JP4484934B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、端子が電解メッキにより厚く形成された電子部品及びその製造方法に関する。

近年、携帯電話、トランシーバー、デジタルカメラ等の携帯機器の小型化が急速に進んでいる。このような携帯機器の小型化を受けて、その構成部品である各種電子部品（例えば、弾性表面波デバイス(surface acoustic wave device, SAWデバイス)のような圧電デバイス、集積回路デバイス（integrated circuits device, IC）、水晶振動子、ドライバー等）の小型化が強く求められている。

このような要求を満たす技術として、ＷＬＣＳＰ（wafer level chip size package）が開発された。ＷＬＣＳＰは、ウエハー状態のままＳＡＷやＩＣを封止する最新のパッケージ技術である。

ＷＬＣＳＰでは、まず、一つ又は複数の機能素子（例えば、ＳＡＷ）が設けられた、チップ化予定の領域をウエハー上に多数形成し、これらの領域夫々に更に端子や配線を形成する。次に、これらの領域をウエハー状態のまま樹脂等で封止し、最後に、これらの領域をウエハーから切り出して電子部品とする（特許文献１）。

多くの場合、ＷＬＣＳＰでは、その端子は、電解メッキにより厚く形成される（特許文献１）。電解メッキを実施するためには、下地層となる電極を設け、この電極に配線を接続して外部電源から電流を供給する必要がある。

このメッキ用の配線は、チップ化後の電子部品には不要である。従って、このような配線は、電解メッキ後に除去あるいは切断される。

ところで、ＷＬＣＳＰの開発以前から、多数の素子が形成されたウエハー上に電解メッキによって厚い金属層を形成し、その後個々の電子部品に分割する技術は存在していた。例えば、ＴＡＢ(Taped-Automated-Bonding)用の半導体部品の製造で、このような技術は使用されている（特許文献２）。

ＴＡＢ用の半導体部品には、ボンディング端子としてのバンプ（突起）が電解メッキによって形成される。図１は、ＴＡＢ用半導体部品の製造方法に於けるバンプ形成工程を説明する図である。図１（ａ）は、メッキ用のパッド２（下地層）と配線４が半導体基板６の上に形成された状態を説明する平面図である。一方、図１（ｂ）は、図１（ａ）に於いて破線で囲われた領域Ａを拡大した図である。

バンプを形成するためには、まず、半導体基板６の上に絶縁膜（図示せず）を形成する。

次に、その上に、パッド２及び半導体基板６上の全てのパッド２に共通に接続される配線４を形成する。ここで、引き出し線５を除く配線４の主要部は、スクライブ線上に設ける。

次に、配線４を被覆するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。

そして、配線４を給電ラインとして、メッキ法によりパッド２の上にバンプを形成し、フォトレジスト膜を除去する。

その後、上記スクライブ線に沿って、配線４の幅より広い切削幅８を有するダイシングソー（dicing saw）によって、配線４及び半導体基板６を切削して、個々の半導体チップに分離する。この時、配線４で共通に接続されていた各バンプは、電気的に分離される。
特開２００３−１８８６６９号公報 特開昭６３−２６９５４９号公報 特開２００６−２４５４９４号公報

図１を参照して説明した方法によれば、配線４すなわち給電ラインは、ダイシングソーによる半導体チップの切り離しと同時に除去される。従って、この方法は、給電ライン除去のための専用工程を必要としない効率的な電子部品の製造方法といえる。

しかし、この方法には、ダイシングソー（以下、ダイサーと呼ぶ）による切削位置が僅かにズレただけで、バンプすなわち端子間の絶縁性が保てなくなるという問題がある。

一般に電子部品の製造方法では、一枚のウエハー（基板）からなるべく多くの電子部品を製造できるように、切削幅８すなわちダイサーのブレード幅は、配線すなわち給電ラインの幅より僅かに広く設定される（例えば、給電ラインの幅４０μｍに対して、切削幅が５０μｍ）。このため、ダイサーによる切削位置が、切削予定領域から僅かにズレただけでも、給電ラインの切残しが生じてしまう。

図２は、切削領域１４が切削予定領域から僅かにズレてしまった状態を説明する概念図である。

給電ライン１０で囲まれたチップ化予定領域１２，１２´には、パッド２の他にも、機能素子（図示せず）やパッド２からこの機能素子に延在する配線が形成される。しかし、図面が複雑になるので、図２では省略されている。

尚、図２には、切削予定領域も図示されていない。但し、切削予定領域は、給電ライン１０より僅かに幅広で、且つ給電ライン１０をその中央に含む領域である。すなわち、切削予定領域は、給電ライン１０の設けられた領域と略一致する。

図２に示した例では、左右両端及び上下に位置する切削予定領域と、ダイサーによって切削された切削領域１４は一致している。従って、これらの位置では、給電ライン１０は、ダイサーの切削によって完全に除去される。

一方、中央の切削予定領域では、ダイサーの切削領域１４´が左側に僅かにズレている。このため、右側に位置するチップ化予定領域１２´から分割されたチップには、給電ライン１０の切残しが発生する。

図３は、チップ化予定領域１２´から分割されたチップ１８の状態を説明する平面図である。

図３に示すように、チップ１８の左辺に沿って、給電ラインの切残し１６が延在している（尚、チップの端は、給電ラインの切残しと区別するため、破線で示されている。他の図面に於いても同様である。）。

チップ１８左側に整列した複数のバンプ２０´の夫々が、引き出し配線５によって、この給電ラインの切残し１６に接続されている。従って、（チップ１８の左側に配列された）バンプ２０´は互いに電気的に接続されてしまう。

そこで、本発明の目的は、メッキによって厚く形成された端子を有する電子部品において、ダイサーによる切削領域が切削予定領域からズレても、給電ラインの切残しによって、端子同士が電気的に接続されることのない電子部品及びその製造方法を提供することである。

（第１の側面）
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、基板と、前記基板上に形成された機能素子と、前記機能素子に接続された第１の端子電極と、前記第１の端子電極の上に積層された第２の端子電極を有する複数の端子と、一端が前記第１の端子電極に電気的に接続され且つ他端が前記基板の端に達する給電ラインとを具備し、前記給電ラインが、前記端に直接達する第１の部分と、前記第１の部分から分岐し、その後前記端に達する第２の部分を有する電子部品である。

本側面によれば、給電ラインが基板の端に沿って切残されることがないので、給電ラインの切残しによって、端子同士が電気的に接続されることがない。

（第２の側面）
本発明の第２の側面は、第１の側面において、前記第１の部分が、前記端に垂直であることを特徴とする。
本側面によれば、切削前の基板上に於いて、対向する第１の端子電極同士を最短距離で接続することができる。従って、給電ラインの抵抗が小さくなる。

（第３の側面）
本発明の第３の側面は、第１の側面において、前記第２の部分が、前記端に対して平行に進んだ後、折れ曲がることを特徴とする。

（第４の側面）
本発明の第４の側面は、第１の側面において、前記第２の端子電極が、メッキで形成されていることを特徴とする。
第４の側面によれば、給電ラインが基板の端に沿って切残されることがないので、メッキで端子を厚く形成する電子部品の歩留まりが向上する。

（第５の側面）
本発明の第５の側面は、第１の側面において、前記機能素子が、櫛型電極を含む弾性表面波デバイスであることを特徴とする。

（第６の側面）
本発明の第６の側面は、第５の側面において、前記櫛型電極、前記第１の端子電極、及び前記給電ラインが、同一の金属層で形成されていることを特徴とする。

（第７の側面）
本発明の第７の側面は、第６の側面において、前記給電ラインの上に、他の金属層が積層されていることを特徴とする。

（第８の側面）
本発明の第８の側面は、基板と、前記基板上に形成された機能素子と、前記機能素子に接続された第１の端子電極と、前記第１の端子電極の上に積層された第２の端子電極を有する複数の端子と、一端が前記第１の端子電極に電気的に接続され且つ他端が前記基板の端に達する給電ラインを具備し、前記端を越えて前記給電ラインが延長された仮想の配線が、同一構造を有する仮想の電子部品が備える仮想の給電ラインに接続するように、前記仮想の電子部品を前記基板の周囲に並置した場合に、前記給電ラインと前記仮想の配線の延長部分と前記仮想の給電ラインが接続された復元給電ラインが、一の前記第１の端子電極から始まり、その後、前記端と前記仮想の電子部品の間の溝を孤立した線分で横切り、前記仮想の電子部品が有する一の仮想の前記第１の端子電極に達し、その後、前記溝を孤立した線分で横切り、他の前記第１の端子電極に達することを繰り返しながら、前記溝の一端側から他端側に達する電子部品である。

本側面によれば、給電ラインが基板の端に沿って切残されることがないので、端子同士が電気的に接続されることがない。

（第９の側面）
本発明の第９の側面は、第８の側面において、前記給電ラインは、前記第１の端子を出発した後、一旦元来た経路を逆行し、その後分岐することを特徴とする。

（第１０の側面）
本発明の第１０の側面は、基板の切削が予定されている第１の切削予定領域の両側に沿って配列された、電子部品となる複数の領域に設けられる複数の第１の端子電極と、一の前記第１の端子電極から始まり、その後、前記第１の切削予定領域及び前記第１の切削領域に交差する第２の切削予定領域の何れか一方を孤立した線分で横切り、更に横切って到達した領域に設けられる一の前記第１の端子電極に達することを繰り返しながら、前記切削予定領域の一端から他端に達する給電ラインを形成し、前記給電ラインから供給する電流によって、前記第１の電極の上に、電解メッキによって第２の端子電極を形成し、前記切削予定領域で、前記基板を切削する電子部品の製造方法である。

本側面によれば、給電ラインの切残しによって、端子同士が電気的に接続されることはない。

（第１１の側面）
本発明の第１１の側面は、第１０の側面において、前記給電ラインを形成する工程で、前記切削予定領域の中央に金属層によってダイシングラインを形成し、前記基板を切削する工程で、前記ダイシングラインを目印として、前記基板を切削することを特徴とする。

本側面によれば、基板を切削する工程に於いて、切削すべき領域（切削予定領域）の特定が容易になるので、電子部品の生産性が向上する。

（第１２の側面）
本発明の第１２の側面は、第１１の側面において、前記ダイシングラインが、分断されずに複数の前記領域に沿って形成されていることを特徴とする。

本側面によれば、基板の切削工程に於いて、基板のチッピングを防止することができる。

（第１３の側面）
本発明の第１３の側面は、第１１の側面において、前記ダイシングラインの側面に複数の突起が形成されていることを特徴とする。

本側面によれば、基板を切削する工程に於いて、ダイシングラインの特定が容易になる。

（第１４の側面）
本発明の第１４の側面は、第１０の側面において、前記給電ラインが、前記第１の切削予定領域を挟んで真向いに配置される一対の前記第１の端子電極を、前記第１の切削予定領域を横切って接続する第１の部分と、前記第１の部分から分岐し、且つ前記第１の切削予定領域を挟んで斜めに配置される一対の前記第１の端子電極を、前記第１の切削予定領域を横切って接続する第２の部分を有することを特徴とする。

（第１５の側面）
本発明の第１５の側面は、第１４の側面において、前記第１の部分が直線であることを特徴とする。

本側面によれば、対向する第１の端子電極を最短距離で接続することができるので、給電ラインが短くなり、その抵抗値が小さくなる。

（第１６の側面）
本発明の第１６の側面は、第１４の側面において、前記第２の部分がクランク状であることを特徴とする。

本発明に従う電子部品又はその製造方法によれば、給電ライン１０は、切削予定領域の内側ではなく、切削予定領域を横切るように形成される。従って、ダイサーによる切削領が切削予定領域からズレたとしても、基板の端に沿って給電ラインが切残され、端子電極同士が電気的に接続されることはない。

すなわち、本実施の形態に従う電子部品又はその製造方法によれば、基板の切削位置がズレても、電子部品の端子が給電ラインの切残しによって電気的に接続されることはない。

以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲は、これらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。

（実施の形態１）
本実施の形態は、分岐し且つ一端が基板の端に達する給電ラインを有する弾性表面波部品及びその製造方法に関するものである。

図４は、本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２を、圧電基板２４の主面を覆う樹脂層を透視して見た平面図である。図４に示すように、本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２には、フィルターや反射器等の弾性表面波素子２６が集積化されている。また、本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２は、ＷＬＣＳＰによってパッケージされている。

本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２の構成を製造手順に従って説明すると、以下のようになる。

（１）製造手順
図５は、本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２の製造手順を示すフロー図である。また、図６乃至図１０は、本実施の形態に従う弾性表面波デバイス２２の製造手順を、図４のＡ−Ａ´線に沿った断面に基づいて説明する工程断面図である。

（ステップＳ１）
まず、図６（ａ）に示すように、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板２４を用意する。

（ステップＳ２）
次に、図６（ｂ）に示すように、アルミニウム又はアルミニウム合金を用いてインターディジタルトランスデューサ２６（interdigital transducer; 以下、ＩＤＴと称する）と、このＩＤＴ２６に接続される第１の端子電極３０と、幅４０μｍの給電ライン２９と、幅１０μｍのダイシングライン３２を、圧電基板２４の上に同時に形成する。アルミニウム又はアルミニウム合金の厚さは、例えば、１００ｎｍ〜４００ｎｍである。

ＩＤＴ２６、第１の端子電極３０、及び給電ライン２９を形成するためには、まず、マグネトロンスパッタ等により圧電基板２４の上に、Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＤＴ２６、第１の端子電極３０、及び給電ライン２９に加工する。

図１１は、圧電基板２４の上に、給電ライン２９等が形成された状態を説明する平面図である。図１２は、図１１に於いて破線で囲われた部分３１を拡大した図である。図１３は、更に、図１２に於いて、破線で囲われた部分３３を拡大した図である。

以下、図１１乃至図１３を参照して、本ステップで形成される電極及び配線の構造について詳しく説明する。

本ステップでは、図１１及び図１２（特に、図１２）に示すように、圧電基板２４の切削が予定されている、幅５０μｍの切削予定領域３４,３４´の両側に沿って配列された（弾性表面波デバイスとなる）複数の領域３６に、ＩＤＴ２６（図４参照）と複数の第１の端子電極３０を形成する。

すなわち、本ステップでは、基板（圧電基板２４）の切削が予定されている切削予定領域３４の両側に沿って配列された、電子部品（弾性表面波デバイス）となる複数の領域３６に設けられる複数の第１の端子電極３０を形成する。

また、本ステップでは、図１１及び図１３（特に、図１３）に示すように、一の第１の端子電極３０（例えば、端子Ａ）から始まり、その後、第１の切削予定領域３４及び第１の切削領域に交差する第２の切削予定領域３４´の何れか一方を孤立した線分（例えば、線分ａ）で横切り、更に横切って到達した領域に設けられる他の第１の端子電極３０（例えば、端子Ａ´）に達することを繰り返しながら、第１の切削予定領域３４の一端（例えば、上端）から他端（例えば、下端）に達する給電ライン２９を形成する。

「一の第１の端子電極３０」、「孤立した線分」、及び「他の第１の端子電極３０」の他の例としては、端子Ｂ、線分ｂ、及び端子Ｂ´がある。

尚、図１３では、端子Ａ,Ａ´、端子Ｂ,Ｂ´、及び線分ａ,ｂは、それぞれ、白丸、二重白丸、白線でマークされている。また、給電ライン２９の幅は、例えば、４０μｍである。

更に、詳細に説明するならば、本ステップで形成する給電ライン２９は、図１１及び図１４（特に、図１４）に示すように、第１の切削予定領域３４を挟んで真向いに配置される一対の第１の端子電極４０を、切削予定領域３４を横切って接続する第１の部分４２を有する。更に、給電ライン２９は、第１の部分４２から分岐し、且つ切削予定領域３４を挟んで斜めに配置される一対の第１の端子電極４４を切削予定領域３４を横切って接続する第２の部分４６とを有する。

更に説明するならば、本ステップで形成する給電ライン２９では、図１４に示すように、給電ライン２９の第１の部分４２は直線である。一方、給電ライン２９の第２の部分４６は、クランク状である。

給電ライン２９の第１の部分４２が直線なので、対向する第１の端子電極同士を最短距離で接続することができる。従って、給電ラインの抵抗が小さくなり、メッキ斑が少なくなる。

本ステップでは、上述したように、幅５０μｍの切削予定領域３４の中央に金属層によって幅１０μｍのダイシングライン３２を形成する（図１２及び図１３参照）。更に、詳しく説明するならば、本実施の形態では、ダイシングライン３２は、分断されずに複数の（電子部品となる）領域３６に沿って形成される。

このダイシングライン３２は、後述する圧電基板２４の切削工程に於いて、ダイサーで切削すべき位置を指し示している。但し、ダイシングライン３２の形成は、必須ではなく、省略可能である。

（ステップＳ３）
次に、ＩＤＴ２６等の形成された圧電基板２４の上に、スパッタによりＳｉＯ_２膜４８を堆積する（図６（ｃ）参照）。

（ステップＳ４）
次に、フォトリソグラフィ法とエッチングにより、給電ライン２９と第１の端子電極３０の上に堆積したＳｉＯ_２膜を除去する（図７（ａ））。

（ステップＳ５）
次に、リフトオフ法と蒸着法によって、ステップ４によって開口された、給電ライン２９及び第１の端子電極３０の上に、厚さ２００ｎｍのＴｉ膜５０と厚さ１５０ｎｍのＡｕ膜５２を順次蒸着法によって堆積する。

Ａｕ膜５２とＡｌ膜５４の間にＴｉ膜５０を介在させることによって、Ａｕ膜５２が、下地層すなわちＡｌ膜５４（又はＡｌ合金膜）と良く密着性するようになる（図７（ｂ））。低抵抗のＡｕ膜が積層されることにより、Ａｕ膜５２及びＴｉ膜５０と一体化した給電ラインの抵抗値が小さくなる。

（ステップＳ６）
次に、給電ライン２９にＴｉ膜５０とＡｕ膜５２が積層された圧電基板２４の上に、感光性のエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂を塗布し、その後加熱して硬化させる。

次に、ＩＤＴ２６、第１の端子電極３０、及び切削予定領域３４の上以外の領域で、硬化させたエポキシ層あるいはポリイミド層５６に紫外線を照射する。

その後、このエポキシ層あるいはポリイミド層５６を現像して、ＩＤＴ２８、第１の端子電極３０、及び切削予定領域３４の上に形成されたエポキシ層あるいはポリイミド層５６を除去する（図７（ｃ）参照）。

（ステップＳ７）
次に、ＩＤＴ２６、第１の端子電極３０、及び切削予定領域３４の上で開口したエポキシ層あるいはポリイミド層５６の上に、第１の感光性樹脂シート５８を貼り付ける。

次に、第１の端子電極３０、及び切削予定領域３４の上以外の領域で、第１の感光性樹脂シート５８に紫外線を照射する。

その後、感光性樹脂シート５８を現像して、第１の端子電極３０及び切削予定領域３４の上で、第１の感光性樹脂シート５８を除去する。

更に、第１の端子電極３０及び切削予定領域３４で開口した第１の樹脂シート５８の上に、第２の樹脂シート５９を貼り付け、その後第１の樹脂シート５８に対して実施した工程と同様の手順によって、第１の端子電極３０の上部を開口する（図８（ａ）参照）。

（ステップＳ８）
次に、給電ライン２９から供給する電流によって、第１の電極３０の上に、電解メッキによって厚い第２の端子電極６０を形成する（図８（ｂ）参照。）。

この第２の端子電極６０と第１の端子電極３０が一体となって、弾性表面波デバイス２２の端子となる。

（ステップＳ９）
次に、第２の端子電極６０の上に、ボール状の半田６２を装着する（図９（ａ）参照）。

（ステップＳ１０）
次に、ダイシングライン３２を目印として、ダイサー６４により、切削予定領域３４で圧電基板２４を切削する（図９（ｂ）参照）。

以上のような工程により、図１０に示すような断面構造と図４に示すような平面構造を備えた弾性表面波デバイス２２が完成する。

その後、弾性表面波デバイス２２は、球状の半田６２に対応する位置に電極が設けられた表面実装基板の上に、表面実装基板の電極と半田６２が一致するように配置される。次に、リフロー処理によって、半田６２と上記電極が接続され、弾性表面波デバイス２２が表面実装基板に実装される。

実装された弾性表面波デバイス２２は、端子６６を信号の入出力ポートとして、実装基板と電気信号の受け渡し、即ち通信を行う。

（原 理）
図１５は、切削後の圧電基板の平面図である。図１５に示された圧電基板では、右側の切削領域１４が、切削予定領域３４からズレている。

本実施の形態に従って形成される給電ライン２９は、図２に示す関連技術に関する給電ライン１０とは異なり、切削予定領域３４,３４´の内側ではなく、切削予定領域３４を横切るように形成される（図１３参照）。従って、ダイサーによる切削領域１４が切削予定領域３４，３４´からズレたとしても、図１５に示すように、給電ライン２９の切残しによって第１の端子電極３０同士が接続されることはない。

すなわち、本実施の形態に従う電子部品の製造方法によれば、基板の切削位置（切削領域）がズレても、端子が給電ラインの切残しによって電気的に接続されることはない。

尚、図１５は、切削後の圧電基板の状態を、樹脂層（エポキシ膜あるいはポリイミド膜５６、第１及び第２の感光性樹脂シート５８,５９）を透視して見た平面図である。

また、本実施の形態では、図１２等に示すように、ダイシングライン３２が、切削予定領域３４,３４´の中央を走っている。しかし、ダイシングライン３２は給電を担うものではないので、切削予定領域３４,３４´より十分に細くすることができる。

例えば、本実施の形態では、切削予定領域３４,３４´の幅（ダイサーのブレード幅）は、５０μｍであり、一方、ダイシングライン３２の幅は１０μｍである。従って、切削領域１４が、切削予定領域３４,３４´から、多少ずれてもダイシングライン３２が切残されることはない。

尚、付言するならば、本実施の形態の給電ライン２９の幅は４０μｍであるが、この幅をこれ以上細くすることは容易ではない。

給電ライン２９が細くなり過ぎると、その抵抗値が高くなる。このため、このような給電ラインを用いてメッキをした場合、メッキ斑が起こりやすくなる。その結果、メッキで形成される第２の端子電極６０の厚さが一定でなくなる。このようなメッキ斑の発生は避けなければならないので、給電ライン２９の切残しを無くすために給電ライン２９の幅を狭くすることには限界がある。

給電ライン２９の幅を狭くしても、給電ライン２９を厚く形成すればその抵抗値を下げることはできる。しかし、本実施の形態では、給電ライン２９はＩＤＴ２８と同時に形成されるので、給電ライン２９を厚く形成することは困難である。

これは、弾性表面波素子の動作周波数が高くなるほど、ＩＤＴ２９を薄く形成しなければならないことに起因する。例えば、中心周波数が高周波化された現在の弾性表面波素子 では、４０μｍ幅の給電ライン２９でさえ、メッキ斑を起こし得るほど薄くなっている。

そこで、本実施の形態では、給電ライン２９の上に、更に他の金属膜（Ｔｉ膜５０とＡｕ膜５２）を形成して、その抵抗値を低くしている（ステップ５参照）。

ところで、本実施の形態では、給電ライン２９は切削予定領域を横切るように形成されるので、給電ライン２９の幅を切削予定領域の幅より細くする必要はない。従って、給電ライン２９の幅を、例えば、８０μｍと広くして給電ライン２９の抵抗値を下げ、メッキ斑が起こり難くすることも可能である。

尚、給電ライン２９を低抵抗金属、例えばＡｕで形成すれば、給電ラインが薄く且つ細くても、その抵抗を低くすることができる。しかし、上述した弾性表面波デバイスの製造方法のように、給電ラインを機能素子の電極（例えば、ＩＤＴ２８）と同時に形成して、製造工程を簡素化することが普通である。従って、給電ラインの材料は、機能素子の電極材料（例えば、Ａｌ）と同じ材料に制限されてしまう。故に、給電ライン２９を低抵抗金属で形成して、低抵抗化することもできない。

ところで、ダイシングライン３２は、ダイサーによる切削位置を指し示して、圧電基板２４の切削を容易にするためだけのものではない。ダイシングライン３２は、切削時に於ける圧電基板２４のチッピング（chipping）を防止する上でも有効である。

圧電基板をダイサーで切削する道筋に配線が横たわっていると、その配線を切削する時に、切削領域１４に隣接した圧電基板２４が砕けて小片となる。このようなチッピングは、切削領域１４の近くに形成された部材、例えば第１及び第２の端子電極３０,６０を破壊する。

しかし、本実施の形態では、ダイシングライン３２が、切削予定領域３４,３４´内を通り抜けているので、ダイサーは金属膜を連続して切削することになる。このため、チッピングは殆ど起こらない。従って、緩衝エリアを切削領域の両側に設けて、チッピングによる悪影響を回避する必要がなくなる。このため、電子部品が小さくなり、その分より多くの電子部品を一枚の基板から製造することができるようになる。

（構 成）
最後に、以上の手順に従って製造される弾性表面波デバイス２２の構成上の特徴について説明する。

図４に示すように、本実施の形態に従って製造される電子部品（弾性表面波デバイス２２）は、基板（圧電基板２４）と、この基板２４の上に形成された機能素子（弾性表面波素子２６）を備えている。

また、本電子部品２２は、この機能素子に接続された第１の端子電極３０と、第１の端子電極３０の上に積層された第２の端子電極６０とを有する複数の端子６６を備えている。

更に、本電子部品２２は、一端が第１の端子電極３０に電気的に接続され且つ他端が基板２４の端６８に達する給電ライン２９を具備している。

そして、給電ライン２９は、端６８に直接達する第１の部分７０と、第１の部分７０から分岐し、その後端６８に達する第２の部分７２を有している。

ここで、第１の部分７０は、端６６に垂直であっても斜めであってもよい。また、第２の部分７２は、図４に示すように、端６６に平行に進んだ後、折れ曲がっていてもよい。

以上のような構成を有する電子部品２２であれば、上述した製造方法によって製造することができるので、その製造工程において圧電基板の切削位置がズレても、給電ラインの切残しによって、端子６６同士が電気的に接続されることはない。

一方、上記手順に従って製造される弾性表面波部品２２の構成上の特徴を、次のように説明することもできる。

図１６は、上記手順に従って製造される弾性表面波部品２２の構成上の特徴を、異なる観点から説明するための平面図である。

中央に描かれた図は、上記手順に従って製造される弾性表面波デバイス２２を表す。この弾性表面波デバイス２２の周囲に描かれた図は、弾性表面波デバイス２２と同一構造を有する仮想の弾性表面波デバイス７４である。尚、図１６では、図面が煩雑にならないように機能素子２６は省略されている。

まず、本実施の形態に従って製造される電子部品（弾性表面波デバイス２２）は、図４に示されるように、基板（圧電基板２４）と、基板の上に形成された機能素子（弾性表面波素子２６）を有する。

また、本実施の形態に従って製造される電子部品２２は、この機能素子に接続された第１の端子電極３０と、第１の端子電極３０の上に積層された第２の端子電極６０とを有する複数の端子６６を有する。

そして、本実施の形態に従って製造される電子部品２２は、一端が第１の端子電極３０に電気的に接続され且つ他端が基板の端６８に達する給電ライン２９を具備している。

次に、このような電子部品２２に対して、図１６に示すように、端６８を越えて給電ライン２９が延長された仮想の配線が、同一構造を有する上記仮想の電子部品（仮想の弾性表面波部品７４）が備える仮想の給電ライン７６に接続するように、仮想の電子部品（仮想の弾性表面波部品７４）を基板（すなわち、電子部品２２）の周囲に並置した場合を想定する。

この場合、本実施の形態に従って製造される電子部品２２では、給電ライン２９と仮想の配線の延長部分７５と仮想の給電ライン７６が接続されて復元された復元給電ライン７８が、一の第１の端子電極Ａから始まり、その後、基板の端６８と仮想の電子部品（仮想の弾性表面波部品７４）の間の溝８０を孤立した線分で横切り、仮想の電子部品（仮想の弾性表面波部品７４）が有する一の仮想の第１の端子電極Ｂに達し、その後、溝８０を孤立した線分で横切り、他の第１の端子電極Ｃに達することを繰り返しながら、溝８０の一端側（上側）から他端側（下側）に達する。

このような電子部品は、上記手順（ステップＳ１〜ステップＳ１０）に従って製造される電子部品に他ならず、従って、製造工程において基板の切削位置がズレても、給電ラインの切残しによって、端子６６同士が電気的に接続されることはない。

（実施の形態２）
本実施の形態は、ダイシングラインの側面に突起を設けた電子部品の製造方法に関する。

本実施の形態に従う電子部品の製造方法は、ダイシングラインの側面に複数の突起８２が形成されている点を除き、実施の形態１の製造方法と略同じである。

図１７には、電子部品となる領域３６の外周部に形成されたダイシングライン３２を説明する平面図である。図１８は、図１７に於いて破線で囲われた領域Ａを拡大した図である。

本実施の形態では、図１８に示すように、側面に突起を有するダイシングラインを形成する。従って、基板を切削して電子部品を切り出す際に、ダイシングラインを給電ライン３０と識別することが容易になり、生産性が向上する。

本実施の形態のダイシングライン３２は、実施の形態１のダイシングラインとは異なり、直線状ではなく切削予定領域３４,３４´の交点を迂回するように形成される（図１７及び図１８参照）。これは、切削予定領域３４,３４´の交点に紫外線露光用の位置合せマークを形成するためである。

（比較例）
実施の形態１に従う電子部品の製造方法では、図１３に示すように、切削予定領域３４,３４´を孤立した線分ａ,bとして横切る給電ライン２９を機能素子の形成された基板上に設ける。

しかし、切削予定領域３４,３４´を、孤立していない線分、例えば他の線分と交差した線分によって横切る給電ラインを考えることもできる。

図１９は、切削予定領域３４,３４´を、交差する線分によって横切る給電ラインの例を説明する図である。

給電ライン８８は、第１の端子電極３０,３０´をジグザグに接続する給電幹線８４と、この給電幹線８４と斜めに交差する給電枝線８６を有している。給電幹線８４は第１の端子電極３０,３０´をジグザクに接続するので、第１の端子電極３０,３０´の半分が接続されないまま残される。

給電枝線８６は、この接続し残された第１の端子電極３０,３０´を接続する役割を担っている。このような給電ラインを用いて電子部品が製造された例はないが、電子部品搭載用基板の製造に適用された例はある（特許文献３）。

しかし、このような給電ラインを用いた場合、切削領域１４が本来の切削位置から僅かにズレただけでも給電ライン２９は分断されず、第１の端子電極３０,３０´が電気的に接続された状態のままになってしまう。

例えば、図１９に示した例では、中央の切削領域１４´が本来の切削位置（切削領域）より左側にズレている。図２０は、この場合に切り出される電子部品の平面図である。
図２０に示すように、右側の給電ライン８８は、正しく分断されている。しかし、左側の給電ライン８８´は、分断されていない。

このため、左側に配列された第１の端子電極３０´は、切削後も、給電ライン３０´によって電気的に接続されたままである。

これは、給電ライン８８,８８´が、切削予定領域３４,３４´を、交差する線分として横切っているためである。

これに対して、上記実施の形態では、給電ライン８８が、切削予定領域３４,３４´を、孤立した線分として横切っているので、切削領域が本来の位置からズレても、給電ラインは分断される。従って、第１の端子電極３０が、給電ラインによって電気的に接続されることはない。

（変形例）
図２１及び図２２は、実施の形態１の変形例である。

実施の形態１に従う電子部品の製造方法では、図１４に示すように、第１の切削予定領域３４を挟んで真向いに配置された第１の端子電極対４０を直線で接続する第１の部分４２と、この第１の部分４２から分岐したクランク状の第２の部分４６を有する給電ライン２９を形成する。

しかし、本発明で形成する給電ラインの形状は、このような形状に限られるものではなく、第２の部分４６´が、図２２のように切削領域１４を斜めに横切る直線であってもよい。

また、図１４では第２の部分４６は第１の部分４２の途中から分岐しているが、図２２のように、第１の端子電極３０から直接分岐してもよい。

また、実施の形態１及び２では、基板を圧電基板とし、機能素子としては、弾性表面波素子を形成した。しかし、基板及び機能素子はこれらに限られるものではなく、例えば、半導体基板上にメモリー等の半導体部品を形成してもよい。

ＴＡＢ用半導体部品の製造方法に於けるメッキ工程を説明する図である。 関連技術において、ダイサーによる切削位置が、切削予定領域から僅かにズレた状態を説明する概念図である。 給電ラインが切残された状態のチップの平面図である。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスを、デバイスの主面を覆う樹脂層を透視して見た平面図である。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示すフロー図である。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示す工程断面図である（その１）。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示す工程断面図である（その２）。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示す工程断面図である（その３）。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示す工程断面図である（その４）。 実施の形態１に従う弾性表面波デバイスの製造手順を示す工程断面図である（その５）。 実施の形態１において、圧電基板の上に給電ライン等が形成された状態を説明する平面図である。 図１１に於いて破線で囲われた部分を拡大した図である。 図１２に於いて破線で囲われた部分を拡大した図である（その１）。 図１２に於いて破線で囲われた部分を拡大した図である（その２）。 切削後の圧電基板の状態を、樹脂層を透視して見た平面図である。 実施の形態１の手順に従って製造される弾性表面波デバイスの構成上の特徴を説明するための平面図である。 電子部品となる領域の外周部に形成されたダイシングラインを説明する平面図である（実施の形態２）。 図１７に於いて破線で囲われた領域を拡大した図である。 切削予定領域を、交差する線分として横切る給電ラインの例を説明する図である。 交差する線分を有する給電ラインを形成し、その後切り出した電子部品の状態を説明する図である。 実施の形態１の変形例を説明する図である（その１）。 実施の形態１の変形例を説明する図である（その２）。

符号の説明

２・・・パッド ４・・・配線 ５・・・引き出し線
６・・・半導体基板 ８・・・切削幅 １０・・・給電ライン
１２,１２´・・・チップ化予定領域 １４,１４´・・・切削領域
１６,１６´・・・（給電ラインの）切残し
１８・・・（給電ラインの切残しがある）チップ
２０，２０´・・・バンプ ２２・・・弾性表面波デバイス
２４・・・圧電基板 ２６・・・弾性表面波素子
２８・・・ＩＤＴ ２９,２９´・・・給電ライン（実施の形態1）
３０,３０´・・・第１の端子電極 ３２・・・ダイシングライン
３４,３４´・・・切削予定領域 ３６・・・（電子部品となる）領域
４０・・・真向いに配置された一対の第１の端子電極
４２・・・給電ラインの第１の部分
４４・・・斜めに配置された一対の第１の端子電極
４６,４６´・・・給電ラインの第２の部分 ４８・・・ＳｉＯ_２膜
５０・・・Ｔｉ膜 ５２・・・Ａｕ膜
５４・・・Ａｌ膜 ５６・・・ポリイミド層
５８・・・第１の感光性樹脂シート ５９・・・第２の感光性樹脂シート
６０・・・第２の端子電極 ６２・・・半田 ６４・・・ダイサー
６６・・・端子 ６８・・・（基板の）端
７０・・・（切削後の給電ラインの）第１の部分
７２・・・（切削後の給電ラインの）第２の部分
７４・・・仮想の弾性表面波デバイス ７５・・・仮想の配線の延長部分
７６・・・仮想の給電ライン
７８・・・復元された給電ライン ８０・・・溝
８２・・・突起 ８４・・・給電幹線
８６・・・給電枝線 ８８,８８´・・・給電ライン（比較例）

Claims (6)

1. 基板の切削が予定されている第１の切削予定領域の両側に沿って配列された、電子部品となる複数の領域に設けられる複数の第１の端子電極と、
   一の前記第１の端子電極から始まり、その後、前記第１の切削予定領域及び前記第１の切削領域に交差する第２の切削予定領域の何れか一方を線分で横切り、更に横切って到達した領域に設けられる一の前記第１の端子電極に達することを繰り返しながら、前記切削予定領域の一端から他端に達する給電ラインを形成し、
   前記給電ラインから供給する電流によって、前記第１の電極の上に、電解メッキによって第２の端子電極を形成し、
   前記切削予定領域で、前記基板を切削する電子部品の製造方法であって、
   前記給電ラインを形成する工程で、前記切削予定領域の中央に金属層によってダイシングラインを形成し、
   前記基板を切削する工程で、前記ダイシングラインを目印として、前記基板を切削することを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
   前記ダイシングラインが、分断されずに複数の前記領域に沿って形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
3. 請求項１に記載の電子部品の製造方法において
   前記ダイシングラインの側面に複数の突起が形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
4. 請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
   前記給電ラインが、
   前記第１の切削予定領域を挟んで真向いに配置される一対の前記第１の端子電極を、前記第１の切削予定領域を横切って接続する第１の部分と、
   前記第１の部分から分岐し、且つ前記第１の切削予定領域を挟んで斜めに配置される一対の前記第１の端子電極を、前記第１の切削予定領域を横切って接続する第２の部分を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
5. 請求項４に記載の電子部品の製造方法において、
   前記第１の部分が直線であることを特徴とする電子部品の製造方法。
6. 請求項４に記載の電子部品の製造方法において、
   前記第２の部分がクランク状であることを特徴とする電子部品の製造方法。

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