な幅を有するパッド部と、該パッド部からボ
ンディングパッドの隣の列に向かって延在する先端部と
を有し、該先端部の各々は、先端に近づくほど幅が狭く
なり、且つ隣の列における隣接したボンディングパッド
の前記先端部とは逆向きで先端部同士が互いに対向した
状態で前記先端部の間まで延在するが、隣の列における
ボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を越え
て延在しておらず、前記突起電極の各々は、前記ボンデ
ィングパッドの各々に設けられたハンダにより接続され
ていることを特徴とするものである。
【００１９】請求項５記載の発明は、請求項４記載の表
面実装構造であって、前記ボンディングパッドの前記先
端部は、先端に向かって幅が減少する三角形状であるこ
とを特徴とするものである。
面実装構造であって、前記ボンディングパッドの前記先
端部は、先端に向かって幅が減少する三角形状であるこ
とを特徴とするものである。
【００２０】請求項６記載の発明は、請求項４又は５記
載の表面実装構造であって、前記突起電極はスタッドバ
ンプにより形成されていることを特徴とするものであ
る。上記の各手段は次のように作用する。請求項１記載
の発明によれば、突起電極のボンディングパッドへの接
続部をボンディングパッドの先端から遠ざけることがで
き、位置ずれが生じたときでも、突起電極がボンディン
グパッドから大きく外れることはない。したがって、被
実装素子の突起電極と実装用基板のボンディングパッド
とを確実に接続することができ、信頼性の高い表面実装
が実現される。
載の表面実装構造であって、前記突起電極はスタッドバ
ンプにより形成されていることを特徴とするものであ
る。上記の各手段は次のように作用する。請求項１記載
の発明によれば、突起電極のボンディングパッドへの接
続部をボンディングパッドの先端から遠ざけることがで
き、位置ずれが生じたときでも、突起電極がボンディン
グパッドから大きく外れることはない。したがって、被
実装素子の突起電極と実装用基板のボンディングパッド
とを確実に接続することができ、信頼性の高い表面実装
が実現される。
【００２１】また、ボンディングパッドの先端部が、隣
の列における隣接したボンディングパッドの先端部の間
まで延在することにより、突起電極の接続部からボンデ
ィングパッドの先端までの距離をより大きくすることが
できる。請求項２記載の発明によれば、ボンディングパ
ッドの先端部が先端に向かって幅が減少する三角形状で
あるため、隣の列のボンディングパッドの先端部との距
離を一定に保った状態で面積の大きい先端部を効率よく
形成することができる。
の列における隣接したボンディングパッドの先端部の間
まで延在することにより、突起電極の接続部からボンデ
ィングパッドの先端までの距離をより大きくすることが
できる。請求項２記載の発明によれば、ボンディングパ
ッドの先端部が先端に向かって幅が減少する三角形状で
あるため、隣の列のボンディングパッドの先端部との距
離を一定に保った状態で面積の大きい先端部を効率よく
形成することができる。
【００２２】請求項３記載の発明によれば、被実装素子
のスタッドバンプは実装基板のボンディングパッドにあ
らかじめ設けられたハンダにより接続される。ボンディ
ングパッドの先端が延長されているため、スタッドバン
プの接続部とボンディングパッドの先端との間の距離が
増大され、ハンダの厚みの大きい部分で接合される。こ
れにより、スタッドバンプは確実にハンダ付けされ、信
頼性の高い表面実装が実現される。
のスタッドバンプは実装基板のボンディングパッドにあ
らかじめ設けられたハンダにより接続される。ボンディ
ングパッドの先端が延長されているため、スタッドバン
プの接続部とボンディングパッドの先端との間の距離が
増大され、ハンダの厚みの大きい部分で接合される。こ
れにより、スタッドバンプは確実にハンダ付けされ、信
頼性の高い表面実装が実現される。
【００２３】請求項４記載の発明によれば、突起電極の
ボンディングパッドへの接続部をボンディングパッドの
先端から遠ざけることができ、位置ずれが生じたときで
も、突起電極がボンディングパッドから大きく外れるこ
とはない。また、ボンディングパッドの先端が延長され
ているため、スタッドバンプの接続部とボンディングパ
ッドの先端との間の距離が増大され、ハンダの厚みの大
きい部分で接合される。これにより、被実装素子の突起
電極と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続
することができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
ボンディングパッドへの接続部をボンディングパッドの
先端から遠ざけることができ、位置ずれが生じたときで
も、突起電極がボンディングパッドから大きく外れるこ
とはない。また、ボンディングパッドの先端が延長され
ているため、スタッドバンプの接続部とボンディングパ
ッドの先端との間の距離が増大され、ハンダの厚みの大
きい部分で接合される。これにより、被実装素子の突起
電極と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続
することができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
【００２４】また、ボンディングパッドの先端部が、隣
の列における隣接したボンディングパッドの先端部の間
まで延在することにより、突起電極の接続部からボンデ
ィングパッドの先端までの距離をより大きくすることが
できる。請求項５記載の発明によれば、ボンディングパ
ッドの先端部が先端に向かって幅が減少する三角形状で
あるため、隣の列のボンディングパッドの先端部との距
離を一定に保った状態で面積の大きい先端部を効率よく
形成することができる。
の列における隣接したボンディングパッドの先端部の間
まで延在することにより、突起電極の接続部からボンデ
ィングパッドの先端までの距離をより大きくすることが
できる。請求項５記載の発明によれば、ボンディングパ
ッドの先端部が先端に向かって幅が減少する三角形状で
あるため、隣の列のボンディングパッドの先端部との距
離を一定に保った状態で面積の大きい先端部を効率よく
形成することができる。
【００２５】請求項６記載の発明によれば、突起電極は
スタッドバンプにより形成されるため、ピッチの狭い突
起電極を高い信頼性でボンディングパッドにハンダ付け
することができる。
スタッドバンプにより形成されるため、ピッチの狭い突
起電極を高い信頼性でボンディングパッドにハンダ付け
することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照しながら説明する。図５は本発明の実施の形態によ
る実装用基板の平面図である。図５において、図２に示
された構成部品と同じ部品には同じ符号を付し、その説
明は省略する。図５から明らかなように、本発明の実施
の形態による実装用基板１０では、図２に示す従来の実
装用基板１に設けられたボンディングパッド４とは異な
り、ボンディングパッド１４の先端部１４ｂが三角形状
に形成されている。すなわち、図２に示す従来の実装用
基板１に設けられたボンディングパッド４の先端はボン
ディングパッド４の配列方向に平行な直線であるが、本
発明の実施の形態による実装用基板に設けられたボンデ
ィングパッド１４の先端部１４ｂの幅は徐々に小さくな
っている。ボンディングパッド１４の先端部１４ｂをこ
のような三角形状とすることにより、ボンディングパッ
ド１４の先端部１４ｂを隣の列に向かう方向に延長する
ことが可能となる。
参照しながら説明する。図５は本発明の実施の形態によ
る実装用基板の平面図である。図５において、図２に示
された構成部品と同じ部品には同じ符号を付し、その説
明は省略する。図５から明らかなように、本発明の実施
の形態による実装用基板１０では、図２に示す従来の実
装用基板１に設けられたボンディングパッド４とは異な
り、ボンディングパッド１４の先端部１４ｂが三角形状
に形成されている。すなわち、図２に示す従来の実装用
基板１に設けられたボンディングパッド４の先端はボン
ディングパッド４の配列方向に平行な直線であるが、本
発明の実施の形態による実装用基板に設けられたボンデ
ィングパッド１４の先端部１４ｂの幅は徐々に小さくな
っている。ボンディングパッド１４の先端部１４ｂをこ
のような三角形状とすることにより、ボンディングパッ
ド１４の先端部１４ｂを隣の列に向かう方向に延長する
ことが可能となる。
【００２７】ボンディングパッド１４は実装される半導
体チップ１の金バンプ２の配列に対応して二列千鳥状に
配置されているため、先端部１４ｂを隣の列に向かって
延長しても、三角形状であれば対向するボンディングパ
ッド１４の先端部１４ｂに重なることはない。このよう
に、ボンディングパッド１４の先端部１４ｂを延長する
ことにより、半導体チップ１の金バンプ２の位置がボン
ディングパッドの長手方向に多少ずれたとしても、金バ
ンプ２がボンディングパッド１４から大きくはずれるこ
とはない。また、金バンプ２をボンディングパッド１４
にハンダ付けする場合に、ハンダの厚さの薄い先端部に
金バンプ２が配置されることがなく、信頼性の高いハン
ダ付けが達成される。
体チップ１の金バンプ２の配列に対応して二列千鳥状に
配置されているため、先端部１４ｂを隣の列に向かって
延長しても、三角形状であれば対向するボンディングパ
ッド１４の先端部１４ｂに重なることはない。このよう
に、ボンディングパッド１４の先端部１４ｂを延長する
ことにより、半導体チップ１の金バンプ２の位置がボン
ディングパッドの長手方向に多少ずれたとしても、金バ
ンプ２がボンディングパッド１４から大きくはずれるこ
とはない。また、金バンプ２をボンディングパッド１４
にハンダ付けする場合に、ハンダの厚さの薄い先端部に
金バンプ２が配置されることがなく、信頼性の高いハン
ダ付けが達成される。
【００２８】なお、本実施の形態における実装用基板１
の基板本体としては、プリント基板あるいはセラミック
基板等が使用できる。また、図５中で斜線を引いた部分
は、ハンダをボンディングパッド１４に供給する工程に
おいてハンダが付着しないようにマスキングするための
ソルダレジストが設けられる部分を示している。ボンデ
ィングパッド１４及び導体配線部５の一部はソルダレジ
ストが設けられない部分（ソルダレジスト開口）に配置
され、ハンダ供給工程においてハンダが供給される。
の基板本体としては、プリント基板あるいはセラミック
基板等が使用できる。また、図５中で斜線を引いた部分
は、ハンダをボンディングパッド１４に供給する工程に
おいてハンダが付着しないようにマスキングするための
ソルダレジストが設けられる部分を示している。ボンデ
ィングパッド１４及び導体配線部５の一部はソルダレジ
ストが設けられない部分（ソルダレジスト開口）に配置
され、ハンダ供給工程においてハンダが供給される。
【００２９】次に、図６及び図７を参照しながら、本発
明の第１実施例によるボンディングパッドについて説明
する。図６は本発明の第１実施例によるボンディングパ
ッドの平面図である。図６に示すボンディングパッド１
６は、一様な幅を有するパッド部１６ａと、パッド部１
６ａから延在した三角形状の先端部１６ｂとよりなる。
パッド部１６ａは半導体チップ１の金バンプ２がフリッ
プチップ実装される際にハンダが供給される部分であ
る。パッド部はハンダを十分に供給できるように一様な
所定の幅及び長さを有する。なお、パッド部は一様な幅
となるように形成されるが、製造上のバラツキやエッチ
ングによる形成等に起因して多少幅がバラツクことがあ
る。しかし、このような幅のバラツキは一様な幅という
範疇に入るものとする。先端部１６ｂは隣の列のボンデ
ィングパッド１６に面する側に形成され、先端に近づく
ほど幅が狭くなる。パッド部１６ａに供給されたハンダ
は先端部１６ｂにも供給される。そして、図６に示すよ
うに、金バンプ２はパッド部１６ａと先端部１６ｂとに
またがって配置される。
明の第１実施例によるボンディングパッドについて説明
する。図６は本発明の第１実施例によるボンディングパ
ッドの平面図である。図６に示すボンディングパッド１
６は、一様な幅を有するパッド部１６ａと、パッド部１
６ａから延在した三角形状の先端部１６ｂとよりなる。
パッド部１６ａは半導体チップ１の金バンプ２がフリッ
プチップ実装される際にハンダが供給される部分であ
る。パッド部はハンダを十分に供給できるように一様な
所定の幅及び長さを有する。なお、パッド部は一様な幅
となるように形成されるが、製造上のバラツキやエッチ
ングによる形成等に起因して多少幅がバラツクことがあ
る。しかし、このような幅のバラツキは一様な幅という
範疇に入るものとする。先端部１６ｂは隣の列のボンデ
ィングパッド１６に面する側に形成され、先端に近づく
ほど幅が狭くなる。パッド部１６ａに供給されたハンダ
は先端部１６ｂにも供給される。そして、図６に示すよ
うに、金バンプ２はパッド部１６ａと先端部１６ｂとに
またがって配置される。
【００３０】本実施例におけるボンディングパッド１６
は、図６に示す位置関係に配置される。ボンディングパ
ッド１６は、銅板をエッチングして形成される。したが
って、隣接するボンディングパッド１６の間隔は、エッ
チング処理により形成可能な間隔であり（現状では約４
０μｍ）、対向するボンディングパッド１６の先端部１
６ｂの間隔もエッチング処理により形成可能な間隔であ
る。
は、図６に示す位置関係に配置される。ボンディングパ
ッド１６は、銅板をエッチングして形成される。したが
って、隣接するボンディングパッド１６の間隔は、エッ
チング処理により形成可能な間隔であり（現状では約４
０μｍ）、対向するボンディングパッド１６の先端部１
６ｂの間隔もエッチング処理により形成可能な間隔であ
る。
【００３１】本実施例の場合、一つのボンディングパッ
ド１６の先端部１６ｂは、隣の列において隣接する２つ
のボンディングパッド１６の先端部１６ｂの間にまでは
延在していない。図７は、図６に示したボンディングパ
ッドを使用して半導体チップ１を実装したときの、図６
における一点鎖線VII −VII に沿ったボンディングパッ
ド部分の断面図であり、図７（ａ）は金バンプ２に位置
ずれが無い場合を示し、図７（ｂ）は金バンプ２の位置
がボンディングパッドの先端方向にずれている場合を示
す。
ド１６の先端部１６ｂは、隣の列において隣接する２つ
のボンディングパッド１６の先端部１６ｂの間にまでは
延在していない。図７は、図６に示したボンディングパ
ッドを使用して半導体チップ１を実装したときの、図６
における一点鎖線VII −VII に沿ったボンディングパッ
ド部分の断面図であり、図７（ａ）は金バンプ２に位置
ずれが無い場合を示し、図７（ｂ）は金バンプ２の位置
がボンディングパッドの先端方向にずれている場合を示
す。
【００３２】図７（ａ）に示すように、金バンプ２に位
置ずれが無い場合、金バンプ２はボンディングパッド１
６先端部１６ｂの先端から十分離れており、金バンプ２
のほぼ全体がボンディングパッド１６上に位置すること
となる。したがって、ハンダ７の厚さが十分厚い部分で
金バンプ２がハンダ付けされることとなり、信頼性の高
い実装が達成される。また、図７（ｂ）に示すように、
金バンプ２がボンディングパッド１６の先端方向にずれ
た場合であっても、先端部１６ｂが存在するため、金バ
ンプ２はボンディングパッド１６から大きくはずれるこ
とはない。したがって、金バンプ２は、ハンダ７の厚み
が十分厚い部分に維持される。よって、金バンプ２の位
置がずれた場合でも、信頼性の高い実装が達成される。
置ずれが無い場合、金バンプ２はボンディングパッド１
６先端部１６ｂの先端から十分離れており、金バンプ２
のほぼ全体がボンディングパッド１６上に位置すること
となる。したがって、ハンダ７の厚さが十分厚い部分で
金バンプ２がハンダ付けされることとなり、信頼性の高
い実装が達成される。また、図７（ｂ）に示すように、
金バンプ２がボンディングパッド１６の先端方向にずれ
た場合であっても、先端部１６ｂが存在するため、金バ
ンプ２はボンディングパッド１６から大きくはずれるこ
とはない。したがって、金バンプ２は、ハンダ７の厚み
が十分厚い部分に維持される。よって、金バンプ２の位
置がずれた場合でも、信頼性の高い実装が達成される。
【００３３】なお、図７に示されるように、半導体チッ
プ１が実装用基板１０に実装された後、接続補強用樹脂
８が半導体チップ１と実装用基板１０との間に注入され
硬化される。これにより、半導体チップ１と実装用基板
１０との接続がより強固となる。次に、図８及び図９を
参照しながら、本発明の第２実施例によるボンディング
パッドについて説明する。図８は本発明の第２実施例に
よるボンディングパッドの平面図である。
プ１が実装用基板１０に実装された後、接続補強用樹脂
８が半導体チップ１と実装用基板１０との間に注入され
硬化される。これにより、半導体チップ１と実装用基板
１０との接続がより強固となる。次に、図８及び図９を
参照しながら、本発明の第２実施例によるボンディング
パッドについて説明する。図８は本発明の第２実施例に
よるボンディングパッドの平面図である。
【００３４】図６に示すボンディングパッド１８は、第
１実施例によるボンディングパッドと同様に、一様な幅
を有するパッド部１８ａと、パッド部１８ａから延在し
た三角形状の先端部１８ｂとよりなる。本実施例による
ボンディングパッド１８と際１実施例によるボンディン
グパッド１６との違いは、先端部１８ｂが先端部１６ｂ
より鋭角の三角形状を有することである。また、先端部
１８ｂは隣の列の隣接するボンディングパッド１８の先
端部１８ｂの間まで延在している。
１実施例によるボンディングパッドと同様に、一様な幅
を有するパッド部１８ａと、パッド部１８ａから延在し
た三角形状の先端部１８ｂとよりなる。本実施例による
ボンディングパッド１８と際１実施例によるボンディン
グパッド１６との違いは、先端部１８ｂが先端部１６ｂ
より鋭角の三角形状を有することである。また、先端部
１８ｂは隣の列の隣接するボンディングパッド１８の先
端部１８ｂの間まで延在している。
【００３５】先端部１８ｂは隣の列の隣接するボンディ
ングパッド１８の先端部１８ｂの間に延在しているもの
の、パッド部１８ａの間にまでは延在していない。すな
わち、先端部１８ｂが隣の列のボンディングパッド１８
のパッド部１８ａの間まで延在すると、ボンディングパ
ッド間の間隔が実質的に狭められることとなり、これを
回避するためには、ボンディングパッド間の間隔を広げ
なければならないからである。ボンディングパッドの間
隔を広げることは、半導体チップ１の金バンプ２の間隔
（ピッチ）を広げなければならないことであり、これは
狭ピッチの突起電極の配置に対応するという目的に逆行
することであり、現実に則さない。したがって、本発明
による実装用基板では、ボンディングパッドの先端部は
隣のボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を
越えて延在しない構成とされる。
ングパッド１８の先端部１８ｂの間に延在しているもの
の、パッド部１８ａの間にまでは延在していない。すな
わち、先端部１８ｂが隣の列のボンディングパッド１８
のパッド部１８ａの間まで延在すると、ボンディングパ
ッド間の間隔が実質的に狭められることとなり、これを
回避するためには、ボンディングパッド間の間隔を広げ
なければならないからである。ボンディングパッドの間
隔を広げることは、半導体チップ１の金バンプ２の間隔
（ピッチ）を広げなければならないことであり、これは
狭ピッチの突起電極の配置に対応するという目的に逆行
することであり、現実に則さない。したがって、本発明
による実装用基板では、ボンディングパッドの先端部は
隣のボンディングパッドのパッド部と先端部との境界を
越えて延在しない構成とされる。
【００３６】図９は、図８に示したボンディングパッド
を使用して半導体チップ１を実装したときの、図８にお
ける一点鎖線IX−IXに沿ったボンディングパッド部分の
断面図であり、図９（ａ）は金バンプ２に位置ずれが無
い場合を示し、図９（ｂ）は金バンプ２の位置がボンデ
ィングパッドの先端方向にずれている場合を示す。図９
（ａ）に示すように、金バンプ２に位置ずれが無い場
合、金バンプ２はボンディングパッド１８先端部１８ｂ
の先端から十分離れており、金バンプ２のほぼ全体がボ
ンディングパッド１８上に位置することとなる。したが
って、ハンダ７の厚さが十分厚い部分で金バンプ２がハ
ンダ付けされることとなり、信頼性の高い実装が達成さ
れる。また、図９（ｂ）に示すように、金バンプ２がボ
ンディングパッド１８の先端方向にずれた場合であって
も、先端部１８ｂが存在するため、金バンプ２はボンデ
ィングパッド１８から大きくはずれることはない。した
がって、金バンプ２は、ハンダ７の厚みが十分厚い部分
に維持される。よって、金バンプ２の位置がずれた場合
でも、信頼性の高い実装が達成される。本実施例の場
合、先端部１８ｂが第１実施例の先端部１６ｂより隣の
列の方向により大きく延出しているため、金バンプ２の
大きなずれに対しても信頼性の高い実装を実現すること
ができる。
を使用して半導体チップ１を実装したときの、図８にお
ける一点鎖線IX−IXに沿ったボンディングパッド部分の
断面図であり、図９（ａ）は金バンプ２に位置ずれが無
い場合を示し、図９（ｂ）は金バンプ２の位置がボンデ
ィングパッドの先端方向にずれている場合を示す。図９
（ａ）に示すように、金バンプ２に位置ずれが無い場
合、金バンプ２はボンディングパッド１８先端部１８ｂ
の先端から十分離れており、金バンプ２のほぼ全体がボ
ンディングパッド１８上に位置することとなる。したが
って、ハンダ７の厚さが十分厚い部分で金バンプ２がハ
ンダ付けされることとなり、信頼性の高い実装が達成さ
れる。また、図９（ｂ）に示すように、金バンプ２がボ
ンディングパッド１８の先端方向にずれた場合であって
も、先端部１８ｂが存在するため、金バンプ２はボンデ
ィングパッド１８から大きくはずれることはない。した
がって、金バンプ２は、ハンダ７の厚みが十分厚い部分
に維持される。よって、金バンプ２の位置がずれた場合
でも、信頼性の高い実装が達成される。本実施例の場
合、先端部１８ｂが第１実施例の先端部１６ｂより隣の
列の方向により大きく延出しているため、金バンプ２の
大きなずれに対しても信頼性の高い実装を実現すること
ができる。
【００３７】なお、上述の実施例では、ボンディングパ
ッドの先端部を三角形状としたが、先端部の形状はこれ
に限定されるものではない。すなわち、対向する先端部
が互いに重ならないようにパッド部より幅の小さい部分
を形成して先端部とすることにより、上述の実施例の効
果を奏することができる。
ッドの先端部を三角形状としたが、先端部の形状はこれ
に限定されるものではない。すなわち、対向する先端部
が互いに重ならないようにパッド部より幅の小さい部分
を形成して先端部とすることにより、上述の実施例の効
果を奏することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
突起電極のボンディングパッドへの接続部をボンディン
グパッドの先端から遠ざけることができ、位置ずれが生
じたときでも、突起電極がボンディングパッドから大き
く外れることはない。したがって、被実装素子の突起電
極と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続す
ることができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
突起電極のボンディングパッドへの接続部をボンディン
グパッドの先端から遠ざけることができ、位置ずれが生
じたときでも、突起電極がボンディングパッドから大き
く外れることはない。したがって、被実装素子の突起電
極と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続す
ることができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
【００３９】また、ボンディングパッドの先端が延長さ
れているため、突起電極の接続部とボンディングパッド
の先端との間の距離が増大され、ハンダの厚みの大きい
部分で接合される。これにより、被実装素子の突起電極
と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続する
ことができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
れているため、突起電極の接続部とボンディングパッド
の先端との間の距離が増大され、ハンダの厚みの大きい
部分で接合される。これにより、被実装素子の突起電極
と実装用基板のボンディングパッドとを確実に接続する
ことができ、信頼性の高い表面実装が実現される。
【図１】半導体チップの平面図である。
【図２】従来の実装用基板の平面図である。
【図３】従来のボンディングパッドの平面図である。
【図４】図３の一点鎖線IV−IVに沿ったボンディングパ
ッド部の断面図である。
ッド部の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態による実装用基板の平面図
である。
である。
【図６】本発明の第１実施例によるボンディングパッド
の平面図である。
の平面図である。
【図７】図６の一点鎖線VII −VII に沿ったボンディン
グパッド部の断面図である。
グパッド部の断面図である。
【図８】本発明の第２実施例によるボンディングパッド
の平面図である。
の平面図である。
【図９】図８の一点鎖線IX−IXに沿ったボンディングパ
ッド部の断面図である。
ッド部の断面図である。
１ 半導体チップ
２ 金バンプ
３，１０ 実装用基板
４，１４，１６，１８ ボンディングパッド
５ 導体配線部
６ 層間接続用パッド
７ ハンダ
８ 接続補強用樹脂
１６ａ，１８ａ パッド部
１６ｂ，１８ｂ 先端部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/447
H01L 21/449
H01L 21/60
H01L 21/603
H01L 21/607
H01L 23/12 - 23/15
Claims (6)
- 【請求項１】 千鳥状に配設された複数の突起電極を有
する被実装端子が、前記突起電極に対応するよう基板本
体に形成された複数のボンディングパッドに表面実装さ
れる表面実装基板であって、 前記ボンディングパッドの各々は、所定の一様な幅を有
するパッド部と、該パッド部からボンディングパッドの
隣の列に向かって延在する先端部とを有し、 該先端部の各々は、先端に近づくほど幅が狭くなり、且
つ隣の列における隣接したボンディングパッドの前記先
端部とは逆向きで先端部同士が互いに対向した状態で前
記先端部の間まで延在するが、隣の列におけるボンディ
ングパッドのパッド部と先端部との境界を越えて延在し
ないことを特徴とする表面実装用基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の表面実装用基板であっ
て、 前記ボンディングパッドの前記先端部は、先端に向かっ
て幅が減少する三角形状であることを特徴とする表面実
装用基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の表面実装用基板で
あって、 前記突起電極はスタッドバンプにより形成され、対応す
る前記ボンディングパッドにあらかじめ設けられたハン
ダにより接続されることを特徴とする表面実装用基板。 - 【請求項４】 周辺二列千鳥状に配設された複数の突起
電極を有する被実装素子と、前記突起電極に対応するよ
う基板本体に形成された複数のボンディングパッドを有
する表面実装基板とよりなる表面実装構造であって、 前記ボンディングパッドの各々は、所定の一様な幅を有
するパッド部と、該パッド部からボンディングパッドの
隣の列に向かって延在する先端部とを有し、 該先端部の各々は、先端に近づくほど幅が狭くなり、且
つ隣の列における隣接したボンディングパッドの前記先
端部とは逆向きで先端部同士が互いに対向した状態で前
記先端部の間まで延在するが、隣の列におけるボンディ
ングパッドのパッド部と先端部との境界を越えて延在し
ておらず、 前記突起電極の各々は、前記ボンディングパッドの各々
に設けられたハンダにより接続されていることを特徴と
する表面実装構造。 - 【請求項５】 請求項４記載の表面実装構造であって、 前記ボンディングパッドの前記先端部は、先端に向かっ
て幅が減少する三角形状であることを特徴とする表面実
装構造。 - 【請求項６】 請求項４又は５項記載の表面実装構造で
あって、 前記突起電極はスタッドバンプにより形成されているこ
とを特徴とする表面実装構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30757399A JP3429718B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 表面実装用基板及び表面実装構造 |
| US09/691,327 US6700208B1 (en) | 1999-10-28 | 2000-10-18 | Surface mounting substrate having bonding pads in staggered arrangement |
| TW090109155A TW504806B (en) | 1999-10-28 | 2001-04-17 | Surface mounting substrate having bonding pads in staggered arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30757399A JP3429718B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 表面実装用基板及び表面実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127198A JP2001127198A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3429718B2 true JP3429718B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=17970715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30757399A Expired - Fee Related JP3429718B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 表面実装用基板及び表面実装構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6700208B1 (ja) |
| JP (1) | JP3429718B2 (ja) |
| TW (1) | TW504806B (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG111935A1 (en) | 2002-03-04 | 2005-06-29 | Micron Technology Inc | Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods |
| SG121707A1 (en) * | 2002-03-04 | 2006-05-26 | Micron Technology Inc | Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability |
| SG115456A1 (en) * | 2002-03-04 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same |
| JP2004342993A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電子デバイス、電子機器および半導体装置の製造方法 |
| JP4006447B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置およびプリント回路板 |
| US20050285281A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Simmons Asher L | Pad-limited integrated circuit |
| US20060001180A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Brian Taggart | In-line wire bonding on a package, and method of assembling same |
| KR100797719B1 (ko) | 2006-05-10 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 빌드업 인쇄회로기판의 제조공정 |
| TWI357647B (en) * | 2007-02-01 | 2012-02-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor substrate structure |
| TWI325622B (en) * | 2007-02-06 | 2010-06-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package substrate |
| JP4343236B2 (ja) | 2007-03-30 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 回路基板、および回路基板の形成方法 |
| JP4497219B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2010-07-07 | 株式会社デンソー | 圧力センサおよびその製造方法 |
| US8028584B2 (en) * | 2007-08-20 | 2011-10-04 | Denso Corporation | Pressure sensor and method for manufacturing the same |
| JP5222509B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-06-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP4693852B2 (ja) | 2008-02-22 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5378707B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-12-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR20110014033A (ko) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| TWI431740B (zh) * | 2010-10-21 | 2014-03-21 | E Ink Holdings Inc | 電極陣列 |
| JP5835725B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-12-24 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 配線基板 |
| US9001522B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Printed circuits with staggered contact pads and compact component mounting arrangements |
| JP6302454B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2018-03-28 | アルプス電気株式会社 | 電流センサ |
| US10790328B2 (en) | 2017-11-28 | 2020-09-29 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor package and camera module |
| JP6826088B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2021-02-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ及びカメラモジュール |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8104414A (nl) * | 1981-09-25 | 1983-04-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met veldeffekttransistor. |
| US5019002A (en) * | 1989-07-12 | 1991-05-28 | Honeywell, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including electrostatic discharge prevention and displays made thereby |
| US5468681A (en) * | 1989-08-28 | 1995-11-21 | Lsi Logic Corporation | Process for interconnecting conductive substrates using an interposer having conductive plastic filled vias |
| US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
| JPH04364051A (ja) | 1991-06-11 | 1992-12-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US5197887A (en) * | 1992-03-27 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | High density circuit connector |
| US5404047A (en) * | 1992-07-17 | 1995-04-04 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor die having a high density array of composite bond pads |
| IL108359A (en) * | 1994-01-17 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Method and device for creating integrated circular devices |
| US5468999A (en) * | 1994-05-26 | 1995-11-21 | Motorola, Inc. | Liquid encapsulated ball grid array semiconductor device with fine pitch wire bonding |
| DE19500655B4 (de) * | 1995-01-12 | 2004-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Chipträger-Anordnung zur Herstellung einer Chip-Gehäusung |
| JPH08298269A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08316364A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US5818114A (en) * | 1995-05-26 | 1998-10-06 | Hewlett-Packard Company | Radially staggered bond pad arrangements for integrated circuit pad circuitry |
| US5734559A (en) * | 1996-03-29 | 1998-03-31 | Intel Corporation | Staggered bond finger design for fine pitch integrated circuit packages |
| US5761048A (en) * | 1996-04-16 | 1998-06-02 | Lsi Logic Corp. | Conductive polymer ball attachment for grid array semiconductor packages |
| US5814892A (en) * | 1996-06-07 | 1998-09-29 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor die with staggered bond pads |
| JPH1050764A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-20 | Citizen Watch Co Ltd | 電子部品の接続方法およびその構造 |
| US5898213A (en) * | 1997-07-07 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor package bond post configuration |
| JP2997232B2 (ja) | 1997-11-11 | 2000-01-11 | 富士通株式会社 | フリップチップ実装用基板及びフリップチップ実装検査方法 |
| US6081429A (en) * | 1999-01-20 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Test interposer for use with ball grid array packages assemblies and ball grid array packages including same and methods |
| US6212077B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Built-in inspection template for a printed circuit |
| US6218696B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-04-17 | Infineon Technologies North America Corp. | Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors |
| US6451626B1 (en) * | 2001-07-27 | 2002-09-17 | Charles W.C. Lin | Three-dimensional stacked semiconductor package |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30757399A patent/JP3429718B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-18 US US09/691,327 patent/US6700208B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-17 TW TW090109155A patent/TW504806B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6700208B1 (en) | 2004-03-02 |
| TW504806B (en) | 2002-10-01 |
| JP2001127198A (ja) | 2001-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3429718B2 (ja) | 表面実装用基板及び表面実装構造 | |
| US6229711B1 (en) | Flip-chip mount board and flip-chip mount structure with improved mounting reliability | |
| US8232641B2 (en) | Wiring substrate and semiconductor device having connection pads formed in non-solder mask defined structure | |
| US7566969B2 (en) | Semiconductor device with improved arrangement of a through-hole in a wiring substrate | |
| JP3679199B2 (ja) | 半導体パッケージ装置 | |
| US20020105069A1 (en) | Semiconductor device including stud bumps as external connection terminals | |
| KR100541649B1 (ko) | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
| KR100654338B1 (ko) | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
| JP2002124544A (ja) | Ｃｏｆ用テープキャリアおよびこれを用いて製造されるｃｏｆ構造の半導体装置 | |
| JP3927783B2 (ja) | 半導体部品 | |
| KR100313826B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US20070096271A1 (en) | Substrate frame | |
| JP3437477B2 (ja) | 配線基板および半導体装置 | |
| JP4532807B2 (ja) | メッキ用共通電極線 | |
| US5946195A (en) | Semiconductor device, method of making the same and mounting the same, circuit board and flexible substrate | |
| KR100395694B1 (ko) | 지그재그 배열의 본딩패드를 가지는 표면 실장기판 | |
| JP2798108B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| US6977443B2 (en) | Substrate for carrying a semiconductor chip and semiconductor device using same | |
| JPH0547836A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH0878484A (ja) | Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置 | |
| JP2001024033A (ja) | 半導体素子実装用テープ、半導体装置及びそれらの製造方法 | |
| JPH0834282B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP3923651B2 (ja) | テープキャリアパッケージの製造方法 | |
| JP2001060600A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1117060A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |