JP4532807B2 - メッキ用共通電極線 - Google Patents
メッキ用共通電極線 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4532807B2 JP4532807B2 JP2001574895A JP2001574895A JP4532807B2 JP 4532807 B2 JP4532807 B2 JP 4532807B2 JP 2001574895 A JP2001574895 A JP 2001574895A JP 2001574895 A JP2001574895 A JP 2001574895A JP 4532807 B2 JP4532807 B2 JP 4532807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- plating
- common electrode
- circuit board
- electrode line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
- H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0228—Cutting, sawing, milling or shearing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base
- Y10T29/4916—Simultaneous circuit manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【技術分野】
本発明は、主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成するためのメッキ用共通電極線に関し、例えば、ボールグリットアレイ(BGA)型の半導体パッケージ用回路基板の電極パッドと導体パターンを一括して形成するメッキ用共通電極線に関するものである。
【0002】
【背景技術】
近年、半導体パッケージの小型化、高密度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板上に実装するフリップチップボンディング及びワイヤーボンディングされたボールグリッドアレイ(BGA)型半導体パッケージが開発されている。
また、カメラ一体型VTRや携帯電話機等の登場により、ベア・チップとほぼ同じ寸法の小型パッケージ、所謂CSP(チップサイズ/スケール・パッケージ)を載せた携帯機器が相次いで登場してきている。このCSPの開発は急速に進み、その市場要求が本格化している。
【0003】
従来、TAB用のフレキシブルフィルムを用いた配線基板として、日本国特公平7−66932号公報にその技術が開示されている。この技術は、同公報の図1に示すように、集積回路用のエッチング配線4における電気的接続及び短絡用フレームにおいて、隣接する集積回路の配線との接続点2に至るリード線1が蛇行状に形成されている。従って、隣接する集積回路との間を、切断箇所7で切断することにより、材料のむだを生じることなく集積回路が分割される。その際、蛇行パターンは、切断箇所7での切断によってすべて短絡結合が分離され、それぞれの集積回路における端子(リード線)として形成される。
【0004】
第10図は、日本国特開平9−55398号に記載の他の従来メッキ用共通電極線の一パターンを示す隣接するチップ回路の部分平面図である。
第10図において、半導体基板10は、複数個分のチップ回路を同一の半導体基板10に一括して形成してある。この半導体基板10は、シリコン基板からなり、所定の大きさにカットされ多数のチップ回路に分割される。
【0005】
メッキ用共通電極線12は、前記隣接する個々のチップ回路10Aの電極パッド14に接続している。また、メッキ用共通電極線12は、カットラインX、Yを跨いでクランク状に蛇行して形成されている。
個々のチップ回路10Aにおける配線(導体)パターン13は、前記メッキ用共通電極線12によって形成される。
【0006】
電極パッド14は、半導体基板10の能動面側に配設されている。この電極パッド14は、前記配線パターン13と接続し外部接続用電極として機能する。
メッキ用共通電極線12は、所定の幅を有し、カットラインXを跨いでクランク状に蛇行している。しかも、メッキ用共通電極線12は、主基板10の同一表面に形成されているので、隣接するメッキ用共通電極線12どうしが接触しないようにするため、配線パターン13の間に一定のギャップG1を設けてある。
【0007】
第11図は、さらに他の従来のメッキ用共通電極線のパターンを示す要部拡大平面図である。メッキ用共通電極線12は、配線パターン(導体パターン)間を次々と連続していく本線12aと、この本線12aから分岐して形成された特定のパッドを接続する支線12bからなっている(第11図では一部のみ図示)。そして、この場合も、隣接するメッキ用共通電極線12(12a、12b)どうしが接触しないようにするため、配線パターン13の間に一定のギャップG2を設けてある。
【0008】
これら従来技術にあっては、電解メッキ処理の前にパッドパターンを短絡するメッキ用共通電極線12を設け、その後、電解メッキ処理により各パッドパターン上に電極材料を析出させて複数のパッド電極を一括して形成する。この電解メッキ処理時に、メッキ用共通電極線12より各パッドパターンはすべて同電位となり、各パッドパターンの電極材料の析出量及び膜厚のばらつきが防止される。メッキ用共通電極線12をカットラインX、Yに跨って蛇行状に形成することにより、ダイシング工程で若干のダイシングの位置ずれが生じても、確実にメッキ用共通電極線12を切断(導通遮断)することができ、個々の回路基板10Aにおけるメッキ用共通電極線の短絡によるショート不良がなくなる。また、ダイシング工程における切断幅が狭くてすむので、基板材料のむだを生じることなく、個々の回路基板10Aを切断・分割することができる。
【0009】
しかしながら、上記した従来技術のメッキ用共通電極線には次の様な問題点がある。
すなわち、メッキ用共通電極線12は、カットラインを跨いでクランク状に蛇行するよう形成してある。また、メッキ用共通電極線12は、所定の幅を有し、しかも主基板の同一表面に形成されているので、隣接するメッキ用共通電極線どうし、あるいはメッキ用共通電極線と配線パターン(導体パターン)が接触しないようにするため配線パターン13、13の間に所定のギャップG1、G2を設ける必要がある。このため、回路基板の一辺当たり形成する端子数(ピン数)に限度があり、高密度に端子を形成することが困難である。
なお、メッキ用共通電極線の形状を、クランク状から傾斜上にしても同様の理由によって端子数を増加させることが難しい。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、ダイシング時における基板材料のむだを無くすとともに、配線パターンの間の間隙を可能な限り狭くして、個々の回路基板の一辺当たりの端子数を増加させ、高密度化に対応可能であって信頼性の高い主基板のメッキ用共通電極線の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明は、主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成し、メッキ用共通電極線を介して前記複数個分の回路基板の導体パターンを同時にメッキする主基板のメッキ用共通電極線において、前記複数個分の回路基板のパッドにそれぞれ接続する前記メッキ用共通電極線が、前記主基板の表裏両面にスルーホールを介して形成され、かつ、表裏両面のいずれにおいても、前記複数個分の回路基板に分割するためのカットラインを跨いで隣接する回路基板から配線された構成としてある。
このとき、前記メッキ用共通電極線は、カットラインに沿って蛇行して形成することが好ましい。
【0012】
また、具体的には、互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交互に連続して接続するための前記メッキ用共通電極線を本線として前記基板表面に形成し、前記本線から分岐して特定のパッドと接続する他のメッキ用共通電極線を支線として前記基板裏面に形成した構成としてある。
そして、好ましくは、互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交互に連続して接続するための前記メッキ用共通電極線を本線として前記基板の裏面又は表面に形成し、前記スルーホールから分岐して特定のスルーホールと接続するための前記他のメッキ用共通電極線を支線として前記基板の表面又は裏面に形成した構成としてある。
【0013】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明を、添付の図面にもとづいて詳細に説明する。
第1図及び第2図において、主基板20からは複数個(図面では4個)の回路基板20Aが切断、分割されるようになっている。個々の回路基板20Aの表面側には、ICチップ21の図示しないパッド電極に対応してIC接続用のボンディングパターン24が放射状に配置されている。このボンディングパターン24は、ICチップ21のパッド電極とワイヤーボンディングされる。
個々の回路基板20Aの周縁には、カットラインX、Yに沿って複数個(図面では一辺に13個)のスルーホール11が形成してある。メッキ用共通電極線22は、主基板20の外部接続用導体パターンである半田バンプの形成側(表面)に形成される電極線22Aと、電子部品搭載側(裏面)に形成される電極線22Bからなっている。メッキ用共通電極線22A、22Bは、スルーホール11を介して接続されると共に、個々の回路基板20Aに分割するためのカットラインX、Yに跨がり、全体として蛇行して形成されている。
【0014】
第1図及び第2図では、カットラインXにメッキ用共通電極線22Aが直交し、メッキ用電極線22Bが傾交しており、カットラインYにメッキ用共通電極線22Aが傾交し、メッキ用電極線22Bが直交している。このメッキ用共通電極線22A、22Bは、スルーホール11を介して、第1図ではIC接続用のボンディングパターンに、第2図では、半田ボールパッド14にそれぞれ接続する導体パターン13に接続されている。すなわち、互いに隣合う位置関係で形成されたメッキ用共通電極線22Aとメッキ用共通電極線22Bは、それぞれ回路基板20Aの表裏面に、カットラインを跨ぐように形成されている。そして、それぞれのメッキ用共通電極線22A、22Bを、スルーホール11を介して連続的に接続することにより、メッキ用共通電極線全体がカットラインX、Yを跨いで蛇行したメッキ用共通電極線を構成している。
【0015】
第3図は、第2図の二点鎖線で囲むE部を示している。第4図は第3図の要部拡大図である。
主基板20を構成する個々の回路基板20Aの周縁には、カットラインX、Yに沿ってスルーホール11が所定のピッチ、所定の寸法で形成されている。これらメッキ用共通電極線22A及び22Bは主基板20の表裏面においてカットラインX、Yを跨いで蛇行状に形成され、且つ、所定の幅を有している。
したがって、隣接する導体パターン13どうしが接触しないように、両導体パターン13の間にギャップG3を設けてある。しかしながら、メッキ用共通電極線22A、22Bは、主基板20の表裏面に分けて形成してあるので、導体パターン13とメッキ用共通電極線22Bが接触することはなく、前記ギャップG3を可能な限り接近させて狭くすることができる。
【0016】
これにより、個々の回路基板20Aにおける一辺当たりの端子数を増やすことができる。例えば、第3図に示す本発明の一実施例の場合は、回路基板20Aの一辺当たり13個の端子数を形成できるのに対し、前述した従来例のもの(第10図)では9個の端子しか形成できない。このように、本発明によれば従来に比べ、端子数が一辺当たり4個増えるので回路基板20Aの四辺ではその4倍、すなわち、16個の端子数が増加することになり、さらなる高密度実装を可能とする。
なお、ここで、第4図に示すように、一の回路基板におけるスルーホールを奇数番とし、他の一の回路基板におけるスルーホールを偶数番とすると、奇数番11(1)から偶数番12(2)のスルーホールを接続するメッキ用共通電極線22Aが主基板20の表面に形成してあり、偶数番11(2)から奇数番のスルーホール11(3)を接続するメッキ用共通電極線22Bが、主基板20の裏面に形成してあることになる。
【0017】
第5図は、本発明のメッキ用共通電極線の他のパターン例を拡大して示している。
第5図におけるメッキ用共通電極線は、主基板20の表面において、複数のスルーホール11を連続して接続し、本線22aとして機能するメッキ用共通電極線22Aと、この本線22aとスルーホール11を介して分岐接続され、回路基板20Aの内側に配置された内側パッド14aと接続する支線22bとして機能するメッキ用共通電極線22Bとからなっている。
【0018】
第6図は、第5図の要部拡大図である。本線22aとして機能するスルーホール11(2)からのメッキ用共通電極線22Aは、Xカットラインを跨いでクランク状に蛇行して配線され、隣接する回路基板20Aに設けられたスルーホール11(3)と接続している。
また、支線22bとして機能するスルーホール11(1)からのメッキ用共通電極線22Bは、隣接する回路基板20Aの内側パッド用スルーホール11aとXカットラインを跨いで接続するとともに、再度分岐され、Xカットラインを跨いで迂回し自らの回路基板の内側パッド用スルーホール11bと接続している。
メッキ用共通電極線を、このようなパターンで配線すると、第11図で示した従来のものと同様の機能を生じながら、導体パターン13間のギャップG4を従来のもののギャップG2より、はるかに狭くすることができる。
なお、第5図及び第6図に示すメッキ用共通電極線は、本線22aを主基板20の表面に形成し、支線22bを主基板20の裏面に形成してあるが、本線22Aを主基板20の裏面に、また、支線22bを主基板20の表面に形成することも可能である。
【0019】
第7図は、本発明のメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を拡大して示している。第7図におけるメッキ用共通電極線は、隣接する回路基板20A、20Aに設けられた複数のスルーホール11を連続して接続する本線22aが、主基板20の表裏両面に交互に形成されている。すなわち、主基板20の表面ではXカットラインを跨いで本線22aとしてのメッキ用共通電極線22Aが直線状に形成され、裏面ではXカットラインを跨いで本線22aとしてのメッキ用共通電極線22Bがクランク状に蛇行して形成されている。
【0020】
第8図は、本発明のメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を示す要部拡大図を示している。第8図におけるメッキ用共通電極線は、第6図に示すパターン例の変形例である。このパターン例では、クランク状にXカットラインを跨いで蛇行する本線22aを、スルーホール11を介して主基板20の表面と裏面に交互に形成してある。支線22bは、本線22aと反対側の面においてスルーホール11を介して形成してある。
【0021】
第9図は、本発明のメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を示す要部拡大図を示している。第9図におけるメッキ用共通電極線も、第6図に示すパターン例の変形例である。このパターン例では、クランク状にXカットラインを跨いで蛇行する本線22aを主基板20の表面と裏面に不規則に形成してある。支線22bは、この場合も、本線22aと反対側の面においてスルーホールを介して形成してある。
【0022】
なお、本発明におけるメッキ用共通電極線のパターン形状及び本線と支線の位置関係は上記実施形態のものに限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【0023】
上記のようにして、電解メッキ処理の前に、パッドパターンを短絡するメッキ用共通電極線22(22a,22b)を形成し、電解メッキ処理により各パッドパターン上に電極材料を析出させて複数のパッド電極を一括して形成する。その結果、電極メッキ処理時に、メッキ用共通電極線22により、各パッドパターンはすべて同電位となり、各パッドパターンの電極材料の析出量及び膜厚のばらつきが防止される。また、メッキ用共通電極線22をカットラインX、Yを跨いで蛇行状に形成し、ダイシングするようにしてあるので、ダイシング工程で多少の位置のずれが生じても、確実にメッキ用共通電極線22を切断することができる。その結果、個々の回路基板装置におけるメッキ用共通電極線の短絡ショート不良がなくなる。また、ダイシング工程における切断幅が狭くて済むので基板材料のむだを生じることなく主基板を切断して個々の回路基板に分割することができる。
【0024】
【発明の効果】
このような構成からなる本発明のメッキ用共通電極線によれば、隣接する個々の回路基板はダイシングにより基板材料のむだを生じることなく分割される。また、主基板の表裏面に形成されたメッキ用共通電極線より、導体パターン間の間隔が狭められても、個々の回路基板は短絡することなく確実に分割される。その結果、回路基板の端子数が著しく増加し、市場が要求する高密度化実装な回路基板の提供が可能となる。
【0025】
【産業上の利用可能性】
電子部品を高密度実装する回路基板として有効に利用することができ、特に小型の携帯機器、たとえば、電子時計、通信機器などに用いると好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1図は、主基板のIC搭載側に形成した本発明にかかるメッキ用共通電極線の一パターン例を示す。
【図2】 第2図は、第1図の主基板の半田バンプ形成側に現れるメッキ用共通電極線の一パターン例を示す。
【図3】 第3図は、第2図における二点鎖線で囲んだE部の拡大図を示す。
【図4】 第4図は、第3図の要部拡大図を示す。
【図5】 第5図は、本発明にかかるメッキ用共通電極線の他のパターン例を第3図の場合と同様に示した拡大図を示す。
【図6】 第6図は第5図の要部拡大図を示す。
【図7】 第7図は、本発明にかかるメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第3図の場合と同様に示した拡大図を示す。
【図8】 第8図は、本発明にかかるメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第4図の場合と同様に示した要部拡大図を示す。
【図9】 第9図は、本発明にかかるメッキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第4図の場合と同様に示した要部拡大図を示す。
【図10】 第10図は、従来のメッキ用共通電極線パターン例を示す回路基板の部分平面図である。
【図11】 第11図は、他の従来のメッキ用電極線のパターン例における要部拡大図を示す。
Claims (7)
- 主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成し、メッキ用共通電極線を介して前記複数個分の回路基板の導体パターンを同時にメッキする主基板のメッキ用共通電極線において、
前記主基板は、前記複数個分の回路基板に分割するためのカットラインと、互いに隣接する二つの前記回路基板の前記カットラインに沿って形成された合計n個のスルーホールと、を有し、
前記メッキ用共通電極線22は、前記主基板の両面に形成され、
このうち、一方の面に形成されたメッキ用共通電極線22A(22a)は、前記カットラインを跨いで、前記二つの回路基板のうち一の回路基板に形成された一のスルーホール11(2)から他の回路基板に形成された一のスルーホール11(1)へ、前記カットラインに直交する線又は蛇行線によって接続し、
また、他方の面に形成されたメッキ用共通電極線22B(22b)は、前記カットラインを跨いで、前記二つの回路基板のうち一の回路基板に形成された前記一のスルーホール11(2)から他の回路基板に形成された前記一のスルーホール11(1)とは異なるスルーホール11(3)へ、前記カットラインに傾交する線又は蛇行線によって接続する
ことを特徴とするメッキ用共通電極線。 - 前記主基板の両面に形成した前記メッキ用共通電極線によって、前記一の回路基板に形成された複数のスルーホール11(2,4,・・,n)と、前記他の回路基板に形成された複数のスルーホール11(1,3,・・,n−1)を、交互に連続して接続した請求項1記載のメッキ用共通電極線。
- 前記スルーホールの一つから、前記メッキ用共通電極線が分岐して形成された請求項1又は2に記載のメッキ用共通電極線。
- 主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成し、メッキ用共通電極線を介して前記複数個分の回路基板の導体パターンを同時にメッキする主基板のメッキ用共通電極線において、
前記主基板は、前記複数個分の回路基板に分割するためのカットラインと、互いに隣接する二つの前記回路基板の前記カットラインに沿って形成された複数個のスルーホールと、を有し、
前記メッキ用共通電極線22は、前記主基板の両面に形成され、
このうち、一方の面に形成されたメッキ用共通電極線22A(22a)は、前記カットラインを跨いで、前記二つの回路基板のうち一の回路基板に形成された一のスルーホール11(2)から他の回路基板に形成された二つのスルーホール11(1,3)へ、前記カットラインに直交する線,前記カットラインに傾交する線又は蛇行線によって接続し、
また、他方の面に形成されたメッキ用共通電極線22B(22b)は、前記スルーホール11(1)から前記カットラインを跨いで、前記他の回路基板に形成されたパッド用スルーホール(11a)へ前記カットラインに傾交する線又は蛇行線によって接続する
ことを特徴としたメッキ用共通電極線。 - 主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成し、メッキ用共通電極線を介して前記複数個分の回路基板の導体パターンを同時にメッキする主基板のメッキ用共通電極線において、
前記主基板は、前記複数個分の回路基板に分割するためのカットラインと、互いに隣接する二つの前記回路基板の前記カットラインに沿って形成された複数個のスルーホールと、を有し、
前記メッキ用共通電極線22は、前記主基板の両面に形成され、
このうち、一方の面に形成されたメッキ用共通電極線22A(22a)は、前記カットラインを跨いで、前記二つの回路基板のうち一の回路基板に形成された一のスルーホール11(2)から他の回路基板に形成された二つのスルーホール11(1,3)へ、前記カットラインに直交する線,前記カットラインに傾交する線又は蛇行線によって接続し、
また、他方の面に形成されたメッキ用共通電極線22B(22b)は、前記スルーホール11(1)から、前記カットラインを跨いで前記他の回路基板を迂回して、前記一の回路基板に形成されたパッド用スルーホール(11b)へ蛇行線によってそれぞれ接続する
ことを特徴としたメッキ用共通電極線。 - 前記メッキ用共通電極線が、前記スルーホールを介して前記回路基板の両面に形成した前記導体パターンと接続されている請求項1,4又は5に記載のメッキ用共通電極線。
- 前記回路基板の表面に形成した前記導体パターンが電子部品接続用の電極パターンであり、裏面に形成した前記導体パターンが外部接続用の電極パターンである請求項6に記載のメッキ用共通電極線。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000110109 | 2000-04-12 | ||
PCT/JP2001/002911 WO2001078139A1 (fr) | 2000-04-12 | 2001-04-04 | Fil d'electrode commune pour plaquage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4532807B2 true JP4532807B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=18622681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001574895A Expired - Lifetime JP4532807B2 (ja) | 2000-04-12 | 2001-04-04 | メッキ用共通電極線 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7154048B2 (ja) |
JP (1) | JP4532807B2 (ja) |
KR (1) | KR100775632B1 (ja) |
TW (1) | TW544822B (ja) |
WO (1) | WO2001078139A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7181837B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-02-27 | Micron Technology, Inc. | Plating buss and a method of use thereof |
KR100702016B1 (ko) * | 2005-02-02 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 양면 실장 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판 및 이를이용하는 양면 실장 메모리 모듈 |
JP2006348371A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fujitsu Ltd | 電解めっき方法 |
JP2009170561A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP4484934B2 (ja) | 2008-02-26 | 2010-06-16 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
JP5188289B2 (ja) | 2008-06-26 | 2013-04-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | プリント基板の製造方法 |
TWI393969B (zh) * | 2009-05-27 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 一種具有迴轉訊號傳輸線路之顯示基板及其製造方法 |
JP5952032B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-07-13 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
US8808512B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-08-19 | GTA, Inc. | Electrolyzer apparatus and method of making it |
US9222178B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-12-29 | GTA, Inc. | Electrolyzer |
KR20220037857A (ko) * | 2020-09-18 | 2022-03-25 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340609A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Eastern Co Ltd | プリント配線板、および単位配線板の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4426773A (en) * | 1981-05-15 | 1984-01-24 | General Electric Ceramics, Inc. | Array of electronic packaging substrates |
JPH0766932A (ja) | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
JPH08148770A (ja) | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Sharp Corp | 配線基板 |
JPH08153819A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Citizen Watch Co Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体パッケージの製造方法 |
JPH0955398A (ja) | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3717660B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2005-11-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | フィルムキャリア及びバーンイン方法 |
JP3020201B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2000-03-15 | 亜南半導体株式会社 | ボールグリッドアレイ半導体パッケージのモールディング方法 |
JP2001237346A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子搭載基板、及び半導体装置の製造方法 |
JP2001332579A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Advantest Corp | 半導体回路装置及びその製造方法 |
US6319750B1 (en) * | 2000-11-14 | 2001-11-20 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Layout method for thin and fine ball grid array package substrate with plating bus |
TW479334B (en) * | 2001-03-06 | 2002-03-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Electroplated circuit process in the ball grid array chip package structure |
US6903442B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having backside pin contacts |
-
2001
- 2001-04-04 KR KR1020017015362A patent/KR100775632B1/ko active IP Right Grant
- 2001-04-04 WO PCT/JP2001/002911 patent/WO2001078139A1/ja active Application Filing
- 2001-04-04 JP JP2001574895A patent/JP4532807B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-04 US US09/979,071 patent/US7154048B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-11 TW TW090108628A patent/TW544822B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340609A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Eastern Co Ltd | プリント配線板、および単位配線板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020018676A (ko) | 2002-03-08 |
TW544822B (en) | 2003-08-01 |
US7154048B2 (en) | 2006-12-26 |
KR100775632B1 (ko) | 2007-11-13 |
WO2001078139A1 (fr) | 2001-10-18 |
US20020157958A1 (en) | 2002-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3429718B2 (ja) | 表面実装用基板及び表面実装構造 | |
KR101436036B1 (ko) | 플립 칩 실장 기판 | |
US6319750B1 (en) | Layout method for thin and fine ball grid array package substrate with plating bus | |
JP4532807B2 (ja) | メッキ用共通電極線 | |
KR100589530B1 (ko) | 전자 부품 장치, 그 제조 방법 및 집합 회로 기판 | |
US10553514B2 (en) | Substrate strip including conductive plane around periphery of chip mounting regions and method of manufacturing semiconductor package using the same | |
JP3927783B2 (ja) | 半導体部品 | |
JP2011142185A (ja) | 半導体装置 | |
US20010042924A1 (en) | Semiconductor package | |
US20070252286A1 (en) | Mounting substrate | |
US20080083984A1 (en) | Wiring board | |
JPH0562978A (ja) | フリツプチツプ | |
TW200531235A (en) | Multi-chip package structure | |
JP3831109B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP4159631B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2004235351A (ja) | 半導体装置 | |
JP3875407B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP4030363B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI853397B (zh) | 基板和半導體裝置 | |
JP2004363224A (ja) | 半導体チップの接続構造 | |
JP2001237346A (ja) | 半導体素子搭載基板、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2003068859A (ja) | 半導体チップ及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2000068415A (ja) | チップスケ―ルパッケ―ジ素子の製造方法及びチップスケ―ルパッケ―ジ素子 | |
JP2004319792A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP3666649B2 (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4532807 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150618 Year of fee payment: 5 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |